專利名稱：有機(jī)發(fā)光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
這些實(shí)施例涉及一種包括氧化鋅層和含有氰基的化合物的有機(jī)發(fā)光裝置，所述氧 化鋅層含有諸如鋁(Al)的元素。
背景技術(shù)：
作為自發(fā)射裝置的有機(jī)發(fā)光裝置(OLED)具有很多優(yōu)點(diǎn)，例如寬視角、優(yōu)異的對比 度、快速響應(yīng)、高亮度、優(yōu)異的驅(qū)動(dòng)電壓特性，并能夠提供多彩的圖像。典型的OLED具有包括基底和順序地形成在基底上的陽極、空穴傳輸層(HTL)、發(fā) 射層(EML)、電子傳輸層(ETL)及陰極的結(jié)構(gòu)。在這點(diǎn)上，HTL、EML和ETL是由有機(jī)化合物 形成的有機(jī)薄膜。具有上述結(jié)構(gòu)的OLED的工作原理如下。當(dāng)電壓施加到陽極和陰極時(shí)，從陽極注入的空穴經(jīng)由HTL移動(dòng)到EML，從陰極注入 的電子經(jīng)由ETL移動(dòng)到EML。空穴和電子在EML中復(fù)合，從而產(chǎn)生激子。當(dāng)激子從激發(fā)態(tài)降 至基態(tài)時(shí)，發(fā)射光。

發(fā)明內(nèi)容
當(dāng)前實(shí)施例提供了一種具有優(yōu)異的驅(qū)動(dòng)電壓特性、發(fā)射效率特性和功率效率特性 的有機(jī)發(fā)光裝置(OLED)。根據(jù)當(dāng)前實(shí)施例的一方面，提供了一種有機(jī)發(fā)光裝置，所述有機(jī)發(fā)光裝置包括基 底；第一電極，設(shè)置在所述基底上；第二電極；有機(jī)層，設(shè)置在第一電極和第二電極之間，所 述有機(jī)層包括發(fā)射層；至少一個(gè)第一層，設(shè)置在第一電極和所述發(fā)射層之間，所述至少一個(gè) 第一層包括含有氰基的化合物，其中，第一電極包括含有第一元素的氧化鋅層，所述含有第 一元素的氧化鋅層中的第一元素包括從由鋁(Al)、銦an)、鎵(( )、鍺(Ge)、釓(Gd)、鋯 (&)、鉬(Mo)和鎳(Ni)組成的組中選擇的至少一種元素。第一電極還可以包括透明導(dǎo)電層。第一元素可以包括鋁(Al)。關(guān)于所述有機(jī)發(fā)光裝置中的含有氰基的化合物，應(yīng)當(dāng)參考下面將提供的說明書的具體實(shí)施方式
部分。所述有機(jī)發(fā)光裝置的第一層還可以包括空穴傳輸化合物。關(guān)于空穴傳輸化合物， 應(yīng)當(dāng)參考下面將提供的說明書的具體實(shí)施方式
。第一層可以具有大約1OA至大約2,1OOA的厚度。第一層和發(fā)射層之間的厚度可以為50人或更大。所述有機(jī)發(fā)光裝置還可以包括從由位于第一層和發(fā)射層之間的空穴注入層和空穴傳輸層組成的組中選擇的至少一層。


通過參考附圖詳細(xì)描述當(dāng)前實(shí)施例的示例性實(shí)施例，當(dāng)前實(shí)施例的以上和其它特 征及優(yōu)點(diǎn)將變得更加顯而易見，在附圖中圖1是示出根據(jù)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置(OLED)的結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖2是示出根據(jù)另一實(shí)施例的OLED的結(jié)構(gòu)的剖視圖。
具體實(shí)施例方式圖1是根據(jù)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置(OLED) 10的示意性剖視圖。參照圖1，根據(jù)當(dāng) 前實(shí)施例的OLED 10包括按照如下次序順序地堆疊的基底1、第一電極5、包含含有氰基的 化合物的第一層6、有機(jī)層7和第二電極9。第一電極5包括含有第一元素的氧化鋅層5a?；? (可以是在傳統(tǒng)的有機(jī)發(fā)光裝置中使用的任何基底)可以是例如具有優(yōu)異 的機(jī)械強(qiáng)度、熱穩(wěn)定性、透明度、表面平滑性、處理便利性和耐水性的玻璃基底或透明塑料 基底ο含有第一元素的氧化鋅層fe設(shè)置在基底1上。含有第一元素的氧化鋅層fe中的 第一元素可以包括從由鋁(Al)、銦an)、鎵(( )、鍺(Ge)、釓(Gd)、鋯(&)、鉬(Mo)和鎳 (Ni)組成的組中選擇的至少一種元素。第一元素可以包括鋁(Al)，但不限于此。