專利名稱：發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)與封裝制作工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光源結(jié)構(gòu)及其制作方法，且特別是涉及一種發(fā)光二極管的封裝結(jié) 構(gòu)以及封裝制作工藝。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(Light Emitting Diode,LED)由于具有高亮度、反應(yīng)速度快、體積小、 污染低、高可靠度、適合量產(chǎn)等優(yōu)點，因此發(fā)光二極管在照明領(lǐng)域或是消費性電子產(chǎn)品的開 發(fā)應(yīng)用也將越來越多，目前已將發(fā)光二極管廣泛地應(yīng)用在大型看板、交通號志燈、手機(jī)、掃 描器、傳真機(jī)的光源以及照明裝置等。基于上述可知，發(fā)光二極管的發(fā)光效率以及亮度需 求將會越來越受到重視，是故高亮度發(fā)光二極管的研究開發(fā)將是固態(tài)照明應(yīng)用上的重要課 題。發(fā)光二極管已經(jīng)在某些應(yīng)用領(lǐng)域中取代熒光燈與白熾燈，而作為例如需求高速反 應(yīng)的掃描器燈源、投影裝置的燈源、液晶顯示器的背光源或前光源，汽車儀表板上的照明燈 源，交通號志的燈源以及一般照明裝置的燈源等等。相較于傳統(tǒng)燈管，發(fā)光二極管具有例如 體積較小、使用壽命較長、驅(qū)動電壓/電流較低、結(jié)構(gòu)強度較高、無汞污染以及高發(fā)光效率 (節(jié)能)等顯著優(yōu)勢。圖1為一種傳統(tǒng)的白光發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖視圖。如圖1所示，在此傳統(tǒng)的發(fā) 光二極管封裝結(jié)構(gòu)100中，發(fā)光二極管芯片110接合至載具120的一凹陷122的底面122a。 由發(fā)光二極管芯片110發(fā)出的部分光線152會被分布在樹脂140內(nèi)的熒光粒子130轉(zhuǎn)換， 而輸出白光154。然而，由于在樹脂140內(nèi)由發(fā)光二極管芯片110出射的光對應(yīng)于不同的出 射角(如9 1、9 2)，其光路徑(如LI、L2)的長度不同，因而會產(chǎn)生色差現(xiàn)象(chromatic aberration)，如顏色偏黃(yellowish)等問題。如此一來，白光發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100 的出光效果會變差，而輸出光的顏色也不均勻。另外，現(xiàn)有也提出一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其具有采用晶片級制作工藝形成的 熒光涂布層。此熒光涂布層共形并全面覆蓋發(fā)光二極管芯片以及載具，以輸出均勻的白光。 然而，由于此種熒光涂布層需要進(jìn)行晶片級的涂布來形成，因而制作成本較高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其可提供均勻的輸出光，且具 有高輸出光效率以及低制作成本。本發(fā)明另提供一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其具有混雜熒光粒子的薄層封裝膠體， 用于改善輸出光品質(zhì)。本發(fā)明更提供一種制作上述發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的封裝制作工藝。在本發(fā)明的一實施例中，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)包括一載具、一發(fā)光二極管芯片、一 第一封膠、至少一焊線、多個熒光粒子以及一第二封膠。發(fā)光二極管芯片配置于載具上，且 發(fā)光二極管芯片具有至少一電極。第一封膠配置于載具上并且覆蓋發(fā)光二極管芯片。第一封膠具有至少一預(yù)先形成的開孔，用以暴露出所述電極的至少一部分。焊線經(jīng)由所述預(yù)先 形成的開孔而電連接于電極與載具之間。熒光粒子分布于第一封膠之內(nèi)。第二封膠配置于 載具上并且包封發(fā)光二極管芯片、第一封膠以及焊線。在本發(fā)明的一實施例中，發(fā)光二極管封裝制作工藝包括下列步驟。首先，配置多個 發(fā)光二極管芯片于一基板上，其中每一發(fā)光二極管芯片具有至少一電極。接著，分別形成至 少一犧牲凸塊于每一發(fā)光二極管芯片的電極上。然后，形成一第一封膠于基板上，以覆蓋 發(fā)光二極管芯片以及每一發(fā)光二極管芯片上的犧牲凸塊，其中第一封膠內(nèi)混合多個熒光粒 子。