專利名稱：用于半導(dǎo)體工藝的載體分離方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明關(guān)于一種載體分離方法，詳言之，關(guān)于一種用于半導(dǎo)體工藝的載體分離方 法。
背景技術(shù)：
參考圖1，其顯示已知半導(dǎo)體工藝的載體分離方法的結(jié)構(gòu)示意圖。提供一半導(dǎo)體晶 圓10及一載體11。利用一黏膠12，將該半導(dǎo)體晶圓10的該第一表面設(shè)置于該載體11上。 該半導(dǎo)體晶圓10具有一第一表面101、一第二表面102、一主動(dòng)層103、數(shù)個(gè)導(dǎo)電孔104及數(shù) 個(gè)導(dǎo)電組件105。該主動(dòng)層103設(shè)置于該第一表面101，且這些導(dǎo)電組件105設(shè)置于該主動(dòng) 層103，這些導(dǎo)電孔104設(shè)置于該半導(dǎo)體晶圓10內(nèi)具有一端點(diǎn)1041。一保護(hù)層13形成于 該第二表面102，這些導(dǎo)電孔104的端點(diǎn)1041突出于該保護(hù)層13。設(shè)置一第一夾盤15及一第二夾盤16分別夾制該載體11及該半導(dǎo)體晶圓10的該 第二表面102，并加熱使黏膠12分解，再將第一夾盤15及一第二夾盤16以相反方向移動(dòng) (如箭頭方向)，以移除該載體11，如圖2所示。上述已知半導(dǎo)體工藝的載體分離方法有以下缺點(diǎn)。由于第二夾盤16夾制該半導(dǎo) 體晶圓10的該第二表面102，可能造成該半導(dǎo)體晶圓10的損壞，且第二夾盤16橫向移動(dòng)的 力可能造成該半導(dǎo)體晶圓10的破片。因此，有必要提供一種創(chuàng)新且具進(jìn)步性的用于半導(dǎo)體工藝的載體分離方法，以解 決上述問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種用于半導(dǎo)體工藝的載體分離方法，包括以下步驟(a)設(shè)置一半 導(dǎo)體晶圓的一第一表面于一第一載體上；(b)于該半導(dǎo)體晶圓的一第二表面進(jìn)行表面處 理，該第二表面相對(duì)于該第一表面；(c)設(shè)置一第二載體于該半導(dǎo)體晶圓的該第二表面； (d)移除該第一載體；(e)設(shè)置該半導(dǎo)體晶圓的該第一表面于一框架；及(f)移除該第二載 體。本發(fā)明的載體分離方法利用該第二載體支撐保護(hù)該半導(dǎo)體晶圓，再移除該第一載 體，故不會(huì)損壞該半導(dǎo)體晶圓，亦不會(huì)造成該半導(dǎo)體晶圓的破片，可提高工藝的良率。另外， 由于有該第二載體的支撐，可利于殘膠的清除。再者，移除該第一載體及該第二載體的方法 簡(jiǎn)化，可提高工藝效率。


圖1至2顯示已知半導(dǎo)體工藝的載體分離方法的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3至15顯示本發(fā)明第一實(shí)施例用于半導(dǎo)體工藝的載體分離方法的結(jié)構(gòu)示意 圖；圖16至18顯示本發(fā)明第二實(shí)施例用于半導(dǎo)體工藝的載體分離方法的結(jié)構(gòu)示意
4圖；圖19至21顯示本發(fā)明第三實(shí)施例用于半導(dǎo)體工藝的載體分離方法的結(jié)構(gòu)示意 圖；圖22顯示本發(fā)明第四實(shí)施例用于半導(dǎo)體工藝的載體分離方法的結(jié)構(gòu)示意圖；及圖23顯示本發(fā)明第五實(shí)施例用于半導(dǎo)體工藝的載體分離方法的結(jié)構(gòu)示意圖。圖對(duì)至36顯示本發(fā)明第六實(shí)施例用于半導(dǎo)體工藝的載體分離方法的結(jié)構(gòu)示意 圖。
