專利名稱：堆棧封裝組件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體封裝件及其制造方法，且特別是有關(guān)于一種可減少導(dǎo) 線偏移(wire sweep)的堆棧半導(dǎo)體封裝組件及其制造方法。
背景技術(shù)：
電子產(chǎn)品至少在某種程度上受到增進(jìn)功能及縮小尺寸的驅(qū)使而日益地趨于復(fù)雜。 當(dāng)增進(jìn)功能及縮小尺寸的優(yōu)點(diǎn)顯而易見(jiàn)時(shí)，達(dá)成這些優(yōu)點(diǎn)的同時(shí)可能也會(huì)產(chǎn)生問(wèn)題。尤其， 電子產(chǎn)品一般都需要在有限的空間內(nèi)容納高密度的半導(dǎo)體組件。舉例來(lái)說(shuō)，于手機(jī)、個(gè)人數(shù) 字助理、手提電腦、與其它可攜式消費(fèi)產(chǎn)品中，用以容納處理器、存儲(chǔ)裝置、及其它主動(dòng)或被 動(dòng)裝置的空間可能相當(dāng)?shù)鼐窒?。半?dǎo)體組件一般經(jīng)由封裝的方式提供保護(hù)使其免于環(huán)境條 件的傷害，并且提供輸入和輸出的電性連接。封裝半導(dǎo)體組件于半導(dǎo)體封裝件中可能占用 電子產(chǎn)品內(nèi)的額外可用的空間。在此情況下，有很強(qiáng)的驅(qū)使力朝向減少被半導(dǎo)體封裝件占 用的腳位區(qū)域。減少被半導(dǎo)體封裝件占用的腳位區(qū)域的其中一個(gè)方法堆棧這些封裝件于另一個(gè) 封裝件上，以形成堆棧封裝組件。堆棧封裝組件可包括導(dǎo)線，導(dǎo)線位在包括于組件中的封裝 件的外部，且電性連接至封裝件。堆棧封裝組件亦可例如是封裝此些封裝件及導(dǎo)線于封膠 材料中，以保護(hù)此些封裝件和它們的連接導(dǎo)線免于環(huán)境的條件的破壞。不幸地，導(dǎo)線偏移 (導(dǎo)線的移動(dòng))可能發(fā)生，舉例來(lái)說(shuō)，像是在封裝工藝時(shí)。如果沒(méi)有確認(rèn)導(dǎo)線偏移可能造成 鄰近的導(dǎo)線短路、鄰近導(dǎo)線的電感增加以及其它效應(yīng)。如此會(huì)造成堆棧封裝組件的電性表 現(xiàn)降低，且相對(duì)應(yīng)的封裝良率降低。此外，為了補(bǔ)償導(dǎo)線偏移，相鄰導(dǎo)線的間距必須增加，如 此一來(lái)，腳位的尺寸增加且/或在堆棧封裝組件中用以電性連接至封裝件的可用的導(dǎo)線的 數(shù)量減少。在此背景下，發(fā)展堆棧封裝組件及相關(guān)方法的需求產(chǎn)生，且于此說(shuō)明。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提出一種堆棧封裝組件。在一實(shí)施例中，堆棧封裝組件包括 一第一半導(dǎo)體封裝件、一第二半導(dǎo)體封裝件、一第一導(dǎo)電凸塊、一第二導(dǎo)電接觸件、一導(dǎo)線。
(1)第一半導(dǎo)體封裝件包括一第一半導(dǎo)體裝置、一第一封裝體及一第一導(dǎo)電接觸件。(a)第 一半導(dǎo)體裝置包括一后表面及數(shù)個(gè)側(cè)表面，此些側(cè)表面鄰接于第一半導(dǎo)體裝置的周圍；(b) 第一封裝體實(shí)質(zhì)上覆蓋第一半導(dǎo)體裝置的后表面以及此些側(cè)表面，第一封裝體包括一上表 面；及(c)第一導(dǎo)電接觸件鄰接于第一封裝體的上表面，且電性連接于第一半導(dǎo)體裝置。
(2)第二半導(dǎo)體封裝件設(shè)置于第一封裝體的上表面上。( 第一導(dǎo)電凸塊鄰接于第一導(dǎo)電 接觸件及第二半導(dǎo)體封裝件。(4)第二導(dǎo)電接觸件位于第一半導(dǎo)體封裝件及第二半導(dǎo)體封 裝件的外部；以及(5)導(dǎo)線電性連接第一半導(dǎo)體封裝件及第二半導(dǎo)體封裝件于第二導(dǎo)電接 觸件，導(dǎo)線的一第一端鄰接于第一導(dǎo)電接觸件，且至少部份的導(dǎo)線的第一端被第一導(dǎo)電凸 塊所覆蓋。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提出一種堆棧封裝組件。堆棧封裝組件包括一第一半導(dǎo) 體封裝件、一第二半導(dǎo)體封裝件、一第一導(dǎo)電凸塊、一第二導(dǎo)電凸塊、一第二導(dǎo)電接觸件、一 導(dǎo)線。(1)第一半導(dǎo)體封裝件包括一第一半導(dǎo)體裝置、一第一封裝體、一重新分配單元、一 第一導(dǎo)電接觸件。(a)第一半導(dǎo)體裝置包括一后表面及數(shù)個(gè)側(cè)表面，此些側(cè)表面鄰接于第 一半導(dǎo)體裝置的周圍；(b)第一封裝體實(shí)質(zhì)上覆蓋第一半導(dǎo)體裝置的后表面以及此些側(cè)表 面，第一封裝體包括一上表面；(c)重新分配單元鄰近于第一封裝體的上表面，且橫向地延 伸超出第一半導(dǎo)體裝置的周圍，重新分配單元電性連接于第一半導(dǎo)體裝置；及(d)第一導(dǎo) 電接觸件鄰接于第一封裝體的上表面。