專利名稱：運送臂的清潔方法、基片處理裝置及其清潔方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及運送臂的清潔方法、基片處理裝置的清潔方法、以及基片處理裝置。
背景技術(shù)：
當(dāng)制造半導(dǎo)體器件時，對半導(dǎo)體晶片依次反復(fù)進行各種薄膜的成膜處理、改質(zhì)處 理、氧化擴散處理、退火處理、刻蝕處理等，并由此在半導(dǎo)體晶片上制造由多層膜構(gòu)成的半 導(dǎo)體器件。作為制造這種半導(dǎo)體器件的制造裝置，有單片式基片處理裝置。在該單片式基片 處理裝置中，進行各種處理的多個處理室和一個運送室連結(jié)，從而通過在各個處理室內(nèi)依 次對半導(dǎo)體晶片進行處理，可在一個基片處理裝置中進行各種處理。在該單片式基片處理 裝置中，處理室之間的半導(dǎo)體晶片的移動通過設(shè)置在運送室內(nèi)的運送臂的伸縮動作以及旋 轉(zhuǎn)動作等來進行。該運送臂通常具有靜電吸附功能，半導(dǎo)體晶片通過靜電吸盤被吸附在運 送臂上來被運送。但是，由于基片處理裝置中的運送臂具有驅(qū)動機構(gòu)，因此通過長時間使用基片處 理裝置，有時會產(chǎn)生作為異物的污染物等，或者當(dāng)在基片處理裝置的處理室中進行成膜處 理時，有時會由于在成膜處理中附著到處理室壁面上的膜脫落而產(chǎn)生污染物等。如此產(chǎn)生 的污染物等懸浮在腔室內(nèi)，并有時會附著到運送臂或半導(dǎo)體基片上。不用說污染物等附著 到半導(dǎo)體晶片上的時候，就連附著到運送臂上時污染物也會經(jīng)運送臂附著到通過運送臂運 送的半導(dǎo)體晶片上，從而降低制造的半導(dǎo)體器件的成品率。專利文獻1 日本專利文獻特開平6-252066號公報；專利文獻1 日本專利文獻特開平7-3(^827號公報。

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問題為了去除如上產(chǎn)生的污染物等，已有將附著了污染物等的運送臂從腔室內(nèi)取出并 通過擦去附著在運送臂表面上的污染物等來去除的方法。但是，這需要從基片處理裝置的 腔室內(nèi)取出運送臂，費時費力，尤其為了取出設(shè)置在真空腔室內(nèi)的運送臂，而需要將真空腔 室內(nèi)部設(shè)置成大氣壓狀態(tài)，從而更加費時費力。此外，為了去除懸浮在腔室內(nèi)的污染物等， 雖有對腔室內(nèi)部的壁面等進行擦拭的方法，但同樣費時費力，并不容易。此外，當(dāng)進行如上 述擦去污染物等的作業(yè)時，有時會附著另外的污染物等。因此，一直渴望得到不從基片處理裝置的腔室內(nèi)取出運送臂、且在短時間內(nèi)容易 地去除附著在運送臂上的污染物等的方法，而且還渴望得到在短時間內(nèi)容易地去除懸浮在 腔室內(nèi)的污染物等的方法。用于解決問題的手段本發(fā)明是一種用于進行基片的運送并具有靜電吸盤的運送臂的清潔方法，其特征 在于，在所述運送臂上附著有帶電的異物的情況下，具有在所述運送臂上沒有載置所述基片的狀態(tài)下向所述靜電吸盤的每個電極施加極性與帶電的異物的電荷極性相同的電壓的 電壓施加工序，從而去除附著在所述運送臂上的異物。此外，本發(fā)明是一種用于進行基片的運送并具有靜電吸盤的運送臂的清潔方法， 其特征在于，具有以下工序在所述運送臂上沒有載置所述基片的狀態(tài)下向所述靜電吸盤 的一個電極施加正電壓、并向另一個電極施加負(fù)電壓的第一電壓施加工序；以及在所述第 一電壓施加工序之后向所述靜電吸盤的一個電極施加負(fù)電壓、并向另一個電極施加正電壓 的第二電壓施加工序；并且去除所述運送臂附近的異物。此外，本發(fā)明是一種基片處理裝置的清潔方法，所述基片處理裝置包括進行基片 處理的多個處理室；與所述多個處理室連接的運送室；以及運送臂，該運送臂被設(shè)置在所 述運送室內(nèi)，用于在所述處理室之間進行基片運送，并具有靜電吸盤；所述基片處理裝置的 清潔方法的特征在于，在所述運送臂上附著有帶電的異物的情況下，具有在所述運送臂上 沒有載置所述基片的狀態(tài)下向所述靜電吸盤的每個電極施加極性與帶電的異物的電荷極 性相同的電壓的電壓施加工序，并且去除附著在所述運送臂上的異物。