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封裝用導(dǎo)線及其制造方法

文檔序號(hào):6956809閱讀:261來源:國知局
專利名稱:封裝用導(dǎo)線及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及封裝用的導(dǎo)線,特別是指一種封裝用導(dǎo)線及其制造方法,其可快速且完全地將芯線表面清洗干凈,并可使鍍層穩(wěn)固地被覆于芯線外。
背景技術(shù)
習(xí)知封裝用導(dǎo)線以純金線為主,金線在封裝應(yīng)用上具有良好的電性及穩(wěn)定的作業(yè)性,然而近來因金線成本價(jià)格大漲,致使業(yè)界開始尋求替代金線的材料。在電性上具有良好特性的銅及銀為目前業(yè)界嘗試用來取代金的主要替代品,但純銅及純銀線易受溫度及濕度影響,致使在保存及封裝作業(yè)上不如金線穩(wěn)定,造成封裝合格率降低,因此便產(chǎn)生有表面用鍍層被覆的復(fù)合導(dǎo)線,鍍層可對(duì)導(dǎo)線形成有效保護(hù),使復(fù)合導(dǎo)線達(dá)到與金線相當(dāng)?shù)奶匦怨δ堋,F(xiàn)有的封裝用導(dǎo)線的制造方法是先取一芯線,通過脫脂處理(degrease)來去除芯線表面的油污,并用水沖洗后,再用酸性藥水進(jìn)行活化處理(acid active),及二次水洗, 接著再在芯線表面用電鍍方式形成一鍍層。但是,形成鍍層前所進(jìn)行的脫脂與活化處理,不僅費(fèi)事,且常因藥水效性變異,不能完全將芯線表面清潔干凈,影響鍍層的附著性,造成鍍層可能意外脫落,并導(dǎo)致封裝導(dǎo)線功能失效。

發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)上述問題,本發(fā)明的主要目的在于提供一種封裝用導(dǎo)線及其制造方法,其可快速且完全地將芯線表面清洗干凈,并可使鍍層穩(wěn)固地被覆于芯線外。為達(dá)到上述目的,本發(fā)明所提供的一種封裝用導(dǎo)線,其特征在于包含有一芯線, 由銀、銀-金合金、銀-銅合金、銀-鈀合金、銅、鋁或其合金所制成;一鍍層,被覆于所述芯線表面,所述鍍層由金、銀、鈀、鉬、釕、鎳或其合金所制成。上述技術(shù)方案中,所述銀-金合金中金的含量為IOppm 40wt%。所述銀-銅合金中銅的含量為IOppm IOwt %。所述銀-鈀合金中鈀的含量為IOppm 35wt%。本發(fā)明所提供的一種封裝用導(dǎo)線的制造方法包含有以下步驟(a)將一芯線通過一反應(yīng)室,在所述反應(yīng)室中產(chǎn)生電漿以清潔所述芯線表面;(b)在所述芯線表面被覆一鍍層。在步驟(a)中,所述電漿為采用氮?dú)?、氬氣、氫氣或其混合氣體所生成。在步驟(a)中,是將氮?dú)馀c最多3%氫氣的混合氣體以10升/分鐘通入反應(yīng)室中, 以生成所述電漿。在步驟(b)中,所述鍍層是以電鍍、濺鍍、蒸鍍、化學(xué)蒸汽沉積或其復(fù)合方式被覆于所述芯線表面。采用上述技術(shù)方案,由于電漿可快速且完全地將芯線表面清洗干凈并加以活化, 故鍍層可穩(wěn)固地被覆于芯線表面而不易脫落。


