專(zhuān)利名稱(chēng)：有機(jī)發(fā)光裝置的制作方法
有機(jī)發(fā)光裝置技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明的各實(shí)施方式涉及有機(jī)發(fā)光裝置。
背景技術(shù)：
作為自發(fā)光裝置的有機(jī)發(fā)光裝置(OLED)具有以下優(yōu)點(diǎn)，例如寬視角、優(yōu)異的對(duì)比 度、快速響應(yīng)、高亮度、優(yōu)異的驅(qū)動(dòng)電壓特性和提供多色彩圖像的能力。常規(guī)OLED具有包括例如基板、以及依次堆疊在基板上的陽(yáng)極、空穴傳輸層(HTL)、 發(fā)光層(EML)、電子傳輸層(ETL)和陰極的結(jié)構(gòu)。這里，HTL、EML和ETL可為由有機(jī)化合物 形成的有機(jī)薄膜。具有上述結(jié)構(gòu)的OLED的工作原理如下。當(dāng)對(duì)陽(yáng)極和陰極施加電壓時(shí)，由陽(yáng)極注入的空穴通過(guò)HTL向EML移動(dòng)，由陰極注入 的電子通過(guò)ETL向EML移動(dòng)?？昭ê碗娮釉贓ML中再結(jié)合產(chǎn)生激子。當(dāng)激子從激發(fā)態(tài)降至 基態(tài)時(shí)發(fā)光。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的各實(shí)施方式涉及一種有機(jī)發(fā)光裝置，所述有機(jī)發(fā)光裝置相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù) 呈現(xiàn)出優(yōu)勢(shì)。本發(fā)明實(shí)施方式的特征是提供具有優(yōu)異的效率和功耗特性的有機(jī)發(fā)光裝置 (OLED)。本發(fā)明實(shí)施方式的另一特征是提供具有優(yōu)異的圖像質(zhì)量的有機(jī)發(fā)光裝置(OLED)。以上和其它特征及優(yōu)點(diǎn)的至少一個(gè)可通過(guò)提供有機(jī)發(fā)光裝置來(lái)實(shí)現(xiàn)，所述有機(jī)發(fā) 光裝置包括基板、在所述基板上的第一電極、第二電極、在所述第一電極和所述第二電極之 間的有機(jī)層、以及在所述第一電極和所述有機(jī)層之間的含碳質(zhì)材料層，其中所述第一電極 包括按以下順序依次堆疊在所述基板上的鋁(Al)類(lèi)反射層和透明導(dǎo)電層，所述Al類(lèi)反 射層包括第一元素和鎳(Ni)，且所述第一元素包括鑭(La)、鈰(Ce)、鐠(ft·)、钷(Pm)、釤 (Sm)、銪(Eu)、釓(Gd)、鋱(Tb)、鏑(Dy)、鈥(Ho)、鉺(Er)、銩(Tm)、鐿(Yb)和镥(Lu)中的 至少一種。所述Al類(lèi)反射層可包括AlxNi相，χ為約2. 5至約3. 5。所述AlxNi相可與所述透明導(dǎo)電層接觸。X可為約3。所述有機(jī)發(fā)光裝置可進(jìn)一步包括在所述Al類(lèi)反射層面對(duì)所述透明導(dǎo)電層的表面 上的富鎳(Ni)氧化物層。鎳(Ni)在所述Al類(lèi)反射層中的含量可為約0. 6wt%至約5wt%。所述第一元素可為鑭(La)。所述第一元素在所述Al類(lèi)反射層中的含量可為約0. Iwt %至約3wt%。所述Al類(lèi)反射層可包括鑭(La)、鎳(Ni)和鋁(Al)，鑭(La)在所述Al-類(lèi)反射層中的含量可為約0. 1襯％至約3襯％，且鎳(Ni)在所述Al-類(lèi)反射層中的含量可為約 0. 6wt% 至約 5wt%。所述透明導(dǎo)電層可包括氧化銦錫(ITO)或氧化錫(SnO2)。所述含碳質(zhì)材料層可包括碳質(zhì)材料，所述碳質(zhì)材料包括富勒烯類(lèi)化合物、含金屬 的富勒烯類(lèi)復(fù)合物、碳納米管、碳纖維、碳黑、石墨、卡賓(carbine)、MgC60, CaC60和SrC6tl中 的至少一種。