專利名稱：用于制造電子部件的接觸區(qū)域的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于制造電子器件的襯底的至少一個(gè)局部接觸區(qū)域的方法，以用 于將該區(qū)域與連接器接觸，其中襯底在接觸側(cè)配備有由鋁構(gòu)成的或包含鋁的經(jīng)燒結(jié)的多孔層。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體制造中，尤其是太陽能電池生產(chǎn)中，出于制造費(fèi)用的原因在電池的前側(cè) 和背側(cè)上使用經(jīng)燒結(jié)的金屬接觸部。通常，在硅太陽能電池的背側(cè)上有大面積的鋁層，該鋁層通過熱處理在太陽能電 池制造期間受到燒結(jié)處理，由此同時(shí)通過所謂的背面場(chǎng)(Back-Surface-Field ;BSF)來提 供太陽能電池背側(cè)的鈍化。在燒結(jié)時(shí)，與要稱作第一層的硅襯底直接接觸的鋁層熔融在鋁層和硅襯底之間的 邊界面上并且與鄰接的第一層形成合金。在冷卻時(shí)，用Al高摻雜的硅層外延地在晶片—— 即襯底——的背側(cè)上硬化。與此同時(shí)，使富含硅的Al層在Al層上硬化，并且在冷卻過程結(jié) 束時(shí)使在用鋁高摻雜的層和富含硅的層之間的Al-Si共晶體硬化。用鋁高摻雜的外延生長(zhǎng) 的硅層負(fù)責(zé)使太陽能電池背側(cè)鈍化。通過高Al摻雜，在該層的半導(dǎo)體材料中形成過量的負(fù) 電的位置固定的Al受體，由這些Al受體產(chǎn)生抵制少數(shù)載流子的電場(chǎng)、即所謂的背面場(chǎng)。然而，當(dāng)鋁層在太陽能電池或襯底的整個(gè)背側(cè)上延伸時(shí)，存在焊接問題，因?yàn)椴⒉?容易實(shí)現(xiàn)例如將鍍錫的或未鍍錫的金屬連接器、尤其是銅連接器直接焊接在鋁背側(cè)上。盡 管如此為了實(shí)現(xiàn)所需的電接觸，通常通過絲網(wǎng)印刷、壓印或其他合適的印刷方法將銀接觸 印制導(dǎo)線或焊點(diǎn)直接施加到襯底表面上并且將鍍錫的銅帶焊接到襯底表面上。因此，在焊 接接觸部的區(qū)域中設(shè)置有鋁層的空缺，結(jié)果在該區(qū)域中不能形成背面場(chǎng)，使得太陽能電池 背側(cè)面不完全地電鈍化并且由此出現(xiàn)局部小的光電流。因?yàn)殂y作為原材料是昂貴的材料，所以要放棄銀以降低制造費(fèi)用。因此，希望的是 完全避免Ag接觸部。將接觸帶直接焊接在鋁層上由于多個(gè)原因而難以實(shí)現(xiàn)。一個(gè)原因在于Al顆粒的 氧化表面。另一原因是，鋁上側(cè)由于燒結(jié)工藝而未充分連貫地形成。這樣，在燒結(jié)工藝期間 在以Si摻雜的合金層之上形成由各球形燒結(jié)在一起的Al顆粒構(gòu)成的Al層(燒結(jié)層)，其 中不存在封閉的由鋁構(gòu)成的復(fù)合結(jié)構(gòu)而是存在比較疏松的經(jīng)燒結(jié)的由鋁構(gòu)成的復(fù)合結(jié)構(gòu)， 該復(fù)合結(jié)構(gòu)根據(jù)鋁糊的組分或在燒結(jié)時(shí)的工藝參數(shù)而或多或少是多孔的。盡管如此，然而如果要實(shí)現(xiàn)在燒結(jié)鋁層上焊接，由于多孔性并且由此引起的層的 不穩(wěn)定性則只會(huì)提供非常小的支持。該較小的支持表現(xiàn)在大約為2-8N的小的拉脫力，其中 燒結(jié)層本身被撕裂使得在撕裂部位的兩側(cè)上看到顆粒的球體結(jié)構(gòu)。同樣出現(xiàn)的是，在鋁層上的焊接連接受到在模塊中在工作條件下作用的拉力。可 能出現(xiàn)小的裂紋，這些裂紋可導(dǎo)致焊接部位的較低的耐久性并且也可導(dǎo)致更高的過渡電 阻，或者連接可作為整體而撕裂并且機(jī)械和電接觸部完全損毀。
