專利名稱：一種mos管及其版圖設(shè)計方法
一種MOS管及其版圖設(shè)計方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及版圖設(shè)計領(lǐng)域，特別涉及一種MOS管版圖設(shè)計方法及由該方法設(shè)計制 備的MOS管。背景技術(shù)：
集成電路的版圖是對應(yīng)于電路元器件結(jié)構(gòu)的幾何圖形組合，所述幾何圖形組合是 由不同層的幾何圖形相互組合而成，每層幾何圖像對應(yīng)一層版圖，各層版圖相應(yīng)于不同的 工藝步驟。版圖設(shè)計就是將電路元器件以及它們之間的連接關(guān)系轉(zhuǎn)換成版圖的形式來表 示，版圖設(shè)計通常使用專門的設(shè)計工具來完成。
MOS管(Metal Oxide kmiconductor)是場效應(yīng)管的一種，場效應(yīng)管是一種電壓控 制型半導(dǎo)體器件。MOS管在現(xiàn)代集成電路中使用非常廣泛，特別是一些集成電路中有時需要 導(dǎo)電溝道寬長比非常大的MOS管，而導(dǎo)電溝道寬長比比較大的MOS管在版圖設(shè)計時通常也 要占用較大版圖面積，雖然現(xiàn)有技術(shù)中已經(jīng)有很多版圖設(shè)計方案被用來減小這種MOS管的 占用面積，但是在一些情況下還未能達(dá)到預(yù)期效果。
請參考圖1，其示出了現(xiàn)有的一種關(guān)于MOS管100的交錯條形(AlterativeBar) 版圖設(shè)計方案。在本文中所述MOS管均采用標(biāo)準(zhǔn)自對準(zhǔn)工藝，不再累述，該種工藝的特點之 一是制作出的MOS管柵極與實際的導(dǎo)電溝道上下對應(yīng)。MOS管包括三個電極，分別是源極 (source)、漏極(drain)和柵極(gate)。在圖示版圖中柵極101、源極102和漏極103都位 于有源區(qū)104上，其中柵極101位于源極102和漏極103之間，用于將源極102和漏極103 分開。所述柵極101的版圖區(qū)域為一直條型，通常為多晶硅層。所述源極102和漏極103通 常是經(jīng)過摻雜的N+阱或者P+阱，位于所述柵極101所在層的下層，并通過接觸孔105連接 于集成電路表面的對應(yīng)金屬層以互相導(dǎo)通。因為版圖設(shè)計時通常有很多MOS管并列排布， 所以通常采用一個重復(fù)單元106(即圖示虛線框部分)來進(jìn)行設(shè)計版圖，即在版圖設(shè)計時根 據(jù)制作工藝的參數(shù)來設(shè)計好初始的重復(fù)單元106后，將重復(fù)單元106復(fù)制或者鏡像來設(shè)計 完其余的MOS管版圖部分。
漏極103的接觸孔105距離柵極101的間距，其實就是漏極103的接觸孔105距 離導(dǎo)電溝道(未示出)的間距，這個間距稱之為漏極間距DS(DrainSpace)。在一些集成電 路的版圖設(shè)計時，在減小MOS管的版圖占用面積時還同時需要設(shè)計的MOS管具有較大的漏 極間距。比如一些MOS管需要直接連接于芯片的管腳，出于提高靜電防護(hù)能力的目的，需要 這些MOS管具有較大的漏極間距來限流。如果采用圖1所示的版圖設(shè)計方案，在具有較大 漏極間距時，顯然MOS管的占用面積也會非常大，此時就無法滿足減小MOS管的版圖占用面 積的要求。
因此，有必要提出一種新的技術(shù)方案來解決上述缺點。
發(fā)明內(nèi)容
