專利名稱：發(fā)光二極管防水治具以及發(fā)光二極管的切割方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管，尤其涉及一種發(fā)光二極管防水治具以及一種發(fā)光二極管的切割方法。
背景技術(shù)：
目前，發(fā)光二極管(Light Emitting Diode,LED)因具有功耗低、壽命長、體積小及亮度高等特性已經(jīng)被廣泛應用到很多領(lǐng)域。一般地，發(fā)光二極管由封裝完畢的發(fā)光二極管模組切割而成，并一般采用機械切割法。然而，在機械切割過程，切割用的刀刃與板材之間產(chǎn)生摩擦而升溫。因此，在切割過程中，一般需要用液體，如水，以幫助刀刃與板材等降溫，以免發(fā)光二極管模組在切割過程中受高溫破壞。然而，在切割過程中，降溫用的液體容易滲入封裝體中，從而影響發(fā)光二極管的性能參數(shù)。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，有必要提供一種可防水的發(fā)光二極管防水治具以及一種發(fā)光二極管的切割方法。一種發(fā)光二極管防水治具，其用于在切割發(fā)光二極管模組時，對發(fā)光二極管模組的基板上的多個發(fā)光二極管進行防水保護。該防水治具具有一表面，且該表面上具有多個向該防水治具內(nèi)延伸的以分別防水收容所述多個發(fā)光二極管的第一凹槽。一種發(fā)光二極管的切割方法，其包括提供一個發(fā)光二極管模組，其包括一基板， 以及封裝在該基板上的多個發(fā)光二極管，每個發(fā)光二極管包括有設(shè)置在該基板上的發(fā)光二極管芯片，圍繞該發(fā)光二極管芯片的反射杯，以及設(shè)置在該發(fā)光二極管芯片出光面的封裝體，每個反射杯具有一外側(cè)壁；提供一個防水治具，該防水治具具有一第一表面，且該第一表面上具有多個向該防水治具內(nèi)延伸的第一凹槽，該第一凹槽具有一內(nèi)表面；將該防水治具套設(shè)在該發(fā)光二極管模組上，以使該防水治具的內(nèi)表面與該反射杯的外側(cè)壁緊密接觸； 切割該基板以形成多個發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。所述發(fā)光二極管防水治具以及一種發(fā)光二極管的切割方法均采用了防水治具，該防水治具包括的第一凹槽與該發(fā)光二極管模組包括反射杯的外側(cè)壁緊密接觸，因此，在切割過程中，可有效的防止水等液體透過該發(fā)光二極管模組的反射杯與封裝體進入該發(fā)光二極管芯片。


圖1是本發(fā)明實施例的發(fā)光二極管防水治具與發(fā)光二極管模組的剖面分解示意圖。圖2是圖1的發(fā)光二極管防水治具與發(fā)光二極管模組相配合的剖面示意圖。圖3是本發(fā)明一種發(fā)光二極管的切割方法的流程圖。
主要元件符號說明
防水治具100
本體10
上表面101
下表面102
內(nèi)側(cè)壁13
底面14
支撐部15
第二凹槽16
發(fā)光二極I 模組200
基板20
發(fā)光二極If21
第一表面215
第二表面216
反射杯22
外側(cè)壁225
發(fā)光二極I 芯片23
封裝體24
光出射面24具體實施例方式下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明實施例作進一步的詳細說明。請參閱圖1與圖2，本發(fā)明實施例提供一種發(fā)光二極管防水治具100，該防水治具 100用于在切割發(fā)光二極管模組200時，對發(fā)光二極管模組200進行防水保護。該發(fā)光二極管模組200包括基板20，以及間隔形成在該基板20上的多個發(fā)光二極管21。每個發(fā)光二極管21包括形成在該基板20上的多個反射杯22，設(shè)置在該基板20上且分別收容該反射杯22內(nèi)的發(fā)光二極管芯片23，以及設(shè)置在該發(fā)光二極管芯片23出光面的封裝體對。該基板20呈平板狀，其具有一第一表面215以及與其相對的第二表面216。