所述碳質(zhì)材料可包括C6tl。所述第一電極可進(jìn)一步包括含第二元素的氧化鋅層，含所述第二元素的氧化鋅層 中的所述第二元素包括鋁(Al)、銦an)、鎵(( )、鍺(Ge)、釓(Gd)、鋯(&)、鉬(Mo)和鎳 (Ni)中的至少一種。所述第二元素可包括鋁(Al)。包括所述第一元素和鎳(Ni)的所述Al類(lèi)反射層、所述透明導(dǎo)電層和所述含第二 元素的氧化鋅層可按以下順序依次堆疊在所述基板上?；?00重量份的所述含第二元素的氧化鋅層，所述第二元素在所述含第二元素 的氧化鋅層中的含量可為約0. 5至約10重量份。


通過(guò)參照附圖詳細(xì)說(shuō)明示例性實(shí)施方式，以上和其它特征及優(yōu)點(diǎn)將對(duì)本領(lǐng)域技術(shù) 人員變得更為顯而易見(jiàn)，其中圖1示出了根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光裝置(OLED)結(jié)構(gòu)的截面圖；圖2A示出了根據(jù)實(shí)施方式的鋁(Al)類(lèi)反射層的截面圖的透射電子顯微鏡(TEM) 照片；圖2B示出了圖2A中所示的鋁(Al)類(lèi)反射膜的掃描透射電子顯微鏡(STEM)-高 角環(huán)形暗場(chǎng)(HAADF)照片；圖2C示出了對(duì)圖2A中異常生長(zhǎng)的晶體的X-射線能量色散譜的結(jié)果；圖3示出了根據(jù)另一實(shí)施方式的第一電極截面的TEM照片；以及圖4示出了根據(jù)又一實(shí)施方式的OLED結(jié)構(gòu)的截面圖。
具體實(shí)施例方式在此通過(guò)引用合并2009年10月12日在韓國(guó)申請(qǐng)的韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)第 10-2009-0096820號(hào)、題目為“有機(jī)發(fā)光裝置”的全部?jī)?nèi)容。以下將參照附圖更完整地說(shuō)明示例性實(shí)施方式；然而，它們可以不同形式實(shí)施，且 不應(yīng)理解為受文中所列實(shí)施方式的限制。更確切地說(shuō)，提供這些實(shí)施方式，使得該公開(kāi)將徹 底而完整，并將完整地將本發(fā)明的范圍傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，為了說(shuō)明的清楚性，層與區(qū)域的尺寸可被放大。還應(yīng)理解的的是當(dāng)某一 層或元件被稱(chēng)作“在另一層或基板上”時(shí)，它可直接在該另一層或基板上，或者也可存在插 入層。此外，還應(yīng)理解的是當(dāng)某一層被稱(chēng)作“在兩個(gè)層之間”時(shí)，它可以是該兩個(gè)層之間唯 一層，或者也可存在一個(gè)或多個(gè)插入層。文中相同的附圖標(biāo)記表示相同元件。圖1示出了根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光裝置(OLED) 10的截面示意圖。參照?qǐng)D1，根4據(jù)本實(shí)施方式的0LED10可包括按以下順序依次堆疊的基板1、第一電極5、含碳質(zhì)材料層6、 有機(jī)層7和第二電極9。第一電極5可包括依次堆疊在基板1上的鋁(Al)類(lèi)反射層fe和 透明導(dǎo)電層恥。Al類(lèi)反射層如可包括Al、第一元素和鎳(Ni)?；?，可以是適用于有機(jī)發(fā)光裝置的任意基板，可為具有優(yōu)異的機(jī)械強(qiáng)度、熱穩(wěn)定 性、透明度、表面平整度、易處理性和不透水性的玻璃基板或透明塑料基板。在Al類(lèi)反射層fe中的第一元素可包括如鑭(La)、鈰(Ce)、鐠(ft·)、钷(Pm)、釤 (Sm)、銪(Eu)、釓(Gd)、鋱(Tb)、鏑(Dy)、鈥(Ho)、鉺(Er)、銩(Tm)、鐿(Yb)和镥(Lu)中的 至少一種。