在DE-A-10 2007 012 277中公知一種用于制造太陽能電池的方法。在方法步驟 中，鋁大面積地施加到半導(dǎo)體襯底的背側(cè)上并且進(jìn)入半導(dǎo)體襯底中形成合金。未進(jìn)入硅中 形成合金的鋁在蝕刻中步驟中至少部分地被去除。這需要工藝技術(shù)上的開銷，這在生產(chǎn)線 的范圍中對(duì)太陽能電池的制造有負(fù)面影響。EP-A-I 739 690涉及一種太陽能電池，其中在形成背面場(chǎng)之后以化學(xué)方式去除前 面形成的經(jīng)燒結(jié)的鋁層。為了制造太陽能電池上的導(dǎo)電接觸部，根據(jù)US-A-2003/0108664涂覆前體混合物 (Precursor-Mischung)。該前體混合物可以包含鋁。為了將材料燒結(jié)，可以使用脈沖式的
激光束。為了將電接觸部施加到半導(dǎo)體襯底上，DE-B-10 2006 040 352規(guī)定，借助激光束 對(duì)涂覆到半導(dǎo)體襯底上的金屬粉末進(jìn)行燒結(jié)。隨后將未燒結(jié)的材料去除。為了制造根據(jù)EP-A-2 003 699的金屬半導(dǎo)體接觸部，將可焊接的材料燒結(jié)到施 加到太陽能電池上的鋁燒結(jié)層中。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所基于的任務(wù)在于，改進(jìn)開頭所述類型的方法，使得提供可以以機(jī)械方式 保持的、可以電學(xué)方式完美連接、如焊接的接觸區(qū)域。與現(xiàn)有技術(shù)相比還要提供工藝技術(shù)上 的簡(jiǎn)化。根據(jù)本發(fā)明，該任務(wù)通過如下方式來解決在接觸區(qū)域中無觸碰地通過集中的電 磁輻射、優(yōu)選激光輻射來對(duì)經(jīng)燒結(jié)的多孔層進(jìn)行致密化和/或去除。尤其設(shè)置，對(duì)該區(qū)域施加以集中的電磁輻射、優(yōu)選激光輻射。根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)，令人驚訝地展現(xiàn)出，通過施加以集中的電磁輻射、優(yōu)選激光輻 射并且由此進(jìn)行的對(duì)經(jīng)燒結(jié)的多孔層的材料的局部致密化或去除可以形成如下接觸區(qū)域 所述能夠借助已知的連接技術(shù)、如超聲焊接來實(shí)現(xiàn)機(jī)械上穩(wěn)定的布線。在此，通過經(jīng)燒結(jié)的 多孔鋁層提供如下優(yōu)點(diǎn)所述經(jīng)燒結(jié)的多孔鋁層可以在一定范圍內(nèi)被致密化使得產(chǎn)生具有 突出的機(jī)械粘附性的耐刮傷的鋁表面。因此不必例如以掩膜技術(shù)直接在襯底上形成由不同 于鋁的材料構(gòu)成的焊接接觸部，使得因此避免了在作為部件的太陽能電池中普遍存在的如 下缺點(diǎn)在接觸部的區(qū)域中背面場(chǎng)被中斷。通過致密化形成了在機(jī)械上比由相同材料構(gòu)成的多孔層更為穩(wěn)定的區(qū)域。尤其設(shè)置，經(jīng)燒結(jié)的多孔層被施加以波長(zhǎng)λ的集中的電磁輻射，其中 200nm ^ λ ^ llOOOnm。優(yōu)選地，為了無觸碰地將多孔層的區(qū)域致密化或去除，使用激光器，該激光器發(fā)射 IR輻射，IR輻射的波長(zhǎng)大于等于800nm、優(yōu)選λ彡lOOOnm、尤其是λ = 1064nm、尤其是在 近紅外范圍中。優(yōu)選使用固體激光器，如NchYVO4激光器或者Nd:YAG激光器。在此，尤其 優(yōu)選發(fā)出具有波長(zhǎng)λ為λ = 1064nm的激光輻射的固體激光器。在構(gòu)造接觸區(qū)域時(shí)，激光器以脈沖工作方式或者以Q開關(guān)工作方式工作。為了在 限定區(qū)域內(nèi)使能量聚束并且為了避免熱點(diǎn)，還設(shè)置，在對(duì)背電極層進(jìn)行結(jié)構(gòu)化時(shí)激光束具 有大禮帽狀的射束輪廓。為了影響射束輪廓可替換地或者補(bǔ)充地設(shè)置，在激光器和襯底之間布置射束變換設(shè)備如折射或衍射光學(xué)裝置或者光圈。尤其是，要使用如下波長(zhǎng)的激光輻射，在該波長(zhǎng)的情況下多孔層的光學(xué)吸收為至 少0.5%，尤其是為至少10%。