專利名稱：有源矩陣基板及具備該有源矩陣基板的液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種使用TFT的有源矩陣基板及具備該有源矩陣基板的液晶顯示裝置。
背景技術(shù)：
以往，已知有FFS (邊緣場轉(zhuǎn)換=Fringe Field Switching)模式的液晶顯示裝置。 在FFS模式的液晶顯示裝置中，(a)利用如ITO(銦錫氧化物)那樣的透明物質(zhì)形成對(duì)向 電極和像素電極，(b)形成對(duì)向電極和像素電極，使其具有比上 下基板間的間隔要窄的間 隔，再進(jìn)一步，(c)形成對(duì)向電極和像素電極的寬度，使其具有能夠驅(qū)動(dòng)配置于電極上部的 所有液晶分子的程度的寬度。該FFS模式的液晶顯示裝置通過利用透明物質(zhì)形成電極等，能夠得到相比IPS (平 面控制In Plain Switching)模式的液晶顯示裝置有更高的開口率(即通過在電極部產(chǎn) 生光透射可得到相比IPS模式有更高的開口率)。圖21 (a)為專利文獻(xiàn)1中記載的FFS模式的液晶顯示裝置所使用的有源矩陣基板 的俯視圖，圖21(b)為圖21(a)的A-A’剖視圖。如圖21 (a)所示，該有源矩陣基板主要具備相互正交的多個(gè)柵極母線101及多個(gè) 源極母線107、在由這些母線所包圍的像素區(qū)域以梳狀且平行于源極母線107而設(shè)置的多 個(gè)像素電極109、在柵極母線101向像素區(qū)域側(cè)分岔的部分設(shè)置的TFT103、及平行于柵極母 線101而設(shè)置的共用電極用布線(CS布線)110。再進(jìn)一步，如圖21(b)所示，該有源矩陣基板在絕緣性基板上設(shè)置由透明導(dǎo)電膜 構(gòu)成的共用電極(下層?xùn)艠O母線)106，在該共用電極106上設(shè)置上層?xùn)艠O母線101及CS 布線110。另外，通過柵極絕緣膜102，在上層?xùn)艠O母線101上，層疊半導(dǎo)體層103、接觸層 104、上層源極 漏極電極107，而形成TFT。另外，在有源矩陣基板的最上層，通過層間絕緣 膜(鈍化膜)IOS設(shè)置像素電極IO9。上述專利文獻(xiàn)1中記載的有源矩陣基板由于在下層?xùn)艠O母線106設(shè)置形成CS布 線Iio的共用電極，因此有如下2個(gè)問題。S卩，如圖22所示，共用電極及上層?xùn)艠O母線變粗糙，并且形成TFT溝道部111的柵 極絕緣膜102上的半導(dǎo)體層103、接觸層104、及上層源極 漏極電極107變粗糙。特別是， 使用一般性的透明金屬膜作為透明電極時(shí)，會(huì)產(chǎn)生平坦性變低、TFT的溝道部111的凹凸變 大、遷移率降低的問題。另外，透明電極其結(jié)晶化的轉(zhuǎn)變溫度非常低，即在150度 200度左右就從非晶態(tài) 開始多晶硅化(結(jié)晶化)。對(duì)結(jié)晶化后的狀態(tài)和非晶的狀態(tài)進(jìn)行比較時(shí)，其刻蝕率有較大的差別。因此，需要刻蝕相當(dāng)長的時(shí)間。即，如圖23所示，需要進(jìn)行過刻蝕。從而柵極母線 101成為倒錐形(帽檐狀)，柵極絕緣膜102不能覆蓋該柵極母線101，產(chǎn)生導(dǎo)致與上層形成 的金屬膜發(fā)生泄漏等的合格品率降低的問題。另外，專利文獻(xiàn)2所記載的有源矩陣基板中，在柵極絕緣膜上設(shè)置共用電極。艮口， 在比柵極母線更上側(cè)的層設(shè)置共用電極。因而，可解決上述2個(gè)問題。但是，專利文獻(xiàn)1及2由于都使用在液晶顯示部的橫向所配置的柵極母線的金屬 層，形成與柵極母線平行的共用電極，因此如圖M所示，即橫向設(shè)置CS布線123。一般液晶 顯示裝置中，由于多數(shù)的液晶顯示部橫向較長，因此與源極母線相比，柵極母線較長。從而， 由CS布線123所形成的共用電極的電阻變大，產(chǎn)生信號(hào)延遲的問題。為解決此問題，以減 小電阻為目的而加粗CS布線123的寬度時(shí)，產(chǎn)生開口率降低的問題。與此不同的是，專利文獻(xiàn)3中，如圖25所示，在像素電極的上側(cè)設(shè)置共用電極(透 明電極材料，例如ΙΤ0)，在共用電極的狹縫部以外的所有區(qū)域保留透明電極材料，從而形成 共用電極。再進(jìn)一步，如圖26所示，在源極母線及柵極母線上的幾乎整個(gè)表面設(shè)置透明電 極材料(CS布線)。如此，通過設(shè)置也平行于源極母線的CS布線，解決上述信號(hào)延遲問題。專利文獻(xiàn)1 日本國公開專利公報(bào)「特開2001-235763號(hào)公報(bào)(
公開日；平成13年
8月31日)」專利文獻(xiàn)2 3月27日)」專利文獻(xiàn)3專利文獻(xiàn)4 8月17日)」專利文獻(xiàn)5 月5日)」
日本國公開專利公報(bào)「特開2002-90781號(hào)公報(bào)(
公開日；平成14年
國際公開號(hào)WO 01/18597(
公開日；平成13年3月15日) 日本國公開專利公報(bào)「特開2001-221992號(hào)公報(bào)(
公開日；平成13年
日本國公開專利公報(bào)「特開平9-230380號(hào)公報(bào)(
公開日；平成9年9

發(fā)明內(nèi)容
然而，上述專利文獻(xiàn)3所揭示的技術(shù)中，形成CS布線使其覆蓋圖沈中的源極母線 和柵極母線的整個(gè)表面。因此，會(huì)有短路等缺陷的危險(xiǎn)，且柵極母線和源極母線與CS布線 的寄生電容變大。本發(fā)明是鑒于上述問題所完成的，其目的在于，提供一種減小由電阻所造成的信 號(hào)延遲及由寄生電容所造成的信號(hào)延遲的有源矩陣基板及具備該有源矩陣基板的液晶顯 示裝置。為解決上述課題，本發(fā)明的有源矩陣基板為具有絕緣性基板；相互交叉配置于該 絕緣性基板上的視頻信號(hào)線及掃描信號(hào)線；及配置于這些信號(hào)線的交點(diǎn)的具備柵極電極、 源極電極和漏極電極而構(gòu)成的薄膜晶體管的有源矩陣基板，其中，作為源極電極及漏極電 極的下層使用而形成的透明電極層，在由相互鄰接的視頻信號(hào)線和相互鄰接的掃描信號(hào)線 所包圍的像素區(qū)域作為共用電極來使用，并且作為平行于上述視頻信號(hào)線而連接相互鄰接 的上述共用電極所形成的共用電極布線來使用。根據(jù)上述構(gòu)成，共用電極其作為源極電極及漏極電極的下層使用而形成的透明電 極層，在由相互鄰接的視頻信號(hào)線和相互鄰接的掃描信號(hào)線所包圍的像素區(qū)域作為共用電極來使用，并且作為平行于上述視頻信號(hào)線而連接相互鄰接的上述共用電極所形成的共用 電極布線來使用。即，利用作為源極電極及漏極電極的下層使用的透明電極層形成共用電 極及共用電極布線。由此，共用電極實(shí)現(xiàn)了平行于和源極電極連接的視頻信號(hào)線而連接并 延伸。由于一般視頻信號(hào)線比掃描信號(hào)線短，因此與平行于掃描信號(hào)線而延伸的情況相比， 可減小電阻。再進(jìn)一步，根據(jù)上述構(gòu)成，形成上述共用電極布線，使其不具有與視頻信號(hào)線交叉 的部分，而在與掃描信號(hào)線正交的部分進(jìn)行交叉。