此外，本發(fā)明是一種基片處理裝置的清潔方法，所述基片處理裝置包括進行基片 處理的多個處理室；與所述多個處理室連接的運送室；與所述運送室連接的加載互鎖真空 室；以及運送臂，該運送臂被設(shè)置在所述運送室內(nèi)，用于在所述處理室以及加載互鎖真空室 之間進行基片運送，并具有靜電吸盤；所述基片處理裝置的清潔方法的特征在于，在所述運 送臂上附著有帶電的異物的情況下，具有在所述運送臂上沒有載置所述基片的狀態(tài)下向所 述靜電吸盤的每個電極施加極性與帶電的異物的電荷極性相同的電壓的電壓施加工序，并 且去除附著在所述運送臂上的異物。此外，本發(fā)明是一種基片處理裝置的清潔方法，所述基片處理裝置包括進行基片 處理的多個處理室；與所述多個處理室連接的運送室；以及運送臂，該運送臂被設(shè)置在所 述運送室內(nèi)，用于在所述處理室之間進行基片運送，并具有靜電吸盤；所述基片處理裝置的 清潔方法的特征在于，具有以下工序在所述運送臂上沒有載置所述基片的狀態(tài)下向所述 靜電吸盤的一個電極施加正電壓、并向另一個電極施加負(fù)電壓的第一電壓施加工序；以及 在所述第一電壓施加工序之后向所述靜電吸盤的一個電極施加負(fù)電壓、并向另一個電極施 加正電壓的第二電壓施加工序；并且去除所述處理室或所述運送室中帶電的異物。此外，本發(fā)明是一種基片處理裝置的清潔方法，所述基片處理裝置包括進行基片 處理的多個處理室；與所述多個處理室連接的運送室；與所述運送室連接的加載互鎖真空 室；以及運送臂，該運送臂被設(shè)置在所述運送室內(nèi)，用于在所述處理室以及加載互鎖真空室 之間進行基片運送，并具有靜電吸盤；所述基片處理裝置的清潔方法的特征在于，具有以 下工序在所述運送臂上沒有載置所述基片的狀態(tài)下向所述靜電吸盤的一個電極施加正 電壓、并向另一個電極施加負(fù)電壓的第一電壓施加工序；以及在所述第一電壓施加工序之 后向所述靜電吸盤的一個電極施加負(fù)電壓、并向另一個電極施加正電壓的第二電壓施加工 序；并且去除所述處理室或所述運送室中帶電的異物。此外，本發(fā)明是一種基片處理裝置的清潔方法，所述基片處理裝置包括進行基片 處理的多個處理室；與所述多個處理室連接的運送室；以及運送臂，該運送臂被設(shè)置在所 述運送室內(nèi)，用于在所述處理室之間進行基片運送，并具有靜電吸盤；所述基片處理裝置的 清潔方法的特征在于，具有以下工序在所述運送臂上沒有載置所述基片的狀態(tài)下從所述運送室向所述處理室插入所述運送臂的具有靜電吸盤的部分的運送臂插入工序；向所述靜 電吸盤的電極施加電壓的電壓施加工序；以及在所述運送臂插入工序以及所述電壓施加工 序之后將所述運動臂的具有靜電吸盤的部分返回到所述運送室內(nèi)的運送臂返回工序；并且 去除所述處理室中帶電的異物。此外，本發(fā)明是一種基片處理裝置，具有用于進行基片的運送并具有靜電吸盤的 運送臂，所述基片處理裝置的特征在于，具有控制部，該控制部進行以下控制當(dāng)所述運送 臂上附著有帶電的異物時，在所述運送臂上沒有載置所述基片的狀態(tài)下向所述靜電吸盤的 每個電極施加極性與帶電的異物的電荷極性相同的電壓來去除附著在所述運送臂上的異 物。發(fā)明效果0016
根據(jù)本發(fā)明，通過靜電吸盤能夠在短時間內(nèi)容易地去除具有運送臂的基片處理裝 置中附著在運送臂上的污染物等、或者懸浮在腔室內(nèi)的污染物等。


圖1是第一-實施方式中的基片處理裝置的結(jié)構(gòu)圖2是運送臂的俯視圖3是運送臂的截面放大圖4是第一-實施方式中的基片處理裝置的控制方法的流程圖5是第一-實施方式中的基片處理裝置的控制方法的說明圖(1)；
圖6是第一-實施方式中的基片處理裝置的控制方法的說明圖(2)；
圖7是第一-實施方式中的基片處理裝置的控制方法的說明圖(3)；
圖8是第一-實施方式中的另一基片處理裝置的控制方法的說明圖9是第二-實施方式中的基片處理裝置的控制方法的流程圖10是第—二實施方式中的基片處理裝置的控制方法的說明圖(1)；
圖11是第—二實施方式中的基片處理裝置的控制方法的說明圖(2)；
