專利名稱：單晶片加工方法及單晶片的制作方法
頁單晶片加工方法及單晶片方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件制造領(lǐng)域，尤其涉及一種單晶片加工方法及單晶片。背景技術(shù)：
如圖1所示的硅單晶廠家提供的傳統(tǒng)的硅單晶片的邊緣形狀，經(jīng)過雙邊擴(kuò)散加工后，將完成了雙邊擴(kuò)散的硅單晶片一側(cè)的擴(kuò)散層去除，得到的硅單晶片邊緣形狀如圖2所7J\ ο
此時(shí)，硅單晶片邊緣出現(xiàn)垂直形狀的應(yīng)力集中區(qū)(圖中A區(qū))。這種垂直形狀的應(yīng)力集中區(qū)應(yīng)力集中，在后續(xù)的加工過程中容易造成碎片損耗。
發(fā)明內(nèi)容
基于此，有必要提供一種降低碎片損耗的單晶片的加工方法。
此外，還有必要提供一種碎片損耗較低的單晶片。
一種單晶片加工方法，包括如下步驟將去除了一側(cè)擴(kuò)散層的單晶片的應(yīng)力集中區(qū)去除。
優(yōu)選的，所述單晶片加工方法還包括去除所述應(yīng)力集中區(qū)之后，對去除了應(yīng)力集中區(qū)的單晶片的損傷進(jìn)行修理、去除的步驟。
優(yōu)選的，所述單晶片一側(cè)的擴(kuò)散層采用磨片的方式去除。
優(yōu)選的，所述應(yīng)力集中區(qū)采用倒角的方式去除。
優(yōu)選的，所述應(yīng)力集中區(qū)為單晶片去除一側(cè)擴(kuò)散層后形成的直角邊緣。
優(yōu)選的，還包括去除應(yīng)力集中區(qū)之前的如下步驟
提供硅單晶片；
對硅單晶片進(jìn)行雙邊擴(kuò)散加工；
去除硅單晶片一側(cè)的擴(kuò)散層。
優(yōu)選的，所述硅單晶片經(jīng)過倒角處理。
一種單晶片，所述單晶片去除了一側(cè)的擴(kuò)散層后應(yīng)力集中區(qū)被去除。
優(yōu)選的，所述應(yīng)力集中區(qū)為單晶片去除一側(cè)擴(kuò)散層后形成的直角邊緣。
這種單晶片的加工方法在去除單晶片一側(cè)的擴(kuò)散層后去除了應(yīng)力集中區(qū)，減小了應(yīng)力，從而降低了碎片損耗。

圖1為傳統(tǒng)的硅單晶片邊緣形狀；
圖2為傳統(tǒng)的去除了一側(cè)擴(kuò)散層后的硅單晶片的邊緣形狀；
圖3為一實(shí)施方式的單晶片的加工方法的流程圖4為圖3示加工方法的去除應(yīng)力集中區(qū)步驟的示意圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對單晶片的加工方法做進(jìn)一步的描述。
如圖3所示的硅單晶片的加工方法，包括如下步驟
S10、提供硅單晶片
購買上游硅單晶廠家生產(chǎn)的經(jīng)過倒角處理的硅單晶片，也可以自行生產(chǎn)。
在磨削加工領(lǐng)域，將工件邊緣棱角去除的工藝稱為倒角。
S20、對硅單晶片進(jìn)行雙邊擴(kuò)散加工
雙邊擴(kuò)散工藝，也可以稱為三重?cái)U(kuò)散。
S30、去除硅單晶片一側(cè)的擴(kuò)散層
采用磨片的方法去除硅單晶片一側(cè)的擴(kuò)散層，同時(shí)硅單晶片出現(xiàn)直角邊緣，即邊緣形成了垂直形狀的應(yīng)力集中區(qū)(圖4示A區(qū))。
S40、去除應(yīng)力集中區(qū)
參閱圖4，采用倒角的方式去除應(yīng)力集中區(qū)(圖4示A區(qū))，形成圖4示B區(qū)，減小了應(yīng)力。
S50、崩角等損傷的修理、去除
對前面加工過程中硅單晶片出現(xiàn)的崩邊等損傷進(jìn)行修理、去除。
上述硅單晶片的加工方法并不局限于硅單晶片，可以應(yīng)用于類似結(jié)構(gòu)的單晶片加工。
此外，還提供一種去除了一側(cè)的擴(kuò)散層后應(yīng)力集中區(qū)被去除的單晶片，應(yīng)力集中區(qū)為單晶片去除一側(cè)擴(kuò)散層后形成的直角邊緣。
這種單晶片的加工方法在去除單晶片一側(cè)擴(kuò)散層后去除了應(yīng)力集中區(qū)，減小了應(yīng)力，從而降低了碎片損耗。
以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的一種或幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種單晶片加工方法，包括如下步驟將去除了一側(cè)擴(kuò)散層的單晶片的應(yīng)力集中區(qū)去除。
2.如權(quán)利要求1所述的單晶片加工方法，其特征在于，所述單晶片加工方法還包括去除所述應(yīng)力集中區(qū)之后，對去除了應(yīng)力集中區(qū)的單晶片的損傷進(jìn)行修理、去除的步驟。
3.如權(quán)利要求1所述的單晶片加工方法，其特征在于，所述單晶片一側(cè)的擴(kuò)散層采用磨片的方式去除。
4 如權(quán)利要求1所述的單晶片加工方法，其特征在于，所述應(yīng)力集中區(qū)采用倒角的方式去除。
5.如權(quán)利要求1所述的單晶片加工方法，其特征在于，所述應(yīng)力集中區(qū)為單晶片去除一側(cè)擴(kuò)散層后形成的直角邊緣。
6.如權(quán)利要求1至5中任意一項(xiàng)所述的單晶片加工方法，其特征在于，還包括去除應(yīng)力集中區(qū)之前的如下步驟提供硅單晶片；對硅單晶片進(jìn)行雙邊擴(kuò)散加工；去除硅單晶片一側(cè)的擴(kuò)散層。
7.如權(quán)利要求6所述的單晶片，其特征在于，所述硅單晶片經(jīng)過倒角處理。
8.一種單晶片，其特征在于，所述單晶片去除了一側(cè)的擴(kuò)散層被后應(yīng)力集中區(qū)被去除。
9.如權(quán)利要求8所述的單晶片，其特征在于，所述應(yīng)力集中區(qū)為單晶片去除一側(cè)擴(kuò)散層后形成的直角邊緣。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種單晶片加工方法，包括如下步驟將去除了一側(cè)擴(kuò)散層的單晶片的應(yīng)力集中區(qū)去除。這種單晶片的加工方法在去除單晶片一側(cè)擴(kuò)散層后去除了應(yīng)力集中區(qū)，減小了應(yīng)力，從而降低了碎片損耗。此外，還提供一種去除了一側(cè)的擴(kuò)散層后應(yīng)力集中區(qū)被去除的單晶片。
文檔編號(hào)H01L29/04GK102479675SQ20101056213
公開日2012年5月30日 申請日期2010年11月25日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月25日
發(fā)明者厲策, 汪德文, 胡升東 申請人:深圳深愛半導(dǎo)體股份有限公司