專利名稱：具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管，特別是涉及一種具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管主要為將電能轉(zhuǎn)換成光能釋出，而發(fā)光二極管整體的發(fā)光亮度主要取決于光電轉(zhuǎn)換間的內(nèi)部量子效率(internal quantum efficiency)與外部量子效率 (external quantum efficiency)、輻射發(fā)光效率(radiant efficiency)，及將電能轉(zhuǎn)換為光能后的光取出效率(extraction efficiency)。其中，提升光取出效率可直接提升發(fā)光二極管的發(fā)光亮度。參閱圖1，目前發(fā)光二極管包含一基板11、一磊晶單元12、一透明導電層13，及一電極單元14。該基板11以藍寶石(sapphire)為材料所構(gòu)成，主要是供氮化鎵系半導體可在其表面順利磊晶成長。該磊晶單元12包括由鄰近而遠離該基板11且形成于該基板11頂面的一第一披覆層121、一發(fā)光層122，及一第二披覆層123。該第一披覆層121以η型氮化鎵系半導體為主要構(gòu)成材料磊晶形成于該基板11上，該第二披覆層123以相異于該η型半導體的ρ型氮化鎵系半導體為主要構(gòu)成材料磊晶形成。該發(fā)光層122主要為多重量子井發(fā)光結(jié)構(gòu)(MQW， Multiple Quantum Well)。該第一披覆層121、第二披覆層123與該發(fā)光層122可配合將經(jīng)由該第一披覆層121、第二披覆層123輸入的電能在該發(fā)光層122轉(zhuǎn)換成光能。該透明導電層13形成于該磊晶單元12的第二披覆層123上，可將自頂面垂直傳送進入的電流橫向均勻擴散。該電極單元14包括一設(shè)置于該第一披覆層121上并與該第一披覆層121歐姆接觸(ohmic contact)的第一電極141，及一設(shè)置于該透明導電層13上并與該第二披覆層123 歐姆接觸的第二電極142，所述第一電極141、第二電極142相配合而可將外界的電能提供至該磊晶單元12。外界經(jīng)由該電極單元14的第一電極141、第二電極142對該磊晶單元12提供電能，電能經(jīng)該第一披覆層121、第二披覆層123至該發(fā)光層122將電能轉(zhuǎn)換而產(chǎn)生光。產(chǎn)生的光部份經(jīng)該第二披覆層123及該透明導電層13釋出，而由于該第二披覆層 123及該透明導電層13皆為平板結(jié)構(gòu)，因此，自發(fā)光二極管內(nèi)部產(chǎn)生的往正向方向前進的光容易在相鄰層體的界面間發(fā)生全反射而恒停留在元件內(nèi)部成為廢熱能，而累積的廢熱能將導致發(fā)光二極管過熱；此外，其余產(chǎn)生的往基板11方向行進的光，也由于該基板11及該第一披覆層121皆為平板結(jié)構(gòu)，無法經(jīng)由該基板11及該第一披覆層121反射及折射成為具有多角度及方向的光，而無法有效增加正向光取出的機率及光均勻度。由上述說明可知，目前發(fā)光二極管長期使用易過熱，且整體的光取出效率、光均勻度均不甚理想。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種可以提高發(fā)光亮度及發(fā)光均勻度，且避免元件過熱的具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管。本發(fā)明的具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管，包含一個基板、一個磊晶單元、一個透明導電層，及一個電極單元。該磊晶單元形成于該基板且在接受電能時將電能轉(zhuǎn)換而產(chǎn)生光，該透明導電層形成于該磊晶單元上增加電流擴散，該電極單元將外界的電能提供至該磊晶單元使該磊晶單元發(fā)光；該具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管還包含一個第一網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，該第一網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)位于該磊晶單元與該透明導電層之間并與外界連通。本發(fā)明所述的第一網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)包括多個自該透明導電層底面往遠離該基板方向凹陷的第一微孔洞，及多個自該透明導電層的底面往遠離該基板方向凹陷且分別連通兩相鄰的第一微孔洞的第一微通道。