圖12是第—二實施方式中的基片處理裝置的控制方法的說明圖(3)；
圖13是第—二實施方式中的基片處理裝置的控制方法的說明圖(4)；
圖14是第_三實施方式中的基片處理裝置的控制方法的流程圖。
具體實施例方式以下，對用于實施本發(fā)明的方式進行說明。〔第一實施方式〕對第一實施方式進行說明。本實施方式涉及在使用運送臂運送半導(dǎo)體晶片的所謂 單片式的基片處理裝置中去除附著在運送臂上的污染物等的運送臂的清潔方法以及基片 處理裝置的清潔方法。(基片處理裝置)在本實施方式中使用的基片處理裝置具有多個處理室和與多個處理室連接 的運送室并進行半導(dǎo)體晶片等基片的處理，在運送室中設(shè)置有通過靜電吸盤(ESC Electrostatic Chuck)來吸附半導(dǎo)體晶片的運送臂，能夠通過運送臂來在各處理室之間或 者在處理室與加載互鎖真空室之間移動作為基片的半導(dǎo)體晶片。基于圖1，對本實施方式中的基片處理裝置進行說明。本實施方式中的基片處理裝 置具有運入運送室10 ；共用運送室20 ;四個處理室41、42、43、44;以及控制部50。運入運 送室10以及共用運送室20如后所述具有作為運送室的運送機構(gòu)。共用運送室20形成為大致六邊形的形狀，四個處理室41、42、43、44連接在與大致 六邊形的邊相當(dāng)?shù)牟糠稚?。此外，在共用運送室20與運入運送室10之間設(shè)置有兩個加載 互鎖真空室31和32。在共用運送室20與每個處理室41、42、43、44之間分別設(shè)置有閘門閥 61、62、63、64，每個處理室41、42、43、44能夠與共用運送室20隔離。此外，在共用運送室20 與每個加載互鎖真空室31和32之間分別設(shè)置有間門閥65以及66，在每個加載互鎖真空室 31,32與運入運送室10之間分別設(shè)有閘門閥67以及68。另外，共用運送室20上連接有圖 中沒有示出的真空泵，可進行真空排氣，并且加載互鎖真空室31以及32上連接有圖中沒有 示出的真空泵，從而可獨立進行排氣。另外，在運入運送室10的與設(shè)置有兩個加載互鎖真空室31以及32的面相反的面 上連結(jié)著三個導(dǎo)入12A、12B、12C，在該三個導(dǎo)入口 12A、12B、12C處設(shè)置有能夠收納多片半 導(dǎo)體晶片的晶片盒。在運入運送室10內(nèi)設(shè)置有運入側(cè)運送機構(gòu)16，運入側(cè)運送機構(gòu)16具有用于保持 半導(dǎo)體晶片W的兩個運送臂16A以及16B，通過運送臂16A以及16B進行伸縮、旋轉(zhuǎn)、升降以 及直線移動等動作，能夠取出收納在導(dǎo)入口 12A、12B、12C處的晶片盒內(nèi)的半導(dǎo)體晶片W，并 將其移動到加載互鎖真空室31以及32中任一個的內(nèi)部。此外，在運入運送室10內(nèi)設(shè)置有 氮供應(yīng)噴嘴17，用于向運送臂16A以及16B噴射氮氣。在共用運送室20內(nèi)設(shè)置有運送機構(gòu)80，運送機構(gòu)80具有用于保持半導(dǎo)體晶片W 的兩個運送臂80A以及80B，通過運送臂80A或80B進行伸縮動作以及旋轉(zhuǎn)動作等，能夠在 各處理室41、42、43、44之間移動半導(dǎo)體晶片W，能夠?qū)雽?dǎo)體晶片W從加載互鎖真空室31 或32的內(nèi)部移動到各處理室41、42、43、44，以及從各處理室41、42、43、44移動到加載互鎖 真空室31或32的內(nèi)部。具體來說，通過運送臂80A以及80B，能夠?qū)雽?dǎo)體晶片W從加載互鎖真空室31或 32移動到各處理室41、42、43、44中，從而在各處理室41、42、43、44中對半導(dǎo)體晶片W進行 處理。在處理室41、42、43、44中分別單獨進行半導(dǎo)體晶片W的處理，因此半導(dǎo)體晶片W通 過運送臂80A以及80B而在處理室41、42、43、44之間移動并被處理。在半導(dǎo)體晶片W的處 理結(jié)束后，半導(dǎo)體晶片W通過運送臂80A或80B而從處理室41、42、43、44移動到加載互鎖 真空室31或32，進而通過運入運送室10中的運入側(cè)運送機構(gòu)16的運送臂16A或16B，完 成基片處理的半導(dǎo)體晶片W被收納到運送口 12A、12B、12C處的晶片盒內(nèi)。