專利名稱：發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管，特別涉及一種發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管在應(yīng)用到上述各領(lǐng)域中之前，需要將發(fā)光二極管芯片進(jìn)行封裝，以保護(hù)發(fā)光二極管芯片，從而獲得較高的發(fā)光效率及較長(zhǎng)的使用壽命。一種常見的發(fā)光二極管芯片采用藍(lán)寶石襯底，由于藍(lán)寶石為絕緣體，更容易累積靜電，因此該種發(fā)光二極管芯片更要注意防靜電。目前業(yè)界通常的做法是在發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)設(shè)置穩(wěn)壓元件，例如齊納二極管，將該齊納二極管與發(fā)光二極管芯片反向并聯(lián)以達(dá)到保護(hù)發(fā)光二極管芯片的目的。該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)一般包括基板、設(shè)置在基板上的發(fā)光二極管芯片及齊納二極管，發(fā)光二極管芯片及齊納二極管均通過金線與外部電極連接?；遄鳛闊醾鲗?dǎo)路徑，發(fā)光二極管芯片產(chǎn)生的熱量可由基板傳遞至外部散發(fā)。由于在后續(xù)安裝使用過程中，基板會(huì)與外部電極連接，導(dǎo)致基板上會(huì)有電流通過，造成漏電的問題。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，有必要提供一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其后續(xù)使用更加安全可靠。一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括導(dǎo)電基板、正電極、負(fù)電極、設(shè)置在導(dǎo)電基板上的發(fā)光二極管芯片及包覆發(fā)光二極管芯片的封裝層，發(fā)光二極管芯片具有正極焊點(diǎn)及負(fù)極焊點(diǎn)，正電極與正極焊點(diǎn)電連接，負(fù)電極與負(fù)極焊點(diǎn)電連接，還包括齊納二極管，其中齊納二極管的負(fù)極與正電極電連接，齊納二極管的正極與導(dǎo)電基板電連接，導(dǎo)電基板與負(fù)電極電連接。本發(fā)明發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)的齊納二極管與發(fā)光二極管芯片反向并聯(lián)，同時(shí)齊納二極管連接在正電極與導(dǎo)電基板之間，可阻截導(dǎo)向?qū)щ娀宓恼螂娏?，防止?dǎo)電基板漏電，從而提升發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的安全及可靠性能。下面參照附圖，結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的描述。


圖1為本發(fā)明第一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖2為本發(fā)明第一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖視示意圖。圖3為本發(fā)明第二實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖視示意圖。圖4為本發(fā)明第三實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖5為本發(fā)明第三實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖視示意圖。主要元件符號(hào)說明導(dǎo)電基板10反射杯12正電極20
負(fù)電極30發(fā)光二極管芯片40正極焊點(diǎn)41負(fù)極焊點(diǎn)42齊納二極管50正極51負(fù)極52封裝層60導(dǎo)線70
具體實(shí)施例方式請(qǐng)參考圖1和圖2，本發(fā)明第一實(shí)施例提供的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電基板 10，正電極20，負(fù)電極30，設(shè)于導(dǎo)電基板10上的發(fā)光二極管芯片40，齊納二極管50及封裝層60。導(dǎo)電基板10由熱導(dǎo)性能良好且能導(dǎo)電的材料制成，例如可以是銅、鋁等金屬或者合金。本實(shí)施例中的導(dǎo)電基板10大致呈平板狀。優(yōu)選的，在導(dǎo)電基板10上一體延伸形成反射杯12。當(dāng)然在其他實(shí)施例中，該反射杯12也可與導(dǎo)電基板10分開成型，并可由不同于導(dǎo)電基板10的材料制成。反射杯12內(nèi)形成容置發(fā)光二極管芯片40的空間，并提供內(nèi)壁反射面以提高發(fā)光二極管芯片40的出光效率。正電極20和負(fù)電極30均由導(dǎo)電性能良好的材料制成，例如金屬等。正電極20和負(fù)電極30的形狀可為規(guī)則的柱狀或者塊狀。正電極20和負(fù)電極30均與導(dǎo)電基板10電性隔離設(shè)置。