專利名稱：太陽能電池晶硅硅片改良清水水洗工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及太陽能電池領(lǐng)域，尤其是一種太陽能電池晶硅硅片清洗類型和穩(wěn)定 制絨的清洗工藝。
背景技術(shù)：
隨著經(jīng)濟(jì)的快速發(fā)展，傳統(tǒng)能源的日益枯竭和石油價(jià)格的不斷上升，以及人們 對自身生存環(huán)境要求的不斷提高，作為無污染的清潔能源，太陽能電池必將會得到更加 迅猛的發(fā)展。2002-2008年間，中國光伏產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展，已經(jīng)成為世界光伏產(chǎn)業(yè)和市場發(fā) 展最快的國家之一。2007年，我國光伏電池產(chǎn)量首次超過德國和日本，居世界第一位。 2008年的太陽能電池產(chǎn)量將超過2000MW，中國正形成了一個(gè)高水平、國際化的光伏產(chǎn) 業(yè)群體。太陽能電池片以清洗硅晶為基體，通過清洗去除硅晶表面摻雜的有機(jī)物，從而 制成均勻的絨面，使太陽能電池片轉(zhuǎn)換更高的效率。
目前市場上清洗類型的工藝雖然設(shè)計(jì)原理和結(jié)構(gòu)都符合標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，但是作為清 洗太陽能硅晶硅片的專用清洗工藝具有以下缺點(diǎn)(1)傳統(tǒng)洗片是用清洗劑來洗硅片， 雖然能去除硅片表面的砂漿，但對工藝要求很高，極易導(dǎo)致硅片洗不凈或在硅片表面殘 留清洗劑等問題，影響后期電池生產(chǎn)過程中的表面清洗質(zhì)量，增加了清洗難度，隱性提 高了規(guī)模生產(chǎn)時(shí)的運(yùn)行時(shí)間及運(yùn)行成本；( 市場上清洗劑質(zhì)量良璜不齊，清洗力度不 確定；( 清洗劑購買成本高，增加生產(chǎn)工藝成本。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提出一種清洗操作簡單，制絨質(zhì)量受控及運(yùn)行成 本低，并且不易損傷硅片的太陽能電池晶硅硅片改良清水水洗工藝。
本發(fā)明所采用的技術(shù)方案為一種太陽能電池晶硅硅片改良清水水洗工藝，包 括以下步驟
1)在濃度為3% 8%的清洗劑水溶液中，將晶硅硅片放入所述的水溶液中去除 硅片表面在切片過程中殘留的砂漿；
2)完成步驟1)的清洗后將晶硅硅片放入濃度為3% 8%的HF溶液中浸泡2 5分鐘，以去除硅片表面的金屬雜質(zhì)；
3)最后利用清水進(jìn)行硅片的進(jìn)一步清洗，使得硅片表面無殘留。
本發(fā)明的有益效果是利用含有少量清洗劑的低濃度水溶液先進(jìn)行清洗晶硅硅 片，既能夠有效去除硅片表面大部分在切片過程中殘留的砂漿，并且不會在硅片表面殘 留過量的清洗劑；再將硅片放入HF溶液中浸泡，去除硅片表面一定量的金屬雜質(zhì)，最后 在用清水沖洗，進(jìn)一步的洗凈硅片，使硅片表面無殘留，提高后期電池生產(chǎn)過程中的表 面清洗質(zhì)量，降低生產(chǎn)工藝控制難度，并減少了化學(xué)品用量，隱性減少了生產(chǎn)的運(yùn)行成 本。
具體實(shí)施方式
現(xiàn)在結(jié)合實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
實(shí)施例1
在濃度為3%的清洗劑水溶液中，將晶硅硅片放入所述的水溶液中去除硅片表面 在切片過程中殘留的砂漿；2、完成步驟1)的清洗后將晶硅硅片放入濃度為3%的HF溶液 中浸泡2分鐘，以去除硅片表面的金屬雜質(zhì)；幻最后利用清水進(jìn)行硅片的進(jìn)一步清洗， 使得硅片表面無殘留。
實(shí)施例2
在濃度為5%的清洗劑水溶液中，將晶硅硅片放入所述的水溶液中去除硅片表面 在切片過程中殘留的砂漿；2、完成步驟1)的清洗后將晶硅硅片放入濃度為5%的HF溶液 中浸泡3分鐘，以去除硅片表面的金屬雜質(zhì)；幻最后利用清水進(jìn)行硅片的進(jìn)一步清洗， 使得硅片表面無殘留。
實(shí)施例3
在濃度為7%的清洗劑水溶液中，將晶硅硅片放入所述的水溶液中去除硅片表面 在切片過程中殘留的砂漿；2、完成步驟1)的清洗后將晶硅硅片放入濃度為5%的HF溶液 中浸泡4分鐘，以去除硅片表面的金屬雜質(zhì)；幻最后利用清水進(jìn)行硅片的進(jìn)一步清洗， 使得硅片表面無殘留。
實(shí)施例4
在濃度為8%的清洗劑水溶液中，將晶硅硅片放入所述的水溶液中去除硅片表面 在切片過程中殘留的砂漿；2、完成步驟1)的清洗后將晶硅硅片放入濃度為8%的HF溶液 中浸泡5分鐘，以去除硅片表面的金屬雜質(zhì)；幻最后利用清水進(jìn)行硅片的進(jìn)一步清洗， 使得硅片表面無殘留。
以上說明書中描述的只是本發(fā)明的具體實(shí)施方式
，各種舉例說明不對本發(fā)明的 實(shí)質(zhì)內(nèi)容構(gòu)成限制，所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在閱讀了說明書后可以對以前所述的具體實(shí)施方式
做修改或變形，而不背離發(fā)明的實(shí)質(zhì)和范圍。
權(quán)利要求
1. 一種太陽能電池晶硅硅片改良清水水洗工藝，其特征在于包括以下步驟1)在水溶液中加入濃度為3% 8%的清洗劑3 8ml，將晶硅硅片放入所述的水溶 液中去除硅片表面在切片過程中殘留的砂漿；2)完成步驟1)的清洗后將晶硅硅片放入濃度為3% 8%的HF溶液中浸泡2 5分 鐘，以去除硅片表面的金屬雜質(zhì)；3)最后利用清水進(jìn)行硅片的進(jìn)一步清洗，使得硅片表面無殘留。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種太陽能電池晶硅硅片改良清水水洗工藝，所述的太陽能電池晶硅硅片改良清水水洗工藝主要為用含有少量清洗劑的低濃度水溶液先進(jìn)行清洗晶硅硅片，去除硅片表面大部分在切片過程中殘留的砂漿，再將硅片放入HF溶液中浸泡，去除硅片表面一定量的金屬雜質(zhì)，最后再用清水沖洗，進(jìn)一步的洗凈硅片，使硅片本面無殘留，提高絨面質(zhì)量。本發(fā)明工藝簡單，操作方便，大大地節(jié)約了生產(chǎn)工藝成本，提高了清洗質(zhì)量、清洗產(chǎn)量和清洗的靈活性。
文檔編號H01L31/18GK102021580SQ201010526088
公開日2011年4月20日 申請日期2010年10月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月30日
發(fā)明者瞿輝 申請人:江蘇順風(fēng)光電科技有限公司