專利名稱：制造高亮度垂直式發(fā)光二極管的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種制造發(fā)光二極管(light-emitting diode，簡(jiǎn)稱LED)的方法，尤其是涉及一種制造高亮度垂直式發(fā)光二極管(vertical LED)的方法。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管目前已廣泛應(yīng)用于照明裝置及顯示裝置，公知LED制程是在藍(lán)寶石基板上進(jìn)行發(fā)光層的磊晶，由于藍(lán)寶石基板的導(dǎo)電性及導(dǎo)熱性不佳，因此僅能將兩個(gè)電極設(shè)置在組件的同一側(cè)，形成水平式LED結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)容易造成電流擁擠效應(yīng)(current crowding effect)，產(chǎn)生高順向偏壓，限制LED的效率及輸出功率。為改善上述水平式LED結(jié)構(gòu)的缺點(diǎn)，即藍(lán)寶石基板導(dǎo)電性及導(dǎo)熱性不佳的問(wèn)題， 業(yè)界已發(fā)展出垂直式LED的結(jié)構(gòu)，是將兩電極分別設(shè)置在發(fā)光層頂端和基板背側(cè)，公知制程是在藍(lán)寶石基板上形成緩沖層(buffer layer)；在該緩沖層上成長(zhǎng)氮化物化合物層作為發(fā)光層，在該發(fā)光層上設(shè)置導(dǎo)電基板，例如金屬基板；接著移除該藍(lán)寶石基板，并在該導(dǎo)電基板背面和該發(fā)光層頂端分別設(shè)置電極。由此形成可高功率操作的高功率發(fā)光二極管組件。目前針對(duì)垂直式LED的制程改良，已知例如U94700揭露通過(guò)發(fā)光層的第二披覆層的非均勻厚度調(diào)整電流所遭遇的電阻值以趨于平衡，使發(fā)光層的發(fā)光分布均勻； 1293813揭露設(shè)置附著反射層以改良發(fā)光單元與支持基板的結(jié)合，并增進(jìn)LED的發(fā)光效率； TW201010127教導(dǎo)通過(guò)導(dǎo)電膠粘著支持基板，可避免因激光剝離藍(lán)寶石基板所導(dǎo)致的磊晶破碎；1304660揭露以晶粒接合方式制備垂直式LED ；1315915揭露一種具織狀結(jié)構(gòu)的垂直式LED的制程，在上表面具有織狀結(jié)構(gòu)的第二基板上形成第二半導(dǎo)體層，由此形成相對(duì)的織狀結(jié)構(gòu)在該第二半導(dǎo)體層的下表面；最后直接在該第二半導(dǎo)體層的織狀結(jié)構(gòu)上設(shè)置電極以避免結(jié)構(gòu)受損，但1315915并未教導(dǎo)將第二半導(dǎo)體層的織狀結(jié)構(gòu)平坦化的步驟。在上述及公知垂直式LED制程中，由于氮化物化合物的晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)與藍(lán)寶石基板的差異極大，容易在磊晶層中產(chǎn)生許多點(diǎn)缺陷或線缺陷。這種缺陷易影響組件性質(zhì)，例如亮度較差或需要較大注入電流方可得到較佳輸出功率等。前段所列垂直式LED 制程的現(xiàn)有技術(shù)均未提出這些缺陷的改良，因此，仍然需要改良垂直式LED的結(jié)構(gòu)及制造方法。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供了一種制造垂直式發(fā)光二極管的方法，其包括在經(jīng)圖案化的第一基板上形成多個(gè)磊晶材料層(印itaxy material layer)，其中，該多個(gè)磊晶材料層與經(jīng)圖案化的第一基板的接觸面為第一表面，且該第一表面形成與該經(jīng)圖案化的第一基板相對(duì)應(yīng)的圖案；在該多個(gè)磊晶材料層上設(shè)置第二基板；移除該第一基板以曝露該第一表面；使該第一表面平坦化，以去除其上與該第一基板相對(duì)應(yīng)的圖案，由此形成平坦的第二表面；以及在該第二基板背側(cè)形成第一電極并在該第二表面上形成第二電極。