此外，在共用運 送室20內(nèi)設(shè)置有氮供應(yīng)噴嘴27，用于向運送臂80A以及80B噴射氮氣。此外，控制部50對運入側(cè)運送機構(gòu)16中的運送臂16A或16B的動作、運送機構(gòu)80 中的運送臂80A或80B的動作、處理室41、42、43、44中的半導(dǎo)體晶片的處理、閘門閥61、62、 63、64、65、66、67、68、加載互鎖真空室31或32的排氣等進行控制。此外，控制部50還進行 向運送臂16A或16B、運送臂80A以及80B中的用于靜電吸附的電極施加預(yù)定電壓的控制。接下來，基于圖2和圖3，對本實施方式中的運送臂80A進行說明。圖3是在圖2的虛線3A-;3B處切斷的截面放大圖。運送臂80A具有分成兩個支臂的U字形的前端部分， 半導(dǎo)體晶片W被載置在該前端部分上。運送臂80A的主體部81由氧化鋁等陶瓷材料形成， 并具有用于載置半導(dǎo)體晶片W的U字形的前端部分。該U字形的前端部分具有用于進行靜 電吸附的由金屬材料形成的電極82以及83，在電極82以及83的表面上形成有由聚酰亞 胺(polyimide)等形成的絕緣層84以及85。此外，在運送臂80A的主體部81的半導(dǎo)體晶 片W的吸附面?zhèn)?，設(shè)置有由含硅化合物的硅類橡膠構(gòu)成的0環(huán)，從而被構(gòu)成為使得半導(dǎo)體晶 片W不與主體部81直接接觸。在電極82以及83的表面中由絕緣層84以及85構(gòu)成的靜 電吸盤部87進行靜電吸附，絕緣層84以及85由聚酰亞胺(polyimide)等形成。此外，運 送臂80B以及運入側(cè)運送機構(gòu)16中的運送臂16A、16B也具有相同的結(jié)構(gòu)。附著在運送臂 80A以及80B上的污染物等通過氮氣被去除的位置是各裝置中所設(shè)置的圖中沒有示出的排 氣口附近、從處理室41、42、43、44退出(retract)的位置、漏口(leak)等處的氮氣供應(yīng)口 的附近。(基片處理裝置的控制方法)接下來，對本實施方式中的基片處理裝置的控制方法進行說明。圖4是本實施方 式中的基片處理裝置的控制方法的流程圖。運送臂80A由于反復(fù)進行半導(dǎo)體晶片W的靜電吸附，因此絕緣層84以及85會稍 許帶電，如圖5所示，即使在電極82以及83上沒有電壓施加的狀態(tài)(施加有OV電壓的狀 態(tài))下，也處于作為異物的帶負(fù)電的污染物91以及帶正電的污染物92附著在絕緣層84以 及85的表面上的狀態(tài)。起初，在步驟102(S102)中，向附著有帶負(fù)電的污染物91以及帶正電的污染物92 的運送臂80A噴射氮氣。具體來說，如圖6所示，從氮供應(yīng)噴嘴27供應(yīng)氮氣，從運送臂80A 的上方向運送臂80A的U字形的前端部分噴射氮氣(氣體供應(yīng)工序)。接著，在步驟104(S104)中，向電極82以及83施加極性與所帶電的污染物91以 及92的電荷極性相同的電壓，以使得極性與絕緣層84以及85的表面所帶的電的極性相反 (電壓施加工序)。具體地，如圖7所示，在運送臂80A中，向電極82施加負(fù)電壓，向電極83 施加正電壓。通過向電極82施加負(fù)電壓，運送臂80A的絕緣層84的表面?zhèn)茸優(yōu)樨?fù)極，附著在絕 緣層84的表面上的帶負(fù)電的污染物91通過電性力而排斥，從運送臂80A的絕緣層84的表 面脫離。氮氣從氮供應(yīng)噴嘴27被噴射到運送臂80A的表面，脫離絕緣層84的表面的帶負(fù) 電的污染物91承載在從氮供應(yīng)噴嘴27供應(yīng)的氮氣的氣流上而被去除。同樣地，通過向電極83施加正電壓，運送臂80A的絕緣層85的表面?zhèn)茸兂烧龢O， 附著在絕緣層85的表面上的帶正電的污染物92通過電性力而排斥，從運送臂80A的絕緣 層85的表面脫離。氮氣從氮供應(yīng)噴嘴27被噴射到運送臂80A的表面，脫離絕緣層85的表 面的帶正電的污染物92承載在從氮供應(yīng)噴嘴27供應(yīng)的氮氣的氣流上而被去除。