此處注意形成于相互鄰接的視頻信號(hào)線 間的某一個(gè)共用電極時(shí)，由于一般視頻信號(hào)線的數(shù)量比掃描信號(hào)線要多(視頻信號(hào)線掃 描信號(hào)線=3(RGB) 1)，相比在與視頻信號(hào)線正交的部分進(jìn)行交叉所形成的已有的構(gòu)成， 共用電極和各信號(hào)線(視頻信號(hào)線、掃描信號(hào)線)的交叉部的數(shù)量變少，可減小共用電極布 線的寄生電容。如上所述，本發(fā)明中，可減小共用電極及共用電極布線的電阻，并且可減小共用電 極布線和信號(hào)線的寄生電容。因此，可減小共用電極布線的信號(hào)延遲。再進(jìn)一步，根據(jù)上述構(gòu)成，利用使用所謂的網(wǎng)目曝光的光刻法，在源極電極、漏極 電極的下層形成透明電極層(ΙΤ0等透明導(dǎo)電性材料)，由于可利用與形成源極電極、漏極 電極相同的光刻工序來形成共用電極，因此可簡化制造方法。另外，由于如上述那樣可利用 相同的光刻工序來形成共用電極，相比如上述專利文獻(xiàn)2那樣利用不同的光刻工序形成共 用電極和源極電極、漏極電極的情況，可防止由光定向偏離所造成的成品率降低及開口率 降低。另外，本發(fā)明的有源矩陣基板中，最好用于形成上述柵極電極所成膜的金屬膜作 為平行于上述掃描信號(hào)線而形成的輔助共用電極布線來使用，將該輔助共用電極布線和上 述共用電極通過接觸孔電連接。根據(jù)上述構(gòu)成，設(shè)置平行于掃描信號(hào)線的輔助共用電極布線，該輔助共用電極布 線和共用電極通過設(shè)置于上述柵極絕緣膜的接觸孔電連接。即，使用共用電極及共用電極 布線和輔助共用電極布線形成網(wǎng)眼狀的構(gòu)成。因此，可近似于不取決于大小或材料、只由縱 橫比的關(guān)系即可決定電阻的構(gòu)成(片電阻的概念)。因而，可減小任意2點(diǎn)間的電阻。再 進(jìn)一步，上述專利文獻(xiàn)2所記載的技術(shù)中，如圖27所示，由于利用源極金屬(源極母線的金 屬層)122連接共用電極120和共用電極布線121，因此雖然無法取得歐姆接觸時(shí)，會(huì)有像 素缺陷的問題，但通過采用上述網(wǎng)眼狀的構(gòu)成，可使其具有4個(gè)方向的冗余性，即使產(chǎn)生上 述無法取得歐姆接觸的像素，再進(jìn)一步即使發(fā)生任一個(gè)的共用電極及/或輔助共用電極斷 線，也能極力防止形成像素缺陷、和線缺陷。另外，本發(fā)明的有源矩陣基板中，最好是上述共用電極包括在上述接觸孔的外緣 的外側(cè)及內(nèi)側(cè)分別具有端部的開口部，具有接觸電極焊盤，該接觸電極焊盤在上述共用電 極中的上述接觸孔的外緣的外側(cè)的端部側(cè)與上述輔助共用電極布線相連接，并且與上述共 用電極中的所述接觸孔的外緣的內(nèi)側(cè)的端部側(cè)相連接。根據(jù)上述構(gòu)成，上述共用電極包括在上述接觸孔的外緣的外側(cè)及內(nèi)側(cè)分別具有端 部的開口部，具有接觸電極焊盤，該接觸電極焊盤在上述共用電極中的上述接觸孔的外緣 的外側(cè)的端部側(cè)與上述輔助共用電極布線相連接，并且與上述共用電極中的所述接觸孔的 外緣的內(nèi)側(cè)的端部側(cè)相連接。因此，可使用該接觸電極焊盤將共用電極和輔助共用電極布線相互電連接。另外，可省去在形成源極布線 電極、及漏極電極前進(jìn)行的形成用于連接共 用電極及輔助共用電極布線的接觸孔的工序。 另外，本發(fā)明的有源矩陣基板中，最好在上述像素區(qū)域設(shè)置像素電極，上述接觸電 極焊盤利用與該像素電極相同的材料及相同的制造工序而形成。 根據(jù)上述構(gòu)成，利用互相相同的材料及相同的制造工序形成像素電極和接觸焊 盤。因此，可力圖簡化制造方法。另外，本發(fā)明的有源矩陣基板中，最好將上述輔助共用電極布線設(shè)置在鄰接的上 述掃描信號(hào)線的大約中間附近。根據(jù)上述構(gòu)成，上述輔助共用電極布線設(shè)置在鄰接的掃描信號(hào)線的大約中央附 近。由于輔助共用電極布線與掃描信號(hào)線平行設(shè)置，因此通過將輔助共用電極布線設(shè)置在 鄰接的掃描信號(hào)線的大約中央附近，可將輔助共用電極布線與掃描信號(hào)線的距離取為最 大。輔助共用電極布線與掃描信號(hào)線的距離變大時(shí)，可減少由圖案不佳或附著污物所引起 的、輔助共用電極布線與掃描信號(hào)線的短路的可能性。另外，本發(fā)明的有源矩陣基板中，最好將上述輔助共用電極布線設(shè)置在鄰接的上 述掃描信號(hào)線的一側(cè)的掃描信號(hào)線的附近。根據(jù)上述構(gòu)成，上述輔助共用電極布線設(shè)置在鄰接的上述掃描信號(hào)線的一側(cè)的掃 描信號(hào)線的附近。掃描信號(hào)線的附近存在對(duì)開口沒有用的區(qū)域。因而，由于能夠?qū)⑤o助共 用電極布線的一部分設(shè)置在對(duì)開口沒有用的區(qū)域，因此可實(shí)現(xiàn)高開口率。另外，本發(fā)明的有源矩陣基板中，最好將上述輔助共用電極布線在上述共用電極 的外周部平行于上述視頻信號(hào)線而延伸。共用電極的外周部存在所謂的無效區(qū)域(液晶不動(dòng)的區(qū)域及產(chǎn)生液晶疇的區(qū) 域)。根據(jù)上述構(gòu)成，輔助共用電極布線在共用電極的外周部平行于視頻信號(hào)線而延伸。因 此，利用該輔助共用電極布線可對(duì)無效區(qū)域進(jìn)行遮光，從而可得到較高的顯示品質(zhì)。另外，本發(fā)明的有源矩陣基板中，最好將上述輔助共用電極布線在上述共用電極 的外周部進(jìn)一步也平行于上述掃描信號(hào)線而延伸。根據(jù)上述構(gòu)成，可減小輔助共用電極布線的電阻并對(duì)掃描信號(hào)線的無效區(qū)域進(jìn)行
^^ J {λ ο另外，本發(fā)明的有源矩陣基板中，最好設(shè)置作為上述源極電極及上述漏極電極的 上層使用而層疊的金屬層，使其包圍上述共用電極的外周。根據(jù)上述構(gòu)成，設(shè)置作為源極電極及漏極電極的上層使用而層疊的金屬層，使其 包圍上述共用電極的外周。因此，可使共用電極的周邊具有遮光功能，并且可力圖減小共用 電極和輔助共用電極的電阻。另外，本發(fā)明的有源矩陣基板中，最好將包圍上述共用電極的外周而設(shè)置的金屬 層，也形成在形成上述共用電極布線的部分。另外，本發(fā)明的有源矩陣基板中，最好在上述共用電極布線和上述掃描信號(hào)線的 交叉部上設(shè)置金屬層。根據(jù)上述構(gòu)成，在上述共用電極布線和上述掃描信號(hào)線的交叉部上設(shè)置金屬層。 因此，可減小共用電極布線的電阻。再進(jìn)一步，由于共用電極布線成為層疊透明電極層和金 屬層的結(jié)構(gòu)，因此會(huì)減少與掃描信號(hào)線的交叉部的斷線等不良情況。
