專利名稱：發(fā)光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般來說涉及一種發(fā)光裝置，且更具體來說，涉及一種利用桿體結(jié)構(gòu)來改進(jìn)光提取效率的發(fā)光裝置。在本發(fā)明的描述中引用并論述了一些參考文獻(xiàn)，其可包含專利、專利申請(qǐng)案和各種公開文獻(xiàn)。提供這些參考文獻(xiàn)的引用和/或論述僅以闡明本發(fā)明的描述，并不承認(rèn)任何此類參考文獻(xiàn)為本文中所描述的本發(fā)明的“現(xiàn)有技術(shù)”。在本說明書中所引用并論述的所有參考文獻(xiàn)的全文以引用的方式并入本文中，且在如同每一參考文獻(xiàn)個(gè)別地以引用的方式并入本文中的相同程度上并入本文中。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(LED)已普遍用于具有極大亮度的照明。LED通常包含多層結(jié)構(gòu)，包括 P型半導(dǎo)體、η型半導(dǎo)體和夾在P型半導(dǎo)體與η型半導(dǎo)體之間的有源層；P電極和η電極，其置放在多層結(jié)構(gòu)的表面上。在操作中，將電流從P電極和η電極注入到LED中，所述電流擴(kuò)展至各自半導(dǎo)體層中。當(dāng)電流跨越有源層流動(dòng)時(shí)，由于在有源層處少數(shù)載流子的重組而產(chǎn)生光。通常，從有源層所產(chǎn)生的光會(huì)反射到不同的角度，借此使光提取效率降級(jí)。為了改進(jìn)光提取效率，通常使用在光射出的表面上形成的微結(jié)構(gòu)來減少光反射。 然而，通常通過光刻和/或蝕刻形成微結(jié)構(gòu)，此情形不可避免地增加制造的復(fù)雜性和成本。 另一方面，當(dāng)從有源層所產(chǎn)生的光透射到金屬ρ電極和/或η電極時(shí)，大多數(shù)透射光可在其中被吸收，此情形降低光發(fā)射效率。因此，在此技術(shù)中有需要去解決前述的至今仍未解決的缺點(diǎn)和不足。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種利用桿體結(jié)構(gòu)來改進(jìn)光提取效率的發(fā)光
直ο在一方面中，本發(fā)明涉及一種發(fā)光裝置。在實(shí)施例中，所述發(fā)光裝置包含襯底； 緩沖層，形成在所述襯底上；第一型半導(dǎo)體層，形成在所述緩沖層上；有源層，形成在所述第一型半導(dǎo)體層上，使得所述第一型半導(dǎo)體層具有暴露區(qū)域；第二型半導(dǎo)體層，形成在所述有源層上；接觸層，形成在所述第二型半導(dǎo)體層上；桿體結(jié)構(gòu)，形成在所述接觸層和所述第一型半導(dǎo)體層的所述暴露區(qū)域中的至少一者上；第二型電極，形成在所述接觸層上；以及第一型電極，形成在所述第一型半導(dǎo)體層的所述暴露區(qū)域上。所述有源層包括多量子阱 (MQff)。在實(shí)施例中，所述緩沖層由未摻雜InAKiaN形成。所述第一型半導(dǎo)體層由η型 InAlGaN形成，且所述第二型半導(dǎo)體層由ρ型IniUGaN形成。在實(shí)施例中，所述發(fā)光裝置可進(jìn)一步包含未摻雜InAKiaN層，形成在所述緩沖層上。所述第一型半導(dǎo)體層形成在所述未摻雜InMGaN層上。所述接觸層由透明導(dǎo)電氧化物形成，所述透明導(dǎo)電氧化物包含IT0、ai0、AZ0、GZ0、In2O3> SnO2或其組合。所述桿體結(jié)構(gòu)由透明材料形成。在實(shí)施例中，所述透明材料包括透明導(dǎo)電氧化物， 其包含IT0、ai0、AZ0、GZ0、h203、Sr^2或其組合。在另一實(shí)施例中，所述透明材料包括SiN、 SiO2, TiO2, Al2O3 或其組合。所述桿體結(jié)構(gòu)通過化學(xué)氣相沉積、蒸發(fā)、濺射沉積、水熱沉積、光刻、蝕刻或熱氧化的制程形成。在實(shí)施例中，所述桿體結(jié)構(gòu)通過包括蒸發(fā)或?yàn)R射的所述制程而在約25°C到 400°C的范圍內(nèi)的溫度下且在約Osccm到IOsccm的范圍內(nèi)的氧流動(dòng)速率下形成。在實(shí)施例中，所述桿體結(jié)構(gòu)包括彼此隔開的多個(gè)桿體。所述多個(gè)桿體的平均間距在約IOnm到IOOOnm的范圍內(nèi)、平均直徑在約IOnm到IOOOnm的范圍內(nèi)，并且平均高度在約 IOnm到2000nm的范圍內(nèi)。在實(shí)施例中，所述多個(gè)桿體形成為分別環(huán)繞所述第二型電極和所述第一型電極。在另一實(shí)施例中，所述多個(gè)桿體以所要圖案形成在所述接觸層中。在又一實(shí)施例中，所述多個(gè)桿體形成在所述第一型半導(dǎo)體層的所述暴露區(qū)域中。在另外實(shí)施例中，所述多個(gè)桿體形成在所述第一型半導(dǎo)體層的所述暴露區(qū)域中且形成為環(huán)繞所述第一型電極。在另一方面中，本發(fā)明涉及一種發(fā)光裝置。在實(shí)施例中，所述發(fā)光裝置包含襯底，具有相對(duì)的第一表面和第二表面；緩沖層，形成在所述襯底的所述第二表面上；分布布拉格反射器(Distributed Bragg Reflector, DBR)層，形成在所述緩沖層上；第一型半導(dǎo)體層，形成在所述DBR層上；有源層，形成在所述第一型半導(dǎo)體層上；第二型半導(dǎo)體層，形成在所述有源層上；光提取層，形成在所述第二型半導(dǎo)體層上；接觸層，形成在所述光提取層上；桿體結(jié)構(gòu)，形成在所述接觸層的一部分上；第一型電極，形成在所述襯底的所述第一表面上；以及第二型電極，形成在所述接觸層上。在實(shí)施例中，所述第一型半導(dǎo)體層由η型InMGaP形成，且所述第二型半導(dǎo)體層由 P型InMGaP形成。所述有源層包括MQW。所述接觸層由ITO的第二型半導(dǎo)體和AuBe的半導(dǎo)體形成。所述桿體結(jié)構(gòu)由透明材料形成。