以上，通過本實施方式中的基片處理裝置的控制方法，能夠去除附著在運送臂80A 的表面上的帶負(fù)電的污染物91以及帶正電的污染物92。在上述說明中，對氮供應(yīng)噴嘴27從運送臂80A的上方(與運送臂80A的面方向垂 直的上方)向表面供應(yīng)氮氣的場合進行了說明，但如圖8所示，氮供應(yīng)噴嘴27也可以被構(gòu) 成為設(shè)置在運送臂80A的側(cè)面?zhèn)?。在此情況下，從氮供應(yīng)噴嘴27供應(yīng)的氮氣沿著運送臂80A的面方向流動，通過施加電壓而從運送臂80A脫離的帶負(fù)電的污染物91以及帶正電的 污染物92隨著氮氣流動并被去除。此外，在上述說明中，對運送臂80A進行了詳細的說明，但關(guān)于運送臂80B也一樣， 而且關(guān)于運入側(cè)運送機構(gòu)16中的運送臂16A以及16B也一樣，能夠與運送臂80A同樣地通 過使用氮供應(yīng)噴嘴17來去除附著在運送臂16A以及16B的表面上的污染物等?！驳诙嵤┓绞健辰酉聛?，對第二實施方式進行說明。本實施方式涉及能夠在使用運送臂來運送半 導(dǎo)體晶片的所謂單片式的基片處理裝置中，去除構(gòu)成基片處理裝置的腔室(處理室、共用 運送室、加載互鎖真空室、運入運送室)內(nèi)的污染物等的運送臂的清潔方法以及基片處理 裝置的清潔方法。另外，本實施方式中的運送臂的清潔方法以及基片處理裝置的清潔方法 使用第一實施方式中所使用的基片處理裝置?；趫D9，對本實施方式中的基片處理裝置的控制方法進行說明。如圖10所示，在 沒有向運送臂80A的電極82以及83施加電壓的狀態(tài)下，并且在絕緣層84以及85的表面 上也不存在殘留電荷的情況下，帶負(fù)電的污染物91以及帶正電的污染物92懸浮在腔室內(nèi) 而未附著在運送臂80A上。起初，在步驟202(S202)中，向電極82以及電極83上施加電壓(第一電壓施加工 序)。具體地，如圖11所示，向電極82施加正電壓，向電極83施加負(fù)電壓。有時也將這樣 的電壓施加表述為正向電壓的施加。通過向電極82施加正電壓，絕緣層84的表面?zhèn)葞д?的電荷，帶負(fù)電的污染物91附著到絕緣層84的表面上。此外，通過向電極83施加負(fù)電壓， 絕緣層85的表面?zhèn)葞ж?fù)的電荷，帶正電的污染物92附著到絕緣層85的表面上。接著，在步驟204(S204)中，向附著有帶負(fù)電的污染物91以及帶正電的污染物92 的運送臂80A噴射氮氣(氣體供應(yīng)工序)。具體地，如圖12所示，從氮供應(yīng)噴嘴27供應(yīng)氮 氣，從運送臂80A的上方噴射氮氣。接著，步驟206(S206)中，在供應(yīng)著氮氣的狀態(tài)下，向電極82以及83施加電壓，以 使得極性與絕緣層84以及85所帶的電的極性相反(第二電壓施加工序)。具體地，如圖 13所示，在運送臂80A中施加與步驟202的時候相反極性的電壓。有時也將這樣的電壓施 加表述為反向電壓的施加。通過向電極82施加負(fù)電壓，運送臂80A的絕緣層84的表面?zhèn)?變成負(fù)極，附著在絕緣層84的表面上的帶負(fù)電壓的污染物91通過電性力而排斥，從運送臂 80A的絕緣層84的表面脫離。氮氣從氮供應(yīng)噴嘴27被噴射到運送臂80A的表面，脫離絕緣 層84的表面的帶負(fù)電的污染物91被承載在從氮供應(yīng)噴嘴27供應(yīng)的氮氣的氣流上并從腔 室內(nèi)被去除。同樣地，通過向電極83施加正電壓，運送臂80A的絕緣層85的表面?zhèn)茸兂烧龢O， 附著在絕緣層85的表面上的帶正電的污染物92通過電性力而排斥，從運送臂80A的絕緣 層85的表面脫離。氮氣從氮供應(yīng)噴嘴27被噴射到運送臂80A的表面，脫離絕緣層85的表 面的帶正電的污染物92被承載在從氮供應(yīng)噴嘴27供應(yīng)的氮氣的氣流上并從腔室內(nèi)被去 除。如此，通過將懸浮在運送臂80A周圍的帶負(fù)電的污染物91以及帶正電的污染物92 臨時吸附在運送臂80A的表面上，然后通過氮供應(yīng)噴嘴27吹走，由此能夠去除腔室內(nèi)的污 染物。