要使用如下波長(zhǎng)，該波長(zhǎng)在經(jīng)燒結(jié)的多孔層中被吸收用于加熱該多孔層，使得在 被施加的激光輻射的區(qū)域中層材料蒸發(fā)以形成接觸區(qū)域。代替激光輻射可以使用通過任意的無觸碰的輻射能量——如通過透鏡或鏡匯聚 的任意波長(zhǎng)的光——形成的熱能量。補(bǔ)充地，應(yīng)將術(shù)語“致密化”理解為對(duì)層材料或原料的處理，以實(shí)現(xiàn)密度提高至少 10%并最高100%。密度的100%的提高意味著層或?qū)拥膮^(qū)域通過能量輸入而完全熔融并 且因此產(chǎn)生本身例如結(jié)晶的層，該層不再具有多孔性，即具有100%的密度。應(yīng)將“去除”理解為對(duì)經(jīng)燒結(jié)的多孔層的處理，通過該處理將將燒結(jié)的多孔層部 分或者完全去除。部分去除基本上應(yīng)包含將燒結(jié)的多孔層的原始層厚度的至少10%被去 除。完全去除意味著，在處理之后在襯底上、更確切地說在其中要進(jìn)行接觸的區(qū)域中沒有原 始的層的多孔部分區(qū)域留下。在太陽能電池的情況下這意味著剝蝕多孔層直至在燒結(jié)時(shí)形 成的Al-Si共晶體。根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)目的在于，對(duì)層進(jìn)行處理使得提供合適的粘附基礎(chǔ)，在該粘附 基礎(chǔ)上可以焊接或可以將能夠焊接的層可以施加到該粘附基礎(chǔ)上。在此所述層可以是例如錫層。焊接當(dāng)然可以通過其他能夠?qū)崿F(xiàn)材料決定的連接的連接方式——如焊接或者粘 合——來替代。致密化或完全或部分再融化也包括完全或部分相轉(zhuǎn)換，使得形成不同的合金或合 金濃度。尤其是，根據(jù)本發(fā)明的方法在太陽能電池作為電子部件的情況下被使用，該電子 部件包含由半導(dǎo)體材料構(gòu)成的第一層作為襯底、在第一層上延伸的第二層作為由鋁構(gòu)成或 包含鋁的經(jīng)燒結(jié)的多孔層、至少兩個(gè)在第一層和第二層之間延伸的由第一層和第二層的材 料形成的中間層——其中朝向第二層的第一中間層可以包含由第一層和第二層的材料構(gòu) 成的共晶混合物、以及與第一層形成導(dǎo)電連接并且從第二層出發(fā)或通過將第二層的材料無 觸碰地致密化和/或去除而形成的導(dǎo)電接觸區(qū)域，其中在將接觸區(qū)域中的多孔層的材料致 密化和/或去除之后，將該接觸區(qū)域與連接器尤其是通過焊接、如超聲焊接導(dǎo)電地連接。


本發(fā)明的其他細(xì)節(jié)、優(yōu)點(diǎn)和特征不僅從權(quán)利要求、可從權(quán)利要求中獲得的特征 (本身和/或組合地)中得到，而且也從以下要從附圖中獲得的優(yōu)選實(shí)施例的描述中得到。其中圖1示出半導(dǎo)體器件的原理圖，圖2示出根據(jù)第一實(shí)施形式在對(duì)半導(dǎo)體器件處理之后的半導(dǎo)體器件的原理圖，圖3示出根據(jù)第二實(shí)施形式在對(duì)半導(dǎo)體器件處理之后的半導(dǎo)體器件的原理圖，圖4示出根據(jù)第三實(shí)施形式在對(duì)半導(dǎo)體器件處理之后的半導(dǎo)體器件的原理圖，圖5示出根據(jù)第四實(shí)施形式在對(duì)半導(dǎo)體器件處理之后的半導(dǎo)體器件的原理圖，
圖6示出根據(jù)第五實(shí)施形式在對(duì)半導(dǎo)體器件處理之后的半導(dǎo)體器件的原理圖。
