專利名稱：一種用于倒裝芯片型半導體封裝用底部填充膠的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導體封裝用底部填充膠，尤其涉及一種用于倒裝芯片型半導體封裝 用環(huán)氧樹脂型底部填充膠，其粘度低，操作性優(yōu)良，且對于含有感光性聚酰亞胺、氮化硅膜、氧化鋁膜等硅晶 體有著良好的密封性。
背景技術(shù)：
30多年前IBM首先提出了倒裝芯片(Flip-chip)互聯(lián)技術(shù)的概念，將芯片面朝下 與基板互聯(lián)，使凸點成為芯片電極與基板布線層的焊點，進行牢固的焊接。它提供了更高的 封裝密度、更短的互聯(lián)距離、更好的電性能和更高的可靠性。近年來隨著C4(受控塌陷芯片 連接)技術(shù)的發(fā)展Flip chip成為了一種主要的封裝技術(shù)。Flip-Chip既是一種芯片互連 技術(shù)，又是一種理想的芯片粘接技術(shù).直到近幾年來，F(xiàn)lip-Chip已成為高端器件及高密度 封裝領(lǐng)域中經(jīng)常采用的封裝形式。今天，F(xiàn)lip-Chip封裝技術(shù)的應(yīng)用范圍日益廣泛，封裝形 式更趨多樣化，對Flip-Chip封裝技術(shù)的要求也隨之提高。同時，F(xiàn)lip-Chip也向制造者提 出了一系列新的嚴峻挑戰(zhàn)，為這項復雜的技術(shù)提供封裝，組裝及測試的可靠支持。以往的一 級封閉技術(shù)都是將芯片的有源區(qū)面朝上，背對基板和貼后鍵合，如引線健合和載帶自動健 全(TAB)。Flip-Chip則將芯片有源區(qū)面對基板，通過芯片上呈陣列排列的焊料凸點實現(xiàn)芯 片與襯底的互連.硅片直接以倒扣方式安裝到PCB，從硅片向四周引出1/0，互聯(lián)的長度大 大縮短，減小了 R C延遲，有效地提高了電性能.顯然，這種芯片互連方式能提供更高的I/ 0密度.倒裝占有面積幾乎與芯片大小一致.在所有表面安裝技術(shù)中，倒裝芯片可以達到最 小、最薄的封裝。液體環(huán)氧封裝料是微電子封裝技術(shù)第三次革命性變革的代表性封裝材料，是 球型陣列封裝(BGA)和芯片尺寸級封裝(CSP)所需關(guān)鍵性封裝材料之一，底部填充膠 (Underfill)是一種適用于倒裝芯片電路的材料，它填充在IC芯片與有機基板之間的狹縫 中，并且將連接焊點密封保護起來。Underfill封裝的目的在于降低硅芯片和有機基板 之間的線膨脹系數(shù)不匹配；保護器件免受濕氣、離子污染物、輻射和諸如機械拉伸、剪切、扭 曲、振動等有害的操作環(huán)境的影響；增強Flip-chip封裝的可靠性。Underfill材料的要 求是優(yōu)異的電、物理和機械性能；生產(chǎn)中易于應(yīng)用；優(yōu)異的抗吸潮和抗污染能力。當前的 underfill材料主要是硅填充的環(huán)氧樹脂基體材料，其性能的改善由以下三個因素決定 (1)提高了對芯片的約束，減小了焊接的剪切應(yīng)力，而且附加的粘接面也有降低芯片彎曲的 趨勢；(2)當彈性模量很接近于焊料的彈性模量時，環(huán)氧樹脂就形成一種相對焊接的準連 續(xù)區(qū)，因此就減小了在芯片和基板界面上與焊接面形成的銳角有關(guān)應(yīng)力的提高；(3)焊料 實際上是被密封而與環(huán)境隔絕。機械循環(huán)試驗表明，在真空或是當用一層油脂涂層保護時， 焊料疲勞壽命可以得到改善，這是由于避免了裂紋端點的氧化，減緩了裂紋的生長。