在實(shí)施例中，所述透明材料包括透明導(dǎo)電氧化物， 其包含IT0、ai0、AZ0、GZ0、h203、Sr^2或其組合。在另一實(shí)施例中，所述透明材料包括SiN、 SiO2, TiO2, Al2O3 或其組合。所述桿體結(jié)構(gòu)通過化學(xué)氣相沉積(CVD)、蒸發(fā)、濺射沉積、水熱沉積、光刻、蝕刻或熱氧化的制程形成。在實(shí)施例中，所述桿體結(jié)構(gòu)通過包括蒸發(fā)或?yàn)R射的所述制程而在約 25°C到400°C的范圍內(nèi)的溫度下且在約Osccm到IOsccm的范圍內(nèi)的氧流動(dòng)速率下形成。在實(shí)施例中，所述桿體結(jié)構(gòu)包括彼此隔開的多個(gè)桿體。所述多個(gè)桿體的平均間距在約IOnm到IOOOnm的范圍內(nèi)、平均直徑在約IOnm到IOOOnm的范圍內(nèi)，并且平均高度在約 IOnm到2000nm的范圍內(nèi)。在實(shí)施例中，所述多個(gè)桿體形成為環(huán)繞所述第二型電極。在另一實(shí)施例中，所述多個(gè)桿體以所要圖案形成在所述接觸層的所述部分上。在又一方面中，本發(fā)明涉及一種發(fā)光裝置。在實(shí)施例中，所述發(fā)光裝置包含襯底；接合層，形成在所述襯底上；反射器，形成在所述接合層上；透明導(dǎo)電層，形成在所述反射器上；第二型半導(dǎo)體層，形成在所述透明導(dǎo)電層上；有源層，形成在所述第二型半導(dǎo)體層上；第一型半導(dǎo)體層，形成在所述有源層上；桿體結(jié)構(gòu)，形成在所述第一型半導(dǎo)體層上 ’第一型電極，電耦合到所述第一型半導(dǎo)體層；以及第二型電極，形成在額外襯底上且電耦合到所述第二型半導(dǎo)體層。在實(shí)施例中，所述發(fā)光裝置進(jìn)一步包含歐姆接觸層，形成在所述反射器與所述透明導(dǎo)電層之間。所述發(fā)光裝置亦可包含透明導(dǎo)電氮氧化物層，形成在第一型半導(dǎo)體層上，且所述第一型電極形成在所述透明導(dǎo)電氮氧化物層上。在實(shí)施例中，所述第一型半導(dǎo)體層由η型InAKiaN形成，且其中所述第二型半導(dǎo)體層由ρ型IniUGaN形成。所述有源層包括MQW。所述桿體結(jié)構(gòu)由透明材料形成。在實(shí)施例中，所述透明材料包括透明導(dǎo)電氧化物， 其包含IT0、ai0、AZ0、GZ0、h203、Sr^2或其組合。在另一實(shí)施例中，所述透明材料包括SiN、 SiO2, TiO2, Al2O3 或其組合。所述桿體結(jié)構(gòu)通過化學(xué)氣相沉積(CVD)、蒸發(fā)、濺射沉積、水熱沉積、光刻、蝕刻或熱氧化的制程形成。在實(shí)施例中，所述桿體結(jié)構(gòu)通過包括蒸發(fā)或?yàn)R射的所述制程而在約 25°C到400°C的范圍內(nèi)的溫度下且在約Osccm到IOsccm的范圍內(nèi)的氧流動(dòng)速率下形成。在實(shí)施例中，所述桿體結(jié)構(gòu)包括彼此隔開的多個(gè)桿體。所述多個(gè)桿體的平均間距在約IOnm到IOOOnm的范圍內(nèi)、平均直徑在約IOnm到IOOOnm的范圍內(nèi)，并且平均高度在約 IOnm到2000nm的范圍內(nèi)。在實(shí)施例中，所述多個(gè)桿體形成為環(huán)繞所述第一型電極。在另一實(shí)施例中，所述多個(gè)桿體以所要圖案形成在所述透明導(dǎo)電氮氧化物層中。在另外方面中，本發(fā)明涉及一種發(fā)光裝置。在實(shí)施例中，所述發(fā)光裝置包含襯底；接合層，形成在所述襯底上；歐姆接觸層，形成在所述接合層上；第二型半導(dǎo)體層，形成在所述歐姆接觸層上；有源層，形成在所述第二型半導(dǎo)體層上，使得所述第二型半導(dǎo)體層具有暴露區(qū)域；第一型半導(dǎo)體層，形成在所述有源層上；接觸層，形成在所述第一型半導(dǎo)體層上；桿體結(jié)構(gòu)，形成在所述第二型半導(dǎo)體層的所述暴露區(qū)域和所述接觸層中的至少一者上； 第一型電極，形成在所述接觸層上；以及第二型電極，形成在所述第二型半導(dǎo)體層的所述暴露區(qū)域上且通過導(dǎo)通孔(via)而電連接到所述歐姆接觸層。所述接觸層由透明導(dǎo)電氧化物形成。所述桿體結(jié)構(gòu)由透明材料形成。在實(shí)施例中，所述透明材料包括透明導(dǎo)電氧化物， 其包含IT0、ai0、AZ0、GZ0、h203、Sr^2或其組合。在另一實(shí)施例中，所述透明材料包括SiN、 SiO2, TiO2, Al2O3 或其組合。所述桿體結(jié)構(gòu)通過化學(xué)氣相沉積(CVD)、蒸發(fā)、濺射沉積、水熱沉積、光刻、蝕刻或熱氧化的制程形成。在實(shí)施例中，所述桿體結(jié)構(gòu)通過包括蒸發(fā)或?yàn)R射的所述制程而在約 25°C到400°C的范圍內(nèi)的溫度下且在約Osccm到IOsccm的范圍內(nèi)的氧流動(dòng)速率下形成。在實(shí)施例中，所述桿體結(jié)構(gòu)包括彼此隔開的多個(gè)桿體。所述多個(gè)桿體的平均間距在約IOnm到IOOOnm的范圍內(nèi)、平均直徑在約IOnm到IOOOnm的范圍內(nèi)，并且平均高度在約 IOnm到2000nm的范圍內(nèi)。在實(shí)施例中，所述多個(gè)桿體形成為分別環(huán)繞所述第二型電極和所述第一型電極。 在另一實(shí)施例中，所述多個(gè)桿體形成在所述接觸層中。在又一實(shí)施例中，所述多個(gè)桿體形成在所述第一型半導(dǎo)體層的所述暴露區(qū)域中。在替代實(shí)施例中，所述多個(gè)桿體形成在所述第一型半導(dǎo)體層的所述暴露區(qū)域中且形成為環(huán)繞所述第一型電極。