具體實(shí)施例方式參考圖3至15，其顯示本發(fā)明第一實(shí)施例用于半導(dǎo)體工藝的載體分離方法的結(jié)構(gòu) 示意圖。首先參考圖3，提供一半導(dǎo)體晶圓20及一第一載體21。該半導(dǎo)體晶圓20具有一 第一表面201、一第二表面202、一主動(dòng)層203、數(shù)個(gè)導(dǎo)電孔204及數(shù)個(gè)導(dǎo)電組件205。該第 二表面202相對(duì)于該第一表面201。該主動(dòng)層203設(shè)置于該第一表面201，且這些導(dǎo)電組件 205設(shè)置于該主動(dòng)層203，這些導(dǎo)電孔204設(shè)置于該半導(dǎo)體晶圓20內(nèi)。于該第一載體21的一第一表面211形成數(shù)個(gè)凹槽213，這些凹槽213不貫穿該第 一載體21，且涂布黏膠22于該第一載體21的該第一表面211，部分黏膠22流入這些凹槽 213內(nèi)，其中該第一載體21的材料可為一半導(dǎo)體晶圓或是玻璃，黏膠22例如是使用住友化 學(xué)(SUMITOMO CHEMICAL)的 X5000。參考圖4，設(shè)置該半導(dǎo)體晶圓20的該第一表面201于該第一載體21上，利用該黏 膠22使該半導(dǎo)體晶圓20黏著于該第一載體21上。于該半導(dǎo)體晶圓20的該第二表面202進(jìn)行表面處理。以下說明本發(fā)明第一實(shí)施 例的表面處理步驟。參考圖5，研磨并蝕刻該半導(dǎo)體晶圓20的該第二表面202，以顯露這些 導(dǎo)電孔204的端點(diǎn)2041。參考圖6，形成一保護(hù)層23于該第二表面202，以覆蓋這些導(dǎo)電 孔204的端點(diǎn)2041。參考圖7，移除部分保護(hù)層23，使得這些導(dǎo)電孔204的端點(diǎn)2041突出 于該保護(hù)層23。參考圖8，于這些導(dǎo)電孔204的端點(diǎn)2041電鍍形成一表面處理層(surface finish layer)24。參考圖9及10，設(shè)置一第二載體沈于該半導(dǎo)體晶圓20的該第二表面202。在本 實(shí)施例中，利用一雙面膠帶25將第二載體沈設(shè)置于該半導(dǎo)體晶圓20的該第二表面202， 其中該雙面膠帶25可具有于紫外光照射下黏著性降低的特性，例如是積水化學(xué)(SEKISUI CHEMICAL)的SELFA膜；該雙面膠帶25亦可是具有于高溫環(huán)境下黏度降低的特性，例如是 日東電工株式會(huì)社(ΝΙΤΤ0 DENK0)的熱剝離膜(31950E)，該第二載體沈?yàn)橐恢误w，該第 二載體沈可為一帽蓋狀，蓋住該半導(dǎo)體晶圓20，該第二載體沈可為一透明載體，例如是 玻璃。參考圖11，移除該第一載體21。在本實(shí)施例中，移除該第一載體21包括以下步驟。 研磨該第一載體21的一第二表面212，該第二表面212相對(duì)于該第一表面211，以顯露該第 一載體21的這些凹槽213。再將該第一載體21及黏膠22浸入一溶劑中，例如是γ-丁酸內(nèi) 酯(GBL，gamma-Butyrolactone)亦或是單甲基醚丙二醇乙酸酯(PGMEAJropylene Glycol Monomethyl Ether Acetate)，使黏膠22由這些顯露的凹槽213流出，以移除該第一載體 21。
參考圖12，分離該第一載體21后，因可能有部分殘膠會(huì)殘留在該半導(dǎo)體晶圓20的 該第一表面201，故可于移除該第一載體21后再進(jìn)行清除殘膠步驟，用以清除該半導(dǎo)體晶 圓20的該第一表面201的殘膠。且由于有該第二載體沈的支撐，可倒置該半導(dǎo)體晶圓20， 以利于殘膠的清除。參考圖13，設(shè)置該半導(dǎo)體晶圓20的該第一表面201于一框架(film frame) 27。參 考圖14，移除該第二載體沈。