另外，本發(fā)明的有源矩陣基板中，最好具備至少具有由無機(jī)膜所構(gòu)成的層和由低 介電常數(shù)有機(jī)材料所構(gòu)成的層的2層的層間絕緣膜。此處，所謂低介電常數(shù)有機(jī)材料可考慮是例如介電常數(shù)為5以下的材料。根據(jù)上 述構(gòu)成，層間絕緣膜至少具有由無機(jī)膜所構(gòu)成的層和由低介電常數(shù)有機(jī)材料所構(gòu)成的層的 2層。通過設(shè)置低介電常數(shù)有機(jī)材料，可減小寄生電容。再進(jìn)一步，通過如前述那樣將層間 絕緣膜采用2層以上的結(jié)構(gòu)，由于可減少泄漏等不良情況，因此可實(shí)現(xiàn)高可靠性。另外，本發(fā)明的液晶顯示裝置，最好具備上述任一個(gè)有源矩陣基板。通過以下所示的敘述，可充分了解本發(fā)明的其它的目的、特征、及優(yōu)點(diǎn)。另外，通過 以下參照附圖的說明可了解本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)。


圖1為示出本發(fā)明的實(shí)施方式的有源矩陣基板的1個(gè)像素區(qū)域的剖視圖，(a)為 圖2所示的A-A’剖視圖，(b)為圖2所示的B-B’剖視圖。圖2為示出本實(shí)施方式的有源矩陣基板的1個(gè)像素區(qū)域的俯視圖。圖3為示出本發(fā)明的實(shí)施方式的有源矩陣基板的制造過程的剖視圖，(a) ⑴為 示出圖1(a)所示的有源矩陣基板的制造過程的剖視圖。圖4為示出本發(fā)明的實(shí)施方式的第1變形例的剖視圖，(a)為對(duì)應(yīng)于上述圖1 (a) 的A-A’剖視圖，(b)為對(duì)應(yīng)于上述圖1(b)的B-B’剖視圖。圖5為示出本發(fā)明的實(shí)施方式的第2變形例的對(duì)應(yīng)于圖2的俯視圖。圖6為示出本發(fā)明的實(shí)施方式的第2變形例的剖視圖，(a)為圖5所示的A_A’剖 視圖，(b)為圖5所示的B-B’剖視圖。圖7為示出本發(fā)明的實(shí)施方式的第3變形例的對(duì)應(yīng)于圖2的俯視圖。圖8為示出本發(fā)明的實(shí)施方式的第3變形例的剖視圖，(a)為圖7所示的A_A’剖 視圖，(b)為圖7所示的B-B’剖視圖。圖9為示出本發(fā)明的實(shí)施方式的第4變形例的對(duì)應(yīng)于圖2的俯視圖。圖10為示出本發(fā)明的實(shí)施方式的第4變形例的剖視圖，(a)為圖9所示的A_A’剖 視圖，(b)為圖9所示的B-B’剖視圖。圖11為示出本發(fā)明的實(shí)施方式的第5變形例的對(duì)應(yīng)于圖2的俯視圖。圖12為示出本發(fā)明的實(shí)施方式的圖11所示的A-A’剖視圖。圖13為示出本發(fā)明的實(shí)施方式的圖11所示的C部、即共用電極和輔助共用電極 布線的交叉部的放大圖。圖14為示出本發(fā)明的實(shí)施方式的圖13所示的B-B’剖視圖。圖15為示出本發(fā)明的實(shí)施方式的有源矩陣基板的制造過程的剖視圖，(a) (i) 為示出圖12(a)所示的有源矩陣基板的制造過程的剖視圖。圖16為示出本發(fā)明的實(shí)施方式的表示6張掩膜工藝中接觸部的形成方法的剖視 圖及俯視圖，(a) (e)為剖視圖，(f) (j)為俯視圖。圖17為示出本發(fā)明的實(shí)施方式的表示5張掩膜工藝中接觸部的形成方法的剖視 圖及俯視圖，(a) (e)為剖視圖，(f) (j)為俯視圖。圖18為示出本發(fā)明的實(shí)施方式的表示圖13及圖14的比較例的俯視圖及剖視圖，(a)為俯視圖，(b)為剖視圖。圖19為示出本發(fā)明的實(shí)施方式的表示圖13及圖14的比較例的俯視圖及剖視圖， (a)為俯視圖，(b)為剖視圖。圖20為示出本發(fā)明的實(shí)施方式的第6變形例的俯視圖，(a) (b)為示出第6變形 例的對(duì)應(yīng)于圖2的俯視圖。圖21為已有的FFS模式的液晶顯示裝置所使用的有源矩陣基板的俯視圖及剖視 圖，(a)為已有的FFS模式的液晶顯示裝置所使用的有源矩陣基板的俯視圖，(b)為(a)的 A-A'剖視圖。圖22為示出已有的共用電極及上層?xùn)艠O母線粗糙狀態(tài)的有源矩陣基板的剖視 圖。圖23為示出已有的柵極母線呈倒錐形(帽檐狀)、柵極絕緣膜不能覆蓋柵極母線 的狀態(tài)的剖視圖。圖M為示出已有的共用電極布線的配置的IXD (液晶顯示器)面板的俯視圖。圖25為示出已有的有源矩陣基板的剖視圖。圖沈?yàn)槭境鲆延械挠性淳仃嚮宓母┮晥D。圖27為示出已有的有源矩陣基板的剖視圖。標(biāo)號(hào)說明1絕緣性基板2柵極布線、柵極(掃描信號(hào)線；柵極電極；用于形成柵極電極而成膜的金屬膜)3輔助共用電極布線4柵極絕緣膜5接觸孔(用于連接共用電極和輔助共用電極布線而形成)5’接觸孔(用于連接共用電極和輔助共用電極布線而形成)8a源極布線、源極(視頻信號(hào)線；源極電極)8b共用電極布線9共用電極10漏極(漏極電極)12接觸孔(用于連接漏極電極和像素電極而形成)17接觸電極焊盤18TFT (薄膜晶體管)19透明導(dǎo)電膜(透明電極層)21金屬層(作為源極電極及漏極電極的上層使用而層疊的金屬層)22金屬層23無機(jī)膜24由低介電常數(shù)有機(jī)材料構(gòu)成的膜(由低介電常數(shù)有機(jī)材料構(gòu)成的層)25遮光膜(包圍共用電極的外周而設(shè)置的金屬層)
具體實(shí)施例方式使用附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式之一進(jìn)行說明。
(關(guān)于有源矩陣基板的構(gòu)成)圖2為示出本實(shí)施方式的有源矩陣基板的1個(gè)像素區(qū)域的俯視圖。本實(shí)施方式的有源矩陣基板，如圖2所示，具備相互正交的多個(gè)源極布線8a及多 個(gè)柵極布線(掃描信號(hào)線)2、在由這些布線所包圍的區(qū)域(像素區(qū)域；后述)設(shè)置多個(gè)與源 極布線(視頻信號(hào)線)8a平行的矩形狀(直梳齒形狀)的像素電極13、配置于像素電極13 的下側(cè)的共用電極9、從該共用電極9平行于源極布線8a而延伸的共用電極布線Sb、在鄰 接的柵極布線2之間與柵極布線2平行的輔助共用電極布線3、及作為開關(guān)元件的TFT (薄 膜晶體管:Thin Film Transistor) 18。此外，本說明書中，將由鄰接的2根源極布線8a和鄰接的2根柵極布線2所包圍 的區(qū)域稱為像素區(qū)域(像點(diǎn)區(qū)域)。另外，如圖2所示，共用電極布線3設(shè)置在鄰接的柵極 布線2之間。此外，以下說明中，為方便說明，對(duì)源極布線及形成TFT18的源極(源極電極)使 用相同的參照標(biāo)號(hào)，且對(duì)柵極布線及形成TFT18的柵極(柵極電極)使用相同的參照標(biāo)號(hào)。另外，本實(shí)施方式中，在像素區(qū)域設(shè)置共用電極9，并設(shè)置與源極布線8a平行的共 用電極布線8b，使其連接鄰接的共用電極9，進(jìn)一步設(shè)置通過接觸孔與共用電極9連接的平 行于柵極布線2的輔助共用電極布線3。共用電極9和輔助共用電極布線3在像素區(qū)域相互交叉，在該交叉部的共用電極 9設(shè)置接觸孔5 (參照?qǐng)D1 (a))。另一方面，在像素電極13設(shè)置用于連接TFT18的接觸孔 12 (參照?qǐng)D1 (a))。