接著，從第一封膠的一頂側(cè)薄化第一封膠，以暴露每一發(fā)光二極管芯片上的至少一犧牲 凸塊的一頂部。蝕刻每一發(fā)光二極管芯片上的犧牲凸塊，以在第一封膠內(nèi)形成對應(yīng)于犧牲 凸塊位置上的開孔。開孔暴露每一發(fā)光二極管芯片的電極的至少一部分。接著，進(jìn)行一單 體化步驟，以分離發(fā)光二極管芯片，并得到多個發(fā)光二極管單元。然后，接合所述多個發(fā)光 二極管單元中的一個至一載具，并且通過通過開孔的至少一焊線將發(fā)光二極管單元的發(fā)光 二極管芯片的電極電連接至載具。之后，形成一第二封膠于載具上，以包封發(fā)光二極管單元 以及至少一焊線。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附附圖 作詳細(xì)說明如下。



圖1為一種傳統(tǒng)的白光發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖視圖2為依據(jù)本發(fā)明的一實施例的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖視圖3為依據(jù)本發(fā)明的另一實施例的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖視圖4為依據(jù)本發(fā)明的又一實施例的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖視圖5為依據(jù)本發(fā)明的一實施例的一種用以制作圖2-圖4所示的發(fā)光二極管封裝
結(jié)構(gòu)的封裝制作工藝的流程圖6A-圖6H依序為圖5的發(fā)光二極管封裝制作工藝的剖視圖7A-圖7H依序為本發(fā)明的另--實施例的發(fā)光二極管封裝制作工藝的剖視圖8A-圖8H依序為本發(fā)明的另--實施例的發(fā)光二極管封裝制作工藝的剖視圖。
主要元件符號說明
100 發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)110發(fā)光二極管芯片
120 載具122載具的凹陷
122a:凹陷的底面130熒光粒子
140 樹脂152光線
154 白光e 1.、9 2:出射角
L1、L2 光路徑210 載具
200 發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)210a 載具的頂面
212:載具的凹陷220發(fā)光二極管芯片
220a:發(fā)光二極管芯片的頂面222第一電極
220b:發(fā)光二極管芯片的底面224第二電極
230a 第一封膠的頂面230第一封膠
230b 第一封膠的底面240 焊線244 第二焊線260 第二封膠300 發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)400 發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)602 發(fā)光二極管單元610b 基板的側(cè)面622:第一電極630:犧牲凸塊640 第一封膠640b 第一封膠的側(cè)面650 熒光粒子664 第二焊線680 襯層690 載具
具體實施例方式圖2為依據(jù)本發(fā)明的一實施例的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖視圖。如圖2所 示，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)200包括載具210、發(fā)光二極管芯片220、第一封膠230、至少一焊 線240、多個熒光粒子250及第二封膠260。在本實施例中，載具210例如是預(yù)封型的金屬 導(dǎo)線架，其具有凹陷212。在其他實施例中，載具210還可以是一般后封型(post-molded) 的金屬導(dǎo)線架或線路基板，如陶瓷基板。然而，本發(fā)明并不限制載具210的型態(tài)。發(fā)光二極管芯片220配置于載具210上。發(fā)光二極管芯片220可通過例如打線技 術(shù)(wire bonding technique)而接合并電連接至載具210。實際上，發(fā)光二極管芯片220 具有至少一電極，發(fā)光二極管芯片220與載具210之間的連接方式取決于發(fā)光二極管芯片 220的電極的數(shù)量與配置。舉例而言，如本實施例的圖2所示，發(fā)光二極管芯片220具有第 一電極222以及第二電極224 (或甚至更多電極)共同設(shè)置于發(fā)光二極管芯片220的頂面 220a上，且第一電極222以及第二電極224分別通過第一焊線242以及第二焊線244而電 連接至載具210。然而，在另一實施例中(未繪示)，發(fā)光二極管芯片可具有一頂電極，其 通過一焊線電連接至載具210 ；以及，一底電極，附著并電連接至載具210。