在本實(shí)施例中，移除該第二載體沈的方法，利用照射紫外光 亦或是一熱工藝來使得雙面膠帶25的黏著性降低，故可同時(shí)移除該雙面膠帶25及該第二 載體沈。參考圖15，利用激光切割該半導(dǎo)體晶圓20以形成數(shù)個(gè)半導(dǎo)體裝置觀。本發(fā)明的載體分離方法利用該第二載體沈支撐保護(hù)該半導(dǎo)體晶圓20，再移除該 第一載體21，故不會(huì)損壞該半導(dǎo)體晶圓20，亦不會(huì)造成該半導(dǎo)體晶圓20的破片，可提高工 藝的良率。另外，由于有該第二載體26的支撐，可利于殘膠的清除。再者，利用該第一載體 21的這些顯露的凹槽213，使黏膠22能由這些顯露的凹槽213流出，可簡(jiǎn)化分離第一載體 21的工藝，以提高工藝效率。參考圖16至18，其顯示本發(fā)明第二實(shí)施例用于半導(dǎo)體工藝的載體分離方法的結(jié) 構(gòu)示意圖。本發(fā)明第二實(shí)施例用于半導(dǎo)體工藝的載體分離方法，其設(shè)置該半導(dǎo)體晶圓20的 第一表面201于第一載體31上及于該半導(dǎo)體晶圓20的第二表面202進(jìn)行表面處理的步驟 大致與本發(fā)明第一實(shí)施例用于半導(dǎo)體工藝的載體分離方法相同，請(qǐng)參考圖9至14。上述步 驟不同之處在于，本發(fā)明第二實(shí)施例用于半導(dǎo)體工藝的載體分離方法并沒有于該第一載體 31形成數(shù)個(gè)凹槽。但同樣地涂布黏膠32于該第一載體31的該第一表面311，使該半導(dǎo)體 晶圓20黏著于該第一載體31上。參考圖16及17，設(shè)置一第二載體36于該半導(dǎo)體晶圓20的該第二表面202。在本 實(shí)施例中，利用雙面膠帶35將第二載體36設(shè)置于該半導(dǎo)體晶圓20的該第二表面202，其中 該第二載體36為一支撐體，該雙面膠帶35可具有于高溫環(huán)境下黏度降低的特性，例如是日 東電工株式會(huì)社(ΝΙΤΤ0 DENK0)的熱剝離膜(31950E)，該第二載體36可為一半導(dǎo)體晶圓。參考圖18，移除該第一載體31。在本實(shí)施例中，移除該第一載體31包括以下步驟。 研磨該第一載體31的一第二表面312，該第二表面312相對(duì)于該第一表面311，使該第一載 體31的厚度變薄。再蝕刻該第一載體31，以移除該第一載體31。分離該第一載體31后，可利用一高溫工藝來移除該雙面膠帶35及該第二載體36， 然而，清除殘膠、設(shè)置于框架及切割步驟與本發(fā)明第一實(shí)施例用于半導(dǎo)體工藝的載體分離 方法相同，不再敘述。參考圖19至21，其顯示本發(fā)明第三實(shí)施例用于半導(dǎo)體工藝的載體分離方法的結(jié) 構(gòu)示意圖。本發(fā)明第三實(shí)施例用于半導(dǎo)體工藝的載體分離方法與本發(fā)明第二實(shí)施例用于半 導(dǎo)體工藝的載體分離方法大致相同。本發(fā)明第三實(shí)施例用于半導(dǎo)體工藝的載體分離方法涂 布第一黏膠42于該第一載體41的該第一表面411，使該半導(dǎo)體晶圓20黏著于該第一載體 41上，其中該第一黏膠42例如是使用住友化學(xué)(SUMITOMO CHEMICAL)的)(5000。在本實(shí)施例中，利用一第二黏膠44將第二載體43設(shè)置于該半導(dǎo)體晶圓20的該第 二表面202，在本實(shí)施例中，該第二黏膠44可為一雙面膠帶并具有于紫外光照射下黏著性 降低的特性，例如是積水化學(xué)(SEKISUI CHEMICAL)的SELFA膜，該第二載體43為透明載體， 例如是玻璃。