在本發(fā)明的方法中，該第一基板可選自藍(lán)寶石(Al2O3)、砷化鎵(GaAs)、磷化銦 (InP)、硅(Si)、碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)或氧化鋅(ZnO)。該多個(gè)磊晶材料層包括第三族氮化物或氧化物化合物，如氮化鎵(GaN)或氧化鋅(ZnO)，以化學(xué)氣相磊晶法或?yàn)R鍍法形成在該經(jīng)圖案化的第一基板上。該多個(gè)磊晶材料層可包含η型半導(dǎo)體層、發(fā)光層、P型半導(dǎo)體層及視需要的緩沖層。亦可以多個(gè)組半導(dǎo)體層或多個(gè)主動(dòng)層的更復(fù)雜的結(jié)構(gòu)應(yīng)用于該發(fā)光層。該第二基板可選用金屬材料，舉例但非限制，鉬、金、銀、鈀、鎳、鈦、鉻、鋁、或上述金屬的組合或其合金。在本發(fā)明中，該第二基板是以晶片鍵結(jié)(wafer bonding)的方式設(shè)置在該發(fā)光層上。該經(jīng)圖案化的第一基板可利用激光剝離、干蝕刻、濕蝕刻或研磨的方式移除，優(yōu)選為激光剝離法。在本發(fā)明的方法中，該第一表面的平坦化步驟以選擇性濕蝕刻方式或研磨方式進(jìn)行，其中，該選擇性濕蝕刻的蝕刻劑為酸溶液或堿溶液，該酸溶液為一種酸的溶液或多種酸的混合物的溶液，而該堿溶液為一種堿的溶液或多種堿的混合物的溶液。作為蝕刻劑的酸溶液或堿溶液，其對(duì)于該發(fā)光層的半導(dǎo)體材料(例如氮化或氧化物化合物)具有選擇性蝕刻的特性，具體言之，該酸溶液或堿溶液對(duì)于非平坦的氮化物蝕刻速率非?？欤珜?duì)于平坦的氮化物蝕刻速率非常慢或甚至不蝕刻，因而達(dá)到使凹凸起伏的氮化物表面平坦的效果。在一實(shí)施例中，該酸選自硫酸(H2SO4)、磷酸(H3PO4)、硝酸(HNO3)、亞硝酸(HNO2)、亞磷酸(H3PO3)、鹽酸(HCl)、醋酸(CH3COOH)、碳酸(H2CO3)、硼酸(H2BO3)、甲酸(HCOOH)、碘酸 (HIO3)、草酸(H2C2O4)、氫氟酸(HF)、氫硫酸( 、亞硫酸Ol2SO3)、氟磺酸(HSO3F)、任何烷基磺酸(RSO3F, R = CnH2n+1)中的一種或多種混合物。在另一實(shí)施例中，該堿溶液的堿選自氫氧化鈉(NaOH)、氫氧化鉀(KOH)、氫氧化鈣(Ca (OH) 2)、四甲基銨氫氧化物(TMAH)、氫氧化銨 (NH4OH)、碳酸鈉(Na2CO3)、碳酸氫鈉(NaHCO3)、碳酸鉀(K2CO3)、氫氧化鋇(Ba(OH)2)中一種或多種混合物。本發(fā)明之制造高亮度垂直式發(fā)光二極管的方法包括在形成第一和第二電極后， 粗化該第二表面以在該第二表面形成具有幾何形狀的突起物，舉例但非限制，角錐狀、圓錐狀或半透鏡狀的突起物，由此可進(jìn)一步增加該LED組件的發(fā)光效率。該粗化步驟可通過(guò)化學(xué)蝕刻或干蝕刻方式進(jìn)行，其中，化學(xué)蝕刻劑所使用的酸可選自硫酸(H2SO4)、磷酸(H3PO4)、 硝酸(HNO3)、亞硝酸(HNO2)、亞磷酸(H3PO3)、鹽酸(HCl)、醋酸(CH3COOH)、碳酸(H2CO3),硼酸(H2BO3)、甲酸(HCOOH)、碘酸(HIO3)、草酸(H2C2O4)、氫氟酸(HF)、氫硫酸(H2S)、亞硫酸 (H2SO3)、氟磺酸(HSO3F)、任何烷基磺酸(RSO3F, R = CnH2n+1)中的一種或多種混合物，或是使用堿可選自氫氧化鈉(NaOH)、氫氧化鉀(KOH)、氫氧化鈣(Ca(OH)2)、四甲基銨氫氧化物 (TMAH)、氫氧化銨(NH4OH)、碳酸鈉(Na2CO3)、碳酸氫鈉(NaHCO3)、碳酸鉀(K2CO3)、氫氧化鋇 (Ba(OH)2)中的一種或多種混合物。在一實(shí)施例中，該化學(xué)蝕刻劑選自過(guò)氧化氫(H2O2)、氫氧化鉀(KOH)、四甲基銨氫氧化物(TMAH)、或上述成分的組合，例如KOH與TMAH的混合溶液。