專利名稱：芯片固定基座和芯片固定連接方式的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種芯片固定基座和芯片固定連接方式。
背景技術(shù)：
對(duì)于存儲(chǔ)類芯片，暫時(shí)失效將會(huì)極大影響數(shù)據(jù)以及系統(tǒng)工作的可靠性。所以能夠有效測(cè)量計(jì)算存儲(chǔ)芯片的暫時(shí)失效率，對(duì)于數(shù)據(jù)以及系統(tǒng)工作的可靠性是非常重要的。其中，加速軟錯(cuò)誤測(cè)試(alpha particle accelerate soft error rate)是判斷存儲(chǔ)芯片暫時(shí)失效的一種方法，其具體的通過(guò)放射源alpha粒子的照射，惡化存儲(chǔ)芯片的使用環(huán)境，對(duì)其進(jìn)行暫時(shí)失效分析，以檢測(cè)存儲(chǔ)芯片的性能。公開號(hào)為CN 101620254A的中國(guó)專利申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N加速軟錯(cuò)誤測(cè)試的系統(tǒng)及方法。如圖1所示為存儲(chǔ)芯片結(jié)構(gòu)示意圖，包括芯片管腳區(qū)02和位于所述管腳區(qū)02兩側(cè)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)oil和012。其中，所述芯片管腳區(qū)02具有62個(gè)管腳。圖2是現(xiàn)有技術(shù)的暫時(shí)失效分析示意圖，如圖2所示，將圖1中所述存儲(chǔ)芯片放置于圖2所示的芯片固定基座中，所述芯片固定基座包括底座04，位于所述底座04上的焊盤區(qū)03和位于所述焊盤區(qū)03上的基臺(tái)(未示出)，并通過(guò)導(dǎo)線將所述存儲(chǔ)芯片的管腳區(qū)02 的管腳與焊盤區(qū)03的管腳對(duì)應(yīng)連接。然后，通過(guò)放射源05，將alpha粒子照射至所述存儲(chǔ)芯片的表面，以對(duì)所述存儲(chǔ)芯片進(jìn)行暫時(shí)失效分析。但是，現(xiàn)有技術(shù)常導(dǎo)致暫時(shí)失效分析結(jié)果不準(zhǔn)確。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問(wèn)題是提供一種芯片固定基座和芯片固定連接方式，提高暫時(shí)失效分析結(jié)果的準(zhǔn)確性。為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種芯片固定基座，用于對(duì)存儲(chǔ)芯片進(jìn)行暫時(shí)失效分析，包括底座、位于底座上的至少一個(gè)焊盤區(qū)、位于焊盤區(qū)上的基臺(tái)，所述基臺(tái)用于放置具有管腳的存儲(chǔ)芯片，焊盤區(qū)形成有管腳，其中位于同一側(cè)的焊盤區(qū)管腳數(shù)量大于或等于存儲(chǔ)芯片管腳數(shù)量，以使存儲(chǔ)芯片管腳對(duì)應(yīng)連接至一側(cè)焊盤區(qū)管腳。可選的，包括位于底座上的第一焊盤區(qū)，位于同一側(cè)的第一焊盤區(qū)管腳數(shù)量大于或等于存儲(chǔ)芯片管腳數(shù)量，以使存儲(chǔ)芯片管腳對(duì)應(yīng)連接至一側(cè)的第一焊盤區(qū)管腳?？蛇x的，包括依次位于底座上的第一焊盤區(qū)和第二焊盤區(qū)，位于同一側(cè)的第一焊盤區(qū)和第二焊盤區(qū)的管腳數(shù)量大于或等于存儲(chǔ)芯片管腳數(shù)量，以使存儲(chǔ)芯片管腳對(duì)應(yīng)連接至一側(cè)的第一焊盤區(qū)和第二焊盤區(qū)管腳?？蛇x的，包括依次位于底座上的第一焊盤區(qū)、第二焊盤區(qū)和第三焊盤區(qū)，位于同一側(cè)的第一焊盤區(qū)、第二焊盤區(qū)和第三焊盤區(qū)的管腳數(shù)量大于或等于存儲(chǔ)芯片管腳數(shù)量， 以使存儲(chǔ)芯片管腳對(duì)應(yīng)連接至一側(cè)的第一焊盤區(qū)、第二焊盤區(qū)和第三焊盤區(qū)管腳?？