參考圖20，移除該第一載體41。在本實(shí)施例中，移除該第一載體41包括以下步驟。 研磨該第一載體41的一第二表面412，該第二表面412相對(duì)于該第一表面411，使該第一載 體41的厚度變薄。再蝕刻該第一載體41，以移除該第一載體41。分離該第一載體41后，清除殘膠的步驟與本發(fā)明第二實(shí)施例用于半導(dǎo)體工藝的 載體分離方法相同。參考圖21，設(shè)置該半導(dǎo)體晶圓20的該第一表面201于一框架(film frame)47。再移除該第二載體43。在本實(shí)施例中，利用紫外光照射該第二載體43，由于該 第二載體43為透明載體，且該第二黏膠44具有于紫外光照射下黏著性降低的特性，故可移 除該第二黏膠44及該第二載體43。在其它實(shí)施例應(yīng)用中，若該第二黏膠44具有于高溫環(huán)境下黏度降低的特性，，可 加熱使其黏度將低，以移除該第二黏膠44與該第二載體43。參考圖22，其顯示本發(fā)明第四實(shí)施例用于半導(dǎo)體工藝的載體分離方法的結(jié)構(gòu)示意 圖。本發(fā)明第四實(shí)施例用于半導(dǎo)體工藝的載體分離方法與本發(fā)明第三實(shí)施例用于半導(dǎo)體 工藝的載體分離方法大致相同，不同之處在于，移除該第一載體41。在本實(shí)施例中，移除該 第一載體41包括以下步驟。設(shè)置一第一夾盤(chuck)45及一第二夾盤46分別夾制該第 一載體41及該第二載體43。其中，該第一黏膠42為熱融膠，例如是住友化學(xué)(SUMITOMO CHEMICAL)的)(5000，可加熱以降低其黏度。于一高溫環(huán)境中，將第一夾盤45及一第二夾盤46以相反方向移動(dòng)，可移除該第一 黏膠42與該第一載體41。分離該第一載體41后，清除殘膠、設(shè)置于框架、移除該第二載體43步驟與本發(fā)明 第三實(shí)施例用于半導(dǎo)體工藝的載體分離方法相同，不再敘述。在本發(fā)明第四實(shí)施例用于半導(dǎo)體工藝的載體分離方法中，雖然仍利用第一夾盤45 及第二夾盤46分離該第一載體41，但因有該第二載體43支撐保護(hù)該半導(dǎo)體晶圓10的該第 二表面102，故不會(huì)造成該半導(dǎo)體晶圓20的損壞及破片。參考圖23，其顯示本發(fā)明第五實(shí)施例用于半導(dǎo)體工藝的載體分離方法的結(jié)構(gòu)示意 圖。本發(fā)明第五實(shí)施例用于半導(dǎo)體工藝的載體分離方法與本發(fā)明第二實(shí)施例用于半導(dǎo)體工 藝的載體分離方法大致相同，不同之處在于，移除該第一載體51。在本實(shí)施例中，切割該第 一載體51的一部份，該切割部分511貫穿該第一載體51。再將該第一載體51及該第一黏膠 52，例如是住友化學(xué)(SUMITOMO CHEMICAL)的)(5000，浸入一溶劑中，例如是γ - 丁酸內(nèi) 酯(GBL，gamma-Butyrolactone)亦或是單甲基醚丙二醇乙酸酯(PGMEAJropylene Glycol Monomethyl Ether Acetate)，使第一黏膠52由該切割部分511流出，以移除該第一載體 51。較佳地，在本實(shí)施例中，第一黏膠52的厚度可加厚，以具有一誤差容忍度，使得切割時(shí) 可切割至部分第一黏膠52，而不至于切割且破壞該導(dǎo)電組件205。分離該第一載體51后，清除殘膠、設(shè)置于框架、移除該第二載體M及切割步驟與 本發(fā)明第二實(shí)施例用于半導(dǎo)體工藝的載體分離方法相同，不再敘述。參考圖M至36，其顯示本發(fā)明第六實(shí)施例用于半導(dǎo)體工藝的載體分離方法的結(jié) 構(gòu)示意圖。首先參考圖對(duì)，本發(fā)明第六實(shí)施例用于半導(dǎo)體工藝的載體分離方法與本發(fā)明第 一實(shí)施例用于半導(dǎo)體工藝的載體分離方法不同之處在于，該第一載體21沒有形成圖3的數(shù) 個(gè)凹槽213，且黏膠61涂布于該半導(dǎo)體晶圓20，第一載體21的該第一表面211具有一疏水 性層62 (hydrophobic coating)，該疏水性層62的面積略小于該黏膠61的面積。