( 第二半導(dǎo)體封裝件設(shè)置于第一封裝體的上表面 上。( 第一導(dǎo)電凸塊鄰接于第一導(dǎo)電接觸件及第二半導(dǎo)體封裝件。(4)第二導(dǎo)電凸塊鄰 接于重新分配單元及第二半導(dǎo)體封裝件，第二導(dǎo)電凸塊電性連接于重新分配單元及第二半 導(dǎo)體封裝件。( 第二導(dǎo)電接觸件位在第一半導(dǎo)體封裝件及第二半導(dǎo)體封裝件的外部；以 及(6)導(dǎo)線電性連接第二半導(dǎo)體封裝件于第二導(dǎo)電接觸件，導(dǎo)線的一第一端鄰接于第一導(dǎo) 電接觸件，且至少部份的導(dǎo)線的第一端被第一導(dǎo)電凸塊所覆蓋。根據(jù)本發(fā)明的其它方面的實(shí)施例亦可被理解的。上述的發(fā)明內(nèi)容以及接下來(lái)詳細(xì) 的描述非用以限制本發(fā)明于特定的實(shí)施例，僅是敘述本發(fā)明的某些實(shí)施例。為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，作 詳細(xì)說(shuō)明如下


圖1繪示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例中堆棧封裝組件的示意圖。圖2繪示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例中沿著圖1中的線A-A的堆棧封裝組件的剖面 圖。圖3繪示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例圖1中的堆棧封裝組件的部份的放大截面圖，包括 導(dǎo)電凸塊、導(dǎo)線及導(dǎo)電接觸件。圖4繪示根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例中堆棧封裝組件的剖面圖。主要組件符號(hào)說(shuō)明100、400 堆棧封裝組件200、201、203、403 半導(dǎo)體封裝件202:半導(dǎo)體裝置204、216:下表面206、218、219、404、405、486 上表面208、210J64a 側(cè)表面214、215、284、484 封裝體217J64b、285 側(cè)表面222 半導(dǎo)體裝置250:圖案化導(dǎo)電層251 重新分配單元252、254 圖案化導(dǎo)電層260a, 260b 電性互連件
270a,270b,272a,272b 導(dǎo)電接觸件274a、274b、293a、293b、294a、294b 列280a,280b 導(dǎo)線282 部分290a、290b、291a、291b、292a、292b 導(dǎo)電凸塊300,302 層304,306 端402 散熱件
具體實(shí)施例方式以下的定義適用于依據(jù)本發(fā)明的部份實(shí)施例的部份方面。定義同樣地于此作詳細(xì) 說(shuō)明。除非內(nèi)文明確指明，否則于此所用的單數(shù)詞“a”、“an”以及“the”包括數(shù)個(gè)指示對(duì) 象。因此，舉例來(lái)說(shuō)，除非內(nèi)文明確指明，否則當(dāng)提及一導(dǎo)電接觸件時(shí)，此一導(dǎo)電接觸件可包 含數(shù)個(gè)導(dǎo)電接觸件。于此所用的詞語(yǔ)“set”表示一個(gè)或多個(gè)組件的集合。因此，舉例來(lái)說(shuō)，一層組可 以包括單一層或多層。一組的組件(components of a set)也可以解釋為此組的一部分 (members of the set)。一組的組件可以是相同或不同的。在某些例子中，一組的組件可 以共享一個(gè)或多個(gè)共同的特征。于此所用的詞語(yǔ)“adjacent”表示鄰近或鄰接。鄰近的數(shù)個(gè)組件可彼此互相分開(kāi) 或者彼此實(shí)質(zhì)上或直接互相接觸。在某些例子中，鄰近的數(shù)個(gè)組件可彼此互相連接或是一 體成形。于此所用的相對(duì)詞語(yǔ)，例如是“inner”、“interior”、“outer”、“exterior”、“top”、 "bottom，，、" front、"back、"upper，，、"upwardly，，、"lower，，、"downwardly，，、"vertical，，、 “vertically，，、" lateral，，、" laterally，，、“above，，、“beloW，，、表示一組的組件彼此相對(duì)于另