第一封膠230配置于載具210上并且覆蓋發(fā)光二極管芯片220。更具體而言，第一 封膠230具有預(yù)先形成的開孔232，用以暴露出第一電極222的至少一部分以及第二電極 224的至少一部分。由于開孔232是被預(yù)先形成于第一封膠230中，因此第一焊線242以及 第二焊線244可分別通過各自對應(yīng)的預(yù)先形成的開孔232而電連接于第一電極222與載具 210之間以及第二電極224與載具210之間。如圖2所示，第一封膠230的頂面230a可以具有圖案或是表面形貌的變化，以增 強發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)200的光萃取效率(光萃取效率)。第一封膠230的材質(zhì)可以是 透明聚合物(transparent polymer)或是半透明聚合物(translucent polymer)，例如軟
232 第一封膠的開孔 242 第一焊線 250 熒光粒子 260a 第二封膠的頂面 360 封膠 410 載具 610 基板
620 發(fā)光二極管芯片 624 第二電極 632 犧牲凸塊的頂部 640a 第一封膠的底面 642 第一封膠的開孔 662 第一焊線 670 第二封膠 680a 襯層的底面膠(soft gel)、彈性物質(zhì)(elastomer)或是樹脂(resin)，其中樹脂可為環(huán)氧樹脂(印oxy resin)、娃膠(silicone)或是環(huán)氧-娃膠混合樹月旨(epoxy-silicone hybrid resin)。 此外，第一封膠230可以摻雜有機(jī)填充物(organic filler)或無機(jī)填充物(inorganic filler)。在此，第一封膠230內(nèi)的填充物的材料可以選自二氧化硅(Si02)、二氧化鈦 (Ti02)、氧化鋁(A1203)、氧化釔(Y203)、碳黑(carbon black)，燒結(jié)鉆石粉末(sintered diamond powder)、石棉(asbestos)、玻璃(glass)及其組合所組成的族群其中之一。熒光粒子250分布于第一封膠230內(nèi)。摻有熒光粒子250的第一封膠230覆蓋發(fā) 光二極管芯片220，使得發(fā)光二極管芯片230射出的光線(如藍(lán)光)可以被熒光粒子250轉(zhuǎn) 換為不同顏色的光線(如綠光、黃光或紅光)。然后，不同顏色的光線被混合以產(chǎn)生白光。 在本實施例中，除了第一電極222被暴露的部分、第二電極224被暴露的部分以及發(fā)光二極 管芯片220面向載具210的底面220b以外，第一封膠230覆蓋發(fā)光二極管芯片220的其余 區(qū)域。此外，發(fā)光二極管芯片220的底面220b會與第一封膠230的底面230b共平面.熒光粒子250的材質(zhì)可以是熱致發(fā)光材料(thermal-luminescent material)或 是電致發(fā)光材料(electro-luminescent material)。更具體而言，熒光粒子250的材質(zhì)可 以選自(YGdTb)3(AlGa)5012:Ce、(SrBaCaMg)2Si04:Eu、(Sr，Ba，CaMg)3Si05:Eu、CaAlSiN3:Eu、 CaSc04:Ce、Ca10(P04)FC1: SbMn、M5(PCM) 3C1:Eu、BaBg2Al16027:Eu、Ba、Mg2Al16027:Eu、Mn、 3. 5Mg0 .0. 5MgF2 Ge02:Mn、Y202S:Eu、Mg6As2011:Mn、Sr4Al14025:Eu、(Zn，Cd) S:Cu、SrAl204:Eu、 Ca10 (P04) 6ClBr:Mn、Eu、Zn2Ge04:Mn、Gd202S:Eu、La202S:Eu 及其組合所組成的族群中的一個。 其中，M為選自鍶(Sr)、鈣(Ca)、鋇(Ba)、鎂(Mg)或其組合所組成的族群中的一種堿土金屬 (alkali earth metal)0第二封膠260配置于載具210上，并且包封發(fā)光二極管芯片220、第一封膠230、第 一焊線242以及第二焊線244。在此，第二封膠260的材質(zhì)可以是透明聚合物(transparent polymer)或是半透明聚合物(translucentpolymer)，例如軟膠(soft gel)、彈性物質(zhì) (elastomer)或是樹脂(resin)，其中樹脂可為環(huán)氧樹脂(印oxy resin)、硅膠(silicone) 或是環(huán)氧-硅膠混合樹脂(印oxy-silicone hybrid resin) 0此外，第二封膠260可以摻雜 有機(jī)填充物(organicfiller)或無機(jī)填充物(inorganic filler)。在此，第一封膠230內(nèi)的 填充物的材料可以選自二氧化硅(Si02)、二氧化鈦(Ti02)、氧化鋁(A1203)、氧化釔(Y203)、 碳黑(carbon black)，燒結(jié)鉆石粉末(sintered diamond powder)、石棉(asbestos)、玻璃 (glass)及其組合所組成的族群其中之一。