蛇x的，第一焊盤區(qū)和第二焊盤區(qū)的管腳位于同一側(cè)。可選的，第一焊盤區(qū)管腳位于第一焊盤區(qū)的兩側(cè)，第二焊盤區(qū)管腳位于第二焊盤區(qū)的兩側(cè)。可選的，第一焊盤區(qū)一側(cè)的管腳與位于第一焊盤區(qū)另一側(cè)的管腳相連接，位于第二焊盤區(qū)一側(cè)的管腳與第二焊盤區(qū)另一側(cè)的管腳相連接?？蛇x的，位于第一焊盤區(qū)一側(cè)的管腳與另一側(cè)的第二焊盤區(qū)管腳相連接。可選的，所述底座、第一焊盤區(qū)、第二焊盤區(qū)和基臺(tái)的高度依次遞增，即第二焊盤區(qū)位于基座的上層，第一焊盤區(qū)位于第二焊盤區(qū)的上層，基臺(tái)位于第一焊盤區(qū)的上層。本發(fā)明還提供一種所述芯片固定基座的芯片固定連接方式，用于對(duì)存儲(chǔ)芯片進(jìn)行暫時(shí)失效分析，包括提供存儲(chǔ)芯片及芯片固定基座，并將所述存儲(chǔ)芯片放置在所述芯片固定基座的基臺(tái)上，所述存儲(chǔ)芯片包括芯片管腳區(qū)和位于所述管腳區(qū)兩側(cè)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)；通過(guò)導(dǎo)線將所述存儲(chǔ)芯片的管腳區(qū)的管腳對(duì)應(yīng)地與位于一側(cè)的焊盤區(qū)管腳連接， 所述導(dǎo)線覆蓋有位于同一側(cè)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)，另一側(cè)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)未被導(dǎo)線覆蓋?？蛇x的，還包括通過(guò)放射源將放射粒子入射至所述存儲(chǔ)芯片的表面，以對(duì)所述存儲(chǔ)芯片進(jìn)行暫時(shí)失效分析。可選的，所述存儲(chǔ)芯片表面與放射源的高度差小于1mm。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明中位于同一側(cè)的焊盤區(qū)管腳數(shù)量與功能至少包括有存儲(chǔ)芯片的數(shù)量與功能，可以使得用于連接存儲(chǔ)芯片管腳和焊盤區(qū)管腳之間的導(dǎo)線僅覆蓋一側(cè)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)，進(jìn)行暫時(shí)失效分析時(shí)，可以完全暴露出存儲(chǔ)芯片的另一側(cè)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)，提高暫時(shí)失效分析的準(zhǔn)確性。進(jìn)一步地，所述第一焊盤區(qū)一側(cè)管腳與另一側(cè)的第一焊盤區(qū)管腳相連接，第二焊盤區(qū)一側(cè)管腳與另一側(cè)第二焊盤區(qū)管腳相連接，或者可以第一焊盤區(qū)一側(cè)管腳與位于與其相對(duì)的另一側(cè)的第二焊盤區(qū)管腳相連接。通過(guò)上述不同的管腳連接方式，擴(kuò)展所述芯片固定基座使用環(huán)境，可以根據(jù)測(cè)試需求，靈活性地選擇第一焊盤區(qū)和第二焊盤區(qū)兩側(cè)的管腳進(jìn)行搭配。


圖1是存儲(chǔ)芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是現(xiàn)有技術(shù)的暫時(shí)失效分析示意圖。圖3至圖5為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的芯片固定基座示意圖。圖6為本發(fā)明又一個(gè)實(shí)施例的芯片固定基座示意圖。圖7為本發(fā)明再一個(gè)實(shí)施例的芯片固定基座示意圖。圖8至圖11為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的芯片固定連接方式示意圖。