先進電子封裝技術(shù)應(yīng)用液體環(huán)氧底部填充膠，由于具有極高的技術(shù)附加值而倍受 矚目，許多發(fā)達國家非常重視其研究開發(fā)。20世紀90年代初美國的Dexter電子材料公司率先開發(fā)出雙酚環(huán)氧_改性咪唑固化體系的液體封裝料。沿著這條線路，經(jīng)過深入研究開 發(fā)，美國的Epoxy技術(shù)公司、日本住友、大日本油墨等許多公司也推出了自己的產(chǎn)品。日本 的住友電木公司采用雙酚F型環(huán)氧樹脂和芳香胺做固化劑，研制出了一系列的液體封裝材 料。目前國外環(huán)氧模塑料電子封裝材料主流產(chǎn)品為0. 35-0. 18um用環(huán)氧模塑料，研制水平 達0. lOum。國內(nèi)環(huán)氧封裝料起步較晚，雖然產(chǎn)品檔次從僅能封裝二極管、高頻小功率管到封 裝大功率器件、大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路，封裝形式從僅能封裝DIP到封裝大面積DIP，以 及表面封裝用SOP、QFP等，生產(chǎn)技術(shù)水平從5um到3um、2um、lum、0. 8um、0. 5um技術(shù)用，研制 水平已達0. Ium0但總體生產(chǎn)水平與能力還遠落后于發(fā)達國家，針對Flip-Chip封裝的液體 環(huán)氧underfill材料的研究還十分稀少。國外類似產(chǎn)品的綜合性能還不夠理想，還有提高 的空間。因此，開發(fā)研究綜合性能更好的并適用于現(xiàn)代電子封裝技術(shù)的環(huán)氧underfill材 料具有及其重要的市場價值與應(yīng)用前景。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為解決現(xiàn)有環(huán)氧底部填充膠綜合性能還不夠理想的技術(shù)問題，而提供一種 具有適當?shù)牧鲃有?、固化溫度低、固化速度快，樹脂固化物無缺陷、無氣泡、耐熱性能好、熱 膨脹系數(shù)低、低模量、高粘接強度、內(nèi)應(yīng)力小、翹曲度小的等綜合性能特點的Flip-chip用 的液態(tài)環(huán)氧底部填充膠，以滿足現(xiàn)代電子封裝技術(shù)的要求。在半導體裝置上用底部填充膠來填充芯片和基板的間隙，底部填充膠是一種液態(tài) 的樹脂密封材料，通過它能夠增強金屬的電極并提高半導體裝置的溫度循環(huán)性能。也就是 說用底部填充膠能夠降低密封品進行溫度循環(huán)實驗時發(fā)生的電極破壞的風險。使用半導 體裝置的電子化產(chǎn)品隨著自身的越來越小型化、輕薄化、和復雜化，將會要求它有更好的耐 沖擊性和高可靠性，并且也要求產(chǎn)品內(nèi)部的基板和電子產(chǎn)品有同樣的性質(zhì)。而從環(huán)境因素 方面來說，含鉛焊料是不能使用的，因此就要使用必要的替代品，又因為這些替代品熔點較 高，這樣就要求它周圍的基板和密封材料也要有超強的耐熱性。為了提高底部填充膠的耐熱性，就必須用無機填充材料的高填充化的方法來降低 線膨脹系數(shù)和吸濕率，但是如果提高液態(tài)的底部填充膠的無機填充材料的填充性能，會使 產(chǎn)品的粘度上升，并破壞其流動性能，這樣作為倒裝芯片安裝的密封材料使用起來就比較 困難。而且提高了無機填充材料的填充量后的底部填充膠，它的固化物的密著性及耐沖擊 也會有所降低。