一組的組件的方向，例如是如圖式所示，但此些組件在制造過(guò)程中或使用中不需局限在特 定方向。于此所用的詞語(yǔ)“connect”、“connected”及“connection”表示操作上的耦合或 連結(jié)。數(shù)個(gè)連接組件之間可彼此互相直接耦合，或是彼此之間互相間接耦合，例如經(jīng)由另一 組的組件來(lái)達(dá)成彼此相互間接耦合。 于此所用的詞語(yǔ)“substantially"以及“substantial，，表示相當(dāng)?shù)某潭然蚍秶?當(dāng)上述詞語(yǔ)與一事件或情況合在一起使用時(shí)，此些詞語(yǔ)可表示事件或情況精確地發(fā)生的實(shí) 例，亦可表示事件或情況在接近的狀況下發(fā)生的實(shí)例，例如是說(shuō)明在此所描述的一般制造 操作時(shí)的容忍程度。 于此所用的詞語(yǔ)“electrically conductive"以及“electrically conductivity”表示一電流傳輸?shù)哪芰Α?dǎo)電材料通常是那些顯現(xiàn)出極小或者沒(méi)有反抗電 流流通的材料。每公尺數(shù)個(gè)西門子(Siemens per meter，“S · πΓ1”)為導(dǎo)電性的一種度量 單位。一般來(lái)說(shuō)，一導(dǎo)電材料具有大于IO4S · πΓ1的傳導(dǎo)性，例如是最少約為10 · πΓ1或者 至少約為10 ^nT115 —材料的導(dǎo)電性有時(shí)可隨溫度而變化。除非另有明確說(shuō)明，一材料的導(dǎo)電性是于室溫下所定義。首先請(qǐng)參照?qǐng)D1及圖2，圖1及圖2繪示本發(fā)明的一實(shí)施例的堆棧封裝組件100。 特別地，圖1繪示堆棧封裝組件100的示意圖，而圖2繪示沿著圖1中的線A-A的堆棧封裝 組件100的剖面圖。在本實(shí)施例中，堆棧封裝組件100的側(cè)邊本質(zhì)上為平面且具有實(shí)質(zhì)上正交方向， 以定義側(cè)邊的外形，側(cè)邊的外形本質(zhì)上延伸環(huán)繞堆棧封裝組件100的全部周邊。更有利地， 正交側(cè)邊的外形可經(jīng)由減少或最小化堆棧封裝組件100的腳位區(qū)域(footprint area)，使 得整體的封裝件的尺寸減小。然而，一般來(lái)說(shuō)堆棧封裝組件100側(cè)邊的外形可為任意的形 狀，例如是曲線、傾斜、階梯或粗糙的紋路。請(qǐng)參照?qǐng)D2，堆棧封裝組件100包括一半導(dǎo)體封裝件200。在一實(shí)施例中，半導(dǎo)體 封裝件203堆棧于半導(dǎo)體封裝件200上，且半導(dǎo)體封裝件200堆棧于半導(dǎo)體封裝件201上。 封裝件200包括一半導(dǎo)體裝置202(其方向相反于堆棧封裝組件100的方向)，半導(dǎo)體裝置 202包括下表面204、上表面206及側(cè)表面208及210。側(cè)表面208及210鄰接于半導(dǎo)體裝 置202的周圍并且在下表面204和上表面206之間延伸。在本實(shí)施例中，每個(gè)表面204、206、 208及210本質(zhì)上為平面，且側(cè)表面208及210具有本質(zhì)上相對(duì)于下表面204或上表面206 的正交方向，然而表面204、206、208及210于不同的實(shí)施例中可有不同的形狀與方向。如圖 2所示，上表面206為半導(dǎo)體裝置202的后表面，且下表面204為半導(dǎo)體裝置202的主動(dòng)表 面。下表面204可包括多個(gè)接觸墊，接觸墊提供半導(dǎo)體裝置202輸入及輸出的電性連接方 式，以使半導(dǎo)體裝置202連接封裝件200的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)像是圖案化導(dǎo)電層250(說(shuō) 明于下文中)。雖然在本實(shí)施例中的半導(dǎo)體裝置202為半導(dǎo)體芯片，然而，一般來(lái)說(shuō)半導(dǎo)體 裝置202可為任何主動(dòng)裝置、任何被動(dòng)裝置或是任何主動(dòng)裝置與被動(dòng)裝置的組合。雖然圖 2中繪示一個(gè)半導(dǎo)體裝置，然而，在其它實(shí)施例中可包括其它的半導(dǎo)體裝置。如圖2所示，封裝件200亦包括封裝體214，封裝體214鄰接于半導(dǎo)體裝置202。 在本實(shí)施例中，封裝體214本質(zhì)上覆蓋或封裝半導(dǎo)體裝置202，且連接封裝體284 (如下所 述)，以提供機(jī)械穩(wěn)定度并且提供避免氧化、潮濕和其它環(huán)境條件的保護(hù)。在本實(shí)施例中， 封裝體214本質(zhì)上包覆半導(dǎo)體裝置202的上表面206及側(cè)表面208及210，而半導(dǎo)體裝置 202的下表面204本質(zhì)上在封裝體214上暴露或裸露。封裝體214包括下表面216及上表 面218。在本實(shí)施例中，每個(gè)表面216及218本質(zhì)上為平面，而表面216及218可于不同的 實(shí)施例中做出不同的形狀與方向。在一實(shí)施例中，封裝體214可由一封膠(molding)材料制成。封膠材料可包括 例如是酚醛基樹(shù)酯(Novolac-based resin)、環(huán)氧基樹(shù)酯(epoxy-based resin)，硅樹(shù)酯 (silicone-based)或其它合適的封膠材料。其中亦可包括適當(dāng)?shù)奶畛湮铮缡嵌趸?粉末。封膠材料可為預(yù)浸(pre-impregnated)材料，例如是預(yù)浸的介電質(zhì)材料。封裝體214 可包括一支撐結(jié)構(gòu)，以連接或代替封膠材料。舉例來(lái)說(shuō)，封裝體214可包括框架或轉(zhuǎn)接板 (interposer)，其可由玻璃、硅、金屬、金屬合金、聚合物或其它合適的材料制成。