本實施例是采用預(yù)封型金屬導(dǎo)線架作為載具210來形成發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu) 200，可被稱為塑膠引腳芯片載具(plastic leaded chip carrier,PLCC)封裝結(jié)構(gòu)。其中， 載具210的凹陷212填充有第二封膠260，第二封膠260的頂面260a會與載具210用以環(huán) 繞凹陷212的頂面210a共平面。然而，本發(fā)明的其他實施例更可采用不同形狀的封膠或是不同型態(tài)的載具，來形 成不同型態(tài)的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。圖3為依據(jù)本發(fā)明的另一實施例的一種發(fā)光二極管封 裝結(jié)構(gòu)的剖視圖。如圖3所示，封膠360實質(zhì)上為一凸形透鏡的形狀，以增強發(fā)光二極管封 裝結(jié)構(gòu)300的光萃取效率。圖4為依據(jù)本發(fā)明的又一實施例的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的 剖視圖。如圖4所示，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)400采用陶瓷基板作為載具410。本發(fā)明更提出制作前述發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的封裝制作工藝。圖5為依據(jù)本發(fā)明的一實施例的一種用以制作前述圖2-圖4所示的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的封裝制作工藝的 流程圖。圖6A-圖6H依序為圖5的發(fā)光二極管封裝制作工藝的剖視圖。圖5與圖6A-圖6H 所示的封裝制作工藝為晶片級的制作工藝，用以形成多個發(fā)光二極管單元，并將發(fā)光二極 管單元與載具進(jìn)行封裝，以形成如前述實施例所示的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)200、300或400。首先，如圖6A所示，在步驟S1中，提供基板610，并且配置多個發(fā)光二極管芯片 620于基板610上。每一發(fā)光二極管芯片620具有至少一電極，例如第一電極622以及第二 電極624。在此，基板610的材質(zhì)可為酸溶性(acid-soluble)金屬，如金、鈀(palladium)、 銅、鋁、鐵等，或是選自銅、鋁、錫、鐵及其組合所組成的族群的一的金屬合金。然后，如圖6B所示，在步驟S2中，多個犧牲凸塊630被形成于每一發(fā)光二極管芯 片620的第一電極622以及第二電極624上。每一犧牲凸塊630可以由一或多個打線凸塊 或是焊球凸塊所組成。犧牲凸塊630的材質(zhì)可為酸溶性金屬，如金、鈀(palladium)、銅、鋁、 鐵等，或是選自銅、鋁、鐵、鎳、鉛及其組合所組成的族群的一的金屬合金。接著，如圖6C所示，在步驟S3中，第一封膠640被形成于基板610上，以覆蓋發(fā)光 二極管芯片620及其上的犧牲凸塊630。第一封膠640內(nèi)摻有多個熒光粒子650。此外，第 一封膠640可采點膠、印刷或是灌模等方式形成。之后，如圖6D所示，在步驟S4中，由第一封膠640的頂側(cè)來薄化第一封膠640，以 露出每一犧牲凸塊630的頂部632。第一封膠640可通過研磨(grinding)、化學(xué)蝕刻或是 切片(slicing)等方式來被薄化。在此步驟中，第一封膠640的厚度可以被精確地控制，以 得到薄層的第一封膠640，而有助于提升出光品質(zhì)。然后，如圖6E所示，在步驟S5中，犧牲凸塊630被蝕刻，以在第一封膠640內(nèi)留下 多個開孔642。所述多個開孔642分別暴露出每一發(fā)光二極管芯片620的第一電極622或 第二電極624的至少一部分。此外，基板610也可在步驟5中被移除，其中移除基板610的 方法包括蝕刻、機(jī)械去除或研磨。舉例而言，當(dāng)犧牲凸塊630以及基板610皆為酸溶性材質(zhì)， 則基板610可與犧牲凸塊630同時通過酸蝕刻來移除。接著，如圖6F所示，在S6中，進(jìn)行單體化步驟，以分離多個發(fā)光二極管芯片620并 得到多個發(fā)光二極管單元602。具體而言，可通過刀具(未繪示)切割相鄰的兩發(fā)光二極管 芯片620之間的第一封膠640。之后，如圖6G所示，在步驟S7中，發(fā)光二極管單元602被接合至載具690，并且進(jìn) 行打線接合制作工藝，以將發(fā)光二極管單元602的發(fā)光二極管芯片620接合至載具690。