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明提供一種垂直式發(fā)光二極管的制造方法，其在移除圖案化的藍(lán)寶石基板后即對(duì)磊晶結(jié)構(gòu)進(jìn)行平坦化步驟，以利后續(xù)電極的制程。本發(fā)明的方法適用于制造各種垂直式發(fā)光二極管，尤其高亮度垂直式發(fā)光二極管。以下稱“第三族氮化物化合物”指包含氮(N)和化學(xué)元素周期表中歸于第三族元素(例如鋁(Al)、鎵(Ga)JB (In))的化合物、以及其三元化合物(例如AKkiN、Al InGaN)。參照?qǐng)DIA至圖IF以詳述本發(fā)明的制造高亮度垂直式發(fā)光二極管的方法。如圖IA所示，首先提供經(jīng)圖案化的藍(lán)寶石基板21，并在其圖案化的表面上形成第三族氮化物化合物(如氮化鎵，GaN)的緩沖層22，且該緩沖層22與該藍(lán)寶石基板21的接觸面為第一表面I。藍(lán)寶石基板21經(jīng)圖案化的實(shí)施例可參照?qǐng)D3 (a)-(f)所示，可以采用例如角錐狀、 柱狀、半透鏡狀、圓錐狀等幾何形狀。尤其，藍(lán)寶石基板21的圖案化形狀可包括錐形圖案、 非錐形圖案、或其結(jié)合。錐形圖案可包括潤(rùn)滑的半橢圓形(a)、棱錐形(b)、圓錐形(C)、斜截錐形(e)、斜截棱錐(f)等等，而非錐形圖案例如包括柱狀(d)。然本發(fā)明使用的圖案不限于這些幾何形狀，亦可由其它形狀實(shí)施。該藍(lán)寶石基板21具有上述幾何形狀的突起的圖案，且該第一表面I會(huì)形成對(duì)應(yīng)該藍(lán)寶石基板21的幾何形狀之圖案，亦即，該第一表面I會(huì)形成對(duì)應(yīng)的例如錐形或非錐形等幾何形狀的凹陷部。利用經(jīng)圖案化的藍(lán)寶石基板21可以有效降低磊晶層的缺陷密度，進(jìn)而提升整個(gè)發(fā)光二極管組件的使用特性。至于緩沖層22則為磊晶材料層，可通過(guò)有機(jī)金屬化學(xué)氣相磊晶法(MOCVD)或分子束磊晶成長(zhǎng)法(MBE)形成在藍(lán)寶石基板21上。如圖IB所示，接著在該緩沖層22上形成以多個(gè)磊晶材料層組成的發(fā)光層結(jié)構(gòu)23， 該發(fā)光層結(jié)構(gòu)23可通過(guò)有機(jī)金屬化學(xué)氣相磊晶法(MOCVD)或分子束磊晶成長(zhǎng)法(MBE)形成，在緩沖層22上依次形成η型氮化鎵(n-GaN)層23a、發(fā)光層23b、及ρ型氮化鎵(p_GaN) 層23c。根據(jù)一實(shí)施例，發(fā)光層2 可由多量子井結(jié)構(gòu)(Multiple Quantum Well，MQff)組成。續(xù)如圖IC所示，在該ρ型氮化鎵(P-GaN)層23c上依次形成鍵結(jié)金屬(bonding metal)層M，并將導(dǎo)電基板25以晶片鍵結(jié)設(shè)置在鍵結(jié)金屬層M上。上述緩沖層、發(fā)光層、 鍵結(jié)金屬層及導(dǎo)電基板的形成方式可以本領(lǐng)域公知技術(shù)完成，因此在本說(shuō)明書中不加以贅述。續(xù)如圖ID所示，由該第一表面I上將該經(jīng)圖案化的藍(lán)寶石基板21移除，移除方式可利用激光剝離、蝕刻或研磨。在實(shí)施例中，優(yōu)選是以激光剝離的方式，以波長(zhǎng)248納米 (nm)的KrF準(zhǔn)分子激光由該藍(lán)寶石基板21側(cè)射入，使得該緩沖層22在靠近藍(lán)寶石基板21 側(cè)產(chǎn)生解離，再將組件加熱至約30至40°C以將該藍(lán)寶石基板21剝離，從而使得該第一表面 I的對(duì)應(yīng)該藍(lán)寶石基板21的幾何形狀的圖案裸露。然而，發(fā)光層所發(fā)出的光有可能因該第一表面I的圖案而產(chǎn)生發(fā)光二極管的全內(nèi)反射(total internalreflection,TIR)效應(yīng)、不易離開(kāi)發(fā)光二極管組件等現(xiàn)象。