本實(shí)施例中，正電極20和負(fù)電極30相對(duì)設(shè)置在導(dǎo)電基板10的兩側(cè)，且導(dǎo)電基板10、正電極20和負(fù)電極30由封裝層60結(jié)合在一起。負(fù)電極30的體積比正電極20的小，以便從外觀上區(qū)分。發(fā)光二極管芯片40可發(fā)出可見光或者紫外光，尤其是藍(lán)光或者近紫外光。發(fā)光二極管芯片40的襯底是由非導(dǎo)電材料制作而成，例如是藍(lán)寶石。發(fā)光二極管芯片40的襯底固定在導(dǎo)電基板10上。因此發(fā)光二極管芯片40的底部與導(dǎo)電基板10是電性絕緣的。發(fā)光二極管芯片40工作時(shí)產(chǎn)生的熱量可由導(dǎo)電基板10向外導(dǎo)出并散發(fā)。發(fā)光二極管芯片40 設(shè)置在具有反射杯12的導(dǎo)電基板10上時(shí)被反射杯12圍繞。發(fā)光二極管芯片40的上方具有正極焊點(diǎn)41和負(fù)極焊點(diǎn)42。發(fā)光二極管芯片40的正極焊點(diǎn)41與正電極20之間通過導(dǎo)線70形成電連接，導(dǎo)線70可以是金線，也可以是由鋁等其他金屬或者合金材料形成。發(fā)光二極管芯片40的負(fù)極焊點(diǎn)42與負(fù)電極30之間通過另一根導(dǎo)線70形成電連接。齊納二極管50具有正極51及負(fù)極52。本實(shí)施例中，齊納二極管50設(shè)置在反射杯12上，且齊納二極管50的正極51貼設(shè)在反射杯12上與反射杯12直接形成電連接。齊納二極管50的負(fù)極52與正電極20形成電連接。本實(shí)施例中，采用導(dǎo)線70將正電極20與齊納二極管50的負(fù)極52連接起來(lái)。同時(shí)，反射杯12與負(fù)電極30之間也通過導(dǎo)線70電連接。齊納二極管50在反射杯12上的位置沒有具體的限定，同時(shí)反射杯12與負(fù)電極30之間的導(dǎo)線70連接位置也沒有具體的限定，只要能達(dá)成使齊納二極管50與發(fā)光二極管芯片 40反向并聯(lián)在正電極20、負(fù)電極30之間，且齊納二極管50連接在正電極20與反射杯12之間即可。封裝層60可由透明的硅膠或者樹脂材料形成。封裝層60將分離的導(dǎo)電基板 10 (導(dǎo)電基板10和反射杯12)、正電極20、負(fù)電極30互相結(jié)合在一起，并包覆發(fā)光二極管芯片40、齊納二極管50以及導(dǎo)線70。優(yōu)選的，可在封裝層60加入熒光材料，使得發(fā)光二極管芯片40發(fā)出的光可轉(zhuǎn)換成不同波長(zhǎng)的光。熒光材料也可涂布在封裝層60的表面。熒光材料還可僅涂布在發(fā)光二極管芯片40的表面。本發(fā)明提供的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)中的齊納二極管50設(shè)置在正電極20與反射杯 12之間，并與發(fā)光二極管芯片40反向并聯(lián)。當(dāng)正向電流導(dǎo)通發(fā)光二極管芯片40使其發(fā)光時(shí)，由于齊納二極管50的作用，正向電流不能經(jīng)由反射杯12向下流通至導(dǎo)電基板10，因而由導(dǎo)電基板10向外導(dǎo)出的電流路徑被截?cái)?，不?huì)產(chǎn)生的漏電的問題，在后續(xù)安裝或者使用該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)時(shí)更加安全可靠，該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的性能得到提升。圖3為本發(fā)明第二實(shí)施例提供的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖視示意圖。與第一實(shí)施例中的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)相似，也包括導(dǎo)電基板10、正電極20、負(fù)電極30、發(fā)光二極管芯片40、齊納二極管50、封裝層60等結(jié)構(gòu)。發(fā)光二極管芯片40的正極焊點(diǎn)41與正電極20之間通過導(dǎo)線70形成電連接。發(fā)光二極管芯片40的負(fù)極焊點(diǎn)42與負(fù)電極30之間通過另一根導(dǎo)線70形成電連接。不同之處在于，齊納二極管50設(shè)置在導(dǎo)電基板10上，且齊納二極管50的正極51貼設(shè)在導(dǎo)電基板10上與導(dǎo)電基板10直接形成電連接。正電極20與齊納二極管50的負(fù)極52之間通過導(dǎo)線70形成電連接。齊納二極管50設(shè)置在導(dǎo)電基板10上的位置沒有具體限定。負(fù)電極30與反射杯12之間也通過導(dǎo)線70連接，導(dǎo)線70在反射杯 12上的連接位置也沒有具體限定。當(dāng)然，還可以將導(dǎo)線70直接連接負(fù)電極30與導(dǎo)電基板 10。該實(shí)施例中的齊納二極管50同樣設(shè)置在正電極20與導(dǎo)電基板10之間，阻截正向電流導(dǎo)向?qū)щ娀?0，防止導(dǎo)電基板10漏電。