Al類(lèi)反射層fe可具有高反射性和/或反射率，由此可提高OLED的發(fā)光效率。此 外，Al類(lèi)反射層fe可由于Al的固有特性而具有高的熱穩(wěn)定性。因此，即使暴露在高溫制 造工藝中，Al類(lèi)反射層fe可具有優(yōu)異的耐受性。此外，Al類(lèi)反射層5a對(duì)與其鄰接形成的 有機(jī)層或無(wú)機(jī)層可具有優(yōu)異的粘合特性。Al類(lèi)反射層fe和透明導(dǎo)電層恥可相互接觸。但基本不會(huì)發(fā)生由于Al類(lèi)反射層 5a和透明導(dǎo)電層恥之間電勢(shì)差導(dǎo)致的電化學(xué)腐蝕。具體地，由于兩種彼此相鄰的不同金屬之間的電勢(shì)差，從而導(dǎo)致電流流動(dòng)并產(chǎn)生 電，從而會(huì)發(fā)生電化學(xué)腐蝕。由于在界面處的不同功函，相互接觸的兩種不同金屬中具有相 對(duì)較高活性(較低電勢(shì))的一種可用作陰極，而具有相對(duì)較低活性(較高電勢(shì))的另一種 可用作陽(yáng)極。當(dāng)兩種金屬都暴露在腐蝕性溶液中時(shí)，由于其間電勢(shì)差兩種金屬都會(huì)被腐蝕。 這稱(chēng)作電化學(xué)腐蝕。具有較高活性的陰極會(huì)比單獨(dú)使用時(shí)腐蝕更快。具有較低活性的陽(yáng)極 會(huì)比單獨(dú)使用時(shí)腐蝕更慢。由于電化學(xué)腐蝕沿著由不同金屬形成的兩個(gè)電極層的界面擴(kuò) 展，兩個(gè)電極之間的接觸電阻會(huì)驟然增大。因此，接觸電阻會(huì)分布非常不穩(wěn)定。從而，當(dāng)運(yùn) 行包括這樣兩個(gè)電極層的OLED時(shí)，OLED的像素會(huì)顯示具有不一致亮度的顏色。由于該不 均勻的亮度，圖像質(zhì)量會(huì)顯著降低。因而，電化學(xué)腐蝕可能是OLED中質(zhì)量惡化因素。然而，因?yàn)锳l類(lèi)反射層fe包括第一元素，它將在下文詳細(xì)說(shuō)明，這種電化學(xué)腐蝕 基本不會(huì)在Al類(lèi)反射層fe和透明導(dǎo)電層恥之間界面處出現(xiàn)。因此，根據(jù)該實(shí)施方式的 OLED會(huì)具有優(yōu)異的圖像質(zhì)量。Al類(lèi)反射層fe可包括鎳(Ni)。具體的，Al類(lèi)反射層fe可包括AlxNi相，其中χ 為約2. 5至約3. 5。圖2Α示出了形成在鈦(Ti)層(層B)上的Al類(lèi)反射層(層Α)的截面的透射電子 顯微鏡(TEM)照片，其中Al類(lèi)反射層包括2wt%的鎳和0. 35wt%的鑭(La)，且圖2B示出了 圖2A中所示的鋁(Al)類(lèi)反射膜的掃描透射電子顯微鏡(STEM)-高角環(huán)形暗場(chǎng)(HMDF)照 片。圖2C示出了圖2A中異常生長(zhǎng)的AlxNi晶體的X-射線能量色散譜(在第一和第二測(cè)量 點(diǎn)處)的結(jié)果。如圖2C中所示，圖2C中異常生長(zhǎng)的AlxNi晶體包括比例為Al (K) Ni (K) =73 27 (原子％)的Al和Ni。因此，Al類(lèi)反射層大概包括AlxNi相，其中χ為約3。χ為約2. 5至約3. 5的AlxNi相可與透明導(dǎo)電層5b接觸。在實(shí)施方式中，富Ni氧化物層可進(jìn)一步布置在Al類(lèi)反射層如面對(duì)透明導(dǎo)電層恥 的表面上。在本文中，富鎳氧化物層是指與具有化學(xué)計(jì)量化合價(jià)的氧化鎳中的鎳相比，具有 過(guò)多量的鎳的氧化鎳層。5