此外，不一定需要在所有的像素區(qū)域設(shè)置接觸孔5，例如，也可隔1個(gè)、隔 2個(gè)地設(shè)置。圖1 (a)為圖2所示的A-A’剖視圖。該A_A’剖面表示從TFT18到共用電極9與 輔助共用電極布線3的交叉部的剖面。如圖1 (a)所示，在有源矩陣基板的最下層設(shè)置絕緣性基板1，在該絕緣性基板1上 相互隔開地設(shè)置柵極2及輔助共用電極布線3。在柵極2上，通過柵極絕緣膜4按順序形成 構(gòu)成溝道部的a-Si層6及n+-Si層7。再進(jìn)一步，在這些溝道部上形成構(gòu)成TFT18的源極 8a及漏極(漏極電極)10。此處，本實(shí)施方式中，如同一圖所示，源極8a及漏極10形成下 層的透明導(dǎo)電膜(ITO) 19和上層的金屬層21的2層結(jié)構(gòu)。再進(jìn)一步，利用接觸孔12，將漏 極10的上層的金屬層21與像素電極13相連接。另外，在接觸孔12以外的地方的金屬層 21的上部設(shè)置層間絕緣膜11。另一方面，在輔助共用電極布線3上按柵極絕緣膜4及共用電極9的順序來設(shè)置， 利用接觸孔5，將輔助共用電極布線3和共用電極9相互連接。特別是，由圖1(a)可知，將 配置于與源極8a及漏極10的下層的透明導(dǎo)電膜(ΙΤ0 ；透明電極層)19同一層的層作為共 用電極9。另外，在共用電極9上通過層間絕緣膜11設(shè)置像素電極13。此外，層間絕緣膜 11可由例如SiNx、SiO2等構(gòu)成的無機(jī)膜形成。圖1(b)為圖2所示的B-B’剖視圖。該B-B’剖面表示從源極布線8a、通過像素電 極直到柵極布線2與共用電極布線8b的交叉部的剖面。如圖1(b)所示，在源極布線8a所對(duì)應(yīng)的區(qū)域，按絕緣性基板1、柵極絕緣膜4、源 極布線8a、層間絕緣膜11的順序來設(shè)置。源極布線8a形成下層的透明導(dǎo)電膜(ITO) 19和 上層的金屬層21的2層結(jié)構(gòu)。另外，在像素區(qū)域，按絕緣性基板1、柵極絕緣膜4、共用電極9、層間絕緣膜11、及像素電極13的順序來設(shè)置。再進(jìn)一步，在柵極布線2和共用電極布線 8b的交叉部所對(duì)應(yīng)的區(qū)域，按絕緣性基板1、柵極布線2、柵極絕緣膜4、a-Si層6、n+-Si層 7、共用電極布線Sb、金屬層22、及層間絕緣膜11的順序來設(shè)置。此外，由圖2及圖1 (b)可知，上述金屬層22設(shè)置在共用電極布線8b中、與柵極布 線2的交叉部。(關(guān)于有源矩陣基板的制造方法)接著，對(duì)上述有源矩陣基板的制造方法進(jìn)行說明。此外，該有源矩陣基板的制造方 法中，使用6張掩膜。不過，上述輔助共用電極布線3并非是必須的構(gòu)成，由于在不設(shè)置該輔 助共用電極布線3時(shí)，不需要制作接觸孔5的工序，因此可用5張掩膜制造有源矩陣基板。(工序1)首先，如圖3(a)所示，在絕緣性基板1上，利用濺射法形成250nm左右的Ti/Al/ Ti等膜，利用光刻法相互隔開地形成柵極2及輔助共用電極布線3。此外，該工序1中，使 用第1張掩膜。(工序2)接著，利用等離子體CVD(化學(xué)氣相沉積chemical vapor exposition)法按 300nm左右的柵極絕緣膜(氮化硅；SiNx) 4、150nm左右的a-Si層6、50nm左右的n+_Si層 7的順序連續(xù)形成3層膜。成膜后，如圖3(b)所示，利用光刻法，使柵極2及輔助共用電極 布線3所對(duì)應(yīng)的位置形成島狀圖案。此外，該時(shí)刻還未形成TFT18的溝道部。此外，該工序2中，使用第2張掩膜。(工序3)接著，為形成接觸孔5、以及柵極布線2及源極布線8b的布線引出端子焊盤部(未 圖示)，如圖3 (c)所示，利用光刻法將設(shè)置于輔助共用電極布線3上的柵極絕緣膜4刻蝕成 預(yù)定的圖案。此外，該工序3中，使用第3張掩膜。(工序4)接著，利用濺射法連續(xù)在下層形成由ITO構(gòu)成的IOOnm左右的透明導(dǎo)電膜，在上層 形成150nm左右的Mo/Al/MoN等金屬層膜。成膜后，如圖3(d)所示，利用網(wǎng)目曝光法，形成 感光膠14，該感光膠14使同時(shí)除去透明導(dǎo)電膜及金屬層的區(qū)域的感光膠的殘膜量為Onm， 使同時(shí)保留透明導(dǎo)電膜及金屬層的第1區(qū)域(形成源極8a或漏極10的區(qū)域)的殘膜量為 約3000nm，使同時(shí)保留透明導(dǎo)電膜及金屬層的第2區(qū)域(形成共用電極9的區(qū)域)的殘膜 量為約lOOOnm。此外，此處雖未圖示，但通過該工序，也在形成共用電極布線8b的區(qū)域形成 殘膜量約為3000nm的感光膠14。此外，該工序中，使用第4張掩膜。(工序5)接著，利用濕法刻蝕，該濕法刻蝕采用使用磷酸-鹽酸-硝酸系的刻蝕液的濕法刻 蝕液，刻蝕上述金屬層，并且利用使用氯化鐵系的刻蝕劑的濕法刻蝕，刻蝕透明導(dǎo)電膜，如 圖3(e)所示，形成源極8a及漏極10。另外，通過該工序，可形成下層為透明導(dǎo)電膜(ITO) 19、上層為金屬層21的2層結(jié) 構(gòu)的源極8a及漏極10。還可同時(shí)形成共用電極9。再進(jìn)一步，由該工序及工序4，應(yīng)特別注意到，源極8a及漏極10其最下層為透明導(dǎo) 電膜(ITO) 19，該最下層的透明導(dǎo)電膜(IT0)19也可作為共用電極9來使用。
此外，此處雖未圖示，但通過該工序，還可形成共用電極布線Sb。(工序6)接著，利用干法刻蝕，該干法刻蝕使用包含&的氣體，如圖3(f)所示，將設(shè)置于形 成共用電極9的區(qū)域的感光膠14除去。(工序7)接著，如圖3(g)所示，利用使用磷酸-鹽酸-硝酸系的刻蝕液的濕法刻蝕除去形 成共用電極9的區(qū)域的金屬膜，接著，利用干法刻蝕，該干法刻蝕使用包含SF6的氣體，形成 由a-Si層6和n+-Si層7構(gòu)成的溝道部。由此，可對(duì)每1個(gè)像素形成開關(guān)元件的TFT18。(工序8)接著，利用干法刻蝕，該干法刻蝕使用包含&的氣體，如圖2(h)所示，將形成源極 8a、共用電極布線Sb、及漏極10的區(qū)域的感光膠除去。此外，此處雖未圖示，但通過該工序，還同時(shí)除去形成共用電極布線8b的區(qū)域的 感光膠。(工序9)接著，利用等離子體CVD法，形成250nm 500nm左右的氮化硅膜作為層間絕緣膜 11，為形成接觸孔12、以及柵極布線2及源極布線8a的布線引出端子焊盤部(未圖示)，利 用光刻法將該層間絕緣膜11刻蝕成預(yù)定的圖案(使用第5張掩膜)。然后，在層間絕緣膜 11上，利用濺射法形成由ITO構(gòu)成的IOOnm左右的透明導(dǎo)電膜，利用光刻法將像素電極13 刻蝕成預(yù)定的圖案(使用第6張掩膜)。通過以上工序，可形成如圖1 (a)所示的有源矩陣 基板。如上所述，本實(shí)施方式的有源矩陣基板中，如圖1(a)所示，采用將源極 漏極電極 其最下層為透明電極的布線結(jié)構(gòu)，再進(jìn)一步，將該最下層的透明電極作為共用電極。本實(shí)施 方式中，不是將共用電極設(shè)置在柵極電極 布線的最下層的ITO (共用電極)，而是將其設(shè)置 在源極電極·布線及漏極電極·布線的最下層。以往，將ITO設(shè)置得與柵極電極·布線平 行。