該基板20上具有多個通孔。每個發(fā)光二極管21包括有一電極對217。該電極對217的一端形成在該基板20的第一表面215上，其另一端分別穿過該多個通孔并延伸至該基板20的第二表面216。該發(fā)光二極管芯片23設(shè)置在該電極對217包括的一個電極上，并通過打線分別與該電極對217形成電連接。該反射杯22形成在該基板20的第一表面215上。該反射杯22包覆電極217位于該第一表面215的端部。在本實施例中，該反射杯22具有一環(huán)形的外側(cè)壁225及一遠離第一表面215的底面。在本實施例中，該反射杯22的外側(cè)壁225垂直于基板20的第一表面215 ；在其它實施例中，該反射杯22的外側(cè)壁225亦可以自第一表面215朝向封裝體M 傾斜，以供防水治具100嵌入。該發(fā)光二極管芯片23的出光面上設(shè)置在封裝體24。在本實施例中，該封裝體M
4填充整個反射杯22。該封裝體M為摻雜有熒光粉的封裝樹脂。在本實施例中，該封裝體 24具有一個光出射面M5，且該光出射面245為平面。在本實施例中，該光出射面245與反射杯22的底面平齊。當然，該封裝體M也可以為其他封裝材料，且該光出射面245也可以根據(jù)需要設(shè)置成其他形狀，如凸曲面，凹曲面等。在本實施例中，該防水治具100用于與該發(fā)光二極管模組200相配合。該防水治具100包括一本體10，該本體10具有一上表面101以及與其相對的下表面102。該上表面 101上形成有多個向該本體10內(nèi)延伸的多個第一凹槽12。該第一凹槽12包括有一內(nèi)側(cè)壁 13以及與該內(nèi)側(cè)壁13相連接的底面14。在本實施例中，該第一凹槽12呈矩形設(shè)置，該內(nèi)側(cè)壁13與該底面14相互垂直。所述相鄰的第一凹槽12之間形成有一凸起的支撐部15。每個支撐部15上形成有向該支撐部15延伸的第二凹槽16。在實施例中，該支撐部15的高度小于該反射杯22的底面到該基板20的第一表面215的距離，支撐部15的寬度小于或等于相鄰的發(fā)光二極管21 之間的間距。該第二凹槽16呈梯形設(shè)置，其開口大小沿該本體10的上表面101到下表面 102的方向逐漸減小。當使用該防水治具100時，先將該防水治具100與該發(fā)光二極管模組200相配合。 在本實施例中，每一個第一凹槽12與一個發(fā)光二極管21相配合，且該第一凹槽12的內(nèi)側(cè)壁13與底面14分別與該發(fā)光二極管21的外側(cè)壁225以及光出射面245緊密配合，以使該防水治具100的支撐部15位于相鄰的發(fā)光二極管21之間。由于該支撐部15的高度小于該所述反射杯22的底面到該基板20的第一表面215的距離，當該支撐部15與該發(fā)光二極管模組200配合后，支撐部15的底端與基板20的第一表面215相間隔，以避免刀具切割時破壞該防水治具100。在切割該發(fā)光二極管模組200時，由于該發(fā)光二極管模組200與防水治具100相配合使用，因此，可以將該發(fā)光二極管模組200放置液體中，通過該液體可以降低切割溫度，防止高溫損壞該發(fā)光二極管21。由于該發(fā)光二極管21的外側(cè)壁225以及光出射面M5 分別與該第一凹槽12的內(nèi)側(cè)壁13與底面14緊密配合，因此，該防水治具100可有效地防止液體透過該發(fā)光二極管模組200的反射杯22與封裝體M進入該發(fā)光二極管芯片23，從而保護該發(fā)光二極管芯片23。進一步地，該防水治具100的支撐部15以及設(shè)置在其上的第二凹槽16，可用于在切割過程中，用于承載被切除的基板20，以及液體，防止液體透過反射杯22的外側(cè)壁225進入該發(fā)光二極管芯片23。請參見圖3所示，一種發(fā)光二極管的切割方法，其包括以下步驟步驟一提供一基板，基板具有一第一表面。請一并參見圖1與圖2，具體地，該基板20包括一第一表面215以及與其相對的第二表面216。步驟二 在基板的第一表面上形成多個反射杯，每個反射杯具有一個外側(cè)壁，該基板具有暴露在每個反射杯的底部的暴露面。該反射杯22形成在該基板20的第一表面215 上。該反射杯22具有一環(huán)形的外側(cè)壁225及一遠離第一表面215的底面。在本實施例中， 該反射杯22的外側(cè)壁225垂直于基板20的第一表面215 ；在其它實施例中，該反射杯22的外側(cè)壁225亦可以自第一表面215朝向封裝體M傾斜，以供防水治具100嵌入。優(yōu)選地， 先在該基板20上形成多個電極對217。每個反射杯22包覆一個電極對217的一端部。該電極對217的另一端部穿過該基板20并延伸至該基板20的第二表面216。