本發(fā)明所述的第一網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)還包括多個自該透明導電層底面往遠離該基板方向凹陷的第二微孔洞，所述第二微孔洞彼此間隔地形成規(guī)則的周期排列，并界定出多個等邊長的多邊形區(qū)域，所述第一微孔洞分別對應地位于所述區(qū)域的中央，所述第一微通道連接兩兩相鄰的第一微孔洞與第二微孔洞。本發(fā)明所述的每一個第一微孔洞的深度大于每一個第一微通道的深度，每一個第一微孔洞的徑寬大于每一個第二微孔洞的徑寬。本發(fā)明所述的具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管還包含一個位于該磊晶單元與該基板之間并與外界連通的第二網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。本發(fā)明所述的第二網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)包括多個自該第一披覆層底面往該基板方向凹陷的第三微孔洞，及多個自該第一披覆層的底面往該基板方向凹陷且分別連通兩相鄰的第三微孔洞的第二微通道。本發(fā)明所述的第二網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)還包括多個自該第一披覆層底面往該基板方向凹陷的第四微孔洞，所述第四微孔洞彼此間隔地形成規(guī)則的周期排列，并界定出多個等邊長的多邊形區(qū)域，所述第三微孔洞分別對應地位于所述區(qū)域的中央，所述第二微通道連接兩兩相鄰的第三微孔洞與第四微孔洞。本發(fā)明所述的每一個第三微孔洞的深度大于每一個第二微通道的深度，每一個第三微孔洞的徑寬大于每一個第四微孔洞的徑寬。本發(fā)明所述的具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管還包含充填于所述微通道中的填充體， 所述填充體包括熒光粉。本發(fā)明所述的具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管還包含充填于所述微通道中的填充體， 所述填充體選自氖氣、氦氣，及其組合為材料所構(gòu)成。本發(fā)明的有益效果在于利用該第一網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)供由該磊晶單元發(fā)出的光經(jīng)過多角度的折射而正向發(fā)光，使光的取出效率更高，也可提升光的均勻程度，降低光滯留在發(fā)光二極管內(nèi)部轉(zhuǎn)換成為的廢熱能，增加發(fā)光二極管的使用壽命。


圖1是一種現(xiàn)有「發(fā)光二極管」的示意圖2是本發(fā)明具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管的第一較佳實施例的一示意圖；圖3是該第一較佳實施例的一示意圖，說明該第一網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)還包括多個第二微孔洞；圖4是該第一較佳實施例的一示意圖，說明該第一網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)還可為環(huán)形通道態(tài)樣；圖5是本發(fā)明具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管的第二較佳實施例的一示意圖；圖6是該第二較佳實施例的一示意圖，說明該第二網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)還包括多個第四微孔洞；圖7是該第二較佳實施例的一示意圖，說明該第二網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)還可為環(huán)形通道態(tài)樣。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖及實施例對本發(fā)明進行詳細說明。參閱圖2，本發(fā)明具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管的第一較佳實施例包含一基板2、一磊晶單元3、一透明導電層4、一第一網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)5，及一電極單元6。該基板2為平坦不透光的板狀結(jié)構(gòu)，且具有易于反射光的特性，在該第一較佳實施例中，是以藍寶石為該基板2的主要材料。該磊晶單元3包括依序自該基板2頂面往上堆疊的一第一披覆層31、一發(fā)光層 32，及一第二披覆層33，該第一披覆層31以η型的氮化鎵銦系化合物為主要的半導體材料所構(gòu)成，該第二披覆層33以ρ型的氮化鎵銦系化合物為主要的半導體材料所構(gòu)成，且該第一披覆層31、第二披覆層33皆為透明可透光的薄膜。該發(fā)光層32為可將電子電洞對限制于較窄能階范圍的多重量子井結(jié)構(gòu)。