如圖2所示，封裝件200更進(jìn)一步包括鄰近于封裝體214的上表面218的圖案化 導(dǎo)電層250。封裝件200亦包括圖案化導(dǎo)電層252，圖案化導(dǎo)電層252鄰近于封裝體214的 下表面216。封裝件200更進(jìn)一步包括電性互連件^Oa及^Ob。電性互連件^Oa及^Ob 分別具有側(cè)表面26 及^4b。電性互連件^Oa及^Ob設(shè)置在半導(dǎo)體裝置202的周圍，且本質(zhì)上自圖案化導(dǎo)電層250垂直地延伸。圖案化導(dǎo)電層250及252可電性連接于一或多個(gè) 電性互連件沈0。側(cè)表面沈如及本質(zhì)上可被封裝體214覆蓋。更佳地，圖案化導(dǎo)電層250可作為半導(dǎo)體裝置202的重新分配的連接網(wǎng)絡(luò)。舉例 來(lái)說(shuō)，封裝件200可包括重新分配單元251，重新分配單元251包括圖案化導(dǎo)電層250。在 一實(shí)施例中，封裝件200可提供二維分扇出(two-dimensional fan-out)的結(jié)構(gòu)，其中圖案 化導(dǎo)電層250本質(zhì)上于半導(dǎo)體裝置202的周邊外部側(cè)向地延伸。舉例來(lái)說(shuō)，圖2顯示包括 導(dǎo)電凸塊^Oa及^Ob的電性接觸件位在半導(dǎo)體裝置202的周邊外部。導(dǎo)電凸塊^Oa及
可經(jīng)由圖案化導(dǎo)電層250電性連接于半導(dǎo)體裝置202。經(jīng)由提供從半導(dǎo)體裝置202到 電性接觸件的電性路徑，封裝件200的電性互連件^Oa及^Ob可促使二維扇出結(jié)構(gòu)變成 三維扇出結(jié)構(gòu)，其中電性接觸件包括導(dǎo)電凸塊^la及^lb,且導(dǎo)電凸塊^la及^lb位在 封裝體214的下表面216上。經(jīng)由圖案化導(dǎo)電層252、電性互連件^Oa及^Ob及圖案化導(dǎo) 電層250電性連接導(dǎo)電凸塊四化及四讓到半導(dǎo)體裝置202進(jìn)而形成三維扇出的結(jié)構(gòu)。就 于封裝件200的上表面218及下表面216上的電性接觸件的配置與間隔而言，三維扇出的 結(jié)構(gòu)因減少了對(duì)半導(dǎo)體裝置202的接觸墊的配置與間距的依賴而比二維扇出的結(jié)構(gòu)更具 彈性。雖然依據(jù)封裝件200的扇出結(jié)構(gòu)，導(dǎo)電凸塊^0a、290bJ91a& ^lb側(cè)向地設(shè)置于 半導(dǎo)體裝置202的周邊外部，然而，一般而言導(dǎo)電凸塊四徹、29013、四13及四113可側(cè)向地設(shè) 置于半導(dǎo)體裝置202的周圍外部、周圍內(nèi)部、或者以上兩者。在本實(shí)施例中，導(dǎo)電凸塊四0￡1、29013、四1￡1及四113可為焊料凸塊，例如是回焊焊料 球。封裝件200可經(jīng)由導(dǎo)電凸塊電性連接于其它封裝件，例如是封裝件201及封裝件203。 舉例來(lái)說(shuō)，導(dǎo)電凸塊^Oa及可鄰接于重新分配單元251及封裝件203，亦可電性連接 重新分配單元251及封裝件203。在一選擇上，封裝件200利用導(dǎo)電凸塊可透過(guò)熔融的導(dǎo)電 凸塊來(lái)電性連接于其它封裝件，例如是封裝件201及封裝件203。例如是焊料凸塊的熔融的 導(dǎo)電凸塊利用回焊(reflow)而與例如是其它的焊料凸塊的其它導(dǎo)電組件結(jié)合。請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D2，雖然重新分配單元251可在制造過(guò)程中作為一組的重新分配單 元，但是在其它實(shí)施例中，重新分配單元251可包括一預(yù)先形成的結(jié)構(gòu)。重新分配單元251 可僅包括圖案化導(dǎo)電層250或?yàn)槎鄬咏Y(jié)構(gòu)。舉例來(lái)說(shuō)，除了圖案化導(dǎo)電層250外，重新分配 單元251可包括一對(duì)介電層，此對(duì)介電層至少一部分夾住圖案化導(dǎo)電層250。于其它實(shí)施 例中，可使用較多或較少的介電層。一般來(lái)說(shuō)，每個(gè)介電層可由聚合或非聚合的介電材料制 成。舉例來(lái)說(shuō)，至少一個(gè)介電層可由聚酰亞胺(polyimide)、聚苯惡唑(polybenzoxazole)、 苯環(huán)丁烯(benzocyclobutene)、或上述材料的組合來(lái)形成。多個(gè)介電層可由相同或不同的 介電材料制成。在某些實(shí)施例中，至少一介電層可由例如是光可成像(photoimageable)或 可感光(photoactive)的介電材料形成，如此一來(lái)，經(jīng)由利用光蝕刻法來(lái)圖案化以減少制 造成本與時(shí)間。如圖2所示，封裝件203可配置于封裝件200的封裝體214的上表面218上。封 裝件203可包括半導(dǎo)體裝置(未顯示)，此半導(dǎo)體裝置具有相似于之前說(shuō)明的半導(dǎo)體裝置 202的特征。