專利名稱:具有半導(dǎo)體組件的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明關(guān)于一種半導(dǎo)體組件及具有半導(dǎo)體組件的封裝結(jié)構(gòu),詳言之,關(guān)于一種具有導(dǎo)通柱的半導(dǎo)體組件及具有該半導(dǎo)體組件的封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù):
已知半導(dǎo)體組件(例如芯片或中介板(Interposer))具有數(shù)個(gè)導(dǎo)通柱(Via)及數(shù)個(gè)金屬墊(Metal Pad),這些金屬墊位于這些導(dǎo)通柱上方,且電性連接這些導(dǎo)通柱。以俯視觀之,每一金屬墊的面積會(huì)大于每一導(dǎo)通柱面積,而且這些金屬墊的外圍側(cè)壁為圓形。因此,這些金屬墊并無(wú)法靠的太近,導(dǎo)致這些導(dǎo)通柱的間距并無(wú)法有效地縮小。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種具有半導(dǎo)體組件的封裝結(jié)構(gòu)。該封裝結(jié)構(gòu)包括一半導(dǎo)體組件、一芯片及一底膠。該半導(dǎo)體組件包括一基材本體、數(shù)個(gè)導(dǎo)通柱(Conductive Vias)、一絕緣材料、一第二保護(hù)層及數(shù)個(gè)金屬墊(Metal Pad)。該基材本體具有一第一表面、一第二表面及至少一貫孔。這些導(dǎo)通柱位于該至少一貫孔內(nèi)。該絕緣材料位于這些導(dǎo)通柱及該至少一貫孔的側(cè)壁之間。該第二保護(hù)層位于該第二表面,且具有至少一開(kāi)口,以顯露這些導(dǎo)通柱。這些金屬墊位于該至少一開(kāi)口內(nèi)且電性連接至這些導(dǎo)通柱。這些金屬墊包括至少一第一金屬墊,該第一金屬墊具有至少一第一弧狀側(cè)壁及至少一第一參考側(cè)壁,其中該第一弧狀側(cè)壁的曲率與該第一參考側(cè)壁的曲率不同。該芯片位于該半導(dǎo)體組件上,該芯片具有數(shù)個(gè)導(dǎo)體組件,以電性連接這些金屬墊。 該底膠位于該芯片及該半導(dǎo)體組件之間,以包覆這些導(dǎo)體組件。藉此,這些金屬墊可以更靠近,使得這些導(dǎo)通柱亦可以更靠近,因而,在有限空間內(nèi),可以排列較多的導(dǎo)通柱。
圖1至圖7顯示本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體組件的工藝的示意圖;圖8顯示本發(fā)明第二實(shí)施例的半導(dǎo)體組件的剖視示意圖;圖9顯示本發(fā)明第三實(shí)施例的半導(dǎo)體組件的剖視示意圖;圖10顯示本發(fā)明第四實(shí)施例的半導(dǎo)體組件的剖視示意圖;圖11顯示本發(fā)明第四實(shí)施例的半導(dǎo)體組件的俯視示意圖;圖12顯示本發(fā)明第五實(shí)施例的半導(dǎo)體組件的剖視示意圖;圖13顯示本發(fā)明第五實(shí)施例的半導(dǎo)體組件的俯視示意圖;圖14顯示本發(fā)明第六實(shí)施例的半導(dǎo)體組件的剖視示意圖;圖15顯示本發(fā)明第六實(shí)施例的半導(dǎo)體組件的俯視示意圖;圖16顯示本發(fā)明第七實(shí)施例的半導(dǎo)體組件的剖視示意圖;圖17顯示本發(fā)明第七實(shí)施例的半導(dǎo)體組件的俯視示意圖18顯示本發(fā)明第八實(shí)施例的半導(dǎo)體組件的剖視示意圖;圖19顯示本發(fā)明第八實(shí)施例的半導(dǎo)體組件的俯視示意圖;圖20顯示本發(fā)明第九實(shí)施例的半導(dǎo)體組件的剖視示意圖;圖21顯示本發(fā)明第九實(shí)施例的半導(dǎo)體組件的俯視示意圖;圖22顯示本發(fā)明第十實(shí)施例的半導(dǎo)體組件的剖視示意圖;圖23顯示本發(fā)明第十實(shí)施例的半導(dǎo)體組件的俯視示意圖;及圖M顯示本發(fā)明第十一實(shí)施例的具有半導(dǎo)體組件的封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
具體實(shí)施例方式參考圖1至圖7,顯示本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體組件的工藝的示意圖。參考圖1, 提供一基材本體10。該基材本體10包括一第一表面101、一第二表面102及數(shù)個(gè)孔洞103。 在本實(shí)施例中,該基材本體10為一硅基材,這些孔洞103為盲孔,且開(kāi)口于該第一表面101。參考圖2,形成一絕緣材料11 (例如聚亞酰胺(Polyimide,PI)、環(huán)氧樹(shù)脂 (Epoxy)、苯環(huán)丁烯(Benzocyclobutene,BCB)等非導(dǎo)電性高分子)于這些孔洞103的側(cè)壁上,且定出數(shù)個(gè)中心槽。之后再填滿一導(dǎo)電材料12 (例如銅金屬)于這些中心槽內(nèi)。之后, 翻轉(zhuǎn)180度。參考圖3,以研磨及/或蝕刻方式移除部份該第二表面102以薄化該基材本體10, 使得這些孔洞103變成數(shù)個(gè)貫孔104,且這些導(dǎo)電材料12變成數(shù)個(gè)導(dǎo)通柱13。