在又一方面中，本發(fā)明涉及一種發(fā)光裝置。在實(shí)施例中，所述發(fā)光裝置包含外延層，具有形成在襯底上的多個(gè)半導(dǎo)體層；第一電極和第二電極，具有彼此相反的極性，且分別電耦合到所述外延層的對(duì)應(yīng)半導(dǎo)體層；以及桿體結(jié)構(gòu)，形成在所述外延層上。在實(shí)施例中，所述外延層包含緩沖層，由InMGaN形成在所述襯底上；第一型半導(dǎo)體層，由η型InMGaN形成在所述緩沖層上；有源層，具有MQW，所述有源層形成在所述第一型半導(dǎo)體層上；以及第二型半導(dǎo)體層，由P型InAKiaN形成在所述有源層上，其中所述第一型半導(dǎo)體層具有暴露區(qū)域且未由所述有源層和所述第二型半導(dǎo)體層覆蓋。所述發(fā)光裝置亦包含接觸層，所述接觸層由透明導(dǎo)電氧化物形成在所述第二型半導(dǎo)體層上。所述第一電極為形成在所述第一型半導(dǎo)體層的所述暴露區(qū)域上的η電極，且所述第二電極為形成在所述接觸層上的P電極。所述桿體結(jié)構(gòu)形成在所述接觸層和所述第一型半導(dǎo)體層的所述暴露區(qū)域中的至少一者上。在另一實(shí)施例中，所述外延層包含緩沖層，形成在所述襯底上；分布布拉格反射器(DBR)層，形成在所述緩沖層上；第一型半導(dǎo)體層，由η型InMGaP形成在所述DBR層上；有源層，具有MQW，所述有源層形成在所述第一型半導(dǎo)體層上；第二型半導(dǎo)體層，由ρ型 InAlGaP形成在所述有源層上；以及光提取層，由InMGaP形成在所述第二型半導(dǎo)體層上。所述發(fā)光裝置進(jìn)一步包含接觸層，所述接觸層由ITO的第二型半導(dǎo)體和AuBe的半導(dǎo)體形成在所述光提取層上。所述第一電極為形成在所述襯底上的η電極，且所述第二電極為形成在所述接觸層上的P電極。所述桿體結(jié)構(gòu)形成在所述接觸層的一部分上。在又一實(shí)施例中，所述外延層包含第一型半導(dǎo)體層，由η型GaN形成；第二型半導(dǎo)體層，由P型GaN形成；以及有源層，具有MQW，所述有源層形成在所述第一型半導(dǎo)體層與所述第二型半導(dǎo)體層之間。所述發(fā)光裝置亦可具有接合層，形成在所述襯底上；反射器，形成在所述接合層上；以及透明導(dǎo)電層，形成在所述反射器上，其中由P型GaN形成的所述第二型半導(dǎo)體層形成在所述透明導(dǎo)電層上。所述桿體結(jié)構(gòu)形成在所述第一型半導(dǎo)體層上。在替代實(shí)施例中，所述外延層包含第一型半導(dǎo)體層，由η型InMGaP形成；第二型半導(dǎo)體層，由P型InMGaP形成；以及有源層，具有MQW，所述有源層形成在所述第一型半導(dǎo)體層與所述第二型半導(dǎo)體層之間，其中所述第二型半導(dǎo)體層具有暴露區(qū)域且未由所述有源層和所述第一型半導(dǎo)體層覆蓋。所述發(fā)光裝置進(jìn)一步具有接觸層，所述接觸層由透明導(dǎo)電氧化物形成在所述第一型半導(dǎo)體層上。所述第一電極為形成在所述接觸層上的η電極，且所述第二電極為形成在所述第二型半導(dǎo)體層的所述暴露區(qū)域上且通過導(dǎo)通孔而電連接到所述歐姆接觸層的P電極。所述桿體結(jié)構(gòu)形成在所述第二型半導(dǎo)體層的所述暴露區(qū)域和所述接觸層中的至少一者上。所述桿體結(jié)構(gòu)由透明材料形成。在實(shí)施例中，所述透明材料包括透明導(dǎo)電氧化物， 其包含IT0、ai0、AZ0、GZ0、h203、Sr^2或其組合。在另一實(shí)施例中，所述透明材料包括SiN、 SiO2, TiO2, Al2O3 或其組合。所述桿體結(jié)構(gòu)通過化學(xué)氣相沉積(CVD)、蒸發(fā)、濺射沉積、水熱沉積、光刻、蝕刻或熱氧化的制程形成。在實(shí)施例中，所述桿體結(jié)構(gòu)通過包括蒸發(fā)或?yàn)R射的所述制程而在約 25°C到400°C的范圍內(nèi)的溫度下且在約Osccm到IOsccm的范圍內(nèi)的氧流動(dòng)速率下形成。
在實(shí)施例中，所述桿體結(jié)構(gòu)包括彼此隔開的多個(gè)桿體。所述多個(gè)桿體的平均間距在約IOnm到IOOOnm的范圍內(nèi)、平均直徑在約IOnm到IOOOnm的范圍內(nèi)，并且平均高度在約 IOnm到2000nm的范圍內(nèi)。本發(fā)明的這些和其它方面將從結(jié)合以下附圖所采取的優(yōu)選實(shí)施例的以下描述變得顯而易見，但可在不脫離本發(fā)明的新穎概念的精神和范圍的情況下實(shí)現(xiàn)其中的變化和修改。本發(fā)明的有益效果是本發(fā)明通過設(shè)置有多個(gè)半導(dǎo)體層的外延層和形成在外延層上的桿體結(jié)構(gòu)，改進(jìn)了發(fā)光裝置的光提取效率。


圖1示意性地展示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的發(fā)光裝置的橫截面圖；圖2示意性地展示圖1所示發(fā)光裝置的俯視圖；圖3示意性地展示根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的發(fā)光裝置的橫截面圖；圖4示意性地展示圖3所示發(fā)光裝置的俯視圖；圖5示意性地展示根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施例的發(fā)光裝置的橫截面圖；圖6示意性地展示圖5所示發(fā)光裝置的俯視圖；圖7示意性地展示根據(jù)本發(fā)明的替代實(shí)施例的發(fā)光裝置的橫截面圖；圖8示意性地展示圖7所示發(fā)光裝置的俯視圖；圖9示意性地展示圖1所示的發(fā)光裝置的制造制程(a)；圖10示意性地展示圖1所示的發(fā)光裝置的制造制程(b)；圖11示意性地展示圖1所示的發(fā)光裝置的制造制程(C)；圖12示意性地展示圖1所示的發(fā)光裝置的制造制程(d)；圖13示意性地展示圖1所示的發(fā)光裝置的制造制程(e)；圖14示意性地展示圖1所示的發(fā)光裝置的制造制程(f)；圖15示意性地展示圖1所示的發(fā)光裝置的制造制程(g)；圖16示意性地展示圖1所示的發(fā)光裝置的制造制程(h)；圖17示意性地展示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的發(fā)光裝置；圖18示意性地展示圖17所示的發(fā)光裝置的制造制程(a)；圖19示意性地展示圖17所示的發(fā)光裝置的制造制程(b)；圖20示意性地展示圖17所示的發(fā)光裝置的制造制程(c)；圖21示意性地展示圖17所示的發(fā)光裝置的制造制程(d)；圖22示意性地展示圖17所示的發(fā)光裝置的制造制程(e)；圖23示意性地展示圖17所示的發(fā)光裝置的制造制程(f)；圖M示意性地展示圖17所示的發(fā)光裝置的制造制程(g)；圖25示意性地展示圖17所示的發(fā)光裝置的制造制程(h)；圖沈示意性地展示根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的發(fā)光裝置；圖27示意性地展示圖沈所示的發(fā)光裝置的制造制程(a)；圖觀示意性地展示圖沈所示的發(fā)光裝置的制造制程(b)；圖四示意性地展示根據(jù)本發(fā)明的另外實(shí)施例的發(fā)光裝置；