本部分的目的在于概述本發(fā)明的實施例的一些方面以及簡要介紹一些較佳實施例。在本部分以及本申請的說明書摘要和發(fā)明名稱中可能會做些簡化或省略以避免使本部 分、說明書摘要和發(fā)明名稱的目的模糊，而這種簡化或省略不能用于限制本發(fā)明的范圍。
本發(fā)明的一個目的在于提供一種新型的MOS管。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種新型的MOS管的版圖設(shè)計方法。
為了達(dá)到本發(fā)明的目的，根據(jù)本發(fā)明的一個方面，本發(fā)明提供一種MOS管，其包括 多個矩形重復(fù)單元，所述矩形重復(fù)單元包括有第一矩形邊、與第一矩形邊相對且平行的第 二矩形邊、第三矩形邊和與第三矩形邊相對且平行的第四矩形邊，所述矩形重復(fù)單元包括 位于第三矩形邊和第四矩形邊的中心連線與第一矩形邊之間的、起始于第三矩形邊而終止 于第四矩形邊的“ΤΓ”形的第一帶狀柵極和位于第三矩形邊和第四矩形邊的中心連線與 第二矩形邊之間的、起始于第三矩形邊而終止于第四矩形邊的“ JX”形的第二帶狀柵極； 2n個矩形漏極半接觸孔，其中η個矩形漏極半接觸孔的一長邊與第一矩形邊重合，并沿所 述第一矩形邊居中分布；另外η個矩形漏極半接觸孔的一長邊與第二矩形邊重合，并沿所 述第二矩形邊居中分布；和2η個矩形源極半接觸孔，其中η個矩形源極半接觸孔的一長邊 與第三矩形邊重合，并沿所述第三矩形邊居中分布；另外η個矩形源極半接觸孔的一長邊 與第四矩形邊重合，并沿所述第四矩形邊居中分布，其中η為大于等于1的自然數(shù)。
進(jìn)一步地，所述矩形重復(fù)單元依第一矩形邊和第二矩形邊的中點連線呈軸對稱圖 形，依第三矩形邊和第四矩形邊的中點連線呈軸對稱圖形。
進(jìn)一步地，相鄰的兩個矩形漏極半接觸孔之間的間距相等且大于等于接觸孔最小 間距，相鄰的兩個矩形源極半接觸孔之間的間距相等且大于等于接觸孔最小間距。
進(jìn)一步地，所述矩形源極半接觸孔的邊沿距所述帶狀柵極的邊沿的垂直距離等于 或者大于預(yù)設(shè)最小源極間距，所述矩形漏極半接觸孔的邊沿距所述帶狀柵極的邊沿的垂直 距離等于或者大于預(yù)設(shè)最小漏極間距。
進(jìn)一步地，第一帶狀柵極與所述重復(fù)單元的第一矩形邊的最小垂直距離等于第一 帶狀柵極的邊沿與第二帶狀柵極的邊沿的最小垂直距離的二分之一，第二帶狀柵極與所述 重復(fù)單元的第二矩形邊的最小距離等于第一帶狀柵極的邊沿與第二帶狀柵極的邊沿的最 小垂直距離的二分之一，第一帶狀柵極的邊沿與第二帶狀柵極的邊沿的最小垂直距離等于 或大于最小柵極間距。
進(jìn)一步地，每個矩形漏極半接觸孔的長邊等于兩倍的短邊長度，每個矩形源極半 接觸孔的長邊等于兩倍的短邊長度。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，本發(fā)明還提供一種版圖設(shè)計方法，所述方法包括獲取設(shè) 計規(guī)則；根據(jù)設(shè)計規(guī)則計算所述源極接觸孔的數(shù)目η ；根據(jù)所述接觸孔數(shù)目計算矩形重復(fù) 單元的長和寬；和根據(jù)所述接觸孔數(shù)目η、矩形重復(fù)單元的長和矩形重復(fù)單元的寬設(shè)計所 述矩形重復(fù)單元。
進(jìn)一步地，所述設(shè)計規(guī)則包括最小柵極間距、最小柵極長度、最小接觸孔寬度、預(yù) 設(shè)最小源極接觸孔距柵極間距、最小漏極接觸孔距柵極間和最小接觸孔間距。
進(jìn)一步地，所述源極接觸孔數(shù)目η的計算公式為
'C + 2E + F-2D'η =-C + F