參考圖4,形成一第二保護(hù)層(Passivation Layer) 14于該第二表面102。該第二保護(hù)層14為非導(dǎo)電性高分子材料,例如聚亞酰胺(Polyimide,PI)、環(huán)氧樹(shù)脂(Epoxy)、苯環(huán)丁烯(Benzocyclobutene,BCB)等。在本實(shí)施例中,該第二保護(hù)層14為一感旋光性高分子材料,例如是苯環(huán)丁烯(Benzocyclobutene,BCB),且利用旋轉(zhuǎn)涂布(SpinCoating)或噴霧涂布(Spray Coating)方式形成該第二保護(hù)層14。參考圖5,進(jìn)行微影工藝,以形成至少一開(kāi)口 141,而顯露這些導(dǎo)通柱13。該開(kāi)口 141的尺寸及位置可由微影工藝中所使用的光罩所定義。參考圖6,形成一金屬層于該第二保護(hù)層14上及該開(kāi)口 141內(nèi),以接觸這些導(dǎo)通柱13。之后,進(jìn)行蝕刻工藝,以形成數(shù)個(gè)金屬墊(Metal Pad) 19,而制得本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體組件1。這些金屬墊19彼此互不連接,且這些金屬墊19的尺寸及位置可由蝕刻工藝中所使用的光罩所定義。較佳地,以俯視觀之,每一金屬墊19的面積會(huì)大于每一導(dǎo)通柱 13的面積。參考圖7,顯示本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體組件的俯視示意圖。這些金屬墊19包括一第一金屬墊16及數(shù)個(gè)原始金屬墊15。這些原始金屬墊15的外圍為一圓柱狀側(cè)壁151。 該第一金屬墊16具有一第一弧狀側(cè)壁161及一第一參考側(cè)壁162,其中該第一弧狀側(cè)壁 161的曲率與該第一參考側(cè)壁162的曲率不同。參考圖6及7,分別顯示本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體組件的剖視及俯視示意圖。該半導(dǎo)體組件1包括一基材本體10、數(shù)個(gè)導(dǎo)通柱13、一絕緣材料11、一第二保護(hù)層14及數(shù)個(gè)金屬墊19。該基材本體10具有一第一表面101、一第二表面102及至少一貫孔104。在本實(shí)施例中,該基材本體10為一硅基材,且該至少一貫孔104貫穿該基材本體10。這些導(dǎo)通柱13位于該至少一貫孔104。在本實(shí)施例中,這些導(dǎo)通柱13為實(shí)心柱狀。該絕緣材料11位于這些導(dǎo)通柱13及該至少一貫孔104的側(cè)壁之間。該第二保護(hù)層14位于該第二表面102,且具有至少一開(kāi)口 141,以顯露這些導(dǎo)通柱13。這些金屬墊19 位于該至少一開(kāi)口 141內(nèi),且接觸及電性連接至這些導(dǎo)通柱13。在本實(shí)施例中,該基材本體10具有數(shù)個(gè)貫孔104,每一導(dǎo)通柱13位于每一貫孔 104內(nèi)。該第二保護(hù)層14具有數(shù)個(gè)開(kāi)口 141,每一開(kāi)口 141顯露每一導(dǎo)通柱13。每一金屬墊19位于每一開(kāi)口 141內(nèi)且電性連接至每一導(dǎo)通柱13。這些金屬墊19延伸至該第二保護(hù)層14上。這些金屬墊19包括一第一金屬墊16及數(shù)個(gè)原始金屬墊15。這些原始金屬墊15 的外圍為一圓柱狀側(cè)壁151。該第一金屬墊16具有至少一第一弧狀側(cè)壁161及至少一第一參考側(cè)壁162,其中該第一弧狀側(cè)壁161的曲率與該第一參考側(cè)壁162的曲率不同。因此, 這些原始金屬墊15以俯視觀之為一個(gè)完整的圓形,該第一金屬墊16以俯視觀的并非一個(gè)完整的圓形。較佳地,該第一參考側(cè)壁162的曲率小于該第一弧狀側(cè)壁161的曲率。在本實(shí)施例中,該第一參考側(cè)壁162為一平直面,其曲率為0。或者,該第一參考側(cè)壁162也可以是弧狀,但是其曲率小于該第一弧狀側(cè)壁161的曲率。該第一金屬墊16具有一第一延伸部163及一第二延伸部164,該第一延伸部163 延伸至該第一弧狀側(cè)壁161,該第二延伸部164延伸至該第一參考側(cè)壁162,該第二延伸部 164的長(zhǎng)度小于該第一延伸部163的長(zhǎng)度。該第一金屬墊16下的導(dǎo)通柱13具有一中心軸17a,該原始金屬墊15下的導(dǎo)通柱 13具有一中心軸17b,該中心軸17a與該中心軸17b間的距離為一第一間距P1,該二個(gè)中心軸17b間的距離為一第二間距P2。由于該第一金屬墊16具有該第一參考側(cè)壁162,且該第一參考側(cè)壁162的曲率小于該第一弧狀側(cè)壁161的曲率,因此該第一間距P1可以小于第二間距P2。因此,這些導(dǎo)通柱13可以更靠近。參考圖8,顯示本發(fā)明第二實(shí)施例的半導(dǎo)體組件的剖視示意圖。本實(shí)施例的半導(dǎo)體組件2與第一實(shí)施例的半導(dǎo)體組件1 (圖6)大致相同,其中相同的組件賦予相同的編號(hào)。