具體實(shí)施例方式從這些附圖中純粹在原理上可以獲得半導(dǎo)體器件的截面，該半導(dǎo)體器件在下面由 于簡(jiǎn)化的原因被稱作太陽能電池。在此示出由硅構(gòu)成的襯底10，即半導(dǎo)體材料層一以下 也稱半導(dǎo)體層，在該襯底上或在其前側(cè)上可以以慣常方式涂覆半導(dǎo)電的層以用于形成Pn 結(jié)以及前接觸部并且必要時(shí)形成鈍化層。然而只要參考如太陽能電池的半導(dǎo)體器件的充分 已知的結(jié)構(gòu)或構(gòu)造，而不必詳細(xì)地闡述。在被稱作第一層的半導(dǎo)體層10上，例如借助絲網(wǎng)印刷、壓印、熱噴鍍來施加由鋁 構(gòu)成或包含鋁的層。以下將該層稱作鋁層或僅稱作層。該層在制造太陽能電池時(shí)被燒結(jié)， 由此得出外部的鋁燒結(jié)層12作為第二層。在鋁燒結(jié)層12和硅襯底10之間，在制造時(shí)構(gòu)造 有形成背面場(chǎng)的以鋁摻雜的硅層14和以硅摻雜的具有Al-Si共晶體18的鋁層16。然而就 此而言同樣參照充分已知的現(xiàn)有技術(shù)。以硅摻雜的鋁層16稱作第一中間層，并且以鋁摻雜 的硅層稱作第二中間層14。由于燒結(jié)工藝，外部的或由鋁構(gòu)成的第二層12是多孔的并且因此具有多個(gè)空腔。對(duì)于包括共晶體18在內(nèi)的中間層14、16和層10、12要注意的是，這些層在繪圖上 純粹以原理示出，而并不反映實(shí)際的尺寸。為了能夠?qū)⒂糜诮佑|的連接器——如銅連接器——焊接到稱作第二層的鋁燒結(jié) 層12上，在燒結(jié)層12中構(gòu)造接觸區(qū)域20，該接觸區(qū)域根據(jù)本發(fā)明尤其是通過將位于層12 的其中形成接觸區(qū)域12的區(qū)域中的鋁材料借助于集中的電磁輻射無觸碰地致密化或去除 來實(shí)現(xiàn)。為了無觸碰地致密化或去除，可以使用固體激光器——如Nd YVO4激光器，即作為 基質(zhì)晶體具有釩酸釔的激光器?；|(zhì)晶體也可以是釔鋁石榴石(YAG)，使得使用Nd: YAG固 體激光器。為了摻雜，優(yōu)選使用釹，使得提供波長(zhǎng)為1064nm的固體激光器。必要時(shí)，也可以 使用鉺以及鐿或其他元素來對(duì)激光器進(jìn)行摻雜。釹摻雜的釩酸釔激光器(Nd:YV04激光器) 或釹摻雜的YAG(Nd:YAG激光器)是特別優(yōu)選的。為了使激光輻射具有所希望的輪廓，在光路中可以布置用于光圈的射束擴(kuò)展的光 學(xué)設(shè)備或者光學(xué)射束變換系統(tǒng)，如折射或衍射光學(xué)裝置。通過相關(guān)的措施可以在多孔鋁層12中有目的地形成接觸區(qū)域20，該接觸區(qū)域能 夠借助已知的例如超聲焊接的連接技術(shù)來實(shí)現(xiàn)機(jī)械上穩(wěn)定的布線。尤其是，施加集中的電 磁輻射達(dá)到如下程度使得產(chǎn)生由鋁層構(gòu)成的接觸區(qū)域，該接觸區(qū)域高致密化，部分致密化 或設(shè)置有在以前的多孔層的密度上的密度梯度(圖1、4、5)并且具有必要時(shí)耐刮傷的鋁表 面，該鋁表面導(dǎo)致良好的機(jī)械粘附。然而，當(dāng)在要構(gòu)造的接觸區(qū)域中第二層12的材料以及必要時(shí)包括層16和18在內(nèi) 或者也僅包括層16 (圖2、；3)在內(nèi)的材料完全蒸發(fā)并且因此直接在與外部的層12鄰接的中 間層16下進(jìn)行接觸時(shí)，也并不脫離本發(fā)明。根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)而得出的不同的可能性基本上可從圖2至6中獲得。在此根據(jù) 本發(fā)明的方法重新根據(jù)太陽能電池來闡述，使得針對(duì)相同的元件使用相同的附圖標(biāo)記。圖2和3要闡明的是為了提供接觸區(qū)域20，可以去除鋁燒結(jié)層12(圖2)或?qū)⒃撲X燒結(jié)層12與相鄰的以硅摻雜的鋁層16 —起去除(圖3)。圖4和5要在原理上示出在所希望的范圍內(nèi)可以進(jìn)行鋁燒結(jié)層12的致密化，以 便構(gòu)造接觸區(qū)域20，該接觸區(qū)域20具有所希望的機(jī)械穩(wěn)定性，以便進(jìn)行接觸。在此，根據(jù) 圖4的實(shí)施例，使具有不同密度的區(qū)域22、24中的燒結(jié)層12致密化。根據(jù)圖5的實(shí)施例， 使接觸區(qū)域2中的燒結(jié)層12逐漸從外向內(nèi)越來越致密。存在密度梯度。最后，也存在去除層——在該實(shí)施例中為鋁燒結(jié)層12——的區(qū)域并且使留下的部 分致密的可能性。