在一實(shí)施例中，導(dǎo)電接觸件270a及270b鄰接于封裝體214的上表面218。導(dǎo) 電凸塊四加及可分別鄰接于導(dǎo)電接觸件270a及270b，且鄰接于封裝件203。導(dǎo)電凸 塊292可為焊料凸塊，或相似于上述的熔融的導(dǎo)電凸塊。一或是多個(gè)導(dǎo)電接觸件270可電 性連接于半導(dǎo)體裝置202。導(dǎo)線^Oa及^Ob可電性連接導(dǎo)電接觸件270a及270b于導(dǎo)電接觸件27 及272b。在一實(shí)施例中，一或是多個(gè)導(dǎo)線280可電性連接封裝件200及封裝件 230中的至少一者至相對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電接觸件272。一或多個(gè)導(dǎo)線280亦可電性連接半導(dǎo)體裝 置202及包括在封裝件203內(nèi)的半導(dǎo)體裝置中的至少一者至相對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電接觸件272。導(dǎo) 電接觸件272可在封裝件200及封裝件203的外部。堆棧封裝組件100中的被虛線圈起的 一部分觀2的爆炸圖繪示于圖4中(將于下文中說(shuō)明)。部分282包括導(dǎo)電凸塊^2b、導(dǎo) 電接觸件270b、導(dǎo)線^Ob及導(dǎo)電接觸件272b。請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D2，封裝件201可包括封裝體215，封裝體215包括上表面219以及 側(cè)表面217。封裝體215具有與前述的封裝體214相似的特征。至少一導(dǎo)電接觸件272可 鄰接到封裝件201的外部周圍。舉例來(lái)說(shuō)，導(dǎo)電接觸件272可鄰接于封裝體215的上表面 219。在一實(shí)施例中，半導(dǎo)體裝置222及圖案化導(dǎo)電層邪4可鄰接于上表面219，在上表面 219上半導(dǎo)體裝置222電性連接于圖案化導(dǎo)電層254。一或多個(gè)導(dǎo)電凸塊291可鄰接于圖 案化導(dǎo)電層252以及圖案化導(dǎo)電層254。如圖2所示，封裝體284可覆蓋一或多個(gè)半導(dǎo)體裝置222、圖案化導(dǎo)電層254、封裝 件200、封裝件203、導(dǎo)電凸塊四2、導(dǎo)電凸塊四0、導(dǎo)電凸塊四1、導(dǎo)電接觸件272以及導(dǎo)線 2800在一實(shí)施例中，封裝體284的側(cè)表面285本質(zhì)上可與封裝體215的側(cè)表面217共表面。請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D2，導(dǎo)電接觸件270可設(shè)置成至少一列274。舉例來(lái)說(shuō)，在一實(shí)施例 中，導(dǎo)電接觸件270的一列27 (指入紙張)包括導(dǎo)電接觸件270a，且導(dǎo)電接觸件270的 另一列274b (指入紙張)包括導(dǎo)電接觸件270b。列274b本質(zhì)上對(duì)齊列27如。導(dǎo)電接觸件 270的列274可鄰接于封裝體214的上表面218，且電性連接于半導(dǎo)體裝置202。此外，導(dǎo)電 凸塊292可設(shè)置成至少一列四4，每個(gè)導(dǎo)電凸塊292鄰接于相對(duì)應(yīng)的一個(gè)導(dǎo)電接觸件270。 舉例來(lái)說(shuō)，在一實(shí)施例中，導(dǎo)電凸塊四2的一列294a(指入紙張)包括導(dǎo)電凸塊四加，且對(duì) 應(yīng)于導(dǎo)電接觸件270的列274a。導(dǎo)電凸塊292的一列(指入紙張)包括導(dǎo)電凸塊 且對(duì)應(yīng)于導(dǎo)電接觸件270的列274b。導(dǎo)電凸塊四2的列294可鄰接于封裝件203。每個(gè)導(dǎo) 電接觸件270及每個(gè)導(dǎo)電凸塊272，可經(jīng)由對(duì)應(yīng)的導(dǎo)線280以電性連接于相對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電接觸 件 272。更進(jìn)一步，導(dǎo)電凸塊290可設(shè)置成至少一列四3。舉例來(lái)說(shuō)，在一實(shí)施例中，導(dǎo)電凸 塊四0的一列(指入紙張)包括導(dǎo)電凸塊^Oa,且導(dǎo)電凸塊四0的另一列293b (指入 紙張)包括導(dǎo)電凸塊^0b。列四北本質(zhì)上對(duì)齊列^3a。導(dǎo)電凸塊四0的至少一列293可 鄰接導(dǎo)電凸塊四2的至少一列四4。導(dǎo)電凸塊四0的列293可鄰接于重新分配單元251以 及封裝件203，并且可電性連接重新分配單元251以及封裝件203。一般而言，圖案化導(dǎo)電層250、電性互連件沈0、圖案化導(dǎo)電層252以及圖案化導(dǎo)電 層2M可由金屬、金屬合金以及金屬、或具有金屬或金屬合金摻雜于其中的材料、或者是另 一合適的導(dǎo)電材料所制成。