專利名稱：太陽能電池模塊及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的示例性實施方式涉及太陽能電池模塊及其制造方法。
背景技術(shù)：
近來，由于認(rèn)為現(xiàn)有能源(如石油和煤)是會被耗盡的，因此對于代替現(xiàn)有能源的 可恢復(fù)能源越來越感興趣。在這些可恢復(fù)能源中，從太陽能產(chǎn)生電能的太陽能電池尤其受 到關(guān)注。使用硅晶片的單晶體硅等現(xiàn)在已經(jīng)商品化，但由于其制造成本高，所以還沒有投 入實際應(yīng)用。為解決此問題，最近，正在積極研究一種薄膜太陽能電池。具體地說，使用氫化非 晶硅(a-Si:H)的薄膜太陽能電池被用來以低成本制造大型太陽能電池模塊，并且因此吸 引了大量關(guān)注。包括多個薄膜太陽能電池的薄膜太陽能電池模塊具有電流產(chǎn)生區(qū)，在該區(qū)域中 形成有多個薄膜太陽能電池；形成在電流產(chǎn)生區(qū)周圍的邊緣區(qū)；以及在電流產(chǎn)生區(qū)與邊緣 區(qū)之間進(jìn)行分隔的絕緣區(qū)。需要最小化不必要的電流路徑，該電流路徑是由于再次淀積或重新淀積在基板上 執(zhí)行劃線處理時去除的導(dǎo)電材料(例如，透明導(dǎo)電層)而形成的，因此當(dāng)制造具備上述構(gòu)造 的薄膜太陽能電池模塊時，薄膜太陽能電池模塊的電力產(chǎn)生效率將會提高。

發(fā)明內(nèi)容
—方面，存在一種太陽能電池模塊，該太陽能電池模塊包括基板，其包括由絕緣 區(qū)分隔開的電流產(chǎn)生區(qū)和邊緣區(qū)；以及多個太陽能電池，其位于所述電流產(chǎn)生區(qū)中。所述多 個太陽能電池中的每一個都包括位于所述基板上的透明電極；位于所述透明電極上的硅 電流產(chǎn)生層；以及位于所述硅電流產(chǎn)生層上的背電極，一個太陽能電池的背電極電連接到 與所述一個太陽能電池相鄰的另一個太陽能電池的所述透明電極。與所述絕緣區(qū)相鄰的最 外側(cè)太陽能電池的透明電極的側(cè)面被所述最外側(cè)太陽能電池的硅電流產(chǎn)生層的在所述絕 緣區(qū)中暴露的側(cè)面部分所覆蓋。所述最外側(cè)太陽能電池的背電極的側(cè)面與所述最外側(cè)太陽能電池的所述硅電流 產(chǎn)生層的所述側(cè)面部分對齊。當(dāng)所述多個太陽能電池中的每一個都在所述硅電流產(chǎn)生層和 所述背電極之間進(jìn)一步包括背反射層時，所述最外側(cè)太陽能電池的背反射層的側(cè)面與所述 最外側(cè)太陽能電池的所述硅電流產(chǎn)生層的所述側(cè)面部分和所述背電極的所述側(cè)面對齊。在所述基板上的所述邊緣區(qū)中，按順序形成有用于形成所述透明電極的透明導(dǎo)電 層、用于形成所述硅電流產(chǎn)生層的硅薄膜層、以及用于形成所述背電極的背電極層的各個 部分。所述透明導(dǎo)電層部分的側(cè)面被所述硅薄膜層部分的在所述絕緣區(qū)中暴露的側(cè)面部分 所覆蓋。位于所述邊緣區(qū)的所述透明導(dǎo)電層部分和所述最外側(cè)太陽能電池的所述透明電極之間的距離 大于所述絕緣區(qū)的寬度。所述背電極層部分在所述絕緣區(qū)中暴露的側(cè)面與所述硅薄膜層的側(cè)面對齊。當(dāng)在 所述硅薄膜層部分和所述背電極層部分之間具有背反射層部分時，所述背反射層部分的在 所述絕緣區(qū)中暴露的側(cè)面與所述硅薄膜層部分的側(cè)面和所述背電極層部分的側(cè)面對齊。所述透明導(dǎo)電層和所述透明電極由金屬氧化物形成。所述金屬氧化物包括從二氧 化錫(SnO2)、氧化鋅(ZnO)以及銦錫氧化物(ITO)中選擇出的至少一種材料。在另一方面，存在一種太陽能電池模塊的制造方法，該制造方法包括以下步驟在 基板上淀積透明導(dǎo)電層并且對該透明導(dǎo)電層進(jìn)行構(gòu)圖；在所述透明導(dǎo)電層上淀積硅薄膜層 并且對該硅薄膜層進(jìn)行構(gòu)圖；在所述硅薄膜層上淀積背電極層并且對該背電極層進(jìn)行構(gòu) 圖；并且形成在所述基板的電流產(chǎn)生區(qū)和邊緣區(qū)之間進(jìn)行分隔的絕緣區(qū)。