圖30示意性地展示圖四所示的發(fā)光裝置的制造制程(a)；以及圖31示意性地展示圖四所示的發(fā)光裝置的制造制程(b)。
具體實(shí)施例方式

本發(fā)明的一個(gè)或一個(gè)以上實(shí)施例，且附圖與書面描述一起用來解釋本發(fā)明的原理。在可能時(shí)，貫穿所述圖式使用相同附圖標(biāo)記來指代實(shí)施例的相同或相似元件?，F(xiàn)將在下文中參看展示本發(fā)明的實(shí)施例的附圖來更充分地描述本發(fā)明。然而，本發(fā)明可以許多不同形式加以體現(xiàn)，且不應(yīng)被解釋為限于本文中所闡述的實(shí)施例。相反地，提供這些實(shí)施例以使得本發(fā)明將透徹且完整的，且將向所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員充分地傳達(dá)本發(fā)明的范圍。相同附圖標(biāo)記始終指代相似元件。本文中參考橫截面說明來描述具體實(shí)施時(shí)的實(shí)施例，橫截面說明是具體實(shí)施時(shí)的實(shí)施例的理想化實(shí)施例(和中間結(jié)構(gòu))的示意性說明。因而，應(yīng)預(yù)料到存在相對(duì)于所述說明的形狀的變化，例如由于制造技術(shù)和/或容差而存在相對(duì)于所述說明的形狀的變化。因此，具體實(shí)施時(shí)的實(shí)施例不應(yīng)被解釋為限于本文中所說明的形狀，而是將包含形狀的偏差， 例如由制造引起的形狀的偏差。舉例來說，被說明為矩形的植入?yún)^(qū)將通常具有圓形或彎曲特征和/或在其邊緣處的植入濃度梯度，而非從植入?yún)^(qū)到非植入?yún)^(qū)的二元改變。同樣地，通過植入形成的內(nèi)埋區(qū)可在所述內(nèi)埋區(qū)與進(jìn)行所述植入所通過的表面之間的區(qū)中導(dǎo)致某種植入。因此，諸圖所說明的區(qū)本質(zhì)上為示意性的，且其形狀不希望說明裝置的區(qū)的實(shí)際形狀且不希望限制具體實(shí)施時(shí)的實(shí)施例的范圍。應(yīng)理解，當(dāng)一元件或?qū)颖环Q為“在另一元件或?qū)由稀薄ⅰ斑B接到另一元件或?qū)印?、“耦合到另一元件或?qū)印被颉案采w另一元件或?qū)印睍r(shí)，其可直接在另一元件或?qū)由?、連接到另一元件或?qū)?、耦合到另一元件或?qū)踊蚋采w另一元件或?qū)樱蚩纱嬖诮槿朐驅(qū)?。相反地，?dāng)元件被稱為“直接在另一元件上”時(shí)，不存在介入元件。如本文中所使用，術(shù)語“和/或”包含關(guān)聯(lián)列出項(xiàng)目中的一者或一者以上的任何和所有組合。應(yīng)理解，盡管本文中可使用術(shù)語“第一”、“第二”、“第三”等等來描述各種元件、組件、區(qū)、層和/或區(qū)段，但這些元件、組件、區(qū)、層和/或區(qū)段不應(yīng)受這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅用以區(qū)分一元件、組件、區(qū)、層或區(qū)段與另一元件、組件、區(qū)、層或區(qū)段。因此，在不脫離本發(fā)明的教示的情況下，可將下文所論述的第一元件、組件、區(qū)、層或區(qū)段稱為第二元件、組件、區(qū)、層或區(qū)段。本文中所使用的術(shù)語僅出于描述特定實(shí)施例的目的，且不希望限制本發(fā)明。如本文中所使用，除非上下文另有清晰指示，否則單數(shù)形式“一”和“所述”也包含復(fù)數(shù)形式。應(yīng)進(jìn)一步理解，術(shù)語“包括”或“包含”或“具有”在用于本說明書中時(shí)指定所敘述的特征、區(qū)、 整數(shù)、步驟、操作、元件和/或組件的存在，但不排除一個(gè)或一個(gè)以上其它特征、區(qū)、整數(shù)、步驟、操作、元件、組件和/或其群組的存在或添加。此外，本文中可使用例如“下部”或“底部”和“上部”或“頂部”的相對(duì)術(shù)語來描述如諸圖所說明的一元件與另一元件的關(guān)系。應(yīng)理解，除了諸圖所描繪的定向以外，相對(duì)術(shù)語希望還包含裝置的不同定向。舉例來說，如果翻轉(zhuǎn)諸圖中的一者中的裝置，那么被描述為在其它元件“下部”側(cè)的元件接著將定向在其它元件的“上部”側(cè)。因此，取決于所述圖的特定定向，例示性術(shù)語“下部”可包含“下部”和“上部”兩種定向。類似地，如果翻轉(zhuǎn)諸圖中的一者中的裝置，那么被描述為在其它元件“下方”或“之下”的元件接著將定向在其它元件“上方”。因此，例示性術(shù)語“下方”或“之下”可涵蓋上方和下方兩種定向。除非另外定義，否則本文中所使用的所有術(shù)語(包含技術(shù)和科學(xué)術(shù)語)具有與所屬領(lǐng)域技術(shù)人員通常所理解的含義相同的含義。應(yīng)進(jìn)一步理解，術(shù)語(例如常用辭典中所定義的術(shù)語)應(yīng)被解釋為具有與其在相關(guān)技術(shù)和本發(fā)明的內(nèi)容背景中的含義一致的含義， 且不應(yīng)在理想化或過度形式化的意義上加以解釋，除非本文中明確地如此定義。如本文中所使用，術(shù)語“層”指代薄片或薄膜。