舉例來(lái)說(shuō)，圖案化導(dǎo)電層250、電性互連件沈0、圖案化導(dǎo)電層 252以及圖案化導(dǎo)電層邪4至少其中之一可由鋁、銅、鈦或是上述的材料的組合來(lái)形成。圖 案化導(dǎo)電層250、電性互連件沈0、圖案化導(dǎo)電層252以及圖案化導(dǎo)電層2M可由相同或不 同的導(dǎo)電材料形成。圖3繪示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的圖1中的堆棧封裝組件100的部份觀2的放大剖 面圖，部份282包括導(dǎo)電凸塊^2b、導(dǎo)線^Ob及導(dǎo)電接觸件270b及272b。以下說(shuō)明的部 分282也可應(yīng)用于堆棧封裝組件100中其它的相似結(jié)構(gòu)，例如是導(dǎo)電凸塊四加、導(dǎo)線^Oa以及導(dǎo)電接觸件270a及27加。導(dǎo)線^Ob的一端304可鄰接于導(dǎo)電接觸件270b，且至少一 部份被導(dǎo)電凸塊所覆蓋。導(dǎo)電凸塊連接導(dǎo)線^Ob的一端304可在回焊工藝中 發(fā)生。導(dǎo)線^Ob的一端306可鄰接導(dǎo)電接觸件272b。導(dǎo)線^Ob的端304及306經(jīng)由打線 工藝可分別連接于導(dǎo)電接觸件270b及272b。導(dǎo)電凸塊可至少覆蓋部分打線接合于導(dǎo) 電接觸件270的導(dǎo)線^Ob的端304。在一實(shí)施例中，導(dǎo)線^Ob可由金、銅、合金、以及其它 合適的導(dǎo)電材料組成，合金可例如是銀和金的合金。導(dǎo)電接觸件270b包括層300，層300與導(dǎo)電凸塊鄰接。在一實(shí)施例中，層 300可為一上層300，且導(dǎo)電接觸件270b可包括一或多個(gè)下層302，下層302位在上層300 的下方。在一設(shè)計(jì)的選擇上，導(dǎo)電接觸件270b可具有單一個(gè)層300，而不具有下層302。 在一實(shí)施例中，層300可包括金。其中一個(gè)這樣的層的例子為直接浸金處理層(direct immersion gold finishing layer)。下層302可包括一包括鎳的層，且亦可包括一包括 鈀的層。層300及層302的例子包括化鎳浸金處理層(electroless nickel/immersion gold finishing layer)及無(wú)電鍍鎳/無(wú)電鍍鈀/浸金處理層(electroless nickel/ electroless palladium/ immersion gold finishing layer)。導(dǎo)電接角蟲(chóng)件 272b 可具有禾口 導(dǎo)電接觸件270b相似的特性。如上所述，導(dǎo)電凸塊可至少覆蓋部分打線于導(dǎo)電接觸件270b的導(dǎo)線^Ob的 端304。此結(jié)構(gòu)可先于堆棧封裝組件100的封裝體284形成之前完成，以防止或減少因形成 封裝體284而產(chǎn)生的導(dǎo)線偏移。雖然此方法在說(shuō)明堆棧封裝組件100的情況下提及，但此 方法亦可用來(lái)在例如是封膠工藝的形成堆棧封裝組件的過(guò)程中防止或減少導(dǎo)線偏移。利用此方法在形成堆棧封裝組件(例如是圖2中的堆棧封裝組件100)的過(guò)程中 來(lái)防止或減少導(dǎo)線偏移，可達(dá)到幾個(gè)好處。首先，堆棧封裝組件的電性表現(xiàn)會(huì)變好，因?yàn)榇?方法可減少或/且消去導(dǎo)線偏移所造成的結(jié)果，例如是增加電感或/且鄰近的導(dǎo)線短路。第 二，在封膠工藝中避免或/且減少導(dǎo)線偏移可使堆棧封裝組件的良率升高。第三，因?yàn)榉饽z 工藝中可避免或/且減少導(dǎo)線偏移，導(dǎo)線(例如是導(dǎo)線^Ob)的間距可減小，進(jìn)而促使堆棧 封裝組件的尺寸縮減。第四，在導(dǎo)線的間距減小的情況下，可用的導(dǎo)線(例如是導(dǎo)線^Ob) 的數(shù)量增加。在一設(shè)計(jì)的選擇上，導(dǎo)線的數(shù)量以及導(dǎo)電接觸件(例如是導(dǎo)電接觸件270b) 的數(shù)量可減少，因?yàn)槎鄠€(gè)半導(dǎo)體封裝件可電性連接至相同導(dǎo)線^0b。舉例來(lái)說(shuō)，在圖2中， 封裝件200以及封裝件203皆可電性連接至導(dǎo)線^Ob以及導(dǎo)電接觸件270b。圖4繪示根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的堆棧封裝組件400的剖面圖。除了包括散熱 件402之外，堆棧封裝組件400相似于堆棧封裝組件100 (請(qǐng)參照?qǐng)D2~)。堆棧封裝組件包括 半導(dǎo)體封裝件403(相似于圖2中的封裝件20 以及封裝體484(相似于圖2中的封裝體 284)。封裝體484包括上表面486。散熱件402包括上表面404，而封裝件403包括上表面 405。在一實(shí)施例中，散熱件402可鄰近于上表面405。在一實(shí)施例中，散熱件402的上表面 404本質(zhì)上可與封裝體484的上表面486共平面。