圖12為本發(fā)明又一個(gè)實(shí)施例的芯片固定連接方式示意圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)有技術(shù)中，采用加速軟錯(cuò)誤測(cè)試對(duì)存儲(chǔ)芯片進(jìn)行暫時(shí)失效分析時(shí)，常常出現(xiàn)測(cè)試結(jié)果不準(zhǔn)確。發(fā)明人對(duì)芯片固定基座及其連接方式進(jìn)行研究發(fā)現(xiàn)，是因?yàn)椴捎胊lpha particle放射源對(duì)存儲(chǔ)芯片的存儲(chǔ)區(qū)進(jìn)行照射測(cè)試時(shí)，應(yīng)盡量避免在存儲(chǔ)區(qū)上有覆蓋物， 若存在有覆蓋物，將造成存儲(chǔ)芯片的存儲(chǔ)區(qū)暫時(shí)失效測(cè)試結(jié)果不準(zhǔn)確。
但是如圖2所示，用于連接焊盤區(qū)03的和管腳區(qū)02的導(dǎo)線將覆蓋存儲(chǔ)芯片上的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)011和012，則導(dǎo)致入射至數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)011和012的放射源強(qiáng)度大大降低，無(wú)法測(cè)試存儲(chǔ)芯片的存儲(chǔ)區(qū)真實(shí)性能，影響暫時(shí)失效分析結(jié)果。為解決上述問(wèn)題，發(fā)明人提供一種芯片固定基座，用于對(duì)存儲(chǔ)芯片進(jìn)行暫時(shí)失效分析，包括底座、位于底座上的至少一個(gè)焊盤區(qū)、位于焊盤區(qū)上的基臺(tái)，所述基臺(tái)用于放置具有管腳的存儲(chǔ)芯片，焊盤區(qū)形成有管腳，其中位于同一側(cè)的焊盤區(qū)管腳數(shù)量大于或等于存儲(chǔ)芯片管腳數(shù)量，以使存儲(chǔ)芯片管腳對(duì)應(yīng)連接至一側(cè)焊盤區(qū)管腳。本發(fā)明同一側(cè)的焊盤區(qū)管腳的數(shù)量不少于存儲(chǔ)芯片管腳的數(shù)量，使得位于一側(cè)的焊盤區(qū)管腳即可以滿足存儲(chǔ)芯片管腳的連接，用于連接焊盤區(qū)管腳和存儲(chǔ)芯片管腳的導(dǎo)線僅覆蓋有一側(cè)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)，進(jìn)行暫時(shí)失效分析時(shí)可以暴露出另一側(cè)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)，提高暫時(shí)失效分析的準(zhǔn)確性。為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說(shuō)明。在以下描述中闡述了具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以多種不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣。因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施的限制。如圖3所示，為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的芯片固定基座示意圖，包括底座100，依次位于所述底座100上的第一焊盤區(qū)210、第二焊盤區(qū)220和用于放置存儲(chǔ)芯片的基臺(tái)300。所述芯片固定基座通過(guò)所述底座100上的管腳，與外部的測(cè)試儀器相連。所述底座100為具有機(jī)械強(qiáng)度的無(wú)導(dǎo)電性可成型材料。所述基臺(tái)300為導(dǎo)電材料。