其中η為大于0的整數(shù)，當(dāng)右側(cè)計算結(jié)果不為整數(shù)時需向上取整，其中C為最小接 觸孔寬度、D為預(yù)設(shè)最小源極接觸孔距柵極間距、E為最小漏極接觸孔距柵極間距和F為最 小接觸孔間距。
進(jìn)一步地，所述矩形重復(fù)單元的長Y的計算公式為
Y = C+2D+2B+2E+nC+(n_l)F，
其中η為接觸孔數(shù)目、Β為最小柵極長度、C為最小接觸孔寬度、D為最小源極接觸 孔距柵極間距、E為預(yù)設(shè)最小漏極接觸孔距柵極間距和F為最小接觸孔間距，所述矩形重復(fù) 單元的寬X ‘的計算公式為
X A+2B+nC+(n-l)F+2D,
其中η為接觸孔數(shù)目、A為最小柵極間距、B為最小柵極長度、C為最小接觸孔寬 度、D為最小源極接觸孔距柵極間距和F為最小接觸孔間距。
進(jìn)一步地，其中最小柵極間距、最小柵極長度、最小接觸孔寬度、最小漏極接觸孔 距柵極間和最小接觸孔間距是由MOS管的制備工藝所決定，其中預(yù)設(shè)最小源極接觸孔距柵 極間距由靜電防護(hù)設(shè)計需求所決定。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所述版圖設(shè)計方法及由該方法設(shè)計制備的MOS管，一方 面利用折疊帶狀的柵極達(dá)到了較大的導(dǎo)電溝道寬長比和節(jié)省面積的目的；另一方面，當(dāng)漏 極接觸孔采取較大的漏極間距，可以達(dá)到較好的靜電防護(hù)效果。

結(jié)合參考附圖及接下來的詳細(xì)描述，本發(fā)明將更容易理解，其中同樣的附圖標(biāo)記 對應(yīng)同樣的結(jié)構(gòu)部件，其中
圖1為現(xiàn)有的一種關(guān)于MOS管的交錯條形(Alterative Bar)版圖設(shè)計方案的版 圖示意圖2為本發(fā)明的一個實施例中的MOS管版圖設(shè)計方案的版圖示意圖3為本發(fā)明的一個實施例中的矩形重復(fù)單元的結(jié)構(gòu)示意圖；和
圖4為本發(fā)明的一個實施例中的MOS管版圖設(shè)計方法的方法流程圖。
具體實施方式
本發(fā)明的詳細(xì)描述主要通過程序、步驟、邏輯塊、過程或其他象征性的描述來直接 或間接地模擬本發(fā)明技術(shù)方案的運作。為透徹的理解本發(fā)明，在接下來的描述中陳述了很 多特定細(xì)節(jié)。而在沒有這些特定細(xì)節(jié)時，本發(fā)明則可能仍可實現(xiàn)。所屬領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員 使用此處的這些描述和陳述向所屬領(lǐng)域內(nèi)的其他技術(shù)人員有效的介紹他們的工作本質(zhì)。換 句話說，為避免混淆本發(fā)明的目的，由于熟知的方法、程序、成分和電路已經(jīng)很容易理解，因 此它們并未被詳細(xì)描述。
此處所稱的“一個實施例”或“實施例”是指可包含于本發(fā)明至少一個實現(xiàn)方式中 的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性。在本說明書中不同地方出現(xiàn)的“在一個實施例中”并非均指同一 個實施例，也不是單獨的或選擇性的與其他實施例互相排斥的實施例。此外，表示一個或多 個實施例的方法、流程圖或功能框圖中的模塊順序并非固定的指代任何特定順序，也不構(gòu) 成對本發(fā)明的限制。