對所述透明導(dǎo)電 層的構(gòu)圖包括以下步驟去除所述透明導(dǎo)電層的至少位于所述絕緣區(qū)的一部分，使得所述 透明導(dǎo)電層的被去除部分的寬度大于所述絕緣區(qū)的寬度。對所述透明導(dǎo)電層的構(gòu)圖包括以下步驟通過第一劃線處理來形成多個透明電 極。通過所述第一劃線處理來執(zhí)行對所述透明導(dǎo)電層的所述部分的去除。對所述硅薄膜層的構(gòu)圖包括以下步驟通過第二劃線處理來形成多個硅電流產(chǎn)生 層。對所述背電極層的構(gòu)圖包括以下步驟通過第三劃線處理來形成多個背電極。形成所 述絕緣區(qū)的步驟包括以下步驟通過第四劃線處理來去除所述硅薄膜層和所述背電極層的 位于所述絕緣區(qū)中的部分。在執(zhí)行第四劃線處理之前，執(zhí)行對齊處理。所述方法進(jìn)一步包括以下步驟在所述 硅薄膜層和所述背電極層之間形成背反射層。通過所述第四劃線處理來去除所述背反射層 的位于所述絕緣區(qū)中的部分。


附圖被包括進(jìn)來以提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，其被并入且構(gòu)成本說明書的一部 分，附圖示出了本發(fā)明的實施方式，并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。在附圖中圖1為根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的太陽能電池模塊的部分剖面圖；并且圖2至7是順序地示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的太陽能電池模塊的制造方法 中的處理的剖面圖。
具體實施例方式以下將參照附圖更全面地描述本發(fā)明，在附圖中示出了本發(fā)明的示例性實施方 式。然而，本發(fā)明可以以很多不同形式實現(xiàn)并且不應(yīng)被理解為局限于這里闡述的實施方式。在附圖中，為了清楚起見，放大了層、膜、板、區(qū)域等的厚度。在整個說明書中，相同 標(biāo)號表示相同元件。應(yīng)該理解，當(dāng)將諸如層、膜、區(qū)域或基板的元件稱為“位于另一元件上” 時，它可以直接位于所述另一元件上，或者也可以存在中間元件。相反，當(dāng)將一元件稱為“直 接位于另一元件上”時，不存在中間元件。另外，應(yīng)該理解，當(dāng)將諸如層、膜、區(qū)域或基板的元 件稱為“完全”位于另一元件上時，它可以位于所述另一元件的整個表面上，而不可以位于 所述另一元件的邊緣部分上。現(xiàn)在將詳細(xì)描述本發(fā)明的實施方式，其示例示出在附圖中。
圖1為根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的太陽能電池模塊的部分剖面圖。根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的太陽能電池模塊包括基板110，該的基板110具有 電流產(chǎn)生區(qū)Al、邊緣區(qū)A2、以及在區(qū)Al和A2之間進(jìn)行分隔的絕緣區(qū)A3。 盡管圖1示出一個邊緣區(qū)A2和一個絕緣區(qū)A3，但是在基板110的個或更多個邊界 區(qū)中都可以包括A2區(qū)和A3區(qū)。例如，多個太陽能電池Cl、C2和C3位于基板110上的電流產(chǎn)生區(qū)Al中。太陽能 電池C1、C2和C3中的每一個都包括透明電極120、硅電流產(chǎn)生層130、背反射層140以及背 電極150，它們按順序堆疊在基板110上。如果需要，則可以去除背反射層140。透明電極120可以由氧化物材料形成，例如，從二氧化錫(SnO2)、氧化鋅(ZnO)以 及銦錫氧化物(ITO)中選擇的至少一種材料。此外，可以由通過將至少一種雜質(zhì)與金屬氧 化物混合而得到的混合物形成透明電極120。