步驟三將多個發(fā)光二極管芯片分別設(shè)置在該基板的暴露面，在每個發(fā)光二極管芯片的出光面形成一封裝體以形成發(fā)光二極管。在本實施例中，該多個發(fā)光二極管芯片23 分別設(shè)置在該基板20的暴露面上，且位于電極對217的其中一個電極上，并通過金線與該電極對217電連接。該發(fā)光二極管芯片23的出光面上設(shè)置在封裝體M。在本實施例中，該封裝體M具有一個光出射面M5，該光出射面245為平面，且該光出射面245與反射杯22 的底面平齊。步驟四提供一個防水治具，該防水治具具有一第一表面，且該第一表面上具有多個向該防水治具內(nèi)延伸的第一凹槽，該第一凹槽具有一內(nèi)表面。該防水治具100包括一本體10，該本體10具有一上表面101以及與其相對的下表面102。該上表面101上形成有多個向該本體10內(nèi)延伸的多個第一凹槽12。該第一凹槽12包括有一內(nèi)側(cè)壁13以及與該內(nèi)側(cè)壁13相連接的底面14。在本實施例中，該第一凹槽12為長方形，該內(nèi)側(cè)壁13與該底面 14為相互垂直的平面。相鄰的第一凹槽12之間形成有一凸起的支撐部15。每個支撐部15上形成有向該支撐部15延伸的第二凹槽16。在實施例中，該支撐部15的高度小于所述反射杯22的底面到該基板20的第一表面215的距離，支撐部15的寬度小于或等于相鄰的發(fā)光二極管21之間的間距。該第二凹槽16的開口大小沿該本體10的上表面101到下表面102的方向逐漸減小。步驟五將該防水治具套設(shè)在該發(fā)光二極管模組上，以使該防水治具的內(nèi)表面與該反射杯的外側(cè)壁緊密接觸。具體地，每一個第一凹槽12與一個發(fā)光二極管21相配合，且該第一凹槽12的內(nèi)側(cè)壁13與底面14分別與該發(fā)光二極管21的外側(cè)壁225以及光出射面 245緊密配合，以使該防水治具100的支撐部15位于相鄰的發(fā)光二極管21之間。步驟六切割該基板以形成多個發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。在切割該發(fā)光二極管模組200時，由于該發(fā)光二極管模組200與防水治具100相配合使用，因此，可以將該發(fā)光二極管模組200放置液體中，通過該液體可以降低切割溫度，防止高溫損壞該發(fā)光二極管21。并且，由于該發(fā)光二極管21的外側(cè)壁225以及光出射面245分別與該第一凹槽12的內(nèi)側(cè)壁13與底面14緊密配合，因此，該防水治具100可有效地防止液體透過該發(fā)光二極管模組200的反射杯22與封裝體M進入該發(fā)光二極管芯片 23，從而保護該發(fā)光二極管芯片23?？梢岳斫獾氖牵绢I(lǐng)域技術(shù)人員還可于本發(fā)明精神內(nèi)做其它變化，只要其不偏離本發(fā)明的技術(shù)效果均可。這些依據(jù)本發(fā)明精神所做的變化，都應包含在本發(fā)明所要求保護的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管防水治具，其用于在切割發(fā)光二極管模組時，對發(fā)光二極管模組的基板上的多個發(fā)光二極管進行防水保護，其特征在于，該防水治具具有一表面，且該表面上具有多個向該防水治具內(nèi)延伸的以分別防水收容所述多個發(fā)光二極管的第一凹槽。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管防水治具，其特征在于，每一第一凹槽包括一以與發(fā)光二極管的外側(cè)壁緊密接觸的內(nèi)側(cè)壁以及與內(nèi)側(cè)壁相連接的底面。