本發(fā)明提出了一種改進(jìn)的MOS管，以及該類型MOS管的版圖設(shè)計方法。本發(fā)明中的 MOS管具有較大的漏極間距和較大的導(dǎo)電溝道寬長比，同時盡可能減少版圖占用面積。為了 說明該類型MOS管的結(jié)構(gòu)，本文首先描述該類型MOS管的版圖設(shè)計圖案。
請參考圖2，其示出了本發(fā)明的一個實施例中的MOS管版圖200的結(jié)構(gòu)示意圖。所 述MOS管版圖200包括源極區(qū)域201、漏極區(qū)域202和柵極區(qū)域203。圖示版圖中幾乎所有 的區(qū)域都覆蓋了有源區(qū)204，有源區(qū)204被折疊帶狀的柵極區(qū)域203分割成呈矩形的源極 區(qū)域201和漏極區(qū)域202。其中源極區(qū)域201和漏極區(qū)域202間隔排列，并且源極區(qū)域201 內(nèi)的源極接觸孔排成一列，并與排成一行的漏極區(qū)域202內(nèi)的漏極接觸孔互相垂直。根據(jù) 實施例中的不同也可能是源極區(qū)域201內(nèi)的源極接觸孔排成一行，并與排成一列的漏極區(qū) 域202內(nèi)的漏極接觸孔互相垂直。其中漏極區(qū)域202比源極區(qū)域201大，這樣是為了能夠 使漏極區(qū)域202的接觸孔到任何導(dǎo)電溝道的距離(即漏極間距)都等于或大于一定的最小 漏極間距。同時采用折疊帶狀的柵極區(qū)域203可以在盡可能小的面積下獲得較大的導(dǎo)電溝 道寬長比。
顯然，所述MOS管版圖200也可以通過對如圖3所示的矩形重復(fù)單元300進(jìn)行復(fù) 制或者鏡像來設(shè)計完成，所以矩形重復(fù)單元300如何設(shè)計是本發(fā)明的重點和難點之一。所 述矩形重復(fù)單元300包括有第一矩形邊301、與第一矩形邊301相對且平行的第二矩形邊 302、第三矩形邊303和與第三矩形邊303相對且平行的第四矩形邊304，所述矩形重復(fù)單元 300以第一矩形邊301和第二矩形邊302的中點連線呈軸對稱圖形，所述矩形重復(fù)單元300 以第三矩形邊303和第四矩形邊304的中點連線也呈軸對稱圖形，所述矩形重復(fù)單元300 包括位于第三矩形邊303和第四矩形邊304的中心連線與第一矩形邊301之間的、起始于 第三矩形邊303而終止于第四矩形邊304的“ U ”形的第一帶狀柵極305，和位于第三矩形 邊303和第四矩形邊304的中心連線與第二矩形邊302之間的、起始于第三矩形邊303而 終止于第四矩形邊304的“ JX”形的第二帶狀柵極306 ；
所以矩形重復(fù)單元300還包括2η個矩形漏極半接觸孔307，在本實施例中η = 3， 每個矩形漏極半接觸孔307的長邊等于兩倍的短邊長度，其中η個矩形漏極半接觸孔307 的一長邊與第一矩形邊301重合，且每個矩形漏極半接觸孔307間距相等并沿所述第一矩 形邊301居中分布；另外η個矩形漏極半接觸孔307的一長邊與第二矩形邊302重合，且每 個矩形漏極半接觸孔307間距相等并沿所述第二矩形邊302居中分布，所述矩形漏極半接 觸孔307的邊沿距所述帶狀柵極的邊沿的垂直距離等于或者大于預(yù)設(shè)最小漏極間距，所述 預(yù)設(shè)最小漏極間距是根據(jù)靜電防護(hù)需求所設(shè)定的最小漏極間距。