其中，位于一側(cè)的焊盤區(qū)總的管腳數(shù)量和功能不少于存儲(chǔ)芯片的數(shù)量和功能，即位于一側(cè)的第一焊盤區(qū)210和第二焊盤區(qū)220的管腳數(shù)量相加不少于存儲(chǔ)芯片管腳的數(shù)量，位于一側(cè)的第一焊盤區(qū)210和第二焊盤區(qū)220的管腳功能相加至少包括有存儲(chǔ)芯片管腳的功能。本實(shí)施例中，用于測(cè)試的存儲(chǔ)芯片的管腳具有64個(gè)，所以位于一側(cè)的第一焊盤區(qū) 210和第二焊盤區(qū)220的管腳數(shù)量和為64個(gè)，第一焊盤區(qū)210和第二焊盤區(qū)220的管腳功能與存儲(chǔ)芯片的管腳功能一一對(duì)應(yīng)。本實(shí)施例中，所述第一焊盤區(qū)210或第二焊盤區(qū)220 的管腳分別位于對(duì)應(yīng)的第一焊盤區(qū)210或第二焊盤區(qū)220的兩側(cè)，分別為32個(gè)。其中，所述管腳為導(dǎo)電材料。如圖4所示為本發(fā)明芯片固定基座剖面示意圖，包括底座100，依次位于所述底座100上的第一焊盤區(qū)210、第二焊盤區(qū)220和基臺(tái)300。且高度依次遞增。上述依次遞增的高度設(shè)計(jì)可以使得基臺(tái)300上放置的存儲(chǔ)芯片與放射源的位置最接近，且不會(huì)被第一焊盤區(qū)210和第二焊盤區(qū)220遮擋放射源粒子，避免降低入射至存儲(chǔ)芯片上的放射源強(qiáng)度。如圖5所示為本發(fā)明芯片固定基座俯視示意圖，包括底座100，依次位于所述底座100上的第一焊盤區(qū)210和第二焊盤區(qū)220，及位于所述第二焊盤區(qū)220上的基臺(tái)300， 所述基臺(tái)300用于放置存儲(chǔ)芯片。其中，所述第一焊盤區(qū)210具有64個(gè)管腳，分別位于所述第一焊盤區(qū)210的兩側(cè)， 一側(cè)的管腳為Al，另一側(cè)的管腳為Bl ；所述第二焊盤區(qū)220具有64個(gè)管腳，分別位于所述第二焊盤區(qū)220的兩側(cè)，一側(cè)的管腳為B2，另一側(cè)的管腳為A2。其中，所述管腳A2和管腳Bl位于同一側(cè)，所述管腳B2和管腳Al位于同一側(cè)。本實(shí)施例中，管腳A2和管腳Al為連接狀態(tài)，即與管腳A2連接的同時(shí)連接有管腳Al ；管腳B2和管腳Bl為連接狀態(tài)，即與管腳B2 連接的同時(shí)連接有管腳Bi，所述連接位于第一焊盤區(qū)210和第二焊盤區(qū)220的內(nèi)部，本圖未示出。作為其他實(shí)施例，管腳A2和管腳B2為連接狀態(tài)，即與管腳A2連接的同時(shí)連接有管腳B2;管腳B 1和管腳Al為連接狀態(tài)，即與管腳Bl連接的同時(shí)連接有管腳Al。通過(guò)上述結(jié)構(gòu)，可以更為靈活的實(shí)現(xiàn)管腳之間的搭配。通過(guò)第一焊盤區(qū)210和第二焊盤區(qū)220的管腳分別與存儲(chǔ)芯片的管腳的數(shù)量相同，且分別位于所述第一焊盤區(qū)210或第二焊盤區(qū)220的兩側(cè)，可以使得存儲(chǔ)芯片管腳與第一焊盤區(qū)210和第二焊盤區(qū)220的導(dǎo)線位于同一側(cè)，所述導(dǎo)線僅覆蓋存儲(chǔ)芯片的一側(cè)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)；暫時(shí)失效分析時(shí)，可以完全暴露出存儲(chǔ)芯片的另一側(cè)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)，提高暫時(shí)失效分析的準(zhǔn)確性。同時(shí)所述第一焊盤區(qū)210 —側(cè)的管腳與另一側(cè)的第一焊盤區(qū)210的管腳相連接， 所述第二焊盤區(qū)220 —側(cè)的管腳與另一側(cè)的第二焊盤區(qū)220的管腳相連接，或者可以第一焊盤區(qū)210 —側(cè)的管腳與位于與其相對(duì)的另一側(cè)的第二焊盤區(qū)220的管腳相連接。