圖1是本發(fā)明一較佳實(shí)施例的產(chǎn)品立體圖;圖2是本發(fā)明一較佳實(shí)施例的制造方法示意圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)舉以下實(shí)施例并結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)及功效進(jìn)行詳細(xì)說明。如圖1所示,為本發(fā)明一較佳實(shí)施例所提供的制造方法所制成的封裝用導(dǎo)線10, 導(dǎo)線10具有一芯線12以及一鍍層14,芯線12的直徑為0. OlOOmm 0. 0508mm,鍍層14的厚度則為5nm 0. 001mm,芯線12由銀、銅、鋁或其合金所制成,或者芯線12可由銀-金合金所制成,其中金的含量為IOppm 40wt%;芯線12還可由銀-銅合金所制成,其中銅的含量為IOppm 10wt% ;另外,芯線12也可由銀-鈀合金所制成,其中鈀的含量為IOppm 35wt%。鍍層14則可由金、銀、鈀、鉬、釕、鎳或其合金所制成。如圖2所示,封裝用導(dǎo)線10的制造方法是先將芯線12通過一反應(yīng)室20,將氮?dú)馀c 3%以下氫氣的混合氣體以每分鐘10升的流量通入反應(yīng)室20中,利用一電源施加電壓以生成電漿,該電漿即可轟擊芯線12表面以進(jìn)行清潔、活化處理,完成表面清潔處理后的芯線 12可直接用濺鍍或電鍍方式在芯線12表面被覆一鍍層14,即完成封裝用導(dǎo)線10的制造程序。由于本發(fā)明所提供的制造方法為利用電漿清洗芯線12,不僅快速,清潔更為確實(shí)。 芯線12采用卷對(duì)卷(Roll to Roll)方式進(jìn)出反應(yīng)室20,放線速度(wire speed)每分鐘可達(dá)三百米以上,芯線12在反應(yīng)室20中僅需幾亳秒時(shí)間即可完全將芯線12表面的雜質(zhì)如碳、氧或有機(jī)物質(zhì)去除殆盡,非常適合封裝用導(dǎo)線10的生產(chǎn)。芯線12進(jìn)行鍍層14被覆作業(yè)后所形成的導(dǎo)線10,其鍍層14與芯線12的結(jié)合性極佳,即使針對(duì)導(dǎo)線10進(jìn)行后續(xù)加工如拉伸處理,鍍層14冶不易意外脫落。需特別說明的是,形成電漿的氣體可依需要采用氮?dú)?、氬氣、氫氣或其混合氣體, 而于芯線表面被覆鍍層的方法也可采用電鍍、濺鍍、蒸鍍、化學(xué)蒸汽沉積或其復(fù)合方式,其它等效步驟的替代或變化,均應(yīng)被涵蓋在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種封裝用導(dǎo)線的制造方法,其特征在于包含有以下步驟(a)將一芯線通過一反應(yīng)室,在所述反應(yīng)室中產(chǎn)生電漿以清潔所述芯線表面;(b)在所述芯線表面被覆一鍍層。
2.如權(quán)利要求1所述封裝用導(dǎo)線的制造方法,其特征在于在步驟(a)中,所述電漿為采用氮?dú)狻鍤?、氫氣或其混合氣體所生成。
3.如權(quán)利要求1所述封裝用導(dǎo)線的制造方法,其特征在于在步驟(a)中,是將氮?dú)馀c最多3%氫氣的混合氣體以10升/分鐘通入反應(yīng)室中,以生成所述電漿。
4.如權(quán)利要求1所述封裝用導(dǎo)線的制造方法,其特征在于在步驟(b)中,所述鍍層是以電鍍、濺鍍、蒸鍍、化學(xué)蒸汽沉積或其復(fù)合方式被覆于所述芯線表面。
5.一種封裝用導(dǎo)線,其特征在于包含有一芯線,由銀、銀-金合金、銀-銅合金、銀-鈀合金、銅、鋁或其合金所制成;一鍍層,被覆于所述芯線表面,所述鍍層由金、銀、鈀、鉬、釕、鎳或其合金所制成。
6.如權(quán)利要求5所述的封裝用導(dǎo)線,其特征在于所述銀-金合金中金的含量為 IOppm 40wt%o
7.如權(quán)利要求5所述的封裝用導(dǎo)線,其特征在于所述銀-銅合金中銅的含量為 IOppm IOwt %。
8.如權(quán)利要求5所述的封裝用導(dǎo)線,其特征在于所述銀-鈀合金中鈀的含量為 IOppm 35wt %。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種封裝用導(dǎo)線,其包含有一芯線,由銀、銀-金合金、銀-銅合金、銀-鈀合金、銅、鋁或其合金所制成;一鍍層,被覆于所述芯線表面,所述鍍層由金、銀、鈀、鉑、釕、鎳或其合金所制成。導(dǎo)線的制造方法是將一芯線通過一反應(yīng)室,在所述反應(yīng)室中產(chǎn)生電漿以清潔所述芯線表面;再在所述芯線表面被覆一鍍層。由于電漿可快速且完全地將芯線表面清洗干凈并加以活化,故鍍層可穩(wěn)固地被覆于芯線表面而不易脫落。
文檔編號(hào)H01B5/02GK102467987SQ201010554830
公開日2012年5月23日 申請(qǐng)日期2010年11月19日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月19日
發(fā)明者楊成誡, 林振川, 汪建民 申請(qǐng)人:鈺成材料科技股份有限公司
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