所以矩形重復(fù)單元300還包括2η個矩形源極半接觸孔308，在本實施例中η = 3， 每個矩形源極半接觸孔308的長邊等于兩倍的短邊長度，其中η個矩形源極半接觸孔308 的一長邊與第三矩形邊303重合，且每個矩形源極半接觸孔308間距相等并沿所述第三矩 形邊303居中分布；另外η個矩形源極半接觸孔308的一長邊與第四矩形邊304重合，且每 個矩形源極半接觸孔308間距相等并沿所述第四矩形邊304居中分布，所述矩形源極半接 觸孔308的邊沿距所述帶狀柵極305的邊沿的垂直距離等于或者大于預(yù)設(shè)最小源極間距。 在所述多個矩形重復(fù)單元300重復(fù)或者鏡像后就可以組成如圖2所示的版案，此時相 連的兩個矩形源極半接觸孔308形成正方形的源極接觸孔，相連的兩個矩形漏極半接觸孔 307形成正方形的漏極接觸孔。
應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到，所述矩形重復(fù)單元300以第一矩形邊301和第二矩形邊302的中點 連線、或以第三矩形邊303和第四矩形邊304的中點連線分為兩個部分后，其中的每一部分 仍然可以作為重復(fù)單元；所述矩形重復(fù)單元3000以第一矩形邊301和第二矩形邊302的 中點連線、和以第三矩形邊303和第四矩形邊304的中點連線分為四個部分后，其中的每一 部分也還可以作為重復(fù)單元，即所述重復(fù)單元并不唯一，其可能是矩形重復(fù)單元300的部 分或者重復(fù)。本文只是為了便于描述，選擇所述矩形重復(fù)單元300作為重復(fù)單元。另一方 面，所述矩形重復(fù)單元300中各個圖案或者部分之間的距離和尺寸都受到生產(chǎn)制造工藝的 參數(shù)要求和需求設(shè)計上的制約，所以所述矩形重復(fù)單元300可以由一特定的方法或者裝置 來進(jìn)行設(shè)計和制造。為此，本發(fā)明同時提出專用于該類型的MOS管的版圖設(shè)計方法。
請參考圖4，其示出了本發(fā)明的一個實施例中的MOS管版圖設(shè)計方法400的方法流 程圖。所述MOS管版圖設(shè)計方法400包括
步驟401，首先獲取設(shè)計規(guī)則；
設(shè)計規(guī)則是由制造工藝和設(shè)計參數(shù)所決定的，主要包括最小柵極間距A、最小柵極 寬度B、最小接觸孔寬度C、最小源極接觸孔到柵極間距D、預(yù)設(shè)最小漏極接觸孔到柵極間距 E、最小接觸孔間距F等參數(shù)。特別地，其中最小柵極長度B指的是所述帶狀柵極的物理寬 度。其中預(yù)設(shè)最小漏極接觸孔到柵極間距E則是根據(jù)具體靜電防護(hù)設(shè)計需要的漏極間距需 求而定，其它參數(shù)大部分為制造工藝所決定。
步驟402，根據(jù)設(shè)計規(guī)則設(shè)計所述矩形重復(fù)單元；
在獲得設(shè)計規(guī)則后，則需要根據(jù)設(shè)計規(guī)則設(shè)計前文所述矩形重復(fù)單元300。為了使 設(shè)計的MOS管占用的版圖面積最小，應(yīng)當(dāng)使所述矩形重復(fù)單元300內(nèi)的柵極間距采用最小 柵極間距A，所述矩形重復(fù)單元300的源極或者漏極的接觸孔的寬度采用最小接觸孔寬度 C，所述矩形重復(fù)單元300的源極接觸孔到柵極的距離采用最小源極接觸孔道柵極間距D和 所述矩形重復(fù)單元300的源極或者漏極的接觸孔之間的距離采用最小接觸孔間距E。為了 達(dá)到較大導(dǎo)電溝道寬長比，則需要所述矩形重復(fù)單元300內(nèi)的柵極長度采用最小柵極長度 B，并且采取折疊帶狀結(jié)構(gòu)增加單位面積內(nèi)的柵極寬度。另外，所述矩形重復(fù)單元300采用 預(yù)設(shè)最小漏極接觸孔到柵極間距E作為漏極間距可以保證設(shè)計的MOS管具有較大的漏極間 距的同時，盡可能減少漏極區(qū)域占用的版圖面積。