因此，當該磊晶單元3在接受電能時，該第一披覆層 31、第二披覆層33的電子與電洞相對該發(fā)光層32形成一預定能障，而使來自該第一披覆層 31、第二披覆層33的電子電洞對在該發(fā)光層32再結(jié)合而放光。該透明導電層4自該磊晶單元3的第二披覆層33往上延伸且透明可透光，使相對該基板2為垂直進入該透明導電層4的電流可橫向均勻擴散。在該第一較佳實施例中，該透明導電層4的材料選自于氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅鋁、氧化鋅鎵，及其中的任一組合。該第一網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)5與外界連通并形成于該透明導電層4及該磊晶單元3的第二披覆層33之間，且包括自該透明導電層4底面往遠離該基板2方向凹陷的多個第一微孔洞 51，及多個第一微通道52，每一第一微孔洞51呈半球型且間隔排列，且深度大于每一第一微通道52的深度，并利用所述第一微通道52使所述微孔洞兩兩連通不封閉。該電極單元6包括一設(shè)置于該磊晶單元3的第一披覆層31頂面的第一電極61，及一設(shè)置于該透明導電層4頂面的第二電極62，該第一電極61、第二電極62分別與該第一披覆層31、該透明導電層4歐姆接觸，且可將外界所提供的電能傳送到該磊晶單元3。當外界自該電極單元6的第一電極61與第二電極62相配合地施加電能時，電流經(jīng)過該透明導電層4橫向均勻分散流通后進入該磊晶單元3的第一披覆層31、第二披覆層 33產(chǎn)生電子電洞對，電子電洞對再于該發(fā)光層32再結(jié)合，將電能轉(zhuǎn)換為光能而產(chǎn)生光。一部份往正向發(fā)出的光在經(jīng)過該第一網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)5的第一微孔洞51及第一微通道 52時，利用存在于所述第一微孔洞51及所述第一微通道52內(nèi)的空氣，及與該透明導電層4之間的界面，使光進行再次的折射而可更均勻地正向發(fā)出，且該發(fā)光層32所產(chǎn)生的光也能擁有較目前發(fā)光二極管更多不同折射角度得以正向發(fā)光，而不會受困于發(fā)光二極管內(nèi)部成為廢熱能造成發(fā)光二極管過熱的狀態(tài)，延長該發(fā)光二極管的使用壽命。其余另一部份往該基板2方向的光在經(jīng)過基板2反射后，由于在通過該第一網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)5的同時，被該第一網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)5折射，使反射自該基板2的光更容易正向發(fā)光，提高發(fā)光二極管整體發(fā)光亮度。參閱圖3，此外，特別說明的是，該第一網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)5還可包括多個自該透明導電層4 往遠離該基板2方向凹陷的第二微孔洞53，每一第二微孔洞53的深度及徑寬皆較每一第一微孔洞51的深度及徑寬小，且所述第二微孔洞53彼此間隔且呈周期排列，界定出多個每邊皆等長的正六邊形區(qū)域，所述第一微孔洞51分別位于所述六邊形區(qū)域的中央，使每一第一微孔洞51與每一第二微孔洞53的距離為0. 3 μ m 3 μ m，且所述第一微通道52連通相鄰的第一微孔洞51與第二微孔洞53及兩兩相鄰的第二微孔洞53。當每一第一微孔洞51與每一第二微孔洞53間的距離為0. 3 μ m 3 μ m時，該幕晶單元3發(fā)出的光受所述微孔洞51、53的折射而增加正向出光的機率為最佳。特別地，若該磊晶單元3發(fā)出的光的波長表示為λ，當?shù)谝晃⒖锥?1與第二微孔洞53間的距離，及兩兩第二微孔洞53間的間隔距離為NX λ/4(Ν為正整數(shù))時，則可經(jīng)由光在兩兩微孔洞間形成駐波，更為加強該磊晶單元3發(fā)出的光在經(jīng)過所述微孔洞51、53時受到折射及散射的程度，進而使光正向發(fā)光的亮度及整體均勻度皆提高。其中，所述第二微孔洞53可排列為多個等邊長的多邊形區(qū)域。參閱圖4，該第一網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)5不限定為上述態(tài)樣，也可為環(huán)形通道或是其他型態(tài)， 視發(fā)光二極管所產(chǎn)生的光的波長、角度，及其相關(guān)特性決定。