與此不同的是，本實(shí)施方式中，利用透明導(dǎo)電膜(ITO) 19和設(shè)置于該IT019的上層 的不透明的金屬層21形成源極電極·布線8a及漏極電極·布線10。由此，可平行于源極 布線而引出利用IT019所形成的共用電極布線Sb。若如同以往那樣，將ITO設(shè)置在柵極電極 布線的最下層時(shí)，由于柵極絕緣膜上的 非晶硅位于ITO的上側(cè)，因此具有柵極電極·布線上變粗糙的問題。柵極電極·布線上變 粗糙時(shí)，平坦度變低，TFT溝道部的凹凸變大，遷移率降低。與此不同的是，根據(jù)本實(shí)施方式， 由于不將ITO配置在柵極電極·布線的最下層，因此可避免非晶硅變粗糙的問題。再進(jìn)一步，若如同以往，將ITO設(shè)置在柵極電極·布線的最下層時(shí)，ITO其結(jié)晶化 的轉(zhuǎn)變溫度非常低，即在150度 200度左右即從非晶態(tài)開始多晶化。若對(duì)結(jié)晶化后的狀 態(tài)和非晶的狀態(tài)進(jìn)行比較，則其刻蝕率有較大的差別。因此，需要刻蝕相當(dāng)長的時(shí)間。艮口， 需要進(jìn)行過刻蝕。因此，具有柵極布線成為倒錐形(帽檐狀)、不能覆蓋柵極絕緣膜的問題。 與此不同的是，根據(jù)本實(shí)施方式，由于不將ITO配置在柵極電極·布線的最下層，因此可避 免這樣的問題。再進(jìn)一步，如上所述，將ITO設(shè)置在源極電極·布線及漏極電極·布線的最下層。進(jìn)一步采用平行于源極布線而引出利用ITO所形成的共用電極布線的構(gòu)成。一般相比于 柵極布線，源極布線較短。例如，XGA(擴(kuò)展圖案陣列)標(biāo)準(zhǔn)的情況下，布線數(shù)為縱768X橫 10M。因此，顯示部分的縱橫比成為3 4。再進(jìn)一步，在大型TV(電視機(jī))等中所采用的 全高清(Full HD)標(biāo)準(zhǔn)的情況下，該布線數(shù)為縱1080X橫1920，縱橫比成為9 16。因而，相比平行于柵極布線的布線，平行于源極布線的布線其由電阻所造成的信 號(hào)延遲變小。再進(jìn)一步，本實(shí)施方式中，不僅設(shè)置平行于上述源極布線·電極8a的共用電極布 線8b，還在鄰接的柵極電極·布線2之間設(shè)置平行于柵極電極·布線2的輔助共用電極布 線3。即，通過進(jìn)行連接的變化，將共用電極布線設(shè)置成網(wǎng)眼狀。由此，可近似于不取決于顯 示部分的大小、只由縱橫比的關(guān)系即可決定電阻的構(gòu)成。因而，可減小任意2點(diǎn)間的電阻。 此外，通過將共用電極布線設(shè)置成網(wǎng)眼狀，可使其具有4個(gè)方向的冗余性。另外，如圖1(b)所示，在柵極電極 布線2與共用電極布線8b的交叉部所對(duì)應(yīng)的 區(qū)域，將金屬層22設(shè)置于共用電極布線8b的上層。由于共用電極布線8b較細(xì)，因此該交 叉部斷線的可能性較高，電阻的損耗較大。與此不同的是，如上所述，通過將金屬層22設(shè) 置在共用電極布線8b的上層，即使該金屬層的下側(cè)發(fā)生斷線，也可保證利用金屬層進(jìn)行連 接，并且通過裝上低電阻的金屬層22，可減小電阻的損耗。再進(jìn)一步，如圖1(b)所示，在柵極電極 布線2與共用電極布線8b的交叉部所對(duì) 應(yīng)的區(qū)域，將由a-Si層6和n+-Si層7構(gòu)成的半導(dǎo)體層設(shè)置于柵極電極·布線2與共用電 極布線8b之間。因此，相比不設(shè)置該半導(dǎo)體層的構(gòu)成，可將柵極電極·布線2與共用電極 布線8b的距離取得較大，可減小電容。另外，如圖2所示，將共用電極布線3設(shè)置在鄰接的柵極電極·布線2與柵極電 極 布線2的中央附近。由此，可將共用電極布線3與柵極電極 布線2的距離取得較大。 從而，可減少發(fā)生由圖案不佳或附著污物所引起的共用電極布線3和柵極電極 布線2的 短路的可能性。接著，對(duì)上述實(shí)施方式的變形例進(jìn)行說明。此外，以下所說明的變形例中，對(duì)于與 上述實(shí)施方式的共同點(diǎn)省略其說明，并使用相同的參照標(biāo)號(hào)。此外，以下為方便說明，將上 述實(shí)施方式稱為代表例。(第1變形例)圖4(a)為示出第1變形例的對(duì)應(yīng)于上述圖1(a)的A_A’剖視圖，圖4(b)為示出 同樣第1變形例的對(duì)應(yīng)于上述圖1(b)的B-B’剖視圖。此外，由于第1變形例中的俯視圖 與上述圖2相同，因此省略示出第1變形例的俯視圖。上述代表例中，如圖1(a)及圖1(b)所示，層間絕緣膜11為1層的結(jié)構(gòu)，與此不同 的是，第1變形例中，如圖4(a)及圖4(b)所示，將層間絕緣層取為2層結(jié)構(gòu)。具體而言，第 1變形例中，使層間絕緣層11的結(jié)構(gòu)成為由31版、5102等構(gòu)成的無機(jī)膜23及由低介電常數(shù) 有機(jī)材料構(gòu)成的膜M的2層結(jié)構(gòu)。由此，相比上述代表例可進(jìn)一步減小寄生電容。由于相比上述代表例還可進(jìn)一步 減少泄漏等不良情況，因此可實(shí)現(xiàn)高可靠性。此處，對(duì)于利用上述第1變形例可減少泄漏等不良情況的理由進(jìn)行說明。對(duì)于2 層金屬層夾住單層絕緣膜而交叉的結(jié)構(gòu)，該單層絕緣膜存在針孔或缺陷時(shí)，會(huì)在上下金屬膜發(fā)生泄漏。再進(jìn)一步，對(duì)于相同結(jié)構(gòu)，當(dāng)濕法刻蝕(濕法刻蝕)上層金屬層時(shí)使用的刻蝕 劑(刻蝕液)能夠刻蝕下層金屬層時(shí)，若在單層絕緣膜存在針孔或缺陷，則會(huì)刻蝕下層金屬 層，從而發(fā)生斷線等。通常無論怎樣進(jìn)行灰塵管理，絕緣膜都會(huì)存在不少的針孔或缺陷。與此不同的是，由于在2層絕緣膜的同一位置產(chǎn)生針孔或缺陷的概率、相比在單 層絕緣膜產(chǎn)生針孔或缺陷的可能性非常低，因此如上述變形例1的構(gòu)成那樣，通過將由2層 金屬層夾住的絕緣膜做成2層結(jié)構(gòu)，可大幅減小上下金屬膜發(fā)生泄漏的可能性及下層金屬 層斷線的可能性。此外，該第1變形例在上述工序9中，可通過形成由3丨版、5丨02等構(gòu)成的150nm 350nm左右的無機(jī)膜、以及在該無機(jī)膜上層形成由低介電常數(shù)有機(jī)材料構(gòu)成的2000nm 4000nm左右的膜，來制作層間絕緣膜。此外，第1變形例中，雖然記載了層間絕緣膜為2層結(jié)構(gòu)的情況，但層間絕緣膜的 結(jié)構(gòu)不限于2層，也可通過任意層疊上述由SiNx、Si&等構(gòu)成的無機(jī)膜23和由低介電常數(shù) 有機(jī)材料構(gòu)成的膜對(duì)，做成3層以上的結(jié)構(gòu)。(第2變形例)圖5為示出第2變形例的對(duì)應(yīng)于上述圖2的俯視圖。另外，圖6(a)為圖5所示的 A-A'剖視圖，圖6(b)為圖5所示的B-B’剖視圖。上述代表例中，如圖2所示，將輔助共用電極布線3配置在鄰接的柵極布線2的大 約中央處。與此不同的是，第2變形例中，將輔助共用電極布線3配置在鄰接的柵極布線2 中一側(cè)柵極布線2的附近。