為了滿足上述技術(shù)平衡的要求，本發(fā)明提出用于倒裝芯片型半導體封裝用的底 部填充膠，由下列重量百分含量的原料配置而成液態(tài)環(huán)氧樹脂-5.8 59%、橡膠增韌 劑-2 10%、改性有機硅樹脂-5. 8 59%、多官能型環(huán)氧樹脂-0. 5 14. 8%、環(huán)氧稀釋 劑-1.5 10. 5%、芳香族胺類固化劑-0.5 14. 8%、硅烷偶聯(lián)劑-1. 1 10.8%、硅微 粉-20 59%、顏料-O 6%。本發(fā)明提供用于倒裝芯片型半導體封裝用的底部填充膠組成物，是作為底部填充 材料來密封半導體裝置和基板的，具有良好的連接信賴性和固化性，同時能夠增強耐熱性。 對本發(fā)明提供的底部填充膠進行如下性能測試⑴流動性將2張76mm*26mm的毛玻璃片片之間設(shè)計成約為50um的間隔，然后安裝到90度的電熱板上加熱，使底部填充膠在間隙中熔融并且侵入，等到底部填充膠侵入到IOmm的厚 度時，測定其花費的時間。流動性好組成物在五分鐘內(nèi)填完流動性不好組成物的浸透在中途停止(2)玻璃化轉(zhuǎn)變溫度在120攝氏度下固化底部填充膠30分鐘后，用TMA測試，按每分鐘增加5攝氏度 的條件，確認從30攝氏度到300攝氏度加熱過程中的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度，玻璃化轉(zhuǎn)變溫度要 求在140度，這樣即可以保證底部填充膠的耐熱性。(3)熱處理時的連接可靠性帶有IOxlOmm的BGA回路基板(0. 5mm間距、121引腳、直徑0. 35mm錫球)，在BGA 和回路基板之間用底部填充膠進行填充，然后進行1000個熱循環(huán)處理(-40攝氏度/125攝 氏度，每10分鐘1個循環(huán))。再確認連續(xù)性的好壞。評價標準如下。可靠性好1000個循環(huán)結(jié)束時，不發(fā)生連續(xù)不良可靠性不好1000個循環(huán)結(jié)束時，發(fā)生連續(xù)不良(4)儲存穩(wěn)定性在25攝氏度下測定保管24小時后的試料粘度和保管前的試料粘度，求保管后的 粘度和保管前的粘度的變化率，按以下標準評價。〇(保存安定性良好，常溫下使用沒有問題)變化率0%以上未滿30%Δ (保存安定性不充分，常溫下不適合整天使用)；變化率30%以上60%以下X (保存安定性差，常溫下使用有問題)；變化率超過60%(5)粘接力在FR-4基板上或是含有氮化硅膜的半導體芯片的氮化硅膜表面上使用金屬模 型，注入底部填充膠，使其在150度下固化2小時，制作成直徑為2mm，高為2mm的圓柱狀試 驗片。固化后，測定試片的剪切粘接力。(6)耐遷移性在聚酰亞胺薄膜上鍍錫，線寬為13um，厚為3um，于試驗基板上形成梳狀銅模型， 然后涂布0. Imm厚的底部填充膠，在150度條件下加熱固化2小時。這個固化物作為樹脂 封裝材料，放在85度85% RH的恒溫恒濕槽中電壓40V，測試阻力值下降到1之前的時間為 1000小時本發(fā)明提供的底部填充膠通過以上測試，具有良好的性能指標如下流動性3分鐘玻璃化轉(zhuǎn)變溫度130度熱處理時的連接可靠性-40°C至125°C可承受1000個循環(huán)儲存穩(wěn)定性25度下48個小時線膨脹系數(shù)(低于玻璃化轉(zhuǎn)變溫度)28ppm/°C粘接力>12MPa耐遷移性> 1000小時水解氯含量< 20ppm本發(fā)明提供的底部填充膠，主要可用于Flip-Chip工藝中半導體裝置和基板之間的密封。