專利名稱：發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)：
一般發(fā)光二極管(Light Emitting Diode, LED)封裝結(jié)構(gòu)所用基板材料為PPA或 PMMA等塑料材料，利用嵌入成型技術(shù)將塑料與金屬電極結(jié)合，這種結(jié)構(gòu)的制作成本較低且工藝簡單，易于制作。然而，塑料的導(dǎo)熱效果不佳，容易導(dǎo)致元件的壽命下降。因此較新的技術(shù)利用陶瓷或硅等導(dǎo)熱系數(shù)較高，效果較好的材料作為基板，但是這種基板的問題在于成本較高，且工藝復(fù)雜，不易于制作。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，有必要提供一種具有較好的導(dǎo)熱效果，且成本較低的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括基板、發(fā)光二極管芯片和封裝層。所述基板包括電路結(jié)構(gòu)。所述基板材料為摻陶瓷粉末的塑料。所述發(fā)光二極管芯片貼設(shè)于所述基板上，并與所述電路結(jié)構(gòu)電性連接。所述封裝層覆蓋于所述基板上，包覆所述發(fā)光二極管芯片。一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括以下步驟提供一摻陶瓷粉末的塑料基底，所述基底可以分為多個基板，每個基板包括有電路結(jié)構(gòu)；將發(fā)光二極管芯片設(shè)置在每個所述基板上，與相對應(yīng)的所述電路結(jié)構(gòu)電連接；將封裝層覆蓋在所述基底上，包覆所述發(fā)光二極管芯片；切割所述基底，形成多個發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及制造方法中，由于基板材料使用摻陶瓷粉末的塑料，其熱傳導(dǎo)速率及耐磨性能都大大的高于一般的塑料，而塑料的成本較低，即使摻入陶瓷粉末，其成本也較陶瓷材料低很多。因此采用這種基板材料，能夠得到具有較好的導(dǎo)熱效果，且成本較低的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。


圖1是本發(fā)明實施方式提供的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)剖視圖。圖2-圖6是本發(fā)明實施方式提供的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法示意圖。圖7是本發(fā)明實施方式提供的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法流程圖。主要元件符號說明發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)10基板11電路結(jié)構(gòu)111
第一表面112第二表面113反射杯12容置腔121發(fā)光二極管芯片13封裝層14基底1具體實施例方式以下將結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。請參閱圖1，本發(fā)明實施方式提供的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)10包括基板11、反 射杯12、發(fā)光二極管芯片13及封裝層14。所述基板11包括電路結(jié)構(gòu)111。所述基板11還包括相對設(shè)置的第一表面112和 第二表面113。所述電路結(jié)構(gòu)111由所述第一表面112延伸至所述第二表面113。所述電 路結(jié)構(gòu)111采用金屬或金屬合金制成。所述基板11由摻有高導(dǎo)熱且電絕緣的陶瓷粉末的 塑料制成。所摻雜的陶瓷粉末的直徑需小于10微米，最好達(dá)到納米級別，陶瓷粉末的含量 比例為5% -40%，將陶瓷粉末與塑料混合均勻后壓膜射出成型。所述反射杯12設(shè)置在所述基板11的第一表面112上，與所述第一表面一起圍成 一個容置腔121。將所述反射杯12形成在所述基板11上可采用傳遞模塑法或注入成型的 方法。所述反射杯12的材料為塑料。所述反射杯12主要用來反射出射光線，增加出光率。所述發(fā)光二極管芯片13貼設(shè)于所述容置腔121內(nèi)所述基板11的第一表面112 上，具體地，該發(fā)光二極管芯片13可通過粘著膠固定于第一表面112上。該發(fā)光二極管芯 片13與所述電路結(jié)構(gòu)111電性連接。值得說明的是，該發(fā)光二極管芯片13亦可以利用覆 晶(flip-chip)或共晶(eutectic)的方式電性連接所述電路結(jié)構(gòu)111。所述封裝層14填充于所述容置腔121內(nèi)，并包覆住發(fā)光二極管芯片13。如沒有設(shè) 置所述反射杯12在所述基板11上，則所述封裝層14直接覆蓋在所述第一表面112上，并 包覆住發(fā)光二極管芯片13。所述封裝層14用于保護(hù)發(fā)光二極管芯片13免受灰塵、水氣等 影響。封裝層14的材質(zhì)可以為娃膠(silicone)、環(huán)氧樹脂(印oxy)或其組合物。請參閱圖2-圖7，本發(fā)明實施方式還提供了一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方 法，下面將以本發(fā)明實施方式提供的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)10為例來說明該發(fā)光二極管封 裝結(jié)構(gòu)的制造方法。該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法包括以下步驟步驟S201，提供一基底15，所述基底15可以分為多個基板11，每個基板11包括有 電路結(jié)構(gòu)111。所述基板11還包括相對設(shè)置的第一表面112和第二表面113。