通過(guò)上述不同的管腳連接方式，擴(kuò)展所述芯片固定基座使用環(huán)境，可以根據(jù)測(cè)試需求，靈活性地選擇第一焊盤區(qū)和第二焊盤區(qū)兩側(cè)的管腳進(jìn)行搭配。本實(shí)施例中，所述第一焊盤區(qū)210和第二焊盤區(qū)220的管腳分別位于所述第一焊盤區(qū)210和第二焊盤區(qū)220的兩側(cè)。作為其他實(shí)施例，所述第一焊盤區(qū)210的管腳可以僅位于所述第一焊盤區(qū)210的一側(cè)，同樣地，所述第二焊盤區(qū)220的管腳也可以僅位于所述第二焊盤區(qū)220的一側(cè)。本實(shí)施例中，所述焊盤區(qū)的數(shù)量為2個(gè)，作為其他實(shí)施例，也可以為其他數(shù)量，同時(shí)滿足位于一側(cè)的焊盤區(qū)管腳的數(shù)量和功能不少于存儲(chǔ)芯片的數(shù)量和功能。如圖6所示，為本發(fā)明又一個(gè)實(shí)施例的芯片固定基座結(jié)構(gòu)示意圖，包括底座100， 位于所述底座100上的第一焊盤區(qū)210a，及位于所述第一焊盤區(qū)210a上的基臺(tái)300，所述基臺(tái)300用于放置存儲(chǔ)芯片，位于同一側(cè)的第一焊盤區(qū)210a的管腳數(shù)量大于或等于存儲(chǔ)芯片管腳數(shù)量，以使存儲(chǔ)芯片管腳對(duì)應(yīng)連接至一側(cè)的第一焊盤區(qū)210a管腳。作為其他實(shí)施例，所述第一焊盤區(qū)210a的兩側(cè)具有一定數(shù)量的管腳，同時(shí)滿足位于同一側(cè)的第一焊盤區(qū) 210a的管腳數(shù)量大于或等于存儲(chǔ)芯片管腳數(shù)量。如圖7所示，為本發(fā)明再一個(gè)實(shí)施例的芯片固定基座結(jié)構(gòu)示意圖，包括底座100， 依次位于所述底座100上的第一焊盤區(qū)210b、第二焊盤區(qū)220b及第三焊盤區(qū)230b，及位于所述第三焊盤區(qū)230b上的基臺(tái)300，所述基臺(tái)300用于放置存儲(chǔ)芯片，位于同一側(cè)的第一焊盤區(qū)210b、第二焊盤區(qū)220b及第三焊盤區(qū)230b的管腳數(shù)量和大于或等于存儲(chǔ)芯片管腳數(shù)量，以使存儲(chǔ)芯片管腳對(duì)應(yīng)連接至一側(cè)的焊盤區(qū)管腳，包括第一焊盤區(qū)210b、第二焊盤區(qū) 220b及第三焊盤區(qū)230b的管腳。作為其他實(shí)施例，所述第一焊盤區(qū)210b、第二焊盤區(qū)220b 及第三焊盤區(qū)230b的兩側(cè)具有一定數(shù)量的管腳，同時(shí)滿足位于同一側(cè)的第一焊盤區(qū)210b、 第二焊盤區(qū)220b及第三焊盤區(qū)230b的管腳數(shù)量大于或等于存儲(chǔ)芯片管腳數(shù)量。下面結(jié)合所述本發(fā)明芯片固定基座，對(duì)所述本發(fā)明芯片固定基座的連接方式進(jìn)行說(shuō)明，包括提供存儲(chǔ)芯片及芯片固定基座，并將所述存儲(chǔ)芯片放置在所述芯片固定基座的基臺(tái)上，所述存儲(chǔ)芯片包括芯片管腳區(qū)和位于所述管腳區(qū)兩側(cè)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)；通過(guò)導(dǎo)線將所述存儲(chǔ)芯片的管腳區(qū)的管腳對(duì)應(yīng)地與位于一側(cè)的焊盤區(qū)管腳連接，所述導(dǎo)線覆蓋有位于同一側(cè)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)，另一側(cè)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)未被導(dǎo)線覆蓋。為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說(shuō)明。首先，如圖1所示，提供存儲(chǔ)芯片，所述存儲(chǔ)芯片包括芯片管腳區(qū)02和位于所述管腳區(qū)02兩側(cè)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)011和012。