需說明的是，該第一網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)5的形成方式首先，在該磊晶單元3的第二披覆層 33頂面鍍上一以金屬或是金屬氧化物為材料所構(gòu)成的犧牲層(圖未示)，再經(jīng)由圖案化制程(也就是曝光、顯影及蝕刻等流程)，將該犧牲層的態(tài)樣成型為所欲形成的第一網(wǎng)狀結(jié)構(gòu) 5的態(tài)樣，而成為一犧牲結(jié)構(gòu)(圖未示)，并使部份該第二披覆層33頂面裸露；接著，在該第二披覆層33所裸露出的頂面，及該犧牲結(jié)構(gòu)的頂面形成一透明導電層4;最后，利用具有蝕刻選擇比而可蝕刻該犧牲結(jié)構(gòu)的蝕刻液進行該犧牲結(jié)構(gòu)的濕蝕刻制程，并將該犧牲結(jié)構(gòu)蝕刻完全，以形成一位于該磊晶單元3及該透明導電層4之間，且不破壞該磊晶單元3的第二披覆層33的表面晶格排列的第一網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)5。該第一網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)5與外界連通，該發(fā)光二極管可通過與外界連通的該第一網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)5的第一微孔洞51、第二微孔洞53及第一微通道 52將所述第一微孔洞51、第二微孔洞53及所述第一微通道52抽真空、通入例如氦氣(He)、 氖氣(Ne)等特定氣體，或是在封裝時充填熒光粉等利用光激發(fā)而產(chǎn)生混光的材料。因此，需說明的是，該具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管的第一較佳實施例還可包含位于該第一微通道52的填充體，所述填充體包括熒光粉。特別地，該填充體亦可選自氖氣、氦氣，及其組合為材料所構(gòu)成。參閱圖5，為本發(fā)明具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管的第二較佳實施例，該第二較佳實施例與該第一較佳實施例相似，其不同的地方僅在于該第二較佳實施例還包含一形成于該基板2及該磊晶單元3的第一披覆層31之間，且與外界連通的第二網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)7。該第二網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)7包括形成于該第一披覆層31底面且往該基板2方向凹陷的多個的第三微孔洞71，及多個第二微通道72。所述第三微孔洞71呈半球狀且間隔排列地于該第一披覆層31底面而形成，且每一第三微孔洞71的深度大于每一第二微通道72的深度， 所述第二微通道72將所述第三微孔洞71兩兩相互連通，再與外界連通。該電極單元6的第一電極61與第二電極62相配合地接受來自外界的電能時，電流經(jīng)過該透明導電層4橫向均勻分散流通后進入該磊晶單元3，該第一披覆層31、第二披覆層33及該發(fā)光層32配合將電能轉(zhuǎn)換而產(chǎn)生光。除其中一部份正向發(fā)出的光經(jīng)該透明導電層4、該第一網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)5正向發(fā)光外，其中另一部份朝向基板2的光，則先通過該第二網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)7，利用不同的介質(zhì)及非平坦的態(tài)樣增加光反射的角度，經(jīng)過該基板2反射后，再借由通過該第二網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)7，再次增加光的折射角度，提升反射的光取出的機率與均勻程度。參閱圖6，需提出的是，該第二網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)7還可再包括多個自該第一披覆層31往該基板2方向凹陷的第四微孔洞73，每一第四微孔洞73的深度及徑寬較每一第三微孔洞71 的深度及徑寬小，且所述第四微孔洞73間隔且整齊地呈周期排列，并界定多個等邊長的六邊形區(qū)域，所述第三微孔洞71分別對應地位于所述六邊形區(qū)域的中央，每一第三微孔洞71 與每一第四微孔洞73的距離為0. 3 μ m 3 μ m，并且所述第二微通道72連通相鄰的第三微孔洞71與第四微孔洞73及兩兩相鄰的第四微孔洞73，并與外界連通。當每一第三微孔洞71與每一第四微孔洞73間的距離為0. 3 μ m 3 μ m時，該幕晶單元3發(fā)出的光受所述微孔洞71、73的折射而增加正向出光的機率，較每一第三微孔洞 71與每一第四微孔洞73間的距離在此范圍外的正向出光機率更佳。特別地，若該磊晶單元 3發(fā)出的光的波長表示為λ，當?shù)谌⒖锥?1與第四微孔洞73間的距離，及兩兩第四微孔洞間73的間隔距離為NX λ/4(Ν為正整數(shù))時，則可經(jīng)由光在兩兩微孔洞71、73間形成駐波，更為加強該磊晶單元3發(fā)出的光在經(jīng)過該第二網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)7時受到折射及散射的程度，進而使光正向發(fā)光的亮度及整體均勻度皆提高。