相應(yīng)的區(qū)域在圖6中用附圖標(biāo)記沈(去除區(qū)域)和觀(致密化的區(qū)域) 表不。如果在實(shí)施例中在層12中或在層12之下示出唯一的接觸區(qū)域20，則當(dāng)然可以在 所需的連接的范圍內(nèi)按照根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)制造相應(yīng)數(shù)目的接觸區(qū)域。與上述內(nèi)容無關(guān)地應(yīng)指出根據(jù)本發(fā)明的方法不一定只應(yīng)用于如太陽能電池的半 導(dǎo)體器件的背側(cè)。更確切地說同樣適用于前側(cè)。此外設(shè)置，根據(jù)本發(fā)明的致密化和/或去除或者去除和/或致密化尤其是僅僅在 其中要建立與連接器——如電池連接器——的連接的區(qū)域中進(jìn)行。前面構(gòu)造的經(jīng)燒結(jié)的多 孔鋁層優(yōu)選也沿著太陽能電池的整個(gè)背側(cè)延伸。同樣應(yīng)指出的是，按照根據(jù)本發(fā)明的方法的應(yīng)用在執(zhí)行實(shí)際焊接或連接過程之前 可以補(bǔ)充地將一個(gè)或多個(gè)層涂覆到被處理的區(qū)域上。當(dāng)所觀察的鋁層的部分區(qū)域通常具有與未處理的部分區(qū)域相比更高的密度或密 度梯度時(shí)，致密化的層的形態(tài)特別是本發(fā)明的應(yīng)用的證據(jù)。同樣，當(dāng)例如所觀察的鋁層的部分區(qū)域相對(duì)于未處理的部分區(qū)域完全或者部分缺 失時(shí)，則多孔層的缺失特別是本發(fā)明的應(yīng)用的證據(jù)。
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權(quán)利要求
1.一種用于構(gòu)造電器件的襯底的至少一個(gè)局部接觸區(qū)域以使該接觸區(qū)域與連接器接 觸的方法，其中襯底在接觸側(cè)配備有由鋁構(gòu)成的或包含鋁的經(jīng)燒結(jié)的多孔層，其特征在于，在要構(gòu)造的接觸區(qū)域中通過集中的電磁輻射對(duì)經(jīng)燒結(jié)的多孔層進(jìn)行致密化和/或去除。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法， 其特征在于，對(duì)經(jīng)燒結(jié)的多孔層施加波長(zhǎng)λ的集中的電磁輻射，其中200nm彡λ彡llOOOnm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法， 其特征在于，對(duì)在要構(gòu)造的接觸區(qū)域中的多孔層施加波長(zhǎng)λ的激光輻射，其中λ > 800nm，優(yōu)選 λ彡lOOOnm，尤其是在近紅外范圍中。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法， 其特征在于，為了產(chǎn)生集中的電磁輻射，使用釹摻雜的具有波長(zhǎng)λ = 1064nm的固體激光器Q2)或 者釔鋁石榴石固體激光器或者釩酸釔固體激光器(22)，尤其是釹摻雜的釔鋁石榴石激光器 (22)或者釹摻雜的釩酸釔激光器02)。
5.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的方法， 其特征在于，激光器0 發(fā)射如下波長(zhǎng)的激光輻射(M)，在該波長(zhǎng)的情況下經(jīng)燒結(jié)的多孔層(12) 的光學(xué)吸收為至少0. 5%，優(yōu)選在10%到100%之間的范圍中。
6.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的方法， 其特征在于，使用激光器(38)，該激光器發(fā)射如下波長(zhǎng)的激光輻射(36)，該波長(zhǎng)被多孔層(12)吸 收以加熱該多孔層(12)，使得多孔材料在被施加的激光輻射的區(qū)域中蒸發(fā)以形成接觸區(qū)域 (20)。
7.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的方法， 其特征在于，為了構(gòu)造接觸區(qū)域(20)，使用脈沖工作方式或Q開關(guān)工作方式的激光器。