3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管防水治具，其特征在于，每一第一凹槽的底面為平
4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管防水治具，其特征在于，該防水治具的相鄰的第一凹槽之間形成有一凸起的支撐部，該支撐部的頂面設(shè)有第二凹槽。
5.一種發(fā)光二極管的切割方法，其包括提供一個發(fā)光二極管模組，其包括一基板，以及封裝在該基板上的多個發(fā)光二極管， 每個發(fā)光二極管包括有設(shè)置在該基板上的發(fā)光二極管芯片，圍繞該發(fā)光二極管芯片的反射杯，以及設(shè)置在該發(fā)光二極管芯片出光面的封裝體，每個反射杯具有一外側(cè)壁；提供一個防水治具，該防水治具具有一第一表面，且該第一表面上具有多個向該防水治具內(nèi)延伸的第一凹槽，該第一凹槽具有一內(nèi)表面；將該防水治具套設(shè)在該發(fā)光二極管模組上，以使該防水治具的內(nèi)表面與該反射杯的外側(cè)壁緊密接觸；及切割該基板以形成多個發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。
6.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管的切割方法，其特征在于，每一第一凹槽的內(nèi)表面包括一內(nèi)側(cè)壁以及與內(nèi)側(cè)壁相連接的底面，該內(nèi)側(cè)壁與該反射杯的外側(cè)壁緊密接觸。
7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管的切割方法，其特征在于，每一第一凹槽的底面與該封裝體緊密接觸。
8.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管的切割方法，其特征在于，該防水治具的相鄰的第一凹槽之間形成有一凸起的支撐部，該基板的用于承載該發(fā)光二極管芯片的表面為第一表面，該反射杯具有一遠離該基板的第一表面的底面，該支撐部的高度小于所述反射杯的底面到該基板的第一表面的距離。
9.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管的切割方法，其特征在于，該支撐部的頂面設(shè)有第二凹槽。
10.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管的切割方法，其特征在于，該發(fā)光二極管模組的形成方法包括提供一基板，基板具有一第一表面；在基板的第一表面上形成多個反射杯，每個反射杯具有一個外側(cè)壁，該基板具有暴露在每個反射杯的底部的暴露面；將多個發(fā)光二極管芯片分別設(shè)置在該基板的暴露面，在每個發(fā)光二極管芯片的出光面形成一封裝體以形成發(fā)光二極管，每個封裝體具有一個光出射面。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管防水治具，其用于在切割發(fā)光二極管模組時，對發(fā)光二極管模組的基板上的多個發(fā)光二極管進行防水保護。該防水治具具有一表面，且該表面上具有多個向該防水治具內(nèi)延伸的以分別防水收容所述多個發(fā)光二極管的第一凹槽。本發(fā)明還涉及一種發(fā)光二極管的切割方法。
文檔編號H01L33/00GK102447017SQ201010505638
公開日2012年5月9日 申請日期2010年10月13日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月13日
發(fā)明者洪孟賢, 簡克偉 申請人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司