此外，在上述說明中，對氮供應(yīng)噴嘴27從運送臂80A的上方(與運送臂80A的面 方向垂直的上方)向表面供應(yīng)氮氣的場合進行了說明，但氮供應(yīng)噴嘴27也可以被構(gòu)成為設(shè) 置在運送臂80A的側(cè)面?zhèn)?。此外，在第一電壓印加工程中施加反向電壓、并在第二電壓施?工序中施加正向電壓的情況下，也同樣能夠去除腔室內(nèi)的污染物。此外，在上述說明中，對運送臂80A進行了詳細的說明，但關(guān)于運送臂80B也一樣， 而且關(guān)于運入側(cè)運送機構(gòu)16中的運送臂16A以及16B也一樣，能夠與運送臂80A同樣地利 用運送臂16A以及16B并通過氮供應(yīng)噴嘴17來去污染物等?！驳谌龑嵤┓绞健辰酉聛恚瑢Φ谌龑嵤┓绞竭M行說明。本實施方式尤其涉及第二實施方式中去除沒 有運送臂的腔室(處理室、加載互鎖真空室)中的污染物的方法。另外，本實施方式中的基 片處理裝置的洗浄方法使用第一實施方式中所使用的基片處理裝置。基于圖14，對本實施方式中的基片處理裝置的控制方法進行說明。起初，在步驟302(S302)中，打開閘門閥61，將運送臂80A的U字形的前端部分從 共用運送室20插入處理室41中(運送臂揷入工序)。接著，在步驟304(S304)中，向電極82以及電極83上施加電壓(第一電壓施加工 序)。具體地，向電極82施加正電壓，向電極83施加負(fù)電壓。有時也將這樣的電壓施加表 述為正向電壓的施加。通過向電極82施加正電壓，絕緣層84的表面?zhèn)葞д碾姾?，帶?fù)電 的污染物91附著到絕緣層84的表面上。此外，通過向電極83施加負(fù)電壓，絕緣層85的表 面?zhèn)葞ж?fù)的電荷，帶正電的污染物92附著到絕緣層85的表面上。接著，在步驟306 (S306)中，將運送臂80A的U字形的前端部分從處理室41返回 到共用運送室20內(nèi)，關(guān)閉閘門閥61 (運送臂返回工序)。接著，在步驟308(S308)中，向附著有帶負(fù)電的污染物91以及帶正電的污染物92 的運送臂80A噴射氮氣。具體地，從氮供應(yīng)噴嘴27供應(yīng)氮氣，從運送臂80A的上方向運送 臂80A的U字形的前端部分噴射氮氣(氣體供應(yīng)工序)。接著，在步驟310(S310)中，在供應(yīng)著氮氣的狀態(tài)下，向電極82以及83施加電壓， 以使得極性與絕緣層84以及85所帶的電的極性相反(第二電壓施加工序)。即施加極性 與在步驟304中施加的電壓的極性相反的電壓(第二電壓施加工序)。有時也將這樣的電 壓施加表述為反向電壓的施加。由此使得附著在運送臂80A的表面上的帶負(fù)電的污染物91 以及帶正電的污染物92從運送臂80A脫離，通過從氮供應(yīng)噴嘴27供應(yīng)的氮氣來去除。通過以上的工序，能夠去除處理室41內(nèi)的帶負(fù)電的污染物91以及帶正電的污染 物92。在上述說明中，對氮供應(yīng)噴嘴27從運送臂80A的上方(與運送臂80A的面方向垂 直的上方)向表面供應(yīng)氮氣的場合進行了說明，但氮供應(yīng)噴嘴27也可以被構(gòu)成為設(shè)置在運 送臂80A的側(cè)面?zhèn)?。此外，在第一電壓印加工程中施加反向電壓、并在第二電壓施加工序?施加正向電壓的情況下，也同樣能夠去除腔室內(nèi)的污染物。此外，在上述說明中，對運送臂80A進行了詳細的說明，但關(guān)于運送臂80B也一樣， 而且關(guān)于處理室42、處理室43、處理室44、加載互鎖真空室31以及加載互鎖真空室32也一 樣，能夠通過同樣的方法來去除污染物等。并且，關(guān)于運入側(cè)運送機構(gòu)16中的運送臂16A 以及16B也一樣，能夠與運送臂80A同樣地利用運送臂16A以及16B來去污染物，也能夠?qū)⑦\送臂16A以及16B利用于加載互鎖真空室31以及加載互鎖真空室32中的污染物的去除 中。另外，上述以外的內(nèi)容與第二實施方式中的相同。以上對與本發(fā)明的實施相關(guān)的方式進行了說明，但上述內(nèi)容并不是用來限定發(fā)明 的內(nèi)容的。標(biāo)號說明10運入運送室12A、12B、12C 導(dǎo)入口16運入側(cè)運送機構(gòu)16A、16B 運送臂17氮供應(yīng)噴嘴20共用運送室27氮供應(yīng)噴嘴31、32加載互鎖真空室41、42、43、44 處理室50控制部61、62、63、64、65、66、67、68 閘門閥80運送機構(gòu)80Α、80Β 運送臂81主體部82、83 電極84、85 絕緣層86 0 環(huán)87靜電吸盤部W半導(dǎo)體晶片