如圖5所示，提供芯片固定基座，包括底座100，依次位于所述底座100上的第一焊盤區(qū)210、第二焊盤區(qū)220和用于放置存儲(chǔ)芯片的基臺(tái)300。其具體結(jié)構(gòu)可以參考前述。如圖8所示，將所述存儲(chǔ)芯片放置于芯片固定基座中，具體地，放置于所述基臺(tái) 300上。其中，與一側(cè)第一焊盤區(qū)210靠近的區(qū)域?yàn)閿?shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)011，與另一側(cè)第一焊盤區(qū) 210靠近的區(qū)域?yàn)閿?shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)012。如圖9所示，通過(guò)導(dǎo)線將第二焊盤區(qū)220的一側(cè)管腳A2與所述存儲(chǔ)芯片的管腳區(qū) 02對(duì)應(yīng)相連，所述第二焊盤區(qū)220的一側(cè)管腳A2具有32個(gè)管腳。如圖10所示，通過(guò)導(dǎo)線將第一焊盤區(qū)210的一側(cè)管腳Bl與所述存儲(chǔ)芯片的管腳區(qū)02對(duì)應(yīng)相連，所述第一焊盤區(qū)210的一側(cè)管腳Bl具有32個(gè)管腳。本實(shí)施例中，選擇第一焊盤區(qū)210的一側(cè)管腳Bl和第二焊盤區(qū)220的一側(cè)管腳A2 與所述存儲(chǔ)芯片的管腳區(qū)02相連，作為其他實(shí)施例，也可以選擇第一焊盤區(qū)210的管腳Al 和第二焊盤區(qū)220的一側(cè)管腳B2與所述存儲(chǔ)芯片的管腳區(qū)02相連。其中，本實(shí)施中第一焊盤區(qū)210的管腳Al和第二焊盤區(qū)220的管腳A2為連接狀態(tài)；第一焊盤區(qū)210的管腳Bl和第二焊盤區(qū)220的管腳B2為連接狀態(tài)。所以任意選擇連接位于一側(cè)的管腳，均同時(shí)連接有位于另一側(cè)對(duì)應(yīng)的管腳。作為其他實(shí)施例，還可以第一焊盤區(qū)210的管腳Al和第一焊盤區(qū)210的管腳Bl為連接狀態(tài)；第二焊盤區(qū)220的管腳B2和第二焊盤區(qū)220的管腳A2為連接狀態(tài)。如圖11所示，通過(guò)alpha particle放射源500，將放射粒子入射至所述存儲(chǔ)芯片的表面，以對(duì)所述存儲(chǔ)芯片進(jìn)行暫時(shí)失效分析。其中，所述存儲(chǔ)芯片表面與射源的高度差小于1mm。本實(shí)施例中，所述存儲(chǔ)芯片的一半存儲(chǔ)區(qū)012完全裸露在外，有利于放射源的穿透， 提供暫時(shí)失效分析結(jié)果的可靠性。如圖12所示，為本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例，其提供的芯片固定基座及芯片的固定連接方式與前一個(gè)實(shí)施例相同，區(qū)別在于與一側(cè)第一焊盤區(qū)210靠近的區(qū)域同時(shí)包括有數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)011、012和管腳區(qū)02。通過(guò)與上述實(shí)施例相同的連接方式，可以使得用于連接的導(dǎo)線僅僅覆蓋有管腳區(qū)02，未覆蓋位于所述管腳區(qū)02兩側(cè)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)011和012，最大可能使得所述數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)011和012暴露在放射源下方，有利于放射源的穿透，提供暫時(shí)失效分析結(jié)果的可靠性。