參考圖25，設(shè)置該半導(dǎo)體晶圓20的該第一表面201于該第一載體21上，利用該黏 膠61使該半導(dǎo)體晶圓20黏著于該第一載體21上。于該半導(dǎo)體晶圓20的該第二表面202進(jìn)行表面處理。以下說明本發(fā)明第六實(shí)施例 的表面處理步驟。參考圖沈，研磨并蝕刻該半導(dǎo)體晶圓20的該第二表面202，以顯露這些導(dǎo) 電孔204的端點(diǎn)2041。參考圖27，形成一保護(hù)層23于該第二表面202，以覆蓋這些導(dǎo)電孔 204的端點(diǎn)2041。參考圖觀，移除部分保護(hù)層23，使得這些導(dǎo)電孔204的端點(diǎn)2041突出于 該保護(hù)層23。參考圖四，于這些導(dǎo)電孔204的端點(diǎn)2041電鍍形成一表面處理層(surface finish layer)24。參考圖30，涂布一第一底膠(underfill)63于該保護(hù)層23上。參考圖31，設(shè)置至 少一芯片(die)64于該半導(dǎo)體晶圓20上，且與該表面處理層M電性連接。請(qǐng)同時(shí)參考圖32及33，設(shè)置一框架(film frame)65于該芯片64的一側(cè)，去除 具該疏水性層62的該第一載體21，在本實(shí)施例中，將該第一載體21浸入一溶劑中，例如 是Y-丁酸內(nèi)酯(GBL, gamma-Butyrolactone)亦或是單甲基醚丙二醇乙酸酯(PGMEA， Propylene Glycol Monomethyl Ether Acetate)，以移除該黏膠 61 及該第一載體 21。參考圖34，利用激光切割該半導(dǎo)體晶圓20以形成數(shù)個(gè)半導(dǎo)體裝置四。每一半導(dǎo) 體裝置四上設(shè)置至少一芯片64，在本實(shí)施例中，該半導(dǎo)體裝置四上設(shè)置一芯片64 ；在其它 實(shí)施例中，該半導(dǎo)體裝置四上可設(shè)置數(shù)個(gè)芯片64。參考圖35，移除該框架65，且倒置該半導(dǎo)體裝置四，設(shè)置該半導(dǎo)體裝置四于一基 板66上，該半導(dǎo)體裝置四的導(dǎo)電組件205與該基板66電性連接。在本實(shí)施例中，該基板 66的一第一表面661涂布一第二底膠(underfill) 67，使該半導(dǎo)體裝置四連接至該基板 66的第一表面661。參考圖36，設(shè)置數(shù)個(gè)焊球(solder ball) 68于該基板66的一第二表面 662，以與外界的組件電性連接。本發(fā)明的載體分離方法利用該第二載體支撐保護(hù)該半導(dǎo)體晶圓，再移除該第一載 體，故不會(huì)損壞該半導(dǎo)體晶圓，亦不會(huì)造成該半導(dǎo)體晶圓的破片，可提高工藝的良率。另外， 由于有該第二載體的支撐，可利于殘膠的清除。再者，移除該第一載體及該第二載體的方法 簡(jiǎn)化，可提高工藝效率。上述實(shí)施例僅為說明本發(fā)明的原理及其功效，并非限制本發(fā)明。因此習(xí)于此技術(shù) 的人士對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修改及變化仍不脫本發(fā)明的精神。本發(fā)明的權(quán)利范圍應(yīng)如權(quán)利要 求書所列。
權(quán)利要求
1.一種用于半導(dǎo)體工藝的載體分離方法，包括以下步驟(a)設(shè)置一半導(dǎo)體晶圓的一第一表面于一第一載體上；(b)于該半導(dǎo)體晶圓的一第二表面進(jìn)行表面處理，該第二表面相對(duì)于該第一表面；(c)設(shè)置一第二載體于該半導(dǎo)體晶圓的該第二表面；(d)移除該第一載體；(e)設(shè)置該半導(dǎo)體晶圓的該第一表面于一框架；及(f)移除該第二載體。
2.如權(quán)利要求1的載體分離方法，其中在步驟(a)中，于該第一載體的一第一表面形成 數(shù)個(gè)凹槽，這些凹槽不貫穿該第一載體，且涂布黏膠于該第一載體的該第一表面，使該半導(dǎo) 體晶圓黏著于該第一載體上。