權(quán)利要求
1.一種運送臂的清潔方法，其中，所述運送臂用于進行基片的運送并具有靜電吸盤，所 述運送臂的清潔方法的特征在于，在所述運送臂上附著有帶電的異物的情況下，具有在所述運送臂上沒有載置所述基片的狀態(tài)下向所述靜電吸盤的每個電極施加極 性與帶電的異物的電荷極性相同的電壓的電壓施加工序，并且去除附著在所述運送臂上的異物。
2.如權(quán)利要求1所述的運送臂的清潔方法，其特征在于，具有在所述電壓施加工序之前朝向所述運送臂的靜電吸盤供應(yīng)氣體的氣體供應(yīng)工序，并且在供應(yīng)著所述氣體的狀態(tài)下進行所述電壓施加工序。
3.—種運送臂的清潔方法，所述運送臂用于進行基片的運送并具有靜電吸盤，所述運 送臂的清潔方法的特征在于，具有以下工序在所述運送臂上沒有載置所述基片的狀態(tài)下向所述靜電吸盤的一個電極施加正電壓、 并向另一個電極施加負(fù)電壓的第一電壓施加工序；以及在所述第一電壓施加工序之后向所述靜電吸盤的一個電極施加負(fù)電壓、并向另一個電 極施加正電壓的第二電壓施加工序；并且去除所述運送臂附近的異物。
4.如權(quán)利要求3所述的運送臂的清潔方法，其特征在于，具有在所述第一電壓施加工序之后朝向所述運送臂的靜電吸盤供應(yīng)氣體的氣體供應(yīng) 工序，并且在供應(yīng)著所述氣體的狀態(tài)下進行所述第二電壓施加工序。
5.如權(quán)利要求1至4中任一項所述的運送臂的清潔方法，其特征在于，在所述氣體供應(yīng) 工序中供應(yīng)的氣體是氮氣。
6.如權(quán)利要求1至5中任一項所述的運送臂的清潔方法，其特征在于，所述氣體供應(yīng)工 序通過氣體供應(yīng)噴嘴進行供應(yīng)，并且所述氣體供應(yīng)噴嘴被設(shè)置在與所述運送臂的設(shè)置有所述靜電吸盤的面相向的面或者 被設(shè)置在所述運送臂的設(shè)置有所述靜電吸盤的面的側(cè)面上。
7.一種基片處理裝置的清潔方法，所述基片處理裝置包括進行基片處理的多個處理 室；與所述多個處理室連接的運送室；以及運送臂，該運送臂被設(shè)置在所述運送室內(nèi)，用于 在所述處理室之間進行基片運送，并具有靜電吸盤；所述基片處理裝置的清潔方法的特征在于，在所述運送臂上附著有帶電的異物的情況下，具有在所述運送臂上沒有載置所述基片的狀態(tài)下向所述靜電吸盤的每個電極施加極 性與帶電的異物的電荷極性相同的電壓的電壓施加工序，并且去除附著在所述運送臂上的異物。
8.一種基片處理裝置的清潔方法，所述基片處理裝置包括進行基片處理的多個處理 室；與所述多個處理室連接的運送室；與所述運送室連接的加載互鎖真空室；以及運送臂， 該運送臂被設(shè)置在所述運送室內(nèi)，用于在所述處理室以及加載互鎖真空室之間進行基片運送，并具有靜電吸盤；所述基片處理裝置的清潔方法的特征在于， 在所述運送臂上附著有帶電的異物的情況下，具有在所述運送臂上沒有載置所述基片的狀態(tài)下向所述靜電吸盤的每個電極施加極 性與帶電的異物的電荷極性相同的電壓的電壓施加工序， 并且去除附著在所述運送臂上的異物。
9.如權(quán)利要求7或8所述的基片處理裝置的清潔方法，其特征在于，具有在所述電壓施加工序之前朝向所述運送臂的靜電吸盤供應(yīng)氣體的氣體供應(yīng)工序，并且在供應(yīng)著所述氣體的狀態(tài)下進行所述電壓施加工序。
10.一種基片處理裝置的清潔方法，所述基片處理裝置包括進行基片處理的多個處 理室；與所述多個處理室連接的運送室；以及運送臂，該運送臂被設(shè)置在所述運送室內(nèi)，用 于在所述處理室之間進行基片運送，并具有靜電吸盤；所述基片處理裝置的清潔方法的特征在于， 具有以下工序在所述運送臂上沒有載置所述基片的狀態(tài)下向所述靜電吸盤的一個電極施加正電壓、 并向另一個電極施加負(fù)電壓的第一電壓施加工序；以及在所述第一電壓施加工序之后向所述靜電吸盤的一個電極施加負(fù)電壓、并向另一個電 極施加正電壓的第二電壓施加工序；并且去除所述處理室或所述運送室中帶電的異物。