含有第一元素的氧化鋅層fe通過提高第一電極5的逸出功來降低空穴注入勢壘， 因此有助于空穴從第一電極5注入到有機(jī)層7中?；?00重量份的含有第一元素的氧化鋅層fe，含有第一元素的氧化鋅層fe中 的第一元素的量可以為大約0. 1重量份至大約10重量份。例如，基于100重量份的含有第 一元素的氧化鋅層5a，第一元素的量可以為大約0. 5重量份至大約5重量份，但不限于此。 在另一實(shí)施例中，基于100重量份的含有第一元素的氧化鋅層fe，第一元素的量可以為大 約0. 5重量份至大約10重量份。當(dāng)含有第一元素的氧化鋅層fe中的第一元素的量在以上 范圍內(nèi)時(shí)，含有第一元素的氧化鋅層fe可以具有優(yōu)異的空穴傳輸能力而不會(huì)顯著增大電 阻或顯著減小可見光的透射率。含有第一元素的氧化鋅層fe可以具有大約IA至大約800人的厚度，例如，厚度可 以為大約IOA至大約500A。當(dāng)含有第一元素的氧化鋅層fe的厚度在以上范圍內(nèi)時(shí)，可以獲 得優(yōu)異的效率特性而不會(huì)顯著減小驅(qū)動(dòng)電壓。包括含有氰基的化合物的第一層6設(shè)置在含有第一元素的氧化鋅層fe上。第一 層6可以包括至少一層。包括在第一層6中的含有氰基的化合物具有兩個(gè)單電子還原的形 式，并可以具有能夠產(chǎn)生穩(wěn)定自由基的擴(kuò)展η電子體系(這可以通過例如循環(huán)伏安法來識(shí) 別)。第一層6降低空穴從第一電極5注入到有機(jī)層7中的勢壘，因此，有助于空穴從第一 電極5注入到有機(jī)層7中。因此，OLED 10可以具有優(yōu)異的驅(qū)動(dòng)電壓特性和功率效率特性。包括在第一層6中的含有氰基的化合物可以是由下面的式1至式20表示的化合 物中的一個(gè)式1式2式權(quán)利要求
1.一種有機(jī)發(fā)光裝置，所述有機(jī)發(fā)光裝置包括 基底；第一電極，設(shè)置在所述基底上； 第二電極；有機(jī)層，設(shè)置在第一電極和第二電極之間，所述有機(jī)層包括發(fā)射層； 至少一個(gè)第一層，設(shè)置在第一電極和所述發(fā)射層之間，所述至少一個(gè)第一層包括含有 氰基的化合物，其中，第一電極包括氧化鋅層，所述氧化鋅層含有從由Al、In、Ga、Ge、Gd、Zr、Mo和Ni 組成的組中選擇的至少一種元素。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，第一電極還包括透明導(dǎo)電層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，基于100重量份的含有第一元素的氧化 鋅層，第一元素的量為0. 5重量份至10重量份。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的有機(jī)發(fā)光裝置，氧化鋅層含有Al。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，所述含有氰基的化合物包括由式1 至式20表示的化合物中的-
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，X1至\均獨(dú)立地選自于式30A的基團(tuán) 或式30D的基團(tuán)
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，R103選自于由以下基團(tuán)組成的組氧；鹵 素原子；氰基K1-Cltl烷基K1-Cltl烷氧基；具有從由鹵素原子、氰基、苯基、萘基、蒽基、吡啶 基、噻吩基和苯并噻吩基組成的組中選擇的至少一個(gè)取代基的取代的C1-Cltl烷基和取代的 C1-Cltl烷氧基；-N(Rltl7) (Rltl8)，其中，Rltl7和Rltl8均獨(dú)立地選自于由氫、C1-Cltl烷基、苯基和聯(lián) 苯基組成的組。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，T1和T2均獨(dú)立地選自于由以下物質(zhì)組 成的組苯；萘；蒽；噻吩；噻二唑；嚼二唑；具有從由鹵素原子、氰基X1-Cltl烷基和C1-Cltl燒 氧基組成的組中選擇的至少一個(gè)取代基的取代的苯、取代的萘、取代的蒽、取代的噻吩、取 代的噻二唑和取代的噁二唑。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，Lltll選自于由以下基團(tuán)組成的組亞噻 吩基；亞苯并噻吩基；具有從由鹵素原子、氰基和C1-Cltl烷基組成的組中選擇的至少一個(gè)取 代基的取代的亞噻吩基和取代的亞苯并噻吩基。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，所述含有氰基的化合物包括由下面的 式IA至式20B表示的化合物中的一個(gè)