綜上所述，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明。本發(fā) 明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng) 與潤(rùn)飾。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求書(shū)所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種堆棧封裝組件，包括 一第一半導(dǎo)體封裝件，包括一第一半導(dǎo)體裝置，包括一后表面及數(shù)個(gè)側(cè)表面，這些側(cè)表面鄰接于該第一半導(dǎo)體裝 置的周圍；一第一封裝體，實(shí)質(zhì)上覆蓋該第一半導(dǎo)體裝置的該后表面以及這些側(cè)表面，該第一封 裝體包括一上表面；及一第一導(dǎo)電接觸件，鄰接于該第一封裝體的該上表面，且電性連接于該第一半導(dǎo)體裝置；一第二半導(dǎo)體封裝件，設(shè)置于該第一封裝體的該上表面上； 一第一導(dǎo)電凸塊，鄰接于該第一導(dǎo)電接觸件及該第二半導(dǎo)體封裝件； 一第二導(dǎo)電接觸件，位于該第一半導(dǎo)體封裝件及該第二半導(dǎo)體封裝件的外部；以及 一導(dǎo)線，電性連接該第一半導(dǎo)體封裝件及該第二半導(dǎo)體封裝件于該第二導(dǎo)電接觸件， 該導(dǎo)線的一第一端鄰接于該第一導(dǎo)電接觸件，且至少部份的該導(dǎo)線的該第一端被該第一導(dǎo) 電凸塊所覆蓋。
2.如權(quán)利要求1所述的堆棧封裝組件，其中該第一導(dǎo)電接觸件包括數(shù)個(gè)層，這些層包 括一上層，該上層鄰近于該導(dǎo)線的該第一端，其中該上層包括金。
3.如權(quán)利要求1所述的堆棧封裝組件，其中該第二半導(dǎo)體封裝件包括一第二半導(dǎo)體裝 置，以及該導(dǎo)線電性連接該第一半導(dǎo)體裝置及該第二半導(dǎo)體裝置于該第二導(dǎo)電接觸件。
4.如權(quán)利要求1所述的堆棧封裝組件，更包括一第三半導(dǎo)體封裝件，且其中該第二導(dǎo) 電接觸件鄰接于該第三半導(dǎo)體封裝件的外部周圍。
5.如權(quán)利要求1所述的堆棧封裝組件，其中該第一半導(dǎo)體裝置包括一主動(dòng)表面，且該 第一半導(dǎo)體裝置的該主動(dòng)表面的至少一部份于該第一封裝體的該上表面暴露。
6.如權(quán)利要求5所述的堆棧封裝組件，其中該第一半導(dǎo)體封裝件包括 一第一圖案化導(dǎo)電層，鄰近于該第一封裝體的該上表面；以及一電性互連件，包括一側(cè)表面，該電性互連件實(shí)質(zhì)上從該第一圖案化導(dǎo)電層垂直延伸；其中該電性互連件的該側(cè)表面實(shí)質(zhì)上被該第一封裝體覆蓋，且該第一半導(dǎo)體裝置電性 連接于該電性互連件及該第一圖案化導(dǎo)電層。
7.如權(quán)利要求6所述的堆棧封裝組件，其中該第一半導(dǎo)體封裝件更包括一第二圖案化 導(dǎo)電層，該第二圖案化導(dǎo)電層鄰近于該第一封裝體的一下表面，且該第二圖案化導(dǎo)電層電 性連接于該電性互連件。
8.如權(quán)利要求7所述的堆棧封裝組件，更包括一第三半導(dǎo)體封裝件，該第三半導(dǎo)體封 裝件包括一第二封裝體，包括一上表面；一第三半導(dǎo)體裝置，鄰接于該第二封裝體的該上表面；以及 一第三圖案化導(dǎo)電層，鄰近于該第二封裝體的該上表面； 其中該第三半導(dǎo)體裝置電性連接于該第三圖案化導(dǎo)電層。
9.如權(quán)利要求8所述的堆棧封裝組件，其中一第二導(dǎo)電凸塊鄰接于該第二圖案化導(dǎo)電層及該第三圖案化導(dǎo)電層。
10.如權(quán)利要求8所述的堆棧封裝組件，更包括一第三封裝體，其中該第三封裝體覆蓋 該第三半導(dǎo)體裝置、該第三圖案化導(dǎo)電層、該第一半導(dǎo)體封裝件、該第一導(dǎo)電凸塊、該第二 導(dǎo)電接觸件、以及該導(dǎo)線。
11.一種堆棧封裝組件，包括 一第一半導(dǎo)體封裝件，包括一第一半導(dǎo)體裝置，包括一后表面及數(shù)個(gè)側(cè)表面，這些側(cè)表面鄰接于該第一半導(dǎo)體裝 置的周圍；一第一封裝體，實(shí)質(zhì)上覆蓋該第一半導(dǎo)體裝置的該后表面以及這些側(cè)表面，該第一封 裝體包括一上表面；一重新分配單元，鄰近于該第一封裝體的該上表面，且橫向地延伸超出該第一半導(dǎo)體 裝置的該周圍，該重新分配單元電性連接于該第一半導(dǎo)體裝置；及 一第一導(dǎo)電接觸件，鄰接于該第一封裝體的該上表面； 一第二半導(dǎo)體封裝件，設(shè)置于該第一封裝體的該上表面上； 一第一導(dǎo)電凸塊，鄰接于該第一導(dǎo)電接觸件及該第二半導(dǎo)體封裝件； 一第二導(dǎo)電凸塊，鄰接于該重新分配單元及該第二半導(dǎo)體封裝件，該第二導(dǎo)電凸塊電 性連接于該重新分配單元及該第二半導(dǎo)體封裝件；一第二導(dǎo)電接觸件，位在該第一半導(dǎo)體封裝件及該第二半導(dǎo)體封裝件的外部；以及 一導(dǎo)線，電性連接該第二半導(dǎo)體封裝件于該第二導(dǎo)電接觸件，該導(dǎo)線的一第一端鄰接 于該第一導(dǎo)電接觸件，且至少部份的該導(dǎo)線的該第一端被該第一導(dǎo)電凸塊所覆蓋。