圖3示出了依次形成在TFT基板上的包括Al類(lèi)反射層(區(qū)域C)和透明ITO導(dǎo)電 層(區(qū)域D)的結(jié)構(gòu)截面的TEM照片，其中Al類(lèi)反射層包括2wt%的鎳(Ni)和0. 35wt%的 鑭(La)。在圖3中，Al類(lèi)反射層和透明ITO導(dǎo)電層之間的線性區(qū)域，表示為‘ ”，對(duì)應(yīng)于具 有約7nm至約8nm厚度的富Ni氧化物層。由于上述的χ為約2. 5至3. 5的AlxNi相和富Ni氧化物層，Al類(lèi)反射層fe和透 明導(dǎo)電層恥之間可實(shí)現(xiàn)歐姆接觸。Ni在Al類(lèi)反射層中的含量可為約0.6 丨％至約5wt%，例如約1 丨％至約 #t%。保持Al類(lèi)反射層fe中Ni的量為約0. 6wt%至約5wt%，會(huì)有助于確保使Al類(lèi)反 射層fe和透明導(dǎo)電層恥之間的接觸電阻穩(wěn)定，且Al類(lèi)反射層fe的反射率和耐化學(xué)品性 基本不會(huì)降低。在實(shí)施方式中，Ni在Al類(lèi)反射層如中的含量可為約2wt%。Ni在Al類(lèi) 反射層fe中的含量不限于上述量。除了具有上述功能的Ni以外，Al類(lèi)反射層如還可包括第一元素。第一元素可 包括例如鑭(La)、鈰(Ce)、鐠(Pr)、钷(Pm)、釤(Sm)、銪(Eu)、釓(Gd)、鋱(Tb)、鏑(Dy)、鈥 (Ho)、鉺(Er)、銩(Tm)、鐿(Yb)和 / 或镥(Lu)。由于Al類(lèi)反射層fe可包括第一元素，Al類(lèi)反射層fe可具有優(yōu)異的熱穩(wěn)定性，且 可有利于抑制電化學(xué)腐蝕。在實(shí)施方式中，第一元素可包括鑭(La)。第一元素在Al類(lèi)反射層中的含量可為約0. Iwt %至約3wt%，例如約0. Iwt % 至約Iwt %。保持第一元素的量為約0. Iwt %至約3wt%有助于確保Al類(lèi)反射層fe中Al 的熱穩(wěn)定性和Al類(lèi)反射層fe的反射率基本都不會(huì)降低。第一元素的含量不限于以上范圍。 在實(shí)施方式中，第一元素的含量可為例如約0. 30wt%至約0. 35wt%。Al類(lèi)反射層fe可具有約50nm或更大，例如約IOOnm至約500nm的厚度。保持Al 類(lèi)反射層fe的厚度為約50nm或更大可有助于確保有機(jī)層7中產(chǎn)生的光不透過(guò)Al類(lèi)反射 層fe，使得OLED的發(fā)光效率基本不會(huì)降低。透明導(dǎo)電層恥可由透明導(dǎo)電金屬氧化物形成。透明導(dǎo)電金屬氧化物可包括例如 ITO和氧化錫(SnO2),但不限于此。在實(shí)施方式中，透明導(dǎo)電層釙可由ITO形成。透明導(dǎo)電層恥可具有約5nm至約IOOnm的厚度，例如約7nm至約8nm。保持透明 導(dǎo)電層恥的厚度為約5nm至約IOOnm可有助于確保使Al類(lèi)反射層fe的反射率降低最小 化，且OLED具有優(yōu)異的效率。含碳質(zhì)材料層6可形成在透明導(dǎo)電層如上。含碳質(zhì)材料層6可將來(lái)自第一電極 5的空穴有效注入并傳輸?shù)接袡C(jī)層7中。因此，如上文所述在第一電極5中包括Al類(lèi)反射 層fe和透明導(dǎo)電層恥的OLED可具有優(yōu)異的效率和功耗特性。含碳質(zhì)材料層6的高至足 以補(bǔ)償從Al類(lèi)反射層fe反射的光的相差的高折射率(> 1. 8)也可為OLED提供優(yōu)異的效 率和功耗特性。含碳質(zhì)材料層6中的碳質(zhì)材料可包括如由約50至約600個(gè)碳原子組成的碳的同 素異形體或含金屬的碳質(zhì)化合物。碳質(zhì)材料可包括例如富勒烯類(lèi)化合物、含金屬的富勒烯 類(lèi)復(fù)合物、碳納米管、碳纖維、碳黑、石墨、卡賓、MgC6(l、CaC6tl和/或SrC6tl，但不限于此。在實(shí)施方式中，碳質(zhì)材料可以是C6tl-C5tici富勒烯類(lèi)化合物，例如C6(1。含碳質(zhì)材料層6可具有約1 A至約300 A的厚度。保持含碳質(zhì)材料層6的厚度為 約1A至約300 A可有助于確保得到以高效率發(fā)出具有高色純度的紅光、綠光和/或藍(lán)光的0LED。