專利名稱：硅外延片背面硅渣的處理方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及半導體材料清潔處理技術(shù)領域，特別涉及硅外延片背面硅渣的處理方法。
背景技術(shù)：
硅是一種非常重要的半導體材料，可用于制作二極管、三極管、發(fā)光器件、壓敏元件、太陽能電池等元器件。一件含硅的半導體元器件的制成，往往需要復雜工藝程序才能完成，其中包括在硅片上生長外延層，形成硅外延片。大直徑硅片上生長外延層后，在硅片的背面的邊緣生長了面積不等的硅渣，導致外延后的硅片放置在光刻機上后，無法形成有效的真空，吸不住硅外延片；或者硅外延片背面的硅渣處平整度較差，導致光刻條寬不均勻而使硅外延片失效；且現(xiàn)有的平整度測試儀在測試硅外延片平整度時，采用等間距的三個支柱配置在比硅外延片標稱直徑小6. 35mm 的同一圓周上，而一般硅外延片背面邊緣的硅渣或粗糙大多出現(xiàn)在距邊緣3 5mm的范圍內(nèi)，因此用上述儀器無法探測到平整度的差異。目前，還沒有有效辦法去除已經(jīng)產(chǎn)生的硅外延片背面的硅渣，使其可以滿足其后續(xù)的工藝要求；對于影響后續(xù)工藝的硅外延片通常是白白報廢了，不僅增加環(huán)境負擔，而且造成物質(zhì)資源和人力資源的極大浪費。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種簡單、有效去除硅外延片背面硅渣的處理方法。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明所采取的技術(shù)方案是按照下述步驟進行
①準備干凈的片盒、寬倒角邊的的硅片和凈化間專用的吸塵器；
②將硅外延片放在上述片盒內(nèi)，在燈照度不小于200klx的強光燈下觀察所述硅外延片背面的硅渣的狀態(tài)，確定硅渣的區(qū)域；
③打開凈化間專用的吸塵器對準待處理的硅外延片的背面，然后手持步驟①所述的硅片刮步驟②中所述的硅渣；
④刮完一個區(qū)域后，刮其他有硅渣的區(qū)域，直至完全刮完后，清洗硅外延片。本發(fā)明采用寬倒角邊的的硅片來刮硅渣，一方面不會帶來其它沾污；另一方面寬倒角邊的硅片邊緣鋒利，很容易刮下硅外延片背面的硅渣。采用上述技術(shù)方案所產(chǎn)生的有益效果在于本發(fā)明的方法簡單易行、所需的設備是常規(guī)的實驗室設備；處理后的硅外延片背面的硅渣大部分被硅片刮掉并被吸塵器吸走， 解決了光刻機吸不住硅外延片的問題，且所制備的光刻條寬度均勻，提高了硅外延片的光刻成品率，且節(jié)約了大量的資源。
具體實施方式
①準備一個干凈的片盒、一個寬倒角邊的的硅片和一個凈化間專用的吸塵器。②將硅外延片放在上述片盒內(nèi)，在燈照度不小于200klx的強光燈下觀察所述硅外延片背面的硅渣的狀態(tài)，確定硅渣的區(qū)域。首先，先在強光燈下粗略的觀察硅外延片背面的硅渣狀態(tài)；
然后，用真空吸筆吸住上述硅外延片的背面，在強光燈下仔細觀察硅外延片的背面，確定哪個位置硅渣最重；
再將上述硅外延片放置在片盒中，硅渣最重的區(qū)域朝上。③打開凈化間專用吸塵器對準待處理的硅外延片的背面，然后手持步驟①所述的硅片刮步驟②中所述的硅渣；為了方便手持，所述硅片取完整硅片的1/4 1/8大小，并以寬倒角邊作為刮硅渣的面；刮硅渣時，所述硅片與硅外延片之間呈50 70°的傾斜角度。本步驟中，如果首先刮硅渣，然后再打開吸塵器，被刮下來的小顆粒會被吸附在硅外延片正面的邊緣，在后續(xù)的清洗中無法清除。其中所述吸塵器出口距硅外延片背面10 50mm，在整個過程中保持吸塵器距硅外延片的間距不能太大，否則被刮下來的硅渣小顆粒會吸到硅外延片的正面邊緣，清洗無法去除；上述間距也不宜太小，否則易碰到硅外延片而造成沾污。④刮完一個區(qū)域后，刮其他有硅渣的區(qū)域，直至完全刮完后，清洗硅外延片。采用本發(fā)明，有效去除了硅外延片背面的硅渣，使得即使硅渣很嚴重的硅外延片仍能滿足后續(xù)工序的加工工藝；本發(fā)明通過采用簡單的方法，解決了一直都無法徹底解決的硅渣問題，使以前本應報廢的硅外延片得以應用，節(jié)約了大量資源。
權(quán)利要求
1.一種硅外延片背面的硅渣處理方法，其特征在于按照下述步驟進行①準備干凈的片盒、寬倒角邊的的硅片和凈化間專用的吸塵器；②將硅外延片放在上述片盒內(nèi)，在燈照度不小于200klx的強光燈下觀察所述硅外延片背面的硅渣的狀態(tài)，確定硅渣的區(qū)域；③打開凈化間專用的吸塵器對準待處理的硅外延片的背面，然后手持步驟①所述的硅片刮步驟②中所述的硅渣；④刮完一個區(qū)域后，刮其他有硅渣的區(qū)域，直至完全刮完后，清洗硅外延片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅外延片背面的硅渣處理方法，其特征在于所述吸塵器出口距硅外延片背面10 50mm。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種硅外延片背面的硅渣處理方法，其按照下述步驟進行①準備干凈的片盒、寬倒角邊的的硅片和凈化間專用的吸塵器；②將硅外延片放在上述片盒內(nèi)，在強光燈下觀察所述硅外延片背面的硅渣的狀態(tài)，確定硅渣的區(qū)域；③打開凈化間專用吸塵器對準待處理的硅外延片的背面，然后手持步驟①所述的硅片刮步驟②中所述的硅渣；④刮完一個區(qū)域后，刮其他有硅渣的區(qū)域，直至完全刮完后，清洗硅外延片。本發(fā)明的方法簡單易行、所需的設備是常規(guī)的實驗室設備；處理后的硅外延片背面的硅渣大部分被刮掉吸走，解決了光刻機吸不住硅外延片的問題，且所制備的光刻條寬均勻，提高了硅外延片光刻的成品率。
文檔編號H01L21/02GK102479679SQ201010565429
公開日2012年5月30日 申請日期2010年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月30日
發(fā)明者侯志義, 段姝鳳, 趙麗霞 申請人:河北普興電子科技股份有限公司