更具體來講，輔助共用電極布線3在源極布線8a延伸的方向具 有一部分不與像素電極13相交的部分。即，輔助共用電極布線3在源極布線8a延伸的方 向從像素電極13露出。另外至少在共用電極布線8b的一部分設(shè)置接觸孔5’。對(duì)于圖6(a)所示的A-A’剖面、即從設(shè)置TFT18的區(qū)域直到像素區(qū)域的中央附近 的剖面，與圖2(a)不同，不設(shè)置輔助共用電極布線3而構(gòu)成。另一方面，對(duì)于圖6(b)所示 的B-B’剖面、即從柵極布線2所對(duì)應(yīng)的區(qū)域一像素區(qū)域一直到柵極布線2和共用電極布線 8b的交叉部所對(duì)應(yīng)的區(qū)域的剖面，與圖2(b)不同，在像素區(qū)域設(shè)置輔助共用電極布線3，通 過形成于與一部分共用電極布線8b的區(qū)域重疊的位置的接觸孔5’，連接該輔助共用電極 布線3和共用電極9 (包含一部分共用電極布線8b)。由此，可在對(duì)開口無用的部分配置一部分輔助共用電極布線3。即，可減少無效區(qū) 域(液晶不動(dòng)的區(qū)域及液晶疇區(qū)域)。因此，可實(shí)現(xiàn)高開口率。此處，更具體地說明可實(shí)現(xiàn)該高開口率的理由。首先，定義無效區(qū)域。所謂無效區(qū) 域，是指下面的(一) (四)的區(qū)域。(一 )設(shè)置輔助共用電極布線3的部分(二)共用電極9與像素電極13重疊的部分中，至少像素電極中平行于源極布線 8a方向的兩端部分(像素電極的梳齒匯總而連接的部分)的一部分(三)其它根據(jù)設(shè)計(jì)上的規(guī)則，柵極電極·布線2與輔助共用電極布線3的間隙、 及源極布線8與共用電極9的間隙(四)由液晶的取向狀態(tài)產(chǎn)生的無效區(qū)域第2變形例中，通過使(一)與(二)及(三)的區(qū)域的一部分重疊，從代表例中 為無效區(qū)域的(一)+ ( 二)+ (三)+ (四)的這些區(qū)域中減去重疊部分所得到的區(qū)域成為無效區(qū)域。因而，第2變形例中，相比代表例可減小無效區(qū)域，可實(shí)現(xiàn)高開口率。該第2變形例在上述工序1中，可通過將設(shè)置輔助共用電極布線3的位置改變到 更靠近柵極2的位置，來進(jìn)行制作。此外，代表例中的輔助共用電極布線3的配置位置只是單純的一個(gè)例子，只要在 鄰接的2根柵極布線2之間，可在任何位置。(第3變形例)圖7為示出第3變形例的上述圖2所對(duì)應(yīng)的俯視圖。另外，圖8(a)為圖7所示的 A-A'剖視圖，圖8(b)為圖7所示的B-B’剖視圖。第3變形例中，在上述代表例的構(gòu)成的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步如圖7所示，將輔助共用電 極布線3平行于源極布線8a在像素區(qū)域的外周部(無效區(qū)域)延伸。即，將輔助共用電極 布線3平行于源極布線8a在共用電極9的周邊部(外周部)延伸。即，如圖7所示，將輔 助共用電極布線3的平面形狀做成H型。由于圖8(a)的A-A’剖面不通過第3變形例的特征部分，因此與圖2(a)相同。如 圖8(b)的B-B’剖面所示，在像素區(qū)域中的靠源極布線8a的無效區(qū)域(液晶不動(dòng)的區(qū)域及 產(chǎn)生液晶疇的區(qū)域)，將輔助共用電極布線3設(shè)置于絕緣性基板1上。因而，相比代表例沒 有增加工序，可對(duì)無效區(qū)域進(jìn)行遮光，從而可得到高顯示品質(zhì)。該第3變形例在上述工序1 中，可通過將輔助共用電極布線3平行于源極布線8a形成在靠源極布線8a的無效區(qū)域，來 進(jìn)行制作。 進(jìn)一步也可設(shè)置成，將輔助共用電極布線3平行于源極布線8a在像素區(qū)域的外周 部延伸，并且將其平行于柵極布線2在像素區(qū)域的外周部延伸，從而包圍像素區(qū)域的外周 部。即，也可將共用電極布線3在像素區(qū)域設(shè)置成環(huán)形。(第4變形例)圖9為示出第4變形例的上述圖2所對(duì)應(yīng)的俯視圖。另外，圖10(a)為圖9所示 的A-A’剖視圖，圖10(b)為圖9所示的B-B’剖視圖。第4變形例中，如圖9、圖10(a)及圖10(b)所示，在共用電極9的周邊部(外周 部)，設(shè)置與源極8a及漏極10的上層設(shè)置的金屬層21相同的金屬層，作為用于遮住液晶疇 的遮光膜(包圍共用電極的外周而設(shè)置的金屬層)25。再進(jìn)一步，如圖9所示，也可將遮光 膜25設(shè)置成使其覆蓋共用電極布線8b的整個(gè)表面。此外，此處遮光膜25所使用的金屬層 并不一定限定于具有作為遮光膜的功能的金屬層。即，所謂遮光的功能只是單純的一個(gè)例 子。上述工序7中，可通過在除去金屬膜時(shí)、不全部除去形成共用電極9的地方所對(duì)應(yīng) 的金屬膜，而在共用電極9的周邊部保留金屬膜來形成該遮光膜25。根據(jù)上述構(gòu)成，可使共用電極9的周邊具有遮光的功能，并且通過在共用電極9及 輔助共用電極布線3設(shè)置由低電阻的金屬層構(gòu)成的遮光膜25，可力圖減小共用電極9及輔 助共用電極布線3的電阻。(第5變形例)圖11為示出第5變形例的對(duì)應(yīng)于上述圖2的俯視圖。另外，圖12為圖11所示的 A-A'剖視圖。圖13為圖11所示的C部、即共用電極9和輔助共用電極布線3的交叉部的 放大圖，圖14為圖13所示的B-B’剖視圖。如圖11所示，第5變形例所示的像素電極13在共用電極9和輔助共用電極布線3相互交叉的部分中斷，在該交叉的部分設(shè)置與像素電 極13隔開的接觸電極焊盤17。接觸電極焊盤17將共用電極9和輔助共用電極布線3相互 電連接。圖13所示的參照標(biāo)號(hào)16表示共用電極9的開口部。即，第5變形例中，如圖12 及圖14所示，在共用電極9和輔助共用電極布線3的交叉部設(shè)置開口部。再進(jìn)一步，由圖 12及圖14可知，層間絕緣膜11及柵極絕緣膜4在設(shè)置接觸電極焊盤17的位置被挖通。上述代表例中，在柵極絕緣膜4設(shè)置接觸孔5，從而將共用電極9和輔助共用電極 布線3電連接。與此不同的是，第5變形例中，如圖12及圖14所示，設(shè)置與共用電極9和 輔助共用電極布線3的雙方連接的接觸電極焊盤17。即，利用接觸電極焊盤17將共用電極 9和輔助共用電極布線3相互連接。沿著層間絕緣膜11形成接觸電極焊盤17，該接觸電極焊盤17的一端與共用電極 9連接，并且另一端與輔助共用電極布線3連接。由此，如圖14的虛線所示，輔助共用電極 布線3與共用電極9電連接。上述接觸電極焊盤17可在形成像素電極13的同時(shí)形成，此 外，雖然此處接觸電極焊盤17在源極布線8a延伸的方向連接共用電極9和輔助共用電極 布線3，但這只是單純的一個(gè)例子，例如也可在柵極布線2延伸的方向連接共用電極9和輔 助共用電極布線3。另外，對(duì)于將共用電極9的開口部16及接觸電極焊盤17的構(gòu)成做成如圖12 · 14 所示的構(gòu)成的理由，下面使用附圖進(jìn)行說明。上述代表例中，對(duì)于有源矩陣基板的制作需要6張掩膜工藝。與此不同的是，根據(jù) 該第5變形例，可實(shí)現(xiàn)5張掩膜工藝。