硅電流產(chǎn)生層130可以由基于非晶硅的薄膜(例如，p-i-n薄膜)或其中基于非 晶硅的薄膜和基于微晶硅的薄膜相堆疊的級聯(lián)式硅薄膜層形成。當(dāng)硅電流產(chǎn)生層130由級聯(lián)式硅薄膜層形成時，可以在基于非晶硅的薄膜和基于 微晶硅的薄膜之間形成中間透明導(dǎo)電層。硅電流產(chǎn)生層130可以具有不同于本發(fā)明示例性 實施方式中描述的結(jié)構(gòu)的多種結(jié)構(gòu)。背電極150例如可以由在金(Au)、銀(Ag)和鋁(Al)中選擇的一種金屬形成。一 個太陽能電池的背電極150電連接到與這一個太陽能電池相鄰的另一個太陽能電池的透 明電極120。例如，如圖1所示，與絕緣區(qū)A3相鄰的最外側(cè)太陽能電池Cl的背電極150通 過最外側(cè)太陽能電池Cl的背反射層140，電連接到與最外側(cè)太陽能電池Cl相鄰的太陽能電 池C2的透明電極120。如果省略背反射層140，則背電極150直接連接到相鄰太陽能電池的透明電極 120。因此，多個太陽能電池Cl、C2和C3彼此串聯(lián)連接。在邊緣A2區(qū)中淀積有與太陽能電池樣具有相同的夾層結(jié)構(gòu)的薄膜。換言之，用于 形成透明電極120的透明導(dǎo)電層125、用于形成硅電流產(chǎn)生層130的硅薄膜層135、背反射 層140以及用于形成背電極150的背電極層155按順序形成在基板110上的邊緣A2區(qū)中。在具有上述結(jié)構(gòu)的太陽能電池模塊中，位于邊緣區(qū)A2的透明導(dǎo)電層125和最外側(cè) 太陽能電池Cl的透明電極120之間的距離D大于絕緣區(qū)A3的寬度W。因此，位于邊緣A2區(qū)中的透明導(dǎo)電層125中的面對絕緣區(qū)A3的透明導(dǎo)電層125 的側(cè)面，被在絕緣區(qū)A3中暴露(或具有暴露部分)的硅薄膜層135的側(cè)面(或部分)所覆 蓋。此外，在最外側(cè)太陽能電池Cl的透明電極120中的面對絕緣區(qū)A3的透明電極120的 側(cè)面，被在絕緣區(qū)A3中暴露(或具有暴露部分)的最外側(cè)太陽能電池Cl的硅電流產(chǎn)生層 130的側(cè)面(或部分)所覆蓋。位于邊緣A2區(qū)中的背反射層140和背電極層155的側(cè)面與在絕緣區(qū)A3中暴露的 硅薄膜層135的側(cè)面一致(對齊或平齊)。此外，最外側(cè)太陽能電池Cl的背反射層140和 背電極150的側(cè)面，與在絕緣區(qū)A3中暴露的硅電流產(chǎn)生層130的側(cè)面一致(對齊或平齊)。下面參照圖1至7，描述根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的太陽能電池模塊的制造方 法的處理。圖2至7為按順序示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的太陽能電池模塊的制造 方法的處理的剖面圖。
為制造圖1所示的太陽能電池模塊，首先，如圖2所示，將透明導(dǎo)電層125淀積在 基板110的整個表面上。在本發(fā)明的示例性實施方式中，透明導(dǎo)電層125可以由金屬氧化物形成，例如，從 二氧化錫(SnO2)、氧化鋅(ZnO)以及銦錫氧化物(ITO)中選擇的至少一種材料。此外，透明 導(dǎo)電層125可以由通過將至少一種雜質(zhì)與金屬氧化物混合而得到的混合物形成。接下來，如圖3所示，對透明導(dǎo)電層 125進(jìn)行構(gòu)圖，以在基板110上的電流產(chǎn)生區(qū) Al中形成多個透明電極120。可以通過第一劃線處理來執(zhí)行對透明導(dǎo)電層125的構(gòu)圖。第一劃線處理是這樣的 處理從基板Iio的下表面對基板110的內(nèi)部輻射激光，以蒸發(fā)透明導(dǎo)電層125在預(yù)定區(qū)域 內(nèi)的一部分。當(dāng)執(zhí)行了第一劃線處理，例如，在電流產(chǎn)生區(qū)Al中形成了多個透明電極120， 這些透明電極120按恒定距離彼此間隔開。