通過含有液態(tài)環(huán)氧樹脂、核殼橡膠增韌劑、改性有機硅樹脂、多官能型環(huán)氧樹脂、改 性胺類固化劑以及球形硅微粉等成分的混合物，利用改性有機硅樹脂和多官能型環(huán)氧樹脂 固化時能夠形成三次剛性結(jié)構(gòu)的特性，提高產(chǎn)品的耐熱性，就能保持高Tg和良好的連接信 賴性以及速固化性，同時核殼橡膠的使用在固化時能夠形成海島結(jié)構(gòu)，增加產(chǎn)品的韌性提 高耐沖擊性能。球形硅微粉的使用增加了產(chǎn)品的流動性能的同時很大程度的降低了產(chǎn)品的 線膨脹系數(shù)。且低氯的多官能團樹脂降低了水解氯的含量，提高了底部填充膠的耐濕性和 可靠性。低粘度的芳香族胺系的固化劑降低了底部填充膠的粘度，且在低粘度下活化期長， 提高了底部填充膠的儲存穩(wěn)定性，且固化物的機械特性、電氣特性、耐熱特性、耐溶劑性優(yōu) 良，而且因為使用了芳香族胺系固化劑硅晶片的表面的密封性也增強了。
具體實施例方式本發(fā)明所述的用于倒裝芯片型半導體封裝用環(huán)氧樹脂型底部填充膠，由下列重量 百分含量的原料配置而成液態(tài)環(huán)氧樹脂-5. 8 59%、橡膠增韌劑-2 10%、改性有機 硅樹脂-5. 8 59%、多官能型環(huán)氧樹脂-0. 5 14. 8%、環(huán)氧稀釋劑-1. 5 10. 5%、芳香 族胺類固化劑-0.5 14. 8%、硅烷偶聯(lián)劑-1. 1 10. 8%、硅微粉-20 59%、顏料-0 6%。液態(tài)環(huán)氧樹脂可選用雙酚A型縮水甘油醚型環(huán)氧樹脂，如殼牌公司的828環(huán)氧樹 脂，陶氏公司的331環(huán)氧樹脂；也可以選用雙酚F型環(huán)氧樹脂，如殼牌公司的862環(huán)氧樹 脂，環(huán)氧值為0. 45-0. 8，其分子量為1000到5000，總氯含量小于IOOOppm,總氯含量超過 1500ppm或者水解氯含量超過20ppm都會影響到半導體設(shè)備的可靠性，特別是耐濕性。從增強耐熱沖擊性和降低半導體元素的應(yīng)力方面來看，可以在樹脂組成物中配合 各種增韌劑。增韌劑沒有特定限制，橡膠粒子是比較好的選擇。可選用由雙酚A型環(huán)氧樹 脂和丙烯酸橡膠粒子改性而成的納米核殼型丙烯酸橡膠。例如，苯乙烯-丁二烯橡膠、丁二 烯橡膠、聚氨酯橡膠、丙烯酸橡膠等橡膠粒子。從耐熱性、耐濕性來看，丙烯酸橡膠是比較好 的選擇，而核殼型丙烯基類重合體，即核殼型丙烯酸橡膠粒子更加適用。殼_核聚合物是一 種具有獨特結(jié)構(gòu)的聚合物復合粒子，一般采用分步乳液聚合制得。其核為橡膠，賦予制品拉 伸性能；殼為具有較高玻璃化溫度的塑料，主要功能是使微粒相互隔離，促進在基體中的分 散增加與基體樹脂間的相互作用。殼_核微粒與環(huán)氧樹脂之間的界面作用，表現(xiàn)為界面性 質(zhì)取決于其物理放化學鍵便狀態(tài)，分散于環(huán)氧樹脂基體中的殼_核微粒的形態(tài)結(jié)構(gòu)對增韌 起了重要作用。改性有機硅樹脂是胺類改性的含甲基苯基基團的改性有機硅樹脂。本發(fā)明采用了 改性有機硅樹脂是因為有機硅材料分子結(jié)構(gòu)中含有元素硅，主鏈是si-Ο Si鍵交替組成 的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，有機基團與硅原子相連形成側(cè)鏈，屬于半有機，半無機結(jié)構(gòu)的高分子聚合物， 兼?zhèn)淞擞袡C化合物和無機化合物的特性，具有耐高溫，耐氣候老化，耐臭氧，耐介質(zhì)，電絕緣 性，耐燃，無毒，無腐蝕和生理惰性等優(yōu)異性能。