這種全內(nèi)反射效應(yīng)不僅降低發(fā)光二極管的發(fā)光功率，同時(shí)也會(huì)在該組件內(nèi)部產(chǎn)生大量的熱，造成組件劣化，操作特性變差。因此，本發(fā)明在移除藍(lán)寶石基板21后將組件以酸、堿或有機(jī)溶液洗滌，進(jìn)行表面平坦化處理。如圖IE所示，進(jìn)行該第一表面I的平坦化步驟時(shí)，可通過(guò)選擇性濕蝕刻或研磨而達(dá)成平坦化。在此實(shí)施例中，是將前述組件經(jīng)清洗后浸漬在溫度約20°C至200°C的蝕刻劑中，待濕蝕刻將該組件的第一表面I平坦化而形成第二表面II后，將該組件從溶液中取出， 以有機(jī)溶液(如丙酮、甲醇、異丙醇或酒精)洗滌該組件。
其中，該蝕刻劑對(duì)于氮化物半導(dǎo)體具有選擇性蝕刻的特性。在一實(shí)施例中，該蝕刻劑為酸溶液，是選自硫酸(H2SO4)、磷酸(H3PO4)、硝酸(HNO3)、亞硝酸(HNO2)、亞磷酸 (H3PO3)、鹽酸(HCl)、醋酸(CH3COOH)、碳酸(H2CO3)、硼酸(H2BO3)、甲酸(HCOOH)、碘酸(HIO3)、 草酸(H2C2O4)、氫氟酸(HF)、氫硫酸( 、亞硫酸(H2SO3)、氟磺酸(HSO3F)、任何烷基磺酸 (RSO3F, R = CnH2n+1)中一種或多種混合物。在另一實(shí)施例中，該蝕刻劑為堿溶液，是選自氫氧化鈉(NaOH)、氫氧化鉀(KOH)、氫氧化鈣(Ca(OH)2)、四甲基銨氫氧化物(TMAH)、氫氧化銨 (NH4OH)、碳酸鈉(Na2CO3)、碳酸氫鈉(NaHCO3)、碳酸鉀(K2CO3)、氫氧化鋇(Ba(OH)2)中的一種或多種混合物。作為該蝕刻劑的酸或堿溶液對(duì)于非平坦的氮化物蝕刻速率非常快，但對(duì)于平坦的氮化物蝕刻速率非常慢或甚至不蝕刻，因此可達(dá)到將凹凸起伏的氮化物表面平坦化的效果。值得一提的是，因具有圖案的緩沖層22相對(duì)較薄，故平坦化步可能完全去除緩沖層22，而露出的第二表面II為部分η型氮化鎵層23a。如圖IF所示，在該導(dǎo)電基板25的背面形成第一電極沈，在該發(fā)光層結(jié)構(gòu)23經(jīng)平坦化后的第二表面II上(即η型氮化鎵層23a上)形成第二電極27，其中第一電極沈與第二電極27分別接觸導(dǎo)電基板25與η型氮化鎵層23a。從而完成本發(fā)明的垂直式發(fā)光二極管2的制備。由于本發(fā)明的制程，可避免發(fā)光二極管的全內(nèi)反射效應(yīng)、散熱等不良現(xiàn)象。在另一實(shí)施例中，參照?qǐng)D2，如圖1A-1F所述步驟制備垂直式發(fā)光二極管2后(即， 形成第一電極26及第二電極27后)，進(jìn)一步粗化該發(fā)光層結(jié)構(gòu)23的第二表面II，以在該第二表面II形成具有幾何形狀的突起物28，由此可進(jìn)一步增加該發(fā)光二極管的發(fā)光效率。 該突起物觀的圖案形狀，舉例但非限制，可呈角錐狀、圓錐狀、半透鏡狀等幾何形狀。該粗化步驟可通過(guò)化學(xué)蝕刻或干蝕刻方式進(jìn)行，以在η型氮化鎵層23a的表面上位于第二電極 27以外的區(qū)域形成凹凸面?；瘜W(xué)蝕刻劑選自過(guò)氧化氫(H2O2)、氫氧化鉀(Κ0Η)、四甲基銨氫氧化物(TMAH)、或上述成分的組合，例如KOH與TMAH的混合溶液，組合比例可視蝕刻條件調(diào)離