具 體而言，發(fā)光二極管芯片620的第一電極622以及第二電極624可分別通過通過開孔642 的第一焊線662以及第二焊線664而被電連接至載具690。然后，如圖6H所示，在步驟S8中，第二封膠670被形成于載具690上，以包封發(fā)光 二極管單元602、第一焊線662以及第二焊線664。第二封膠670可采點膠、印刷或是灌模 等方式形成。舉例而言，第二封膠670可以是采用點膠或印刷方式形成如圖2A所示的第二 封膠260，或是采用灌模方式形成如圖3所示的凸形透鏡形狀的封膠360。本實施例所采用的預(yù)封型金屬導(dǎo)線架可具有凹陷，其內(nèi)填入聚鄰苯二甲詵胺 (polyphthalamide, PPA)，環(huán)氧豐對月旨封膠(epoxy molding compound, EMC)或液晶聚合物 (liquid crystal polymer，LCP)，以作為反射物。因此，可減低光發(fā)散(light dispersion) 并提升出光強度。
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圖7A-圖7H依序為本發(fā)明的另一實施例的發(fā)光二極管封裝制作工藝的剖視圖。本 實施例的封裝制作工藝與前述圖6A-圖6H所繪示的實施例類似，除了 本實施例在配置發(fā) 光二極管芯片620于基板610之前，先在基板610上形成多個襯層680 (步驟SO)。因此，如 圖7A所示，發(fā)光二極管芯片620與基板610之間是被襯層680隔開的。此外，如圖7E所示， 因為襯層680被形成于發(fā)光二極管芯片620與基板610之間，因此襯層680的底面680a會 與后續(xù)形成的第一封膠640的底面640a共平面。在本實施例中，襯層680可以是金層，以使 得后續(xù)形成的發(fā)光二極管單元602可以采用共晶接合技術(shù)(eutectic bonding technique) 被貼附至載具690上。圖8A-圖8H依序為本發(fā)明的另一實施例的發(fā)光二極管封裝制作工藝的剖視圖。本 實施例的封裝制作工藝與前述圖6A-圖6H所繪示的實施例類似，除了 本實施例的步驟S5 并未移除基板610。因此，圖8F所示的單一發(fā)光二極管芯片620是在步驟S6 (單體化步驟) 中，對基板610以及第一封膠640同時切割所得到的。此外，如圖8G所示，發(fā)光二極管單元 602被接合至載具690時，兩者之間會隔著基板610。另外，如圖8F所示，由于基板610在 步驟S5中被保留下來，因此在經(jīng)過步驟S6(單體化步驟之后，第一封膠640的側(cè)面640b在 垂直方向上會與基板610的側(cè)面610b共平面。綜上所述，本發(fā)明是在封裝層級的制作工藝中形成摻有熒光粒子的封膠，且封膠 具有預(yù)先形成的開孔，以供電連接發(fā)光二極管芯片至載具之用。通過均勻分布在封膠內(nèi)的 熒光粒子，可以得到均勻的出光以及達(dá)到高發(fā)光效率。此外，由于摻有熒光粒子的封膠是在 封裝層級的制作工藝中形成，以覆蓋發(fā)光二極管芯片但不需覆蓋整個載具，因此可以降低 發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作成本。另外，由于摻有熒光粒子的封膠內(nèi)預(yù)先形成供發(fā)光二極 管芯片電連接至載具的開孔，因此封膠的厚度可以被精確地控制，并且通過薄化封膠的動 作來得到薄層的摻有熒光粒子的封膠，而有助于提升出光品質(zhì)。雖然結(jié)合以上實施例揭露了本發(fā)明，然而其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù) 領(lǐng)域中熟悉此技術(shù)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作些許的更動與潤飾，故本發(fā)明 的保護(hù)范圍應(yīng)以附上的權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括 載具；發(fā)光二極管芯片，配置于該載具上，且該發(fā)光二極管芯片具有至少一電極； 第一封膠，配置于該載具上并且覆蓋該發(fā)光二極管芯片，該第一封膠具有至少一預(yù)先 形成的開孔，用以暴露出該至少一電極的至少一部分；至少一焊線，經(jīng)由該至少一預(yù)先形成的開孔而電連接于該至少一電極與該載具之間； 多個熒光粒子，分布于該第一封膠之內(nèi)；以及第二封膠，配置于該載具上并且包封該發(fā)光二極管芯片、該第一封膠以及該至少一焊線。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中該第一封膠覆蓋除了該至少一電極 被暴露的該部分以及該發(fā)光二極管芯片面向該載具的一底面以外的該發(fā)光二極管芯片的 其余部分。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，該發(fā)光二極管芯片的一底面與該第一封 膠的一底面共平面。