本發(fā)明采用的改性有機硅樹脂是將聚硅氧 烷二醇與半預(yù)聚體按一定比例混合，加熱到65 SOcI =保溫2h，得到含有硅烷骨架的異氰 酸根封端的半預(yù)聚體，其中聚硅氧烷二醇的商業(yè)化產(chǎn)品為GE公司的Coat0Sil-2812( —種 端羥基的聚硅氧烷二元醇)。為了保持組成物的固化性以及抑制Tg的降低，本發(fā)明采用的多官能型環(huán)氧樹脂為通過P-氨基苯酚、二胺二苯基甲烷等胺化合物和氯甲基氧丙環(huán)的反應(yīng)得到的縮水胺型 環(huán)氧樹脂。其鹵素含量在300PPM以下。在多官能型環(huán)氧樹脂的一個分子內(nèi)，反應(yīng)性環(huán)氧基 的數(shù)量上限程度是4，官能基數(shù)是3或4，但這是粘度和固化性的首選。作為多官能型環(huán)氧 樹脂，比如，含有雙環(huán)戊二烯骨骼的雙環(huán)戊二烯型環(huán)氧樹脂，酚醛型環(huán)氧樹脂，甲酚型環(huán)氧 樹脂，三苯甲烷型環(huán)氧樹脂，含萘環(huán)環(huán)氧樹脂、脂環(huán)型環(huán)氧樹脂、胺型環(huán)氧樹脂等，這些當中 的3、4官能型可以選用一種或是兩種以上。環(huán)氧稀釋劑可選用雙官能團反應(yīng)型柔韌性環(huán)氧活性稀釋劑，例如，新戊二醇二縮 水甘油醚、己二酸二縮水甘油醚等。本發(fā)明采用的芳香族胺系固化劑是因為其低粘度下活化期長，固化物的機械性 能、電氣性能、耐熱性能優(yōu)良，而且因為使用了芳香族胺系固化劑使得硅晶片的表面密封性 也增強了。從半導體裝置的性能可靠性這點來看，最好是使用不含鈉離子和氯離子還有溴 離子等雜質(zhì)的固化劑。本發(fā)明用的硅微粉為球形硅微粉，考慮到使用底部填充膠的倒裝芯片的尺寸及性 能要求，球形硅微粉的粒子直徑需要更細，但是過細的話，就可能發(fā)生粘度上升和產(chǎn)生沉淀 等問題。因此，球形硅微粉的最大粒子直徑在50um以下，最好在3-30微米之間。如果直徑 沒有達到3微米，底部填充膠的粘度就會增高并損壞它的流動性，從而減低了它的性能難 以使用。而如果直徑超過了 30微米，在芯片和基板的間隙很小的情況下，就難以用底部填 充膠來填充了。本發(fā)明采用了硅烷偶聯(lián)劑是為了提高無機填料和環(huán)氧樹脂的親和性，提高無機 填料的凝聚性和耐濕耐熱性以及底部填充膠的流動性，可采用的硅烷偶聯(lián)劑的種類很多， 比如，3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷、3-縮水甘油氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、2-(3， 4-環(huán)氧基環(huán)己基)乙基三甲氧基硅烷、Y-(2-氨乙基)氨丙基三甲氧基硅烷、Y-(2-氨乙 基)氨丙基甲基二甲氧基硅烷、Y-氨丙基三乙氧基硅烷、Y -甲基丙烯酸丙基三甲氧基硅 烷、N- β - (N-乙烯基芐基氨乙基)_ Y -氨丙基甲氧基硅烷·氯化氯、氨基硅烷、甲基三甲氧 基硅烷、乙烯基酮氧基硅烷、Y-巰丙基三甲氧基硅烷、Y-氯丙基三甲氧基硅烷、六甲基二 硅氮烷、乙烯基三(β -甲氧基乙氧基)硅烷、十八烷基甲基[3-(三甲氧基硅烷)丙基]氯 化銨、甲基三氯硅烷、二甲基二氯硅烷等，可選用其中的一種或兩種混合使用。下面結(jié)合具體實施例對本發(fā)明做進一步說明。根據(jù)本發(fā)明的配方，配置下列不同 比例的制備底部填充膠的物料。實施例1本實施例由下列重量百分含量的原料配置而成828環(huán)氧樹脂30%液體丙烯酸橡膠10%有機硅樹脂27.4%脂環(huán)族環(huán)氧樹脂0.5%新戊二醇二縮水甘油醚10.5%芳香族胺固化劑0.5%Y-氨丙基三乙氧基硅烷1.球形硅微粉20%實施例2