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明中位于同一側(cè)的焊盤區(qū)管腳數(shù)量與功能至少包括有存儲(chǔ)芯片的數(shù)量與功能，可以使得用于連接存儲(chǔ)芯片管腳和焊盤區(qū)管腳之間的導(dǎo)線僅覆蓋一側(cè)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)，進(jìn)行暫時(shí)失效分析時(shí)，可以完全暴露出存儲(chǔ)芯片的另一側(cè)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)，提高暫時(shí)失效分析的準(zhǔn)確性。進(jìn)一步地，所述第一焊盤區(qū)一側(cè)管腳與另一側(cè)的第一焊盤區(qū)管腳相連接，第二焊盤區(qū)一側(cè)管腳與另一側(cè)第二焊盤區(qū)管腳相連接，或者可以第一焊盤區(qū)一側(cè)管腳與位于與其相對(duì)的另一側(cè)的第二焊盤區(qū)管腳相連接。通過(guò)上述不同的管腳連接方式，擴(kuò)展所述芯片固定基座使用環(huán)境，可以根據(jù)測(cè)試需求，靈活性地選擇第一焊盤區(qū)和第二焊盤區(qū)兩側(cè)的管腳進(jìn)行搭配。 在以上描述中闡述了具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以多種不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣。因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施的限制。
權(quán)利要求
1.一種芯片固定基座，用于對(duì)存儲(chǔ)芯片進(jìn)行暫時(shí)失效分析，其特征在于，包括底座、 位于底座上的至少一個(gè)焊盤區(qū)、位于焊盤區(qū)上的基臺(tái)，所述基臺(tái)用于放置具有管腳的存儲(chǔ)芯片，焊盤區(qū)形成有管腳，其中位于同一側(cè)的焊盤區(qū)管腳數(shù)量大于或等于存儲(chǔ)芯片管腳數(shù)量，以使存儲(chǔ)芯片管腳對(duì)應(yīng)連接至一側(cè)焊盤區(qū)管腳。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述芯片固定基座，其特征在于，包括位于底座上的第一焊盤區(qū)， 位于同一側(cè)的第一焊盤區(qū)管腳數(shù)量大于或等于存儲(chǔ)芯片管腳數(shù)量，以使存儲(chǔ)芯片管腳對(duì)應(yīng)連接至一側(cè)的第一焊盤區(qū)管腳。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述芯片固定基座，其特征在于，包括依次位于底座上的第一焊盤區(qū)和第二焊盤區(qū)，位于同一側(cè)的第一焊盤區(qū)和第二焊盤區(qū)的管腳數(shù)量大于或等于存儲(chǔ)芯片管腳數(shù)量，以使存儲(chǔ)芯片管腳對(duì)應(yīng)連接至一側(cè)的第一焊盤區(qū)和第二焊盤區(qū)管腳。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述芯片固定基座，其特征在于，包括依次位于底座上的第一焊盤區(qū)、第二焊盤區(qū)和第三焊盤區(qū)，位于同一側(cè)的第一焊盤區(qū)、第二焊盤區(qū)和第三焊盤區(qū)的管腳數(shù)量大于或等于存儲(chǔ)芯片管腳數(shù)量，以使存儲(chǔ)芯片管腳對(duì)應(yīng)連接至一側(cè)的第一焊盤區(qū)、第二焊盤區(qū)和第三焊盤區(qū)管腳。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述芯片固定基座，其特征在于，第一焊盤區(qū)和第二焊盤區(qū)的管腳位于同一側(cè)。