12.如權(quán)利要求11所述的堆棧封裝組件，其中該第一半導(dǎo)體封裝件更包括數(shù)個(gè)第一導(dǎo) 電接觸件，這些第一導(dǎo)電接觸件(a)至少設(shè)置成一列；(b)鄰接于該第一封裝體的該上表 面；以及(c)電性連接于該第一半導(dǎo)體裝置。
13.如權(quán)利要求12所述的堆棧封裝組件，更包括數(shù)個(gè)第一導(dǎo)電凸塊，這些第一導(dǎo)電凸塊(a)至少設(shè)置成一列，使各該第一導(dǎo)電凸塊鄰 近于相對(duì)應(yīng)的該第一導(dǎo)電接觸件；以及(b)鄰接于該第二半導(dǎo)體封裝件；數(shù)個(gè)第二導(dǎo)電接觸件，位于該第一半導(dǎo)體封裝件及該第二半導(dǎo)體封裝件的外部；以及 數(shù)個(gè)條導(dǎo)線，各該導(dǎo)線電性連接該第一半導(dǎo)體封裝件及該第二半導(dǎo)體封裝件于相對(duì) 應(yīng)的該第二導(dǎo)電接觸件，各該導(dǎo)線的一第一端(a)鄰接于對(duì)應(yīng)的該第一導(dǎo)電接觸件；以及 (b)至少部份被對(duì)應(yīng)的該第一導(dǎo)電凸塊所覆蓋。
14.如權(quán)利要求13所述的堆棧封裝組件，更包括數(shù)個(gè)第二導(dǎo)電凸塊，這些第二導(dǎo)電凸塊(a)至少設(shè)置成一列，鄰近于這些第一導(dǎo)電凸 塊的至少一列；(b)鄰接于該重新分配單元及該第二半導(dǎo)體封裝件；以及(C)電性連接該重 新分配單元及該第二半導(dǎo)體封裝件。
15.如權(quán)利要求14所述的堆棧封裝組件，其中各該第一導(dǎo)電接觸件包括數(shù)個(gè)層，這些 層包括一上層，該上層鄰近于對(duì)應(yīng)的該導(dǎo)線的該第一端，其中該上層包括金。
16.如權(quán)利要求14所述的堆棧封裝組件，更包括一第二封裝體，該第二封裝體包括一 上表面及一側(cè)表面，其中該第二封裝體覆蓋該第一半導(dǎo)體封裝件、這些第一導(dǎo)電凸塊、這些 第二導(dǎo)電接觸件、這些導(dǎo)線、以及這些第二導(dǎo)電凸塊。
17.如權(quán)利要求16所述的堆棧封裝組件，更包括一散熱件，該散熱件包括一上表面，其中該散熱件的該上表面實(shí)質(zhì)上與該第二封裝體的該上表面共平面。
18.如權(quán)利要求16所述的堆棧封裝組件，更包括一第三半導(dǎo)體封裝件，該第三半導(dǎo)體 封裝件包括一第三封裝體，該第三封裝體包括一上表面及一側(cè)表面，其中這些第二導(dǎo)電接 觸件鄰接于該第三封裝體的該上表面，以及該第二封裝體的該側(cè)表面實(shí)質(zhì)上與該第三半導(dǎo) 體封裝件的該側(cè)表面共平面。
19.如權(quán)利要求11所述的堆棧封裝組件，其中該重新分配單元包括一第一圖案化導(dǎo)電 層，該第一圖案化導(dǎo)電層鄰近于該第一封裝體的該上表面，該第一半導(dǎo)體封裝件包括一電 性互連件，該電性互連件包括一側(cè)表面，且該電性互連件實(shí)質(zhì)上從該第一圖案化導(dǎo)電層垂 直延伸，該電性互連件的該側(cè)表面實(shí)質(zhì)上被該第一封裝體覆蓋，以及該第一半導(dǎo)體裝置電 性連接于該電性互連件以及該第一圖案化導(dǎo)電層。
20.如權(quán)利要求19所述的堆棧封裝組件，其中該第一半導(dǎo)體封裝件包括一第二圖案化 導(dǎo)電層，該第二圖案化導(dǎo)電層鄰近于該第一封裝體的一下表面，并且電性連接于該電性互 連件。
全文摘要
一種堆棧封裝組件的一實(shí)施例，包括一第一半導(dǎo)體封裝件、一第二半導(dǎo)體封裝件、一導(dǎo)電凸塊、一第二導(dǎo)電接觸件、及一導(dǎo)線。第一半導(dǎo)體封裝件包括一半導(dǎo)體裝置、一封裝體及一第一導(dǎo)電接觸件。半導(dǎo)體裝置包括后及側(cè)表面。封裝體包括一上表面，且實(shí)質(zhì)上覆蓋裝置之后及側(cè)表面。第一導(dǎo)電接觸件鄰接于封裝體的上表面，且電性連接于裝置。第二半導(dǎo)體封裝件設(shè)置于封裝體的上表面上。導(dǎo)電凸塊鄰接于第一接觸件及第二封裝件。第二導(dǎo)電接觸件位于第一及第二封裝件的外部。導(dǎo)線電性連接第一及第二封裝件于第二接觸件，導(dǎo)線的一第一端鄰接于第一接觸件，且至少部份的導(dǎo)線的第一端被凸塊所覆蓋。
文檔編號(hào)H01L23/48GK102064163SQ20101056491
公開(kāi)日2011年5月18日 申請(qǐng)日期2010年11月19日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月2日
發(fā)明者蔡裕斌, 陳家慶 申請(qǐng)人:日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司