在現(xiàn)有技術(shù)中，第一劃線處理僅對位于電流產(chǎn)生區(qū)Al中的透明導(dǎo)電層125執(zhí)行。 然而，在本發(fā)明的示例性實施方式中，第一劃線處理除了對位于電流產(chǎn)生區(qū)Al中的透明導(dǎo) 電層125執(zhí)行之外，還對位于絕緣區(qū)A3中的透明導(dǎo)電層125執(zhí)行。當(dāng)通過第一劃線處理去除透明導(dǎo)電層125的位于絕緣區(qū)A3中的一部分時，通過第 一劃線處理去除的透明導(dǎo)電層125的寬度(對應(yīng)于距離D)大于在隨后的處理中形成的絕 緣區(qū)A3的寬度W。因此，位于邊緣A2區(qū)的透明導(dǎo)電層125和最外側(cè)太陽能電池Cl的透明 電極120之間的距離D大于絕緣區(qū)A3的寬度W。如上所述，使得透明導(dǎo)電層125和透明電極120之間的距離D大于絕緣區(qū)A3的寬 度W的原因是，當(dāng)通過后面將要介紹的第四劃線處理來形成絕緣區(qū)A3時，保證對齊裕量。這 將在稍后詳細(xì)描述。在執(zhí)行了上述的第一劃線處理后，如圖4所示，將硅薄膜層135淀積在基板110 上。在該情況下，將硅薄膜層135填充在透明電極120之間的空間中。硅薄膜層135可以由基于非晶硅的薄膜(例如，p-i-n薄膜)或者其中基于非晶 硅的薄膜和基于微晶硅的薄膜相堆疊的級聯(lián)式硅薄膜層形成。當(dāng)硅薄膜層135由級聯(lián)式硅薄膜層形成時，可以在基于非晶硅的薄膜和基于微晶 硅的薄膜之間形成中間透明導(dǎo)電層。硅薄膜層135可以具有不同于本發(fā)明示例性實施方式 中描述的結(jié)構(gòu)的多種結(jié)構(gòu)。接下來，如圖5所示，對硅薄膜層135進(jìn)行構(gòu)圖，以在基板110上的電流產(chǎn)生區(qū)Al 中形成多個硅電流產(chǎn)生層130?？梢酝ㄟ^第二劃線處理來執(zhí)行對硅薄膜層135的構(gòu)圖。在第二劃線處理中使用的激光輸出少于在第一劃線處理中使用的激光輸出。因 此，當(dāng)通過從基板110的下表面對基板110的內(nèi)部輻射激光來執(zhí)行第二劃線處理時，電流產(chǎn) 生區(qū)Al中的透明電極120不會被蒸發(fā)。然而，電流產(chǎn)生區(qū)Al中的透明電極120上的硅薄 膜層135的一部分被蒸發(fā)和去除。因此，在電流產(chǎn)生區(qū)Al中例如按恒定距離彼此分隔開地 形成多個硅電流產(chǎn)生層130。在執(zhí)行了上述第二劃線處理之后，如圖6所示，順序地淀積背反射層140和背電極 層155。在該情況下，將背反射層140和/或背電極層155填充在硅電流產(chǎn)生層130之間 的空間中。在圖6中，示出了背反射層140填充在硅電流產(chǎn)生層130之間的空間中的情況。 因此，將背電極150電連接至相鄰太陽能電池的透明電極120。
背電極層155例如可以由從金(Au)、銀(Ag)和鋁(Al)中選擇的一種金屬形成。接下 來，如圖7所示，對背反射層140和背電極層155進(jìn)行構(gòu)圖，以在電流產(chǎn)生區(qū) Al形成多個背電極150?？梢杂傻谌齽澗€處理來執(zhí)行對背反射層140和背電極層155的構(gòu) 圖。在第三劃線處理中使用的激光輸出少于在第二劃線處理中使用的激光輸出。因 此，當(dāng)通過從基板110的下表面對基板110的內(nèi)部輻射激光來執(zhí)行第三劃線處理時，電流產(chǎn) 生區(qū)Al中的透明電極120不會被蒸發(fā)。然而，電流產(chǎn)生區(qū)Al中的硅電流產(chǎn)生層130、背反 射層140以及背電極層155的一部分被蒸發(fā)和去除。因此，在電流產(chǎn)生區(qū)Al中按恒定距離 彼此分隔開地形成多個背電極150。在執(zhí)行了上述第三劃線處理之后，執(zhí)行用于形成絕緣區(qū)A3的第四劃線處理。在執(zhí) 行了使用對齊標(biāo)記的對齊處理之后，執(zhí)行第四劃線處理。