3.如權(quán)利要求2的載體分離方法，其中在步驟(c)中，利用一研磨膠帶將第二載體設(shè)置 于該半導(dǎo)體晶圓的該第二表面，其中該第二載體為一支撐體。
4.如權(quán)利要求3的載體分離方法，其中在步驟(d)中，另包括以下步驟(dl)研磨該第一載體的一第二表面，該第二表面相對(duì)于該第一表面，以顯露該第一載 體的這些凹槽；及(d2)將該第一載體及黏膠浸入一溶液中，使黏膠由這些顯露的凹槽流出，以移除該第一載體。
5.如權(quán)利要求4的載體分離方法，其中在步驟(d)之后，另包括一清除殘膠步驟，用以 清除該半導(dǎo)體晶圓的該第一表面的殘膠。
6.如權(quán)利要求1的載體分離方法，其中在步驟(d)中，另包括以下步驟(dl)研磨該第一載體的一第二表面，該第二表面相對(duì)于該第一表面，使該第一載體的 厚度變?。?d2)蝕刻該第一載體，以移除該第一載體。
7.如權(quán)利要求1的載體分離方法，其中，在步驟(c)中，利用一第二黏膠將第二載體設(shè) 置于該半導(dǎo)體晶圓的該第二表面，在步驟(f)中，利用紫外光照射該第二載體，以移除該第 二黏膠及該第二載體。
8.如權(quán)利要求1的載體分離方法，其中在步驟(c)中，利用一第二黏膠將第二載體設(shè)置 于該半導(dǎo)體晶圓的該第二表面，在步驟(f)中，加熱以移除該第二黏膠與該第二載體。
9.如權(quán)利要求1的載體分離方法，其中在步驟(a)中，涂布第一黏膠于該第一載體的該 第一表面，使該半導(dǎo)體晶圓黏著于該第一載體上，在步驟(d)中，另包括以下步驟(dl)設(shè)置一第一夾盤及一第二夾盤分別夾制該第一載體及該第二載體；(d2)加熱該第一黏膠；及(d3)將第一夾盤及一第二夾盤以相反方向移動(dòng)，以移除該第一載體與該第一黏膠。
10.如權(quán)利要求9的載體分離方法，其中在步驟(c)中，利用一第二黏膠將第二載體設(shè) 置于該半導(dǎo)體晶圓的該第二表面，在步驟(f)中，利用紫外光照射該第二載體，以移除該第 二黏膠及該第二載體。
11.如權(quán)利要求1的載體分離方法，其中在步驟(a)中，涂布第一黏膠于該第一載體的 該第一表面，使該半導(dǎo)體晶圓黏著于該第一載體上，在步驟(d)中，另包括以下步驟(dl)切割該第一載體的一部份，該切割部分貫穿該第一載體；及(d2)將該第一載體及該第一黏膠浸入一溶液中，使黏膠由該切割部分流出，以移除該第一載體。
12.如權(quán)利要求11的載體分離方法，其中在步驟(dl)中，切割至部分第一黏膠。
全文摘要
本發(fā)明關(guān)于一種用于半導(dǎo)體工藝的載體分離方法，包括以下步驟(a)設(shè)置一半導(dǎo)體晶圓的一第一表面于一第一載體上；(b)于該半導(dǎo)體晶圓的一第二表面進(jìn)行表面處理，該第二表面相對(duì)于該第一表面；(c)設(shè)置一第二載體于該半導(dǎo)體晶圓的該第二表面；(d)移除該第一載體；(e)設(shè)置該半導(dǎo)體晶圓的該第一表面于一框架；及(f)移除該第二載體。本發(fā)明的載體分離方法利用該第二載體支撐保護(hù)該半導(dǎo)體晶圓，再移除該第一載體，故不會(huì)造成該半導(dǎo)體晶圓的損壞及破片，可提高工藝的良率。另外，移除該第一載體及該第二載體的方法簡(jiǎn)化，可提高工藝效率。
文檔編號(hào)H01L21/02GK102064092SQ201010534928
公開日2011年5月18日 申請(qǐng)日期2010年10月26日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月26日
發(fā)明者楊國(guó)賓 申請(qǐng)人:日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司