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述芯片固定基座，其特征在于，第一焊盤區(qū)管腳位于第一焊盤區(qū)的兩側(cè)，第二焊盤區(qū)管腳位于第二焊盤區(qū)的兩側(cè)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述芯片固定基座，其特征在于，第一焊盤區(qū)一側(cè)的管腳與位于第一焊盤區(qū)另一側(cè)的管腳相連接，位于第二焊盤區(qū)一側(cè)的管腳與第二焊盤區(qū)另一側(cè)的管腳相連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述芯片固定基座，其特征在于，位于第一焊盤區(qū)一側(cè)的管腳與另一側(cè)的第二焊盤區(qū)管腳相連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述芯片固定基座，其特征在于，所述底座、第一焊盤區(qū)、第二焊盤區(qū)和基臺(tái)的高度依次遞增，即第二焊盤區(qū)位于基座的上層，第一焊盤區(qū)位于第二焊盤區(qū)的上層，基臺(tái)位于第一焊盤區(qū)的上層。
10.一種如權(quán)利要求1所述的芯片固定基座的芯片固定連接方式，用于對(duì)所述芯片進(jìn)行暫時(shí)失效分析，其特征在于，包括提供存儲(chǔ)芯片及芯片固定基座，并將所述存儲(chǔ)芯片放置在所述芯片固定基座的基臺(tái)上，所述存儲(chǔ)芯片包括芯片管腳區(qū)和位于所述管腳區(qū)兩側(cè)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)；通過(guò)導(dǎo)線將所述存儲(chǔ)芯片的管腳區(qū)的管腳對(duì)應(yīng)地與位于一側(cè)的焊盤區(qū)管腳連接，所述導(dǎo)線覆蓋有位于同一側(cè)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)，另一側(cè)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)未被導(dǎo)線覆蓋。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述芯片固定連接方式，其特征在于，還包括通過(guò)放射源將放射粒子入射至所述存儲(chǔ)芯片的表面，以對(duì)所述存儲(chǔ)芯片進(jìn)行暫時(shí)失效分析。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述芯片固定連接方式，其特征在于，所述存儲(chǔ)芯片表面與射源的高度差小于1mm。
全文摘要
本發(fā)明提供一種芯片固定基座，用于對(duì)存儲(chǔ)芯片進(jìn)行暫時(shí)失效分析，包括底座、位于底座上的至少一個(gè)焊盤區(qū)、位于焊盤區(qū)上的基臺(tái)，所述基臺(tái)用于放置具有管腳的存儲(chǔ)芯片，焊盤區(qū)形成有管腳，其中位于同一側(cè)的焊盤區(qū)管腳數(shù)量大于或等于存儲(chǔ)芯片管腳數(shù)量。本發(fā)明還提供一種所述芯片固定基座的芯片固定連接方式。本發(fā)明中位于同一側(cè)的焊盤區(qū)管腳數(shù)量大于或等于存儲(chǔ)芯片的數(shù)量，可以使得用于連接存儲(chǔ)芯片管腳和焊盤區(qū)管腳的導(dǎo)線僅覆蓋一側(cè)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)，進(jìn)行暫時(shí)失效分析時(shí)，可以完全暴露出存儲(chǔ)芯片的另一側(cè)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)，提高暫時(shí)失效分析的準(zhǔn)確性。
文檔編號(hào)H01L21/60GK102467977SQ20101053252
公開日2012年5月23日 申請(qǐng)日期2010年11月1日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月1日
發(fā)明者何俊明, 謝君強(qiáng) 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司