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，第一層還包括空穴傳輸化合物。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，所述空穴傳輸化合物包括由下面的 式41或式42表示的化合物
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，Ar1和Ar11均獨(dú)立地選自于由以下基 團(tuán)組成的組=C1-Cltl亞烷基；亞苯基；亞萘基；亞蒽基；亞芴基；亞咔唑基；亞吡唑基；亞吡啶 基；亞三嗪基；-N(Q1)-;具有從由鹵素原子、氰基、羥基、C1-Cltl烷基、C1-Cltl烷氧基、苯基、萘 基和蒽基組成的組中選擇的至少一個(gè)取代基的取代的C1-Cltl亞烷基、取代的亞苯基、取代的 亞萘基、取代的亞蒽基、取代的亞芴基、取代的亞咔唑基、取代的亞吡唑基、取代的亞吡啶基 和取代的亞三嗪基；A選自于由以下基團(tuán)組成的組氧；C「C1(I烷基A-Cltl烷氧基；苯基；萘基；咔唑基；莉基；芘基；具有從由鹵素原子、氰基、羥基^1-Cltl烷基、C1-Cltl烷氧基、苯基、萘基和蒽基組成 的組中選擇的至少一個(gè)取代基的取代的C1-Cltl烷基、取代的C1-Cltl烷氧基、取代的苯基、取 代的萘基、取代的咔唑基、取代的芴基和取代的芘基。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，Ar2和Ar12均獨(dú)立地選自于由以下 基團(tuán)組成的組氧A-Cltl烷基；C「C1(I烷氧基；苯基；萘基；咔唑基；莉基；芘基；具有從由鹵 素原子、氰基、羥基、C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、苯基、萘基和蒽基組成的組中選擇的至少一 個(gè)取代基的取代的C1-Cltl烷基、取代的C1-Cltl烷氧基、取代的苯基、取代的萘基、取代的咔唑 基、取代的芴基和取代的芘基；-N(Q2) (Q3)，其中，Gl2和A均獨(dú)立地選自于由氫、甲基、乙基、 苯基、甲基苯基、聯(lián)苯基、萘基和甲基萘基組成的組。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，η和m均獨(dú)立地為0、1、2、3、4、5或6。
16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，基于100重量份的第一層，第一層中 的含有氰基的化合物的量為0. 1重量份至20重量份。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，第一層的厚度為10人至2,100A。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，第一層和所述發(fā)射層之間的距離為 50A或大于50入。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，所述有機(jī)發(fā)光裝置還包括從由位于第一層 和所述發(fā)射層之間的空穴注入層和空穴傳輸層組成的組中選擇的至少一層。
20.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光裝置，所述有機(jī)發(fā)光裝置還包括從由位于第一層 和所述發(fā)射層之間的空穴注入層和空穴傳輸層組成的組中選擇的至少一層。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種有機(jī)發(fā)光裝置，所述有機(jī)發(fā)光裝置包括第一電極和第一層，其中，所述第一電極包括含有第一元素的氧化鋅層，所述第一層包括含有氰基的化合物。
文檔編號(hào)H01L51/50GK102074657SQ201010518209
公開日2011年5月25日 申請日期2010年10月12日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月12日
發(fā)明者崔慶勛, 樸美花, 李寬熙, 金東憲, 金怠植 申請人:三星移動(dòng)顯示器株式會(huì)社