該理由是由于省去了用于形成接觸孔5的光刻工序， 可在對(duì)層間絕緣膜11進(jìn)行光刻、圖案形成時(shí)同時(shí)形成接觸孔5。接著，對(duì)圖12所示的有源矩陣基板的制造方法進(jìn)行說明。(工序1)首先，如圖15(a)所示，利用濺射法在絕緣性基板1上形成250nm左右的Ti/Al/ Ti等膜，利用光刻法相互隔開地形成柵極2及輔助共用電極布線3。此外，該工序1中，使 用第1張掩膜。(工序2)接著，利用等離子體CVD(化學(xué)氣相沉積chemical vapor exposition)法按 300nm左右的柵極絕緣膜(氮化硅；SiNx) 4、150nm左右的a_Si層6、50nm左右的n+_Si層7 的順序連續(xù)形成3層膜。成膜后，如圖15(b)所示，利用光刻法，使柵極2及輔助共用電極 布線3所對(duì)應(yīng)的位置形成島狀圖案。此外，該時(shí)刻還未形成TFT18的溝道部。此外，該工序 2中，使用第2張掩膜。(工序3)接著，利用濺射法連續(xù)在下層形成由ITO構(gòu)成的IOOnm左右的透明導(dǎo)電膜，在上層 形成150nm左右的Mo/Al/MoN等金屬層膜。成膜后，如圖15 (c)所示，利用網(wǎng)目曝光法，形成 感光膠14，該感光膠14使同時(shí)除去透明導(dǎo)電膜及金屬層的區(qū)域的感光膠的殘膜量為Onm， 使同時(shí)保留透明導(dǎo)電膜及金屬層的第1區(qū)域(形成源極8a的區(qū)域及形成漏極10的區(qū)域) 的殘膜量為約3000nm，使僅保留透明導(dǎo)電膜的第2區(qū)域(形成共用電極9的區(qū)域)的殘膜 量為約lOOOnm。此外，此處雖未圖示，但通過該工序，也在形成共用電極布線8b的區(qū)域形成殘膜量約為3000nm的感光膠14。此外，該工序3中，使用第3張掩膜。(工序4)接著，利用濕法刻蝕，該濕法刻蝕采用使用磷酸-鹽酸-硝酸系的刻蝕液的濕法刻 蝕液，刻蝕上述金屬層，然后利用使用氯化鐵系的刻蝕劑的濕法刻蝕，刻蝕透明導(dǎo)電膜，如 圖15(d)所示，形成源極8a及漏極10。另外，通過該工序，可形成下層為透明導(dǎo)電膜(ITO) 19、上層為金屬層21的2層結(jié) 構(gòu)的源極8a及漏極10。還可同時(shí)形成共用電極9。此外，此處雖未圖示，但通過該工序，還可形成共用電極布線Sb。(工序5)接著，利用干法刻蝕，該干法刻蝕使用包含O2的氣體，如圖15(e)所示，將設(shè)置于 形成共用電極9的區(qū)域的感光膠14除去。(工序6)接著，如圖15(f)所示，利用使用磷酸-鹽酸-硝酸系的刻蝕液的濕法刻蝕除去形 成共用電極9的區(qū)域的金屬膜，接著，利用干法刻蝕，該干法刻蝕使用包含SF6的氣體，形成 由a-Si層6和n+-Si層7構(gòu)成的溝道部。由此，可對(duì)每1個(gè)像素形成開關(guān)元件的TFT18。(工序7)接著，利用干法刻蝕，該干法刻蝕使用包含O2的氣體，如圖15(g)所示，將形成源 極8a、共用電極布線Sb、及漏極10的區(qū)域的感光膠除去。此外，此處雖未圖示，但通過該工 序，還可同時(shí)除去形成共用電極布線8b的區(qū)域的感光膠。(工序8)接著，利用等離子體CVD法，如圖15(h)所示，形成150nm 650nm左右的氮化硅 膜作為層間絕緣膜11，為形成接觸孔5及接觸孔12、以及柵極布線2及源極布線8a的布線 引出端子焊盤部(未圖示)，利用光刻法將該層間絕緣膜11刻蝕成預(yù)定的圖案。同時(shí)，將層 間絕緣膜11作為掩膜，干法刻蝕柵極絕緣膜4，使接觸孔5達(dá)到輔助共用電極布線3。此外，該工序中，使用第4張掩膜。(工序 9)接著，如圖15(i)所示，在層間絕緣膜11上，利用濺射法形成由ITO構(gòu)成的IOOnm 左右的透明導(dǎo)電膜，利用光刻法將像素電極13及用于相互電連接共用電極9和輔助共用電 極布線3的接觸電極焊盤17刻蝕成預(yù)定的圖案。通過以上工序，可形成如圖12所示的有 源矩陣基板。此外，該工序中，使用第5張掩膜。如上所述，該第5變形例中，可用5張掩膜來制造有源矩陣基板。接著，對(duì)于5張掩膜和6張掩膜各自的情況，進(jìn)一步使用附圖進(jìn)行說明。圖16 (a) 圖16 (e)為示出6張掩膜的情況的有源矩陣基板的接觸孔5的部分的 制造過程的剖視圖，圖16(f) 圖16 (j)為示出圖16(a) 圖16(e)的各圖的俯視的圖解。第1張掩膜，如圖16(a)所示，為形成輔助共用電極布線3而使用。2張掩膜在未 圖示的半導(dǎo)體層的光刻法中使用。第3張掩膜，如圖16(b)所示，為形成接觸孔5而使用。 第4張掩膜，如圖16(c)所示，為形成共用電極9而使用。第5張掩膜，如圖16(d)所示，為 形成層間絕緣膜11的圖案而使用。第6張掩膜，如圖16(e)所示，為形成像素電極13而使 用。
另一方面，圖17 (a) 圖17(e)為示出5張掩膜的情況的有源矩陣基板的接觸孔5 的部分的制造過程的剖視圖，圖17(f) 圖17(j)為示出圖17(a) 圖17(e)的各圖的俯 視的圖解。第1張掩膜，如圖17(a)所示，為形成輔助共用電極布線3而使用。2張掩膜在未 圖示的半導(dǎo)體層的光刻法中使用。第3張掩膜，如圖17 (b)所示，為形成共用電極9的開 口部16而使用。第4張掩膜，如圖17(c)所示，為形成層間絕緣膜11而使用。此處，如圖 17 (d)所示，通過將層間絕緣膜11作為掩膜并干法刻蝕柵極絕緣膜2，而形成達(dá)到輔助共用 電極布線3的接觸孔5。因此，圖17(d)中不需要新的掩膜。第5張掩膜，如圖17(e)所示， 為形成像素電極13、及用于相互電連接共用電極和輔助共用電極布線3的接觸電極焊盤17 而使用。此外，圖17(d)中，用虛線所示的箭頭表示輔助共用電極布線3和共用電極9的電 連接的流向。接著，對(duì)于第5變形例中，如圖12所示，設(shè)置不規(guī)則的接觸孔5的理由進(jìn)行說明。 為說明該理由，分別對(duì)本實(shí)施方式的第5變形例的2個(gè)比較例使用附圖進(jìn)行說明。圖18(a)及圖18(b)示出比較例，對(duì)于將共用電極9的開口部16做得比接觸孔5 的開口要大的情況，圖18(a)示出俯視圖，圖18(b)示出圖18(a)的B_B’剖視圖。該比較例的情況下，如圖18(b)所示，雖然接觸電極焊盤17可與輔助共用電極布 線3相互電連接，但接觸電極焊盤17不能與共用電極9相互電連接。由于是顯然的，因此 省略理由。同樣地，圖19(a)及圖19(b)示出比較例，對(duì)于將共用電極9的開口部16做得比 接觸孔的開口要小的情況，圖19(a)示出俯視圖、圖19(b)示出圖19(a)的B_B’剖視圖。該比較例的情況下，如圖19(b)所示，雖然接觸電極焊盤17可與共用電極9相互 電連接，但不能與輔助共用電極布線3相互電連接。其理由為，將層間絕緣膜11作為掩膜 并干法刻蝕柵極絕緣膜4、從而使接觸孔5達(dá)到輔助共用電極布線3時(shí)，由于共用電極9由 ITO等材料形成，因此不進(jìn)行干法刻蝕，其結(jié)果，由于柵極絕緣膜4變?yōu)榈瑰F形、即帽檐狀， 因此接觸電極焊盤17斷開。根據(jù)這些比較例，本實(shí)施方式的第5變形例中的有源矩陣基板其構(gòu)成為，接觸電 極焊盤17可與共用電極9和輔助共用電極布線3的雙方進(jìn)行電連接。即，其構(gòu)成為將上述 2個(gè)比較例的任一構(gòu)成都進(jìn)行采用。進(jìn)一步換言之，接觸電極焊盤17在接觸孔5的外緣的 外側(cè)的端部側(cè)與輔助共用電極布線3連接，并且與共用電極9中的接觸孔5的外緣的內(nèi)側(cè) 的端部側(cè)連接。此外，通常的6張掩膜工藝中，為在形成源極、漏極前形成用于電連接共用電極9 和輔助共用電極布線3的接觸孔5，增加一次光刻工序。5張掩膜中，在形成源極、漏極前不 進(jìn)行形成上述接觸孔5的光刻工序，在共用電極9的一部分預(yù)先設(shè)置開口部(用于之后將 接觸孔5貫通到最下層的輔助共用電極布線3)，在對(duì)層間絕緣膜11進(jìn)行光刻、圖案形成時(shí) 同時(shí)形成接觸孔5，在接下來形成像素電極13時(shí)形成將共用電極9和輔助共用電極布線3 進(jìn)行電連接的接觸電極焊盤17，以此可使用5張掩膜。另外，權(quán)利要求1所述的構(gòu)成中(無 輔助共用電極布線)，即使不施行上述那樣的工序，也為5張掩膜工藝。這是由于原本就不 存在形成上述源極、漏極前的接觸孔5的光刻、圖案形成工序。(第6變形例)