iF. ο具體言之，在形成第一電極沈及第二電極27后，將該組件以有機(jī)溶液洗滌以進(jìn)行表面清潔，接著將組件浸漬在溫度為約20°C至200°C的化學(xué)蝕刻劑中，該化學(xué)蝕刻劑為KOH 與TMAH的混合溶液，該組件表面會(huì)產(chǎn)生不同程度的粗糙度，在第一階段浸漬完成后取出組件，以有機(jī)溶液洗滌，再浸漬入與第一階段相同的混合溶液進(jìn)行第二階段粗化。此處是以兩階段方式進(jìn)行粗化制程。在粗化步驟完成后取出組件以有機(jī)溶液洗滌。制備得本發(fā)明的高亮度垂直式發(fā)光二極管2。綜上所述，在本發(fā)明的制備方法中，利用經(jīng)圖案化的藍(lán)寶石基板可以有效降低磊晶層的缺陷密度，進(jìn)而提升整個(gè)發(fā)光二極管組件的使用特性。在此組件結(jié)構(gòu)中，由于晶片鍵結(jié)導(dǎo)電基板與激光剝離藍(lán)寶石基板，使得原本位于靠近藍(lán)寶石基板的底層翻轉(zhuǎn)成為組件的上表面，因此使得對(duì)應(yīng)藍(lán)寶石基板圖案所形成的圖案在上表面成為凹陷部(參照?qǐng)D IC及1D)。然而，如圖ID所示的幾何結(jié)構(gòu)，將使發(fā)光層所發(fā)出的光產(chǎn)生全內(nèi)反射(total internalreflection, TIR)效應(yīng)而不易離開(kāi)發(fā)光二極管組件。該全內(nèi)反射效應(yīng)不僅降低發(fā)光二極管的發(fā)光功率，同時(shí)也會(huì)在該組件內(nèi)部產(chǎn)生大量的熱，造成組件劣化，操作特性變差。因此，本發(fā)明的方法在于藍(lán)寶石基板剝離后，以平坦化步驟來(lái)解決此問(wèn)題，并克服上述組件劣化及操作特性變差的缺點(diǎn)。
然而，為了進(jìn)一步提升發(fā)光二極管的發(fā)光效率，本發(fā)明針對(duì)發(fā)光二極管表面進(jìn)行粗化步驟，制作角錐狀、圓錐狀、或半透鏡狀的突起物觀，根據(jù)這些突起物的大小以及數(shù)目， 該LED組件的發(fā)光功率可提升至少5%到10%。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，突起物觀的形狀也可以圖3所示的不同形狀實(shí)現(xiàn)，同樣可提升發(fā)光二極管的發(fā)光效率。


圖1A-1F說(shuō)明本發(fā)明制造高亮度垂直式發(fā)光二極管的方法的一實(shí)施例。圖2說(shuō)明本發(fā)明制造高亮度垂直式發(fā)光二極管的方法的另一實(shí)施例。圖3繪示經(jīng)圖案化的實(shí)施例。主要組件符號(hào)說(shuō)明2高亮度垂直式發(fā)光
21藍(lán)寶石基板
22緩沖層
23發(fā)光層結(jié)構(gòu)
23an-GaN層
23b發(fā)光層
23cP-GaN層
24鍵結(jié)金屬層
25導(dǎo)電基板
26第一電極
27第二電極
28突起物
I第一表面
II第二表面
8
權(quán)利要求
1.一種制造垂直式發(fā)光二極管的方法，其包括在經(jīng)圖案化的第一基板上形成多個(gè)磊晶材料層，其中，所述多個(gè)磊晶材料層與經(jīng)圖案化的第一基板接觸面為第一表面，且所述第一表面形成與所述經(jīng)圖案化的第一基板相對(duì)應(yīng)的圖案；在所述多個(gè)磊晶材料層上設(shè)置第二基板；移除所述第一基板以曝露所述第一表面；使所述第一表面平坦化，以去除其上與所述第一基板相對(duì)應(yīng)的圖案，由此形成平坦的第二表面；以及在所述第二基板背側(cè)形成第一電極并在所述第二表面上形成第二電極。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述多個(gè)磊晶材料層包括第三族氮化物或氧化物化合物。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第二基板以晶片鍵結(jié)的方式形成在所述多個(gè)磊晶材料層上。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一基板是以激光剝離、干蝕刻、濕蝕刻或研磨的方式移除。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一表面的平坦化步驟，是以選擇性濕蝕刻方式進(jìn)行。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中所述選擇性濕蝕刻的蝕刻劑為酸溶液或堿溶液，所述酸溶液為一種酸的溶液或多種酸的混合物的溶液，而所述堿溶液為一種堿的溶液或多種堿的混合物的溶液。