另一方面，從圖2或者圖3中可以看出所述矩形重復(fù)單元300的寬X主要由預(yù)設(shè) 最小漏極接觸孔到柵極間距E來決定，即X = A+2B+C+2E，而寬X同時可以用另一個度量來 表征，即X = A+2B+nC+(n-l)F+2D，其中η代表源極區(qū)域內(nèi)的源極接觸孔數(shù)目，η為大于0 的整數(shù)，顯然當(dāng)預(yù)設(shè)最小漏極接觸孔到柵極間距E這個參數(shù)確定以后，可以根據(jù)上述兩個 公式確定一個源極區(qū)域內(nèi)的源極接觸孔數(shù)目，進(jìn)一步地可以確定漏極區(qū)域的漏極接觸孔數(shù) 目。因為在同一 MOS管設(shè)計中，為了導(dǎo)電性的需要通常源極接觸孔和漏極接觸孔數(shù)目通常 是相同的。根據(jù)上述兩個公式有
權(quán)利要求
1.一種MOS管，其包括多個矩形重復(fù)單元，所述矩形重復(fù)單元包括有第一矩形邊、與 第一矩形邊相對且平行的第二矩形邊、第三矩形邊和與第三矩形邊相對且平行的第四矩形 邊，其特征在于，所述矩形重復(fù)單元包括位于第三矩形邊和第四矩形邊的中心連線與第一矩形邊之間的、起始于第三矩形邊而 終止于第四矩形邊的“Τ?！毙蔚牡谝粠顤艠O和位于第三矩形邊和第四矩形邊的中心連 線與第二矩形邊之間的、起始于第三矩形邊而終止于第四矩形邊的“ JX ”形的第二帶狀柵 極；2n個矩形漏極半接觸孔，其中η個矩形漏極半接觸孔的一長邊與第一矩形邊重合，并 沿所述第一矩形邊居中分布；另外η個矩形漏極半接觸孔的一長邊與第二矩形邊重合，并 沿所述第二矩形邊居中分布；和2η個矩形源極半接觸孔，其中η個矩形源極半接觸孔的一長邊與第三矩形邊重合，并 沿所述第三矩形邊居中分布；另外η個矩形源極半接觸孔的一長邊與第四矩形邊重合，并 沿所述第四矩形邊居中分布，其中η為大于等于1的自然數(shù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOS管，其特征在于，所述矩形重復(fù)單元依第一矩形邊和第二 矩形邊的中點連線呈軸對稱圖形，依第三矩形邊和第四矩形邊的中點連線呈軸對稱圖形。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOS管，其特征在于，相鄰的兩個矩形漏極半接觸孔之間的間 距相等且大于等于接觸孔最小間距，相鄰的兩個矩形源極半接觸孔之間的間距相等且大于 等于接觸孔最小間距。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的MOS管，其特征在于，所述矩形源極半接觸孔的邊沿距所述帶 狀柵極的邊沿的垂直距離等于或者大于預(yù)設(shè)最小源極間距，所述矩形漏極半接觸孔的邊沿 距所述帶狀柵極的邊沿的垂直距離等于或者大于預(yù)設(shè)最小漏極間距。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的MOS管，其特征在于，第一帶狀柵極與所述重復(fù)單元的第一矩 形邊的最小垂直距離等于第一帶狀柵極的邊沿與第二帶狀柵極的邊沿的最小垂直距離的 二分之一，第二帶狀柵極與所述重復(fù)單元的第二矩形邊的最小距離等于第一帶狀柵極的邊 沿與第二帶狀柵極的邊沿的最小垂直距離的二分之一，第一帶狀柵極的邊沿與第二帶狀柵 極的邊沿的最小垂直距離等于或大于最小柵極間距。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOS管，其特征在于，每個矩形漏極半接觸孔的長邊等于兩倍 的短邊長度，每個矩形源極半接觸孔的長邊等于兩倍的短邊長度。