當(dāng)執(zhí)行第四劃線處理時，形成絕緣 區(qū)A3，使得絕緣區(qū)A3的寬度W小于位于邊緣A2區(qū)中的透明導(dǎo)電層125和最外側(cè)太陽能電 池Cl的透明電極120之間的距離D。因此，在第四劃線處理中，保證了對齊裕量。結(jié)果，防 止了透明導(dǎo)電層125和透明電極120在第四劃線處理期間由于激光而蒸發(fā)。然而，如果可以精確地執(zhí)行對齊處理，則絕緣區(qū)A3的寬度W可以與透明導(dǎo)電層125 和透明電極120之間的距離D相等。在根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的制造方法中，在用于形成絕緣區(qū)A3的第四劃線 處理中，僅僅可以去除硅薄膜層和背電極層(選擇性地包括背反射層)。在本發(fā)明的示例性實施方式中，因為可以防止透明導(dǎo)電層的材料的部分原子在第 四劃線處理中再次淀積或重新淀積在硅電流產(chǎn)生層和背電極層上，所以防止了由于透明導(dǎo) 電層的材料的重新淀積的原子而形成不需要的電流通路。因此，可以提高電流產(chǎn)生效率。雖然已參照多個示例性實施方式描述了實施方式，但應(yīng)該理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員 能夠設(shè)想落入本公開的原理的范圍內(nèi)的許多其它變型和實施方式。更具體地講，在本公開、 附圖和所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)，可以對主題組合設(shè)置的組成部件和/或設(shè)置進(jìn)行各種變化 和修改。除了對組成部件和/或設(shè)置的各種變化和修改之外，另選用途對于本領(lǐng)域技術(shù)人 員而言也是很明顯的。本申請要求于2009年10月7日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請 No. 10-2009-0095217的優(yōu)先權(quán)和利益，在此通過引用并入其全部內(nèi)容。
權(quán)利要求
1.一種太陽能電池模塊，該太陽能電池模塊包括基板，其包括由絕緣區(qū)分隔開的電流產(chǎn)生區(qū)和邊緣區(qū)；以及多個太陽能電池，其位于所述電流產(chǎn)生區(qū)中，所述多個太陽能電池中的每一個都包括位于所述基板上的透明電極；位于所述透明電極上的硅電流產(chǎn)生層；以及位于所述硅電流產(chǎn)生層上的背電極，一個太陽能電池的所述背電極電連接到與所述一 個太陽能電池相鄰的另一個太陽能電池的所述透明電極，其中，與所述絕緣區(qū)相鄰的最外側(cè)太陽能電池的透明電極的側(cè)面被該最外側(cè)太陽能電 池的硅電流產(chǎn)生層的在所述絕緣區(qū)中暴露的側(cè)面部分所覆蓋。
2.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池模塊，其中，所述最外側(cè)太陽能電池的背電極的側(cè) 面與該最外側(cè)太陽能電池的所述硅電流產(chǎn)生層的所述側(cè)面部分對齊。
3.如權(quán)利要求2所述的太陽能電池模塊，其中，所述多個太陽能電池中的每一個都在 所述硅電流產(chǎn)生層和所述背電極之間進(jìn)一步包括背反射層，并且所述最外側(cè)太陽能電池的背反射層的側(cè)面與該最外側(cè)太陽能電池的所述硅電流產(chǎn)生 層的所述側(cè)面部分和所述背電極的所述側(cè)面對齊。
4.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池模塊，其中，在所述基板上的所述邊緣區(qū)中，按順序 形成有用于形成所述透明電極的透明導(dǎo)電層、用于形成所述硅電流產(chǎn)生層的硅薄膜層、以 及用于形成所述背電極的背電極層的各個部分，并且所述透明導(dǎo)電層部分的側(cè)面被所述硅薄膜層部分的在所述絕緣區(qū)中暴露的側(cè)面部分 所覆蓋。