如本文中所使用，術(shù)語“電極”為由一種或一種以上導(dǎo)電材料形成的導(dǎo)電層或膜。如本文中所使用，術(shù)語“歐姆接觸”指代半導(dǎo)體裝置的區(qū)，所述區(qū)已被制備成使得所述裝置的電流-電壓曲線為線性且對(duì)稱的。將結(jié)合圖1至圖31的附圖來描述本發(fā)明的實(shí)施例。根據(jù)本發(fā)明的目的(如本文中所體現(xiàn)和廣泛地所描述)，在一方面中，本發(fā)明涉及一種發(fā)光裝置。圖1至圖8展示根據(jù)本發(fā)明的藍(lán)光水平式發(fā)光裝置的各種實(shí)施例，且圖9至圖16 展示制造所述發(fā)光裝置的制程。參看圖1、圖2和圖9至圖16，發(fā)光裝置100包含外延層 101、接觸層160、桿體結(jié)構(gòu)170、第一型電極180和第二型電極190。外延層101包含緩沖層 120、第一型半導(dǎo)體層130、有源層140和第二型半導(dǎo)體層150。在發(fā)光裝置100的制造中，提供襯底110，如圖9所示。襯底110可通過任何已知或以后開發(fā)的襯底材料(例如藍(lán)寶石(即，A1203)、碳化硅(SiC)、硅，或砷化鎵(GaAs))形成。接著將外延層101形成在襯底100上，如圖10至圖12所示。由于在襯底110與半導(dǎo)體材料之間發(fā)生品格失配，所以需要將至少一個(gè)緩沖層120形成在襯底110上。具體來說， 通過將緩沖層120形成在襯底110上、將第一型半導(dǎo)體層130形成在緩沖層120上、將有源層140形成在第一型半導(dǎo)體層130上且接著將第二型半導(dǎo)體層150形成在有源層140上來形成外延層101，如圖10至圖12所示。在實(shí)施例中，緩沖層120由未摻雜AlN形成。緩沖層120可形成為包含GaNUnGaN、 AlGaN或A1N。第一型半導(dǎo)體層130由η型InAlGaN形成。第二型半導(dǎo)體層150由ρ型 InAKiaN形成。有源層140包括具有MQW的一個(gè)或一個(gè)以上層。亦可利用其它半導(dǎo)體來實(shí)踐本發(fā)明。接下來，將蝕刻制程或其它切割制程中的一者應(yīng)用在外延層101以蝕刻掉在外圍區(qū)中的外延層101的第二型半導(dǎo)體層150和有源層140，以便暴露其中的第一型半導(dǎo)體層 130，如圖13所示。因此，第一型半導(dǎo)體層130的暴露區(qū)域132未由有源層140和第二型半導(dǎo)體層150覆蓋。接著，將透明導(dǎo)電氧化物(例如IT0、ai0、AZ0、GZ0、h203、Sr^2或其類似者)沉積在第二型半導(dǎo)體層150上以在其上形成接觸層160，如圖14所示。隨后將桿體結(jié)構(gòu)170形成在透明導(dǎo)電層160和/或第一型半導(dǎo)體層130的暴露區(qū)域132上，如圖15所示。另外，第一型電極180為形成在η型半導(dǎo)體層130的暴露區(qū)域132上的η電極，且第二型電極190為形成在透明導(dǎo)電層160上的ρ電極，如圖16所示。根據(jù)本發(fā)明，桿體結(jié)構(gòu)170由透明材料形成。透明材料包含例如ΙΤ0、ZnO, ΑΖ0、 GZO、h203、SnO2或其類似者的透明導(dǎo)電氧化物。另外，透明材料可為SiN、Si02、Ti02、Al2O3或其類似者。桿體結(jié)構(gòu)170可通過化學(xué)氣相沉積(CVD)、蒸發(fā)、濺射沉積、水熱沉積、光刻、蝕刻、 熱氧化或其類似者的制程形成。舉例來說，形成桿體結(jié)構(gòu)170的透明導(dǎo)電氧化物可通過包括蒸發(fā)或?yàn)R射的制程而在約25°C到400°C的范圍內(nèi)的溫度下且在約Osccm到IOsccm的范圍內(nèi)的氧流動(dòng)速率下獲得。或者，桿體結(jié)構(gòu)170可通過光刻和蝕刻通過CVD(化學(xué)氣相沉積)、氣相沉積、濺射或熱氧化形成的透明材料獲得。桿體結(jié)構(gòu)170包含彼此隔開的多個(gè)桿體171和172。多個(gè)桿體171和172具有在約IOnm到IOOOnm的范圍內(nèi)的平均間距、在約IOnm到IOOOnm的范圍內(nèi)的平均直徑以及在約IOnm到2000nm的范圍內(nèi)的平均高度。如圖1和圖2所示，桿體171形成在透明導(dǎo)電層 160上且環(huán)繞ρ電極190，而桿體172形成在η型半導(dǎo)體層130的暴露區(qū)域132上且環(huán)繞η 電極180。圖3和圖4展示根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的發(fā)光裝置100Α，其類似于圖1和圖2 所示的發(fā)光裝置100，不同之處在于桿體結(jié)構(gòu)170包含形成在η型半導(dǎo)體層130的暴露區(qū)域 132上的多個(gè)桿體172和173。桿體172部分地環(huán)繞η電極180，而桿體173沿著η型半導(dǎo)體層130的外圍暴露區(qū)域132排列。參看圖5和圖6，展示藍(lán)光水平式發(fā)光裝置100Β的替代實(shí)施例。發(fā)光裝置100Β類似于圖1和圖2所示的發(fā)光裝置100，不同之處在于桿體結(jié)構(gòu)170包含形成在透明導(dǎo)電層 160上的多個(gè)桿體174。例如，桿體174以具有平行行的特定圖案布置。圖7和圖8展示藍(lán)光水平式發(fā)光裝置100C的另一實(shí)施例。發(fā)光裝置100C類似于圖5和圖6所示的發(fā)光裝置100Β，不同之處在于每四個(gè)桿體175以正方形圖案分組且各正方形在透明導(dǎo)電層160中以對(duì)稱圖案規(guī)則地布置。參看圖17，展示根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的垂直式發(fā)光裝置600。發(fā)光裝置600包含形成在襯底610上的外延層601。外延層601具有依序地堆疊在一起的緩沖層620、分布布拉格反射器(DBR)層625、第一型半導(dǎo)體層630、有源層640、第二型半導(dǎo)體層650和光提取層655。