7.一種版圖設(shè)計方法，用于設(shè)計如權(quán)利要求1所述的MOS管，其特征在于，其包括獲取設(shè)計規(guī)則；根據(jù)設(shè)計規(guī)則計算所述源極接觸孔的數(shù)目η ；根據(jù)所述接觸孔數(shù)目計算矩形重復(fù)單元的長和寬；和根據(jù)所述接觸孔數(shù)目η、矩形重復(fù)單元的長和矩形重復(fù)單元的寬設(shè)計所述矩形重復(fù)單兀。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述設(shè)計規(guī)則包括最小柵極間距、最小柵 極長度、最小接觸孔寬度、預(yù)設(shè)最小源極接觸孔距柵極間距、最小漏極接觸孔距柵極間和最 小接觸孔間距。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述源極接觸孔數(shù)目η的計算公式為~C + 2E + F-2D~η =-C + F其中η為大于0的整數(shù)，當(dāng)右側(cè)計算結(jié)果不為整數(shù)時需向上取整，其中C為最小接觸孔 寬度、D為預(yù)設(shè)最小源極接觸孔距柵極間距、E為最小漏極接觸孔距柵極間距和F為最小接 觸孔間距。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述矩形重復(fù)單元的長Y的計算公式為Y = C+2D+2B+2E+nC+(n-l)F，其中η為接觸孔數(shù)目、Β為最小柵極長度、C為最小接觸孔寬度、D為最小源極接觸孔距 柵極間距、E為預(yù)設(shè)最小漏極接觸孔距柵極間距和F為最小接觸孔間距，所述矩形重復(fù)單元 的寬X ‘的計算公式為X A+2B+nC+(n-l)F+2D,其中η為接觸孔數(shù)目、A為最小柵極間距、B為最小柵極長度、C為最小接觸孔寬度、D 為最小源極接觸孔距柵極間距和F為最小接觸孔間距。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，其中最小柵極間距、最小柵極長度、最小 接觸孔寬度、最小漏極接觸孔距柵極間和最小接觸孔間距是由MOS管的制備工藝所決定， 其中預(yù)設(shè)最小源極接觸孔距柵極間距由靜電防護(hù)設(shè)計需求所決定。
全文摘要
本發(fā)明揭露了一種MOS管，其包括多個矩形重復(fù)單元，該矩形重復(fù)單元包括有第一矩形邊和與其相對且平行的第二矩形邊、第三矩形邊和與其相對且平行的第四矩形邊，還包括有位于第三矩形邊和第四矩形邊的中心連線與第一矩形邊之間的、起始于第三矩形邊而終止于第四矩形邊的形的第一帶狀柵極和位于第三矩形邊和第四矩形邊的中心連線與第二矩形邊之間的、起始于第三矩形邊而終止于第四矩形邊的形的第二帶狀柵極。同時本發(fā)明的MOS管還可以采用較大的漏極間距。本發(fā)明中的MOS管，一方面利用折疊帶狀的柵極達(dá)到了較大的導(dǎo)電溝道寬長比和節(jié)省面積的目的；另一方面，當(dāng)漏極接觸孔采取較大的漏極間距，可以達(dá)到較好的靜電防護(hù)效果。
文檔編號H01L29/423GK102044567SQ201010530878
公開日2011年5月4日 申請日期2010年11月3日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月3日
發(fā)明者楊曉東, 王釗 申請人:無錫中星微電子有限公司