其中，該第二網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)7不限制為上述態(tài)樣， 所述第四微孔洞73可排列為多個等邊長的多邊形區(qū)域、環(huán)形通道態(tài)樣(如圖7)，或其他型態(tài)。再需說明的是，該第二網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)7的形成方式先在該基板2頂面鍍上一以金屬或是金屬氧化物為材料所構(gòu)成的犧牲層(圖未示)，再利用圖案化制程將該犧牲層的態(tài)樣成型為所欲形成的第二網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)7的態(tài)樣，而成為一犧牲結(jié)構(gòu)(圖未示)，并使該基板2的部份頂面裸露；繼續(xù)在該基板2所裸露出的頂面，及該犧牲結(jié)構(gòu)的頂面形成一第一披覆層31 ； 最后，利用具有蝕刻選擇比而可蝕刻該犧牲結(jié)構(gòu)的蝕刻液進行該犧牲結(jié)構(gòu)的蝕刻，以形成一位于該基板2及該磊晶單元3之間，且不破壞該基板2表面晶格排列的第二網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)7。 該第二網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)7與外界連通，該發(fā)光二極管可通過與外界連通的第二網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)7將該第二網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)7抽真空、通入氦氣(He)或氖氣(Ne)等特定氣體，或是在封裝時利用毛細現(xiàn)象充填熒光粉等利用光激發(fā)而產(chǎn)生混光的材料。因此，需說明的是，該具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管的第二較佳實施例還可包含位于該第二微通道72的填充體，該填充體包括熒光粉。特別地，該填充體亦可選自氖氣、氦氣，及其組合為材料所構(gòu)成。該熒光粉供來自該磊晶單元3發(fā)出的光激發(fā)而轉(zhuǎn)變成為較原光所具有的波長范圍更寬的波長范圍的混光，不僅不需如目前在封裝時才能利用摻熒光粉的封裝膠包覆于該發(fā)光二極管表面才能得到混光，還可供已在發(fā)光二極管內(nèi)形成的混光在通過附著于該發(fā)光二極管表面的摻熒光粉的封裝膠達到二次混光的效果，使混光更為均勻。該封裝領(lǐng)域非本案的重點，且為本領(lǐng)域技術(shù)人員所知，所以僅以上簡略描述。 由以上說明可知，本發(fā)明利用該第一網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)5與第二網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)7的微孔洞及所述微通道52、72內(nèi)抽真空、充填空氣或是特定氣體，增加及改變磊晶單元3將電能轉(zhuǎn)換而產(chǎn)生的光的折射及反射角度，以提升正向光取出效率，從而提升整體具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管的發(fā)光亮度及光均勻度，也減少存于發(fā)光二極管內(nèi)部的光轉(zhuǎn)變?yōu)閺U熱能，且可增加該發(fā)光二極管的使用期限。另外，向該第一網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)5與第二網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)7充填熒光粉，使光在該該第一網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)5與第二網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)7內(nèi)通過該熒光粉而再次激發(fā)，使光在發(fā)光二極管內(nèi)部就可產(chǎn)生混光的功效。
權(quán)利要求