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中所述酸選自硫酸(H2SO4)、磷酸(H3PO4)、硝酸(HNO3)、 亞硝酸(HNO2)、亞磷酸(H3PO3)、鹽酸(HCl)、醋酸(CH3COOH)、碳酸(H2CO3)、硼酸(H2BO3)、甲酸(HCOOH)、碘酸(HIO3)、草酸(H2C2O4)、氫氟酸(HF)、氫硫酸(H2S)、亞硫酸(H2SO3)、氟磺酸 (HSO3F)、任何烷基磺酸(RSO3F, R = CnH2n+1)中的一種或多種混合物。
8.如權(quán)利要求6所述的方法，其中所述堿溶液的堿選自氫氧化鈉(NaOH)、氫氧化鉀 (KOH)、氫氧化鈣(Ca(OH)2)、四甲基銨氫氧化物(TMAH)、氫氧化銨(NH4OH)、碳酸鈉(Na2CO3)、 碳酸氫鈉(NaHCO3)、碳酸鉀(K2CO3)、氫氧化鋇(Ba(OH)2)中一種或多種混合物。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一表面的平坦化步驟，是以研磨方式進(jìn)行。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述方法還包括在形成第一和第二電極后，粗化所述第二表面。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中所述粗化步驟是以化學(xué)蝕刻或干蝕刻方式進(jìn)行。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述化學(xué)蝕刻是以化學(xué)蝕刻劑進(jìn)行，所述化學(xué)蝕刻劑選自酸或堿，其中，所述酸選自硫酸(H2SO4)、磷酸(H3PO4)、硝酸(HNO3)、亞硝酸(HNO2)、 亞磷酸(H3PO3)、鹽酸(HCl)、醋酸(CH3COOH)、碳酸(H2CO3)、硼酸(H2BO3)、甲酸(HCOOH)、碘酸 (HIO3)、草酸(H2C2O4)、氫氟酸(HF)、氫硫酸( 、亞硫酸Ol2SO3)、氟磺酸(HSO3F)、任何烷基磺酸(RSO3F, R = CnH2n+1)中一種或多種混合物，而所述堿選自氫氧化鈉(NaOH)、氫氧化鉀 (KOH)、氫氧化鈣(Ca(OH)2)、四甲基銨氫氧化物(TMAH)、氫氧化銨(NH4OH)、碳酸鈉(Na2CO3)、 碳酸氫鈉(NaHCO3)、碳酸鉀(K2CO3)、氫氧化鋇(Ba(OH)2)中一種或多種混合物。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述化學(xué)蝕刻劑選自過(guò)氧化氫(H2O2)、氫氧化鉀(KOH)、四甲基銨氫氧化物(TMAH)、或上述成分的組合。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種制造高亮度垂直式發(fā)光二極管的方法，其包括在經(jīng)圖案化的第一基板上形成多個(gè)磊晶材料層，其中，該多個(gè)磊晶材料層與經(jīng)圖案化的第一基板接觸面為第一表面，且該第一表面形成與該經(jīng)圖案化的第一基板相對(duì)應(yīng)的圖案；在該多個(gè)磊晶材料層上設(shè)置第二基板；移除該第一基板以曝露該第一表面；使該第一表面平坦化，以去除其上與該第一基板相對(duì)應(yīng)的圖案，由此形成平坦的第二表面；以及于該第二基板背側(cè)形成第一電極并在該第二表面上形成第二電極，通過(guò)適當(dāng)?shù)谋砻娲只幚?，可使該組件的發(fā)光亮度有所提升。
文檔編號(hào)H01L33/00GK102447020SQ20101050932
公開(kāi)日2012年5月9日 申請(qǐng)日期2010年10月12日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月12日
發(fā)明者葉念慈, 呂坤圃, 張翔思, 王朝成 申請(qǐng)人:泰谷光電科技股份有限公司