上述代表例中，將像素電極13做成直梳齒形狀。與此不同的是，第6變形例中，對(duì) 像素電極13的形狀加以變形。例如，如圖20(a)所示，也可將像素電極13做成V字形使其中心位于像素區(qū)域中 的源極布線8a的中央，如圖20 (b)所示，也可將像素電極13做成V字形使其中心來到像素 區(qū)域中的柵極布線2的中央。此外，本變形例中，在擔(dān)心產(chǎn)生液晶疇的區(qū)域的共用電極9上 保留源極8a的上層的金屬層21。S卩，如圖20(a)及圖20(b)所示，在共用電極9的一部分 設(shè)置金屬層21 (圖中虛線部)。通過將像素電極13做成這樣的形狀，可實(shí)現(xiàn)由多疇所得到的寬視角。如上所述，本發(fā)明所涉及的有源矩陣基板為具有絕緣性基板；相互交叉配置于該 絕緣性基板上的視頻信號(hào)線及掃描信號(hào)線；及配置于這些信號(hào)線的交點(diǎn)的具備柵極電極、 源極電極和漏極電極而構(gòu)成的薄膜晶體管的有源矩陣基板，作為源極電極及漏極電極的下 層使用而形成的透明電極層，在由相互鄰接的視頻信號(hào)線和相互鄰接的掃描信號(hào)線所包圍 的像素區(qū)域作為共用電極來使用，并且作為平行于上述視頻信號(hào)線而連接相互鄰接的上述 共用電極所形成的共用電極布線來使用。因而，可提供一種減小由電阻所造成的信號(hào)延遲及由寄生電容所造成的信號(hào)延遲 的有源矩陣基板。發(fā)明的詳細(xì)說明項(xiàng)中所完成的具體實(shí)施方式
或?qū)嵤├?，始終是闡明本發(fā)明的技術(shù) 內(nèi)容的說明，不應(yīng)僅限定于這樣的具體例而狹義地進(jìn)行解釋，在本發(fā)明的精神及如上所述 的權(quán)利要求的范圍內(nèi)，可作各種更改來進(jìn)行實(shí)施。工業(yè)上的實(shí)用性本發(fā)明可適用于液晶顯示裝置，特別能夠適用于特大型的電視機(jī)等。
權(quán)利要求
1.一種有源矩陣基板，具有絕緣性基板；相互交叉配置于該絕緣性基板上的視頻信號(hào)線及掃描信號(hào)線；及配置于這些信號(hào)線的交點(diǎn)的具備柵極電極、源極電極和漏極電極而構(gòu)成的薄膜晶體 管，其特征在于，作為源極電極及漏極電極的下層使用而形成的透明電極層，在由相互鄰接的視頻信號(hào) 線和相互鄰接的掃描信號(hào)線所包圍的像素區(qū)域作為共用電極來使用，并且作為平行于所述 視頻信號(hào)線而連接相互鄰接的所述共用電極所形成的共用電極布線來使用。
2.如權(quán)利要求1所述的有源矩陣基板，其特征在于，用于形成所述柵極電極而形成的 金屬膜，作為平行于所述掃描信號(hào)線而形成的輔助共用電極布線來使用，該輔助共用電極 布線與所述共用電極通過接觸孔電連接。
3.如權(quán)利要求2所述的有源矩陣基板，其特征在于，所述共用電極包括在所述接觸孔 的外緣的外側(cè)及內(nèi)側(cè)分別具有端部的開口部，具有接觸電極焊盤，該接觸電極焊盤在所述共用電極中的所述接觸孔的外緣的外側(cè)的 端部側(cè)與所述輔助共用電極布線相連接，并且與所述共用電極中的所述接觸孔的外緣的內(nèi) 側(cè)的端部側(cè)相連接。
4.如權(quán)利要求3所述的有源矩陣基板，其特征在于，在所述像素區(qū)域設(shè)置像素電極，所 述接觸電極焊盤利用與該像素電極相同的材料及相同的制造工序而形成。
5.如權(quán)利要求2至4的任一項(xiàng)所述的有源矩陣基板，其特征在于，所述輔助共用電極布 線設(shè)置在鄰接的所述掃描信號(hào)線的大約中間附近。
6.如權(quán)利要求2至4的任一項(xiàng)所述的有源矩陣基板，其特征在于，所述輔助共用電極布 線設(shè)置在鄰接的所述掃描信號(hào)線的一側(cè)的掃描信號(hào)線的附近。
7.如權(quán)利要求2至4的任一項(xiàng)所述的有源矩陣基板，其特征在于，所述輔助共用電極布 線在所述共用電極的外周部平行于所述視頻信號(hào)線而延伸。
8.如權(quán)利要求7所述的有源矩陣基板，其特征在于，所述輔助共用電極布線在所述共 用電極的外周部進(jìn)一步也平行于所述掃描信號(hào)線而延伸。
9.如權(quán)利要求1至4的任一項(xiàng)所述的有源矩陣基板，其特征在于，設(shè)置作為所述源極電 極及所述漏極電極的上層使用而層疊的金屬層，使其包圍所述共用電極的外周。
10.如權(quán)利要求9所述的有源矩陣基板，其特征在于，用以包圍所述共用電極的外周而 設(shè)置的金屬層，也形成在形成共用電極布線的部分。
11.如權(quán)利要求1至4的任一項(xiàng)所述的有源矩陣基板，其特征在于，在所述共用電極布 線和所述掃描信號(hào)線的交叉部上設(shè)置金屬層。
12.如權(quán)利要求1至4的任一項(xiàng)所述的有源矩陣基板，其特征在于，具備至少具有由無 機(jī)膜所構(gòu)成的層和由低介電常數(shù)有機(jī)材料所構(gòu)成的層的2層的層間絕緣膜。
13.一種液晶顯示裝置，其特征在于，具備權(quán)利要求1至4的任一項(xiàng)所述的有源矩陣基板。
全文摘要
本發(fā)明為具有絕緣性基板(1)；相互正交配置于絕緣性基板(1)上的柵極布線(2)及源極布線(8a)；及配置于這些信號(hào)線(2)·(8a)的交點(diǎn)并由柵極(2)、源極電極(8a)和漏極電極(10)所構(gòu)成的TFT(18)的有源矩陣基板，作為源極(8a)及漏極(10)的下層使用而形成的透明導(dǎo)電膜(19)，在由相互鄰接的源極布線(8a)和相互鄰接的柵極布線(2)所包圍的像素區(qū)域作為共用電極(9)來使用，并且作為平行于源極布線(8a)而連接相互鄰接的共用電極(9)所形成的共用電極布線(8b)來使用。由此，本發(fā)明提供一種減小由電阻所造成的信號(hào)延遲及由寄生電容所造成的信號(hào)延遲的有源矩陣基板。
文檔編號(hào)H01L27/12GK102096251SQ20101053619
公開日2011年6月15日 申請(qǐng)日期2007年5月8日 優(yōu)先權(quán)日2006年9月27日
發(fā)明者村井淳人 申請(qǐng)人:夏普株式會(huì)社