1 一種具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管，包含一個基板、一個磊晶單元、一個透明導電層，及一個電極單元，該磊晶單元形成于該基板且在接受電能時將電能轉(zhuǎn)換而產(chǎn)生光，該透明導電層形成于該磊晶單元上增加電流擴散，該電極單元將外界的電能提供至該磊晶單元使該磊晶單元發(fā)光；其特征在于該具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管還包含一個第一網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，該第一網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)位在該磊晶單元與該透明導電層之間并與外界連通。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管，其特征在于該第一網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)包括多個自該透明導電層底面往遠離該基板方向凹陷的第一微孔洞，及多個自該透明導電層的底面往遠離該基板方向凹陷且分別連通兩相鄰的第一微孔洞的第一微通道。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管，其特征在于該第一網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)還包括多個自該透明導電層底面往遠離該基板方向凹陷的第二微孔洞，所述第二微孔洞彼此間隔地形成規(guī)則的周期排列，并界定出多個等邊長的多邊形區(qū)域，所述第一微孔洞分別對應地位于所述區(qū)域的中央，所述第一微通道連接兩兩相鄰的第一微孔洞與第二微孔洞。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管，其特征在于每一個第一微孔洞的深度大于每一個第一微通道的深度，每一個第一微孔洞的徑寬大于每一個第二微孔洞的徑寬。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管，其特征在于該發(fā)光二極管還包含一個位于該磊晶單元與該基板之間并與外界連通的第二網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管，其特征在于該第二網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)包括多個自該第一披覆層底面往該基板方向凹陷的第三微孔洞，及多個自該第一披覆層的底面往該基板方向凹陷且分別連通兩相鄰的第三微孔洞的第二微通道。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管，其特征在于該第二網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)還包括多個自該第一披覆層底面往該基板方向凹陷的第四微孔洞，所述第四微孔洞彼此間隔地形成規(guī)則的周期排列，并界定出多個等邊長的多邊形區(qū)域，所述第三微孔洞分別對應地位于所述區(qū)域的中央，所述第二微通道連接兩兩相鄰的第三微孔洞與第四微孔洞。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管，其特征在于每一個第三微孔洞的深度大于每一個第二微通道的深度，每一個第三微孔洞的徑寬大于每一個第四微孔洞的徑寬。
9.如權(quán)利要求2至8中任一權(quán)利要求所述的具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管，其特征在于 該發(fā)光二極管還包含充填于所述微通道中的填充體，所述填充體包括熒光粉。
10.如權(quán)利要求2至8中任一權(quán)利要求所述的具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管，其特征在于該發(fā)光二極管還包含充填于所述微通道中的填充體，所述填充體選自氖氣、氦氣，及其組合為材料所構(gòu)成。
全文摘要
一種具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管，包含基板、形成于該基板頂面的磊晶單元、形成于該磊晶單元上的透明導電層、設(shè)置于該磊晶單元與該透明導電層之間的第一網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，以及電極單元。磊晶單元可將電能轉(zhuǎn)換為光能，透明導電層可將垂直進入的電流橫向均勻擴散，第一網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)與外界連通，電極單元將外界的電能提供至磊晶單元使磊晶單元發(fā)光，本發(fā)明利用形成于該透明導電層底面的第一網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，增加光的折射，進而提升光取出效率及光均勻度，減少滯留于該發(fā)光二極管內(nèi)部的光形成廢熱能，以提高發(fā)光二極管的使用壽命。
文檔編號H01L33/46GK102468392SQ20101054730
公開日2012年5月23日 申請日期2010年11月17日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月17日
發(fā)明者徐智魁, 李學麟, 王世明, 鄭文韜, 陳源澤 申請人:晶發(fā)光電股份有限公司