發(fā)光裝置600亦包含形成在光提取層655上的接觸層660、形成在光提取層655 上的桿體結(jié)構(gòu)670、形成在襯底610的第一表面611上的第一型電極680以及形成在接觸層 660上的第二型電極690。圖18至圖25中展示發(fā)光裝置600的制造制程。首先，提供導(dǎo)電襯底610，如圖18 所示。導(dǎo)電襯底610可通過任何已知或以后開發(fā)的襯底材料(例如SiC或GaAs)形成。接著將外延層601形成在襯底100上，如圖19至圖22所示。更具體來說，如下形成外延層 601 將緩沖層620形成在襯底610的頂部表面612上。接著，將分布布拉格反射器(DBR) 層625沉積在緩沖層620上。隨后，將第一型半導(dǎo)體層630形成在DBR層625上；將有源層 640形成在第一型半導(dǎo)體層630上；將第二型半導(dǎo)體層650形成在有源層640上；以及將光提取層655形成在第二型半導(dǎo)體層650上。在實(shí)例中，第一型半導(dǎo)體層由η型InAKiaP形成，且第二型半導(dǎo)體層由ρ型 InAlGaP形成。有源層包含具有MQW的多層結(jié)構(gòu)。緩沖層620形成為包含AlGaN、GaN、InGaN, AlGaN或A1N。光提取層655可由InAlGaP形成。接觸層660(例如)由ITO或AuBe形成在光提取層655上，且第二型電極690 (ρ 電極)形成在接觸層660上，如圖23所示。
接下來，將桿體結(jié)構(gòu)670形成在光提取層655上，如圖M所示。桿體結(jié)構(gòu)670包含彼此隔開的多個(gè)桿體。多個(gè)桿體670的平均間距在約IOnm到IOOOnm的范圍內(nèi)、平均直徑在約IOnm到IOOOnm的范圍內(nèi)，并且平均高度在約IOnm到2000nm的范圍內(nèi)。多個(gè)桿體 670形成為環(huán)繞ρ電極690，或以所要圖案形成在光提取層655上。多個(gè)桿體670由例如SiN, SiO2, TiO2, Al2O3的透明材料形成，或由包含ITO、ZnO, AZ0、GZ0、In203、Sr^2或其類似者的透明導(dǎo)電氧化物形成。桿體結(jié)構(gòu)670通過化學(xué)氣相沉積 (CVD)、蒸發(fā)、濺射沉積、水熱沉積、光刻、蝕刻或熱氧化的制程形成。舉例來說，桿體結(jié)構(gòu)670 通過包括蒸發(fā)或?yàn)R射的制程而在約25°C到400°C的范圍內(nèi)的溫度下且在約Osccm到IOsccm 的范圍內(nèi)的氧流動(dòng)速率下形成。接著將η電極680形成在襯底610的底部表面611上，如圖25所示。參看圖26、圖27和圖觀，分別展示根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施例的藍(lán)光垂直式發(fā)光裝置800及其制造制程。發(fā)光裝置800包含第二襯底810、形成在第二襯底810上的接合層 820、形成在接合層820上的反射器825、形成在反射器825上的透明導(dǎo)電層860，以及外延層801，其中外延層801具有形成在透明導(dǎo)電層860上的第二型半導(dǎo)體層850、提供在第二型半導(dǎo)體層850上的有源層840以及提供在有源層840上的第一型半導(dǎo)體層830。第一型半導(dǎo)體層830、第二型半導(dǎo)體層850和有源層840構(gòu)成外延層801。第一型半導(dǎo)體層830由η型IniUGaN形成。第二型半導(dǎo)體層850由ρ型IniUGaN形成。有源層 840 包括 MQW。在制造中，在圖27所示的實(shí)施例中，將多層外延結(jié)構(gòu)形成在第一襯底815上。將未摻雜GaN或未摻雜AlN的緩沖層865沉積在第一襯底815上。外延層801具有沉積在緩沖層865上的η型IniUGaN的第一型半導(dǎo)體層830、又沉積在第一型半導(dǎo)體層830上的有源層840，以及又沉積在有源層840上的ρ型InMGaN的第二型半導(dǎo)體層850。將透明導(dǎo)電層860形成在第二型半導(dǎo)體層850上。接著，將反射器825形成在透明導(dǎo)電層860上。在反射器825的頂部上，形成第一接合層820a。另外，提供第二襯底810，其具有用第二接合層820b涂覆的表面。第二襯底810由導(dǎo)電材料形成。下一制程使第二襯底810與多層外延結(jié)構(gòu)接合，使得第一接合層820a與第二接合層820b接合以形成接合層820。接著，通過激光剝離技術(shù)而從接合結(jié)構(gòu)移除第一襯底815以溶解緩沖層865，使得多層外延結(jié)構(gòu)從第一襯底815完全轉(zhuǎn)移到第二襯底810。另外，將通過蝕刻制程(例如ICP 蝕刻)移除在激光剝離制程之后剩余的緩沖層865。另外，桿體結(jié)構(gòu)870形成在第一型半導(dǎo)體層830上，第一型電極880電耦合到第一型半導(dǎo)體層830，且第二型電極890形成在第二襯底810的另一表面上且電耦合到第二型半導(dǎo)體層850，如圖觀所示。類似地，桿體結(jié)構(gòu)870包含彼此隔開的多個(gè)桿體，桿體結(jié)構(gòu)870通過化學(xué)氣相沉積 (CVD)、蒸發(fā)、濺射沉積、水熱沉積、光刻、蝕刻或熱氧化的制程形成。多個(gè)桿體870的平均間距在約IOnm到IOOOnm的范圍內(nèi)、平均直徑在約IOnm到IOOOnm的范圍內(nèi)，并且平均高度在約IOnm到2000nm的范圍內(nèi)?；蛘撸鄠€(gè)桿體870形成為環(huán)繞η電極880。圖四展示根據(jù)本發(fā)明的水平式發(fā)光裝置1000的實(shí)施例。如圖30圖和圖31所示，水平式發(fā)光裝置1000的制造制程類似于圖27和圖觀所示的發(fā)射裝置800的制造制程。 將多層外延結(jié)構(gòu)形成在第一襯底1015上，第一襯底1015接合到第二襯底1010，第二襯底 1010具有用接合層1020涂覆的表面。接著，通過移除第一襯底1015上的緩沖層1002而從接合結(jié)構(gòu)移除第一襯底1015，且將多層外延結(jié)構(gòu)從第一襯底1015完全轉(zhuǎn)移到第二襯底 1010。