在實(shí)施方式中，含碳質(zhì)材料層6可具有約3入至約100 A的厚度。在另一個(gè)實(shí)施 方式中，含碳質(zhì)材料層6可具有約3 A至約30 A的厚度。如上述一樣，有機(jī)層7可形成在含碳質(zhì)材料層6上。全文中所用術(shù)語(yǔ)“有機(jī)層”是 指第一電極5和第二電極9之間的任意插入層。有機(jī)層7不能由純有機(jī)材料形成并可包括 金屬絡(luò)合物。有機(jī)層7可包括選自由空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、發(fā)光層(EML)、空穴 阻擋層(HBL)、電子傳輸層(ETL)和電子注入層(EIL)組成的中的至少一層。有機(jī)層7可具有包括例如HIL、HTL、EML、ETL和EIL的堆疊結(jié)構(gòu)，這些層按以下順 序堆疊在含碳質(zhì)材料層6上?；蛘撸袡C(jī)層7可具有包括例如HTL、EML、ETL和EIL的堆疊 結(jié)構(gòu)，這些層按以下順序堆疊在含碳質(zhì)材料層6上。HIL可通過(guò)用例如真空沉積、旋涂、澆涂、朗格謬爾-布朗格特(LB)沉積等方法形 成在含碳質(zhì)材料層6上。當(dāng)用真空沉積形成HIL時(shí)，沉積條件可根據(jù)用于形成HIL的化合物和待形成的HIL 的結(jié)構(gòu)和熱性質(zhì)而改變。然而，通常用于真空沉積的條件可包括約100至約500°C的沉積溫 度、約10_8至10_3托的真空壓力、以及約0. 01至約100 A/sec的沉積速度。當(dāng)用旋涂形成HIL時(shí)，涂布條件可根據(jù)用于形成HIL的化合物和待形成的HIL的 結(jié)構(gòu)和熱性質(zhì)而改變。然而，通常用于旋涂的條件可包括約2000至約5000rpm的涂布速率 和約80至約200°C的熱處理溫度，涂布后進(jìn)行熱處理以去除溶劑。HIL可由任何適于形成HIL的材料形成。用于形成HIL的材料可包括例如銅酞 菁的酞菁化合物、4，4'，4〃 -三(3-甲苯基苯基氨基)三苯基胺(m-MTDATA)、N，N' -二 (1-萘基)-N，N' - 二苯基聯(lián)苯胺(呢8)3041々、211-嫩14、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(Pani/ DBSA)、聚(3，4_乙二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(PED0T/PSQ、聚苯胺/樟腦磺酸 (Pani/CSA)和聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(PANI/PSS)，但不限于此。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)發(fā)光裝置，包括 基板；在所述基板上的第一電極； 第二電極；在所述第一電極和所述第二電極之間的有機(jī)層；以及 在所述第一電極和所述有機(jī)層之間的含碳質(zhì)材料層，其中，所述第一電極包括按以下順序依次堆疊在所述基板上的鋁類(lèi)反射層和透明導(dǎo)電 層，所述鋁類(lèi)反射層包括第一元素和鎳，且所述第一元素包括鑭、鈰、鐠、钷、釤、銪、釓、鋱、 鏑、鈥、鉺、銩、鐿和镥中的至少一種。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中所述鋁類(lèi)反射層包括AlxM相，χ為2.5至3 · 5 。
3.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中所述AlxM相與所述透明導(dǎo)電層接觸。
4.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中χ為3。
5.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，進(jìn)一步包括在所述鋁類(lèi)反射層面對(duì)所述透明導(dǎo) 電層的表面上的富鎳氧化物層。