11.一種基片處理裝置的清潔方法，所述基片處理裝置包括進行基片處理的多個處 理室；與所述多個處理室連接的運送室；與所述運送室連接的加載互鎖真空室；以及運送 臂，該運送臂被設(shè)置在所述運送室內(nèi)，用于在所述處理室以及加載互鎖真空室之間進行基 片運送，并具有靜電吸盤；所述基片處理裝置的清潔方法的特征在于，具有以下工序在所述運送臂上沒有載置所述基片的狀態(tài)下向所述靜電吸盤的一個電極施加正電壓、 并向另一個電極施加負(fù)電壓的第一電壓施加工序；以及在所述第一電壓施加工序之后向所述靜電吸盤的一個電極施加負(fù)電壓、并向另一個電 極施加正電壓的第二電壓施加工序；并且去除所述處理室或所述運送室中帶電的異物。
12.如權(quán)利要求10或11所述的基片處理裝置的清潔方法，其特征在于，具有在所述第一電壓施加工序之后且所述第二電壓施加工序之前朝向所述運送臂的 靜電吸盤供應(yīng)氣體的氣體供應(yīng)工序，并且在供應(yīng)著所述氣體的狀態(tài)下進行所述第二電壓施加工序。
13.一種基片處理裝置的清潔方法，所述基片處理裝置包括進行基片處理的多個處 理室；與所述多個處理室連接的運送室；以及運送臂，該運送臂被設(shè)置在所述運送室內(nèi)，用 于在所述處理室之間進行基片運送，并具有靜電吸盤；所述基片處理裝置的清潔方法的特 征在于，具有以下工序在所述運送臂上沒有載置所述基片的狀態(tài)下從所述運送室向所述處理室插入所述運 送臂的具有靜電吸盤的部分的運送臂插入工序；向所述靜電吸盤的電極施加電壓的電壓施加工序；以及在所述運送臂插入工序以及所述電壓施加工序之后將所述運動臂的具有靜電吸盤的 部分返回到所述運送室內(nèi)的運送臂返回工序； 并且去除所述處理室中帶電的異物。
14.如權(quán)利要求13所述的基片處理裝置的清潔方法，其特征在于，具有在所述運送臂返回工序之后朝向所述運送臂的靜電吸盤供應(yīng)氣體的氣體供應(yīng)工序。
15.如權(quán)利要求7至14中任一項所述的基片處理裝置的清潔方法，其特征在于，在所述 氣體供應(yīng)工序中供應(yīng)的氣體是氮氣。
16.如權(quán)利要求7至15中任一項所述的基片處理裝置的清潔方法，其特征在于，所述氣 體供應(yīng)工序通過氣體供應(yīng)噴嘴進行供應(yīng)，并且所述氣體供應(yīng)噴嘴被設(shè)置在與所述運送臂的設(shè)置有所述靜電吸盤的面相向的面或者 被設(shè)置在所述運送臂的設(shè)置有所述靜電吸盤的面的側(cè)面上。
17.一種基片處理裝置，具有運送臂，該運送臂用于進行基片的運送并具有靜電吸盤， 所述基片處理裝置的特征在于，具有控制部，該控制部進行以下控制當(dāng)所述運送臂上附著有帶電的異物時，在所述運 送臂上沒有載置所述基片的狀態(tài)下向所述靜電吸盤的每個電極施加極性與帶電的異物的 電荷極性相同的電壓來去除附著在所述運送臂上的異物。 v
全文摘要
本發(fā)明提供去除附著在運送臂上的污染物的運送臂的清潔方法、基片處理裝置及其清潔方法。通過提供運送臂的清潔方法來解決上述問題，該清潔方法是一種用于進行基片的運送并具有靜電吸盤的運送臂的清潔方法，其特征在于，在所述運送臂上附著有帶電的異物的情況下，具有在所述運送臂上沒有載置所述基片的狀態(tài)下向所述靜電吸盤的每個電極施加極性與帶電的異物的電荷極性相同的電壓的電壓施加工序，并且去除附著在所述運送臂上的異物。
文檔編號H01L21/00GK102097292SQ20101053137
公開日2011年6月15日 申請日期2010年10月26日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月9日
發(fā)明者石澤繁, 近藤昌樹 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社