8.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的方法， 其特征在于，為了構(gòu)造接觸區(qū)域(20)，使激光束具有“大禮帽”狀的射束輪廓。
9.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的方法， 其特征在于，為了影響激光束04)的射束，在激光器0 和層(14)之間布置射束變換設(shè)備如折射 或衍射光學(xué)裝置或光圈。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法， 其特征在于，激光器0 通過聲光開關(guān)來脈沖化。
11.根據(jù)上述權(quán)利要求至少之一所述的方法，其中將太陽能電池用作電子部件，該太陽 能電池包括由半導(dǎo)體材料構(gòu)成的第一層(10)作為襯底、在第一層上延伸的第二層(12)作 為由鋁構(gòu)成或包含鋁的經(jīng)燒結(jié)的多孔層、至少兩個(gè)在第一層和第二層之間延伸的由第一層 和第二層的材料構(gòu)造的中間層(14，16)——其中朝向第二層(12)的第一中間層(16)能夠 包含由第一層和第二層的材料構(gòu)成的共晶混合物(18)、以及形成第一層的導(dǎo)電連接的接觸 區(qū)域(20)，其中在對(duì)要構(gòu)造的接觸區(qū)域中的經(jīng)燒結(jié)的多孔層進(jìn)行致密化和/或去除之后， 將該接觸區(qū)域與連接器尤其是通過焊接——如超聲焊接——導(dǎo)電地連接。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，將經(jīng)燒結(jié)的多孔層部分去除或者部分致密化。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，將經(jīng)燒結(jié)的多孔層至少在一個(gè)區(qū)域中致密化使得產(chǎn)生不同密度的區(qū)域。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，將經(jīng)燒結(jié)的多孔層致密化使得形成密度梯度。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，將經(jīng)燒結(jié)的多孔層在至少一個(gè)區(qū)域中致密化，使得產(chǎn)生不同密度的至少兩個(gè)層。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，將經(jīng)燒結(jié)的多孔層在要構(gòu)造的接觸區(qū)域中首先在外側(cè)去除并且隨后對(duì)留下的區(qū)域進(jìn) 行致密化。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在將多孔層致密化和/或去除之后將一個(gè)或多個(gè)層施加到相應(yīng)的區(qū)域上，借助所述一 個(gè)或多個(gè)層進(jìn)行接觸。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于構(gòu)造電器件的襯底的至少一個(gè)局部接觸區(qū)域以將該接觸區(qū)域與連接器接觸的方法，其中襯底在接觸側(cè)配備有由金屬構(gòu)成的或包含金屬的經(jīng)燒結(jié)的多孔層。為了提供可以機(jī)械方式保持的、可以電學(xué)方式完美連接的接觸區(qū)域，提出在要構(gòu)造的接觸區(qū)域中使多孔層致密化和/或去除。
文檔編號(hào)H01L21/768GK102074499SQ20101053905
公開日2011年5月25日 申請(qǐng)日期2010年9月17日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月17日
發(fā)明者A·梅茨, A·特珀, P·羅特, S·巴古斯, S·道韋, T·德羅斯特 申請(qǐng)人:肖特太陽能股份公司