5.如權(quán)利要求4所述的太陽能電池模塊，其中，位于所述邊緣區(qū)中的所述透明導(dǎo)電層 部分和所述最外側(cè)太陽能電池的所述透明電極之間的距離大于所述絕緣區(qū)的寬度。
6.如權(quán)利要求5所述的太陽能電池模塊，其中，所述背電極層部分的在所述絕緣區(qū)中 暴露的側(cè)面與所述硅薄膜層的所述側(cè)面對齊。
7.如權(quán)利要求6所述的太陽能電池模塊，其中，在所述硅薄膜層部分和所述背電極層 部分之間具有背反射層部分，并且所述背反射層部分的在所述絕緣區(qū)中暴露的側(cè)面與所述硅薄膜層部分的所述側(cè)面和 所述背電極層部分的所述側(cè)面對齊。
8.如權(quán)利要求7所述的太陽能電池模塊，其中，所述透明導(dǎo)電層和所述透明電極由金 屬氧化物形成。
9.如權(quán)利要求8所述的太陽能電池模塊，其中，所述金屬氧化物包括在二氧化錫即 SnO2、氧化鋅即&10、以及銦錫氧化物即ITO中選擇的至少一種材料。
10.一種太陽能電池模塊的制造方法，該制造方法包括以下步驟在基板上淀積透明導(dǎo)電層并且對該透明導(dǎo)電層進(jìn)行構(gòu)圖；在所述透明導(dǎo)電層上淀積硅薄膜層并且對該硅薄膜層進(jìn)行構(gòu)圖；在所述硅薄膜層上淀積背電極層并且對該背電極層進(jìn)行構(gòu)圖；以及形成在所述基板的電流產(chǎn)生區(qū)和邊緣區(qū)之間進(jìn)行分隔的絕緣區(qū)，其中，對所述透明導(dǎo)電層的構(gòu)圖包括以下步驟去除所述透明導(dǎo)電層的至少位于所述絕緣區(qū)中的一部分，使得所述透明導(dǎo)電層的被去除部分的寬度大于所述絕緣區(qū)的寬度。
11.如權(quán)利要求10所述的制造方法，其中，對所述透明導(dǎo)電層的構(gòu)圖包括以下步驟通 過第一劃線處理來形成多個透明電極。
12.如權(quán)利要求11所述的制造方法，其中，通過所述第一劃線處理來執(zhí)行對所述透明 導(dǎo)電層的所述部分的去除。
13.如權(quán)利要求12所述的制造方法，其中，對所述硅薄膜層的構(gòu)圖包括以下步驟通過 第二劃線處理來形成多個硅電流產(chǎn)生層。
14.如權(quán)利要求13所述的制造方法，其中，對所述背電極層的構(gòu)圖包括以下步驟通過 第三劃線處理來形成多個背電極。
15.如權(quán)利要求14所述的制造方法，其中，形成所述絕緣區(qū)的步驟包括以下步驟通過 第四劃線處理來去除所述硅薄膜層和所述背電極層的位于所述絕緣區(qū)中的部分。
16.如權(quán)利要求15所述的制造方法，其中，在執(zhí)行所述第四劃線處理之前，執(zhí)行對齊處理。
17.如權(quán)利要求16所述的制造方法，該制造方法進(jìn)一步包括以下步驟在所述硅薄膜 層和所述背電極層之間形成背反射層。
18.如權(quán)利要求17所述的制造方法，其中，通過所述第四劃線處理來去除所述背反射 層的位于所述絕緣區(qū)中的部分。
全文摘要
本發(fā)明涉及太陽能電池模塊及其制造方法。所述太陽能電池模塊包括基板，其包括由絕緣區(qū)分隔開的電流產(chǎn)生區(qū)和邊緣區(qū)；以及多個太陽能電池，其位于所述電流產(chǎn)生區(qū)中。所述多個太陽能電池中的每一個都包括位于所述基板上的透明電極；位于所述透明電極上的硅電流產(chǎn)生層；以及位于所述硅電流產(chǎn)生層上的背電極。一個太陽能電池的背電極電連接到與所述一個太陽能電池相鄰的另一個太陽能電池的所述透明電極。與所述絕緣區(qū)相鄰的最外側(cè)太陽能電池的透明電極的側(cè)面被所述最外側(cè)太陽能電池的硅電流產(chǎn)生層的在所述絕緣區(qū)中暴露的側(cè)面部分所覆蓋。
文檔編號H01L31/042GK102074598SQ20101053923
公開日2011年5月25日 申請日期2010年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月7日
發(fā)明者孫禎焄, 安世源, 尹元基, 文泰豪, 樸珍姬, 李丞埈, 李憲民, 魚英株 申請人:Lg電子株式會社