所述電路結(jié) 構(gòu)111由所述第一表面112延伸至所述第二表面113。所述電路結(jié)構(gòu)111采用金屬或金屬 合金制成。所述基板11由摻有高導(dǎo)熱且電絕緣的陶瓷粉末的塑料制成。所摻雜的陶瓷粉 末的直徑需小于10微米，最好達(dá)到納米級別，陶瓷粉末的含量比例為5% -40%，將陶瓷粉 末與塑料混合均勻后壓膜射出成型。步驟S202，采用傳遞模塑法或注入成型的方法將所述反射杯12形成在所述基板 11上，所述反射杯12圍出一個容置腔121。所述反射杯12的材料為塑料。所述反射杯12主要用來反射出射光線，增加出光率。步驟S203，將所述發(fā)光二極管芯片13貼設(shè)于所述容置腔121內(nèi)所述基板11的第一表面112上，具體地，該發(fā)光二極管芯片13可通過粘著膠固定于第一表面112上。該發(fā)光二極管芯片13與所述電路結(jié)構(gòu)111電性連接。值得說明的是，該發(fā)光二極管芯片13亦可以利用覆晶(flip-chip)或共晶(eutectic)的方式電性連接所述電路結(jié)構(gòu)111。步驟S204，將所述封裝層14填充于所述容置腔121內(nèi)，并包覆住發(fā)光二極管芯片 13。所述封裝層14用于保護(hù)發(fā)光二極管芯片13免受灰塵、水氣等影響。封裝層14的材質(zhì)可以為硅膠(silicone)、環(huán)氧樹脂(印oxy)或其組合物。另外，如沒有設(shè)置所述反射杯12 在所述基板11上，則所述封裝層14直接覆蓋在所述第一表面112上，并包覆住發(fā)光二極管芯片13ο步驟S205，切割所述基底15，形成多個發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)10。本發(fā)明實施方式提供的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及制造方法中，由于基板材料使用摻陶瓷粉末的塑料，其熱傳導(dǎo)速率及耐磨性能都大大的高于一般的塑料，而塑料的成本較低， 即使摻入陶瓷粉末，其成本也較陶瓷材料低很多。因此采用這種基板材料，得到了具有較好的導(dǎo)熱效果，且成本較低的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。可以理解的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思做出其它各種像應(yīng)的改變與變形，而所有這些改變與變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括基板、發(fā)光二極管芯片和封裝層，其特征在于，所述基板包括電路結(jié)構(gòu)，所述基板材料為摻陶瓷粉末的塑料，所述發(fā)光二極管芯片貼設(shè)于所述基板上，并與所述電路結(jié)構(gòu)電性連接，所述封裝層覆蓋于所述基板上，包覆所述發(fā)光二極管
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于陶瓷粉末直徑小于10微米。
3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于陶瓷粉末直徑為納米級別。
4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于陶瓷粉末的含量比例為5% -40%。
5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于型的方法形成。
6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于還具有環(huán)繞所述發(fā)光二極管芯片的反射杯。
7.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括以下步驟 提供一摻陶瓷粉末的塑料基底，所述基底可以分為多個基板，每個基板包括有電路結(jié)構(gòu)；將發(fā)光二極管芯片設(shè)置在每個所述基板上，與相對應(yīng)的所述電路結(jié)構(gòu)電連接； 將封裝層覆蓋在所述基底上，包覆所述發(fā)光二極管芯片； 切割所述基底，形成多個發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。
8.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于提供所述基底之后，還包括步驟在所述基板上設(shè)置反射杯，與所述基板一起圍成一個容置腔。
9.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于將封裝層覆蓋在所述基底上，同時填滿所述容置腔。所述基板的材料中摻雜的 所述基板的材料中摻雜的 所述基板的材料中摻雜的 所述基板通過壓膜射出成 所述發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)
全文摘要
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括基板、發(fā)光二極管芯片和封裝層。所述基板包括電路結(jié)構(gòu)。所述基板材料為摻陶瓷粉末的塑料。所述發(fā)光二極管芯片貼設(shè)于所述基板上，并與所述電路結(jié)構(gòu)電性連接。所述封裝層覆蓋于所述基板上，包覆所述發(fā)光二極管芯片。本發(fā)明還涉及一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法。
文檔編號H01L33/60GK102447041SQ20101050716
公開日2012年5月9日 申請日期2010年10月14日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月14日
發(fā)明者張超雄, 胡必強(qiáng) 申請人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司