6.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中鎳在所述鋁類(lèi)反射層中的含量為0.6wt% 至 5wt%。
7.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中所述第一元素為鑭。
8.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中所述第一元素在所述鋁類(lèi)反射層中的含量 為 0.3wt%。
9.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中 所述鋁類(lèi)反射層包括鑭、鎳和鋁，鑭在所述鋁類(lèi)反射層中的含量為0. Iwt %至3wt %，且 鎳在所述鋁類(lèi)反射層中的含量為0. 6wt%至5wt%。
10.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中所述透明導(dǎo)電層包括氧化銦錫或二氧化錫。
11.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中所述含碳質(zhì)材料層包括碳質(zhì)材料，所述碳 質(zhì)材料包括富勒烯類(lèi)化合物、含金屬的富勒烯類(lèi)復(fù)合物、碳納米管、碳纖維、碳黑、石墨、卡 賓、MgC6Q、CaC60和SrC6tl中的至少一種。
12.如權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中所述碳質(zhì)材料包括C6(l。
13.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中所述第一電極進(jìn)一步包括含第二元素的 氧化鋅層，在所述含第二元素的氧化鋅層中的所述第二元素包括鋁、銦、鎵、鍺、釓、鋯、鉬和 鎳中的至少一種。
14.如權(quán)利要求13所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中所述第二元素包括鋁。
15.如權(quán)利要求13所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中包括所述第一元素和鎳的所述鋁類(lèi)反射 層、所述透明導(dǎo)電層和所述含第二元素的氧化鋅層按以下順序依次堆疊在所述基板上。
16.如權(quán)利要求13所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中基于100重量份的所述含第二元素的氧 化鋅層，所述第二元素在所述含第二元素的氧化鋅層中的含量為0. 5至10重量份。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種有機(jī)發(fā)光裝置，所述有機(jī)發(fā)光裝置包括基板、在所述基板上的第一電極、第二電極、在所述第一電極和所述第二電極之間的有機(jī)層、以及在所述第一電極和所述有機(jī)層之間的含碳質(zhì)材料層，其中所述第一電極包括按以下順序依次堆疊在所述基板上的鋁(Al)類(lèi)反射層和透明導(dǎo)電層，所述Al類(lèi)反射層包括第一元素和鎳(Ni)，且所述第一元素包括鑭(La)、鈰(Ce)、鐠(Pr)、钷(Pm)、釤(Sm)、銪(Eu)、釓(Gd)、鋱(Tb)、鏑(Dy)、鈥(Ho)、鉺(Er)、銩(Tm)、鐿(Yb)和镥(Lu)中的至少一種。
文檔編號(hào)H01L51/50GK102044633SQ20101050695
公開(kāi)日2011年5月4日 申請(qǐng)日期2010年10月11日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月12日
發(fā)明者李寬熙, 田炳勛, 金東憲, 金怠植 申請(qǐng)人:三星移動(dòng)顯示器株式會(huì)社