4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，還包括一基板，配置于該發(fā)光二極管芯 片與該載具之間，其中該第一封膠的一側(cè)面與該基板的一側(cè)面共平面。
5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，還包括一襯層，配置于該發(fā)光二極管芯 片與該載具之間，其中該襯層的一底面與該第一封膠的一底面共平面。
6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中該載具具有一凹陷，用以容置該發(fā) 光二極管芯片以及該第一封膠。
7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中該第二封膠填入該凹陷內(nèi)，且該第 二封膠的一頂面與該載具的環(huán)繞該凹陷的一頂面共平面。
8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，該第二封膠的外型實質(zhì)上為一凸形透鏡。
9.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中該發(fā)光二極管芯片具有一第一電極 以及一第二電極，共同設(shè)置于該發(fā)光二極管芯片的一頂面上，且該第一電極以及該第二電 極分別經(jīng)由一第一焊線以及一第二焊線電連接至該載具。
10.一種發(fā)光二極管封裝制作工藝，包括配置多個發(fā)光二極管芯片在一基板上，其中每一發(fā)光二極管芯片具有至少一電極； 分別形成至少一犧牲凸塊于每一發(fā)光二極管芯片的該至少一電極上； 形成一第一封膠于該基板上，以覆蓋該些發(fā)光二極管芯片以及每一發(fā)光二極管芯片上 的該至少一犧牲凸塊，其中該第一封膠內(nèi)混合多個熒光粒子；從該第一封膠的一頂側(cè)來薄化該第一封膠，以暴露每一發(fā)光二極管芯片上的該至少一 犧牲凸塊的一頂部；蝕刻每一發(fā)光二極管芯片上的該至少一犧牲凸塊，以在該第一封膠內(nèi)形成一開孔，該 開孔暴露每一發(fā)光二極管芯片的該至少一電極的至少一部分；進(jìn)行一單體化步驟，以分離該些發(fā)光二極管芯片，并得到多個發(fā)光二極管單元； 接合該些發(fā)光二極管單元其中之一至一載具，并且通過通過該開孔的至少一焊線電連 接該發(fā)光二極管單元的該發(fā)光二極管芯片的該至少一電極至該載具；以及形成一第二封膠于該載具上，以包封該發(fā)光二極管單元以及該至少一焊線。
11.如權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管封裝制作工藝，在該單體化步驟之前并且在形成 該第一封膠之后，該基板是與每一發(fā)光二極管芯片上的該至少一犧牲凸塊一起經(jīng)由蝕刻而 被移除。
12.如權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管封裝制作工藝，還包括形成一襯層于每一發(fā)光 二極管芯片與該基板之間。
13.如權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管封裝制作工藝，其中該發(fā)光二極管單元是隔著該 基板而被接合至該載具上。
14.如權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管封裝制作工藝，其中該第一封膠或該第二封膠中 的至少一個是采點膠、印刷或是灌模方式形成。
全文摘要
本發(fā)明公開一種發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)與封裝制作工藝。該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)包括一載具、一發(fā)光二極管芯片、一第一封膠、至少一焊線、多個熒光粒子以及一第二封膠。發(fā)光二極管芯片配置于載具上，且發(fā)光二極管芯片具有至少一電極。第一封膠配置于載具上并且覆蓋發(fā)光二極管芯片。第一封膠具有至少一預(yù)先形成的開孔，用以暴露出所述電極的至少一部分。焊線經(jīng)由所述預(yù)先形成的開孔而電連接于電極與載具之間。熒光粒子分布于第一封膠之內(nèi)。第二封膠配置于載具上并且包封發(fā)光二極管芯片、第一封膠以及焊線。
文檔編號H01L33/52GK102005529SQ201010506989
公開日2011年4月6日 申請日期2010年10月13日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月11日
發(fā)明者樸隆植, 李善九, 李賢一, 鄭鉉洙 申請人:日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司