請(qǐng)?jiān)賲⒖紙D4和圖5，本發(fā)明第三實(shí)施例提供的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)也與上述實(shí)施例中的相似，包括導(dǎo)電基板10、正電極20、負(fù)電極30、發(fā)光二極管芯片40、齊納二極管50、 封裝層60等結(jié)構(gòu)，其中發(fā)光二極管芯片40的正極焊點(diǎn)41與正電極20之間通過導(dǎo)線70形成電連接，負(fù)極焊點(diǎn)42與負(fù)電極30之間通過另一根導(dǎo)線70形成電連接。不同之處在于， 齊納二極管50設(shè)置在正電極20上，且齊納二極管50的負(fù)極52貼設(shè)在正電極20上與正電極20直接形成電連接。反射杯12的一側(cè)與齊納二極管50的正極51之間通過導(dǎo)線70形成電連接，反射杯12的另一側(cè)與負(fù)電極30之間通過另一導(dǎo)線70形成電連接。當(dāng)然，齊納二極管50的正極51、負(fù)電極30也可通過導(dǎo)線70分別直接連接在導(dǎo)電基板10上。該實(shí)施例中的齊納二極管50同樣設(shè)置在正電極20與導(dǎo)電基板10之間，阻截正向電流導(dǎo)向?qū)щ娀?0，防止導(dǎo)電基板10漏電。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括導(dǎo)電基板、正電極、負(fù)電極、設(shè)置在導(dǎo)電基板上的發(fā)光二極管芯片及包覆發(fā)光二極管芯片的封裝層，發(fā)光二極管芯片具有正極焊點(diǎn)及負(fù)極焊點(diǎn)，正電極與正極焊點(diǎn)電連接，負(fù)電極與負(fù)極焊點(diǎn)電連接，其特征在于還包括齊納二極管， 其中齊納二極管的負(fù)極與正電極電連接，齊納二極管的正極與導(dǎo)電基板電連接，導(dǎo)電基板與負(fù)電極電連接。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述齊納二極管設(shè)置在導(dǎo)電基板上，齊納二極管的正極貼設(shè)在導(dǎo)電基板上。
3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述齊納二極管的負(fù)極與正電極之間，及導(dǎo)電基板與負(fù)電極之間均通過導(dǎo)線實(shí)現(xiàn)電連接。
4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于還包括設(shè)置在導(dǎo)電基板上的反射杯，反射杯與導(dǎo)電基板一體成型，反射杯圍繞所述發(fā)光二極管芯片。
5.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述齊納二極管設(shè)置在反射杯上，齊納二極管的正極貼設(shè)在反射杯上。
6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述齊納二極管設(shè)置在正電極上，齊納二極管的負(fù)極貼設(shè)在正電極上。
7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述齊納二極管的正極與導(dǎo)電基板之間，及導(dǎo)電基板與負(fù)電極之間均通過導(dǎo)線實(shí)現(xiàn)電連接。
8.如權(quán)利要求1-7項(xiàng)中任意一項(xiàng)所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述封裝層將導(dǎo)電基板、正電極及負(fù)電極結(jié)合在一起。
全文摘要
一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括導(dǎo)電基板、正電極、負(fù)電極、設(shè)置在導(dǎo)電基板上的發(fā)光二極管芯片、包覆發(fā)光二極管芯片的封裝層以及齊納二極管，發(fā)光二極管芯片具有正極焊點(diǎn)及負(fù)極焊點(diǎn)，正電極與正極焊點(diǎn)電連接，負(fù)電極與負(fù)極焊點(diǎn)電連接，齊納二極管的負(fù)極與正電極電連接，齊納二極管的正極與導(dǎo)電基板電連接，導(dǎo)電基板與負(fù)電極電連接。本發(fā)明發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)的齊納二極管與發(fā)光二極管芯片反向并聯(lián)，同時(shí)齊納二極管連接在正電極與導(dǎo)電基板之間，可阻截導(dǎo)向?qū)щ娀宓恼螂娏鳎乐箤?dǎo)電基板漏電，從而提升發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的安全及可靠性能。
文檔編號(hào)H01L33/48GK102456683SQ201010513030
公開日2012年5月16日 申請(qǐng)日期2010年10月22日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月22日
發(fā)明者陳敬恒 申請(qǐng)人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司