更具體來說，發(fā)光裝置1000包含襯底1010、形成在襯底1010上的接合層1020、 形成在接合層1020上的第二歐姆接觸層1025、形成在第二歐姆接觸層1025上的外延層 1001，以及在外延層1001上的第一歐姆接觸層1045。第一歐姆接觸層1045可由(例如) AuBe制成。外延層1001包含光提取層(窗口層)1027、形成在歐姆接觸層1025上的第二型半導(dǎo)體層1050、形成在第二型半導(dǎo)體層1050上的有源層1040，以及形成在有源層1040上的第一型半導(dǎo)體層1030。外延層1001可通過外延地且依序地在第二歐姆接觸層1025上生長(zhǎng)P型半導(dǎo)體(例如，由InMGaP形成的光提取層1027)、在光提取層1027上生長(zhǎng)ρ型 IniUGaP、在ρ型半導(dǎo)體上生長(zhǎng)MQW和在MQW上生長(zhǎng)η型半導(dǎo)體(即，η型IniUGaP)而形成。 外延層1001可通過其它制程形成。隨后，將蝕刻制程或其它切割制程中的一者應(yīng)用在外延層1001以蝕刻掉在外圍區(qū)中的外延層1001的第一歐姆接觸層1045、第一型半導(dǎo)體層1030和有源層1040，以便暴露其中的第二型半導(dǎo)體層1050。因此，第二型半導(dǎo)體層1050的暴露區(qū)域1052未由有源層 1040和第一型半導(dǎo)體層1030覆蓋。另外，導(dǎo)通孔1055亦通過蝕刻制程形成在暴露區(qū)域 1052上，導(dǎo)通孔1055穿過第二型半導(dǎo)體層1050、光提取層1027以到達(dá)歐姆接觸層1050的頂部表面。接著，將透明導(dǎo)電氧化物(例如IT0、ai0、AZ0、GZ0、h203、Sr^2或其類似者)沉積在第一型半導(dǎo)體層1030上以在其上形成透明導(dǎo)電層1060。接下來，將桿體結(jié)構(gòu)1070形成在第二型半導(dǎo)體層1050的暴露區(qū)域1052和透明導(dǎo)電層1060中的至少一者上。另外，第一型電極1080形成在透明導(dǎo)電層1060上，且第二型電極1030形成在第二型半導(dǎo)體層1050的暴露區(qū)域1052上且通過導(dǎo)通孔1055而電連接到歐姆接觸層1025。桿體結(jié)構(gòu)1070由包含SiN、SiO2, TiO2, Al2O的透明材料形成，或由例如ΙΤ0、SiO、 ΑΖ0、GZO、In203、SnO2或其類似者的透明導(dǎo)電氧化物形成。桿體結(jié)構(gòu)1070通過化學(xué)氣相沉積(CVD)、蒸發(fā)、濺射沉積、水熱沉積、光刻、蝕刻或熱氧化的制程形成。舉例來說，桿體結(jié)構(gòu) 1070可通過蒸發(fā)制程而在約25°C到400°C的范圍內(nèi)的溫度下且在約Osccm到IOsccm的范圍內(nèi)的氧流動(dòng)速率下形成。桿體結(jié)構(gòu)1070包含彼此隔開的多個(gè)桿體1071和1072。多個(gè)桿體1071和1072的平均間距在約IOnm到IOOOnm的范圍內(nèi)、平均直徑在約IOnm到IOOOnm的范圍內(nèi)，并且平均高度在約IOnm到2000nm的范圍內(nèi)。如圖四所示，桿體1071形成在透明導(dǎo)電層1060上且環(huán)繞η電極1080，而桿體1072形成在ρ型半導(dǎo)體層1050的暴露區(qū)域1052上且環(huán)繞ρ電極 1090。簡(jiǎn)單來說，本發(fā)明尤其敘述一種發(fā)光裝置，所述發(fā)光裝置具有有多個(gè)半導(dǎo)體層的外延層和形成在所述外延層上的桿體結(jié)構(gòu)以改進(jìn)光提取效率。
以僅出于說明和描述的目的而呈現(xiàn)本發(fā)明的例示性實(shí)施例的前述描述，且前述描述不希望為詳盡的或?qū)⒈景l(fā)明限于所揭示的精確形式。根據(jù)以上教示，許多修改和變化是可能的。選擇和描述所述實(shí)施例，以便解釋本發(fā)明的原理及其實(shí)際應(yīng)用，以便激勵(lì)其它所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員利用本發(fā)明和各種實(shí)施例，且通過適于所預(yù)期的特定用途的各種修改來利用本發(fā)明。在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，替代實(shí)施例對(duì)于所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將變得顯而易見。因此，本發(fā)明的范圍通過隨附權(quán)利要求書界定，而非通過前述描述和在其中所描述的例示性實(shí)施例界定。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光裝置，其特征在于其包括 襯底；緩沖層，形成在所述襯底上； 第一型半導(dǎo)體層，形成在所述緩沖層上；有源層，形成在所述第一型半導(dǎo)體層上，使得所述第一型半導(dǎo)體層具有暴露區(qū)域； 第二型半導(dǎo)體層，形成在所述有源層上； 接觸層，形成在所述第二型半導(dǎo)體層上；桿體結(jié)構(gòu)，形成在所述接觸層和所述第一型半導(dǎo)體層的所述暴露區(qū)域中的至少一者上；第二型電極，形成在所述接觸層上；以及第一型電極，形成在所述第一型半導(dǎo)體層的所述暴露區(qū)域上。
2.一種發(fā)光裝置，其特征在于其包括 襯底，具有相對(duì)的第一表面和第二表面；緩沖層，形成在所述襯底的所述第二表面上；分布布拉格反射器層，即DBR層，形成在所述緩沖層上；第一型半導(dǎo)體層，形成在所述DBR層上；有源層，形成在所述第一型半導(dǎo)體層上；第二型半導(dǎo)體層，形成在所述有源層上；光提取層，形成在所述第二型半導(dǎo)體層上；接觸層，形成在所述光提取層上；桿體結(jié)構(gòu)，形成在所述接觸層的一部分上；第一型電極，形成在所述襯底的所述第一表面上；以及第二型電極，形成在所述接觸層上。