本實施例由下列重量百分含量的原料配置而成 828環(huán)氧樹脂59%
液體丙烯酸橡膠2%
有機硅樹脂5.8%
酚醛型環(huán)氧樹脂0.5%
新戊二醇二縮水甘油醚 1.5% 芳香族胺固化劑5%
Y -氨丙基三乙氧基硅烷 1. 1 % 球形硅微粉20%
炭黑5.1%
實施例3
本實施例由下列重量百分含量的原料配置而成
862環(huán)氧樹脂 5.8%
液體丙烯酸橡膠 5%
CoatOSil-2812 59%
酚醛型環(huán)氧樹脂0.5%
新戊二醇二縮水甘油醚3%
芳香族胺固化劑0.5%
Y-氨丙基三乙氧基硅烷3%
球形硅微粉23. 2
實施例4本實施例由下列量百分含量的原料配置而成
828環(huán)氧樹脂7. 9%
液體丙烯酸橡膠2%
有機硅樹脂27. 5%
酚醛型環(huán)氧樹脂0. 5%
己二酸二縮水甘油醚1.5%
芳香族胺固化劑0.5%
3_縮水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷1. 1%
球形硅微粉59% 實施例5
本實施例由下列重量百分含量的原料配置而成
828環(huán)氧樹脂12%
液體丙烯酸橡膠6%
有機硅樹脂6%
甲酚型環(huán)氧樹脂14.8%
己二酸二縮水甘油醚5%
芳香族胺固化劑14.8%
3_縮水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷 10.8%
球形硅微粉24. 6%
炭黑6%
實施例6
本實施例由下列重量百分含量的原料配置而成
862環(huán)氧樹脂 6%
液體丙烯酸橡膠5%
CoatOSil-281220%
雙環(huán)戊二烯型環(huán)氧樹脂8%
新戊二醇二縮水甘油醚6%
芳香族胺固化劑8%
Y-氨丙基三乙氧基硅烷6%
球形硅微粉38%
炭黑3%
按上述實施例的重量百分比配方，配制底部填充膠的工藝步驟如下步驟1，樹脂混合預(yù)處理按配比將液態(tài)環(huán)氧樹脂、橡膠增韌劑、改性有機硅樹脂、 多官能型環(huán)氧樹脂在攝氏75度下(也可以在65 75攝氏度范圍內(nèi))，混合攪拌60分鐘 (也可以混合攪拌55 65分鐘)；步驟2，混合按配比先將混合好的樹脂混合料與球形硅微粉混合均勻，然后加入 固化劑、促進劑、環(huán)氧稀釋劑、顏料，在真空狀態(tài)下混合攪拌60分鐘(也可以混合攪拌55 65分鐘)。
權(quán)利要求
1.一種用于倒裝芯片型半導體封裝用底部填充膠，其特征在于，由下列重量百分含 量的原料配置而成液態(tài)環(huán)氧樹脂-5.8 59%、橡膠增韌劑-2 10%、改性有機硅樹 脂-5. 8 59%、多官能型環(huán)氧樹脂-0. 5 14. 8%、環(huán)氧稀釋劑-1. 5 10. 5%、芳香族胺 類固化劑-0. 5 14. 8%、硅烷偶聯(lián)劑-1. 1 10. 8%、硅微粉-20 59%、顏料-0 6%。
2.如權(quán)利要求1所述的用于倒裝芯片型半導體封裝用底部填充膠，其特征在于，所 述的液態(tài)環(huán)氧樹脂為雙酚A型縮水甘油醚型環(huán)氧樹脂或雙酚F型環(huán)氧樹脂，環(huán)氧值為 0. 45-0. 8，分子量范圍為1000 5000。