3.一種發(fā)光裝置，其特征在于其包括 襯底；外延層，具有形成在所述襯底上的多個(gè)半導(dǎo)體層；第一電極和第二電極，具有彼此相反的極性，且分別電耦合到所述外延層的對(duì)應(yīng)半導(dǎo)體層；以及桿體結(jié)構(gòu)，形成在所述外延層上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的發(fā)光裝置，其特征在于其中所述外延層包括 緩沖層，形成在所述襯底上；第一型半導(dǎo)體層，由以η型GaN為基礎(chǔ)的材料形成在所述緩沖層上；有源層，形成在所述第一型半導(dǎo)體層上；以及第二型半導(dǎo)體層，由以ρ型GaN為基礎(chǔ)的材料形成在所述有源層上，其中所述第一型半導(dǎo)體層具有暴露區(qū)域且未由所述有源層和所述第二型半導(dǎo)體層覆至ΓΤΠ ο
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光裝置，其特征在于進(jìn)一步包括接觸層，所述接觸層由透明導(dǎo)電氧化物形成在所述第二型半導(dǎo)體層上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光裝置，其特征在于其中所述第一電極是形成在所述第一型半導(dǎo)體層的所述暴露區(qū)域上的η電極，且所述第二電極是形成在所述接觸層上的ρ電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光裝置，其特征在于其中所述桿體結(jié)構(gòu)形成在所述接觸層和所述第一型半導(dǎo)體層的所述暴露區(qū)域中的至少一者上。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光裝置，其特征在于其中所述桿體結(jié)構(gòu)形成為分別環(huán)繞所述第二電極和所述第一電極。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光裝置，其特征在于其中所述桿體結(jié)構(gòu)以所要圖案形成在所述接觸層中。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光裝置，其特征在于其中所述桿體結(jié)構(gòu)形成在所述第一型半導(dǎo)體層的所述暴露區(qū)域中且形成為環(huán)繞所述第一電極。
11.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光裝置，其特征在于其中所述外延層包括緩沖層，形成在所述襯底上；分布布拉格反射器層，即DBR層，形成在所述緩沖層上；第一型半導(dǎo)體層，由η型InMGaP形成在所述DBR層上；有源層，具有多量子阱，即MQW，所述有源層形成在所述第一型半導(dǎo)體層上；第二型半導(dǎo)體層，由ρ型InMGaP形成在所述有源層上；以及光提取層，由InMGaP形成在所述第二型半導(dǎo)體層上。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光裝置，其特征在于其進(jìn)一步包括接觸層，所述接觸層形成在所述光提取層上。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光裝置，其特征在于其中所述第一電極是形成在所述襯底上的η電極，且所述第二電極是形成在所述接觸層上的ρ電極。
14.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光裝置，其特征在于其中所述桿體結(jié)構(gòu)由透明材料形成。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的發(fā)光裝置，其特征在于其中所述透明材料包括透明導(dǎo)電氧化物，所述透明導(dǎo)電氧化物包含ΙΤ0、ZnO, ΑΖ0, GZO、In2O3> SnO2或其組合。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的發(fā)光裝置，其特征在于其中所述透明材料包括SiN、Si02、 TiO2^Al2O3或其組合。
17.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光裝置，其特征在于其中所述桿體結(jié)構(gòu)通過包括蒸發(fā)、 濺射沉積、水熱沉積、光刻、蝕刻或熱氧化的制程形成。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的發(fā)光裝置，其特征在于其中所述桿體結(jié)構(gòu)通過包括蒸發(fā)或?yàn)R射的所述制程而在25°C到400°C的范圍內(nèi)的溫度下且在Osccm到IOsccm的范圍內(nèi)的氧流動(dòng)速率下形成。
19.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光裝置，其特征在于其中所述桿體結(jié)構(gòu)包括彼此隔開的多個(gè)桿體。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的發(fā)光裝置，其特征在于其中所述多個(gè)桿體的平均間距在 IOnm到IOOOnm的范圍內(nèi)、平均直徑在IOnm到IOOOnm的范圍內(nèi)，平均高度在IOnm到2000nm 的范圍內(nèi)。
全文摘要
在本發(fā)明的一個(gè)方面中，一種發(fā)光裝置包含外延層，具有形成在襯底上的多個(gè)半導(dǎo)體層；第一電極和第二電極，具有彼此相反的極性，且分別電耦合到所述外延層的對(duì)應(yīng)半導(dǎo)體層；以及桿體結(jié)構(gòu)，形成在所述外延層上。所述桿體結(jié)構(gòu)包含彼此隔開的多個(gè)桿體。
文檔編號(hào)H01L33/44GK102403433SQ20101053812
公開日2012年4月4日 申請(qǐng)日期2010年11月8日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月7日
發(fā)明者余國輝, 盧宗宏, 朱長(zhǎng)信, 李孟信, 蔡明記 申請(qǐng)人:佛山市奇明光電有限公司, 奇力光電科技股份有限公司