3.如權(quán)利要求1所述的用于倒裝芯片型半導體封裝用底部填充膠，其特征在于，所述 橡膠增韌劑為由雙酚A型環(huán)氧樹脂和丙烯酸橡膠粒子改性而成的納米核殼型丙烯酸橡膠。
4.如權(quán)利要求1所述的用于倒裝芯片型半導體封裝用底部填充膠，其特征在于，所述 的改性有機硅樹脂是胺類改性的含甲基苯基基團的改性有機硅樹脂。
5.如權(quán)利要求1所述的用于倒裝芯片型半導體封裝用底部填充膠，其特征在于，所述 多官能型環(huán)氧樹脂為通過P-氨基苯酚、二胺二苯基甲烷等胺化合物和氯甲基氧丙環(huán)的反 應(yīng)得到的縮水胺型環(huán)氧樹脂，其鹵素含量在300PPM以下。
6.如權(quán)利要求1所述用于倒裝芯片型半導體封裝用底部填充膠，其特征在于，所述的 環(huán)氧稀釋劑為雙官能團反應(yīng)型柔韌性環(huán)氧活性稀釋劑。
7.如權(quán)利要求1所述用于倒裝芯片型半導體封裝用底部填充膠，其特征在于，所述的 硅烷偶聯(lián)劑為3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷、3-縮水甘油氧基丙基甲基二甲氧基硅 烷、2-(3，4_環(huán)氧基環(huán)己基)乙基三甲氧基硅烷、Y-(2-氨乙基)氨丙基三甲氧基硅烷、 Y-(2-氨乙基)氨丙基甲基二甲氧基硅烷、氨丙基三乙氧基硅烷、r-甲基丙烯酸丙基 三甲氧基硅烷、N-0-(N-乙烯基芐基氨乙基氨丙基甲氧基硅烷 氯化氯、氨基硅烷、 甲基三甲氧基硅烷、乙烯基酮氧基硅烷、巰丙基三甲氧基硅烷、氯丙基三甲氧基硅 烷、六甲基二硅氮烷、乙烯基三(0-甲氧基乙氧基)硅烷、十八烷基甲基[3-(三甲氧基硅 烷)丙基]氯化銨、甲基三氯硅烷、二甲基二氯硅烷。
8.如權(quán)利要求1所述用于倒裝芯片型半導體封裝用底部填充膠，其特征在于，所述的 硅微粉為最大粒徑在50um以下的球形硅微粉。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種用于倒裝芯片型半導體封裝用底部填充膠，由下列重量百分含量的原料配置而成液態(tài)環(huán)氧樹脂-5.8～59％、橡膠增韌劑-2～10％、改性有機硅樹脂-5.8～59％、多官能型環(huán)氧樹脂-0.5～14.8％、環(huán)氧稀釋劑-1.5～10.5％、芳香族胺類固化劑-0.5～14.8％、硅烷偶聯(lián)劑-1.1～10.8％、硅微粉-20～59％、顏料-0～6％。本發(fā)明具有粘度低，適當?shù)牧鲃有阅埽瑯渲袒餆o缺陷、無氣泡、耐熱性能好，在熱循環(huán)處理時能保持良好的粘接信賴性和固化性，熱膨脹系數(shù)低，低模量，內(nèi)應(yīng)力小，翹曲度小，高粘接強度，能夠提高含有感光性聚酰亞胺和氮化硅膜的硅晶片表面的密封性和作業(yè)性，鹵素含量低，絕緣性能好?？蓮V泛用于倒裝芯片封裝技術(shù)領(lǐng)域尤其適用于Flip-chip工藝中高端器件及高密度的封裝領(lǐng)域。
文檔編號H01L23/29GK102002209SQ20101052257
公開日2011年4月6日 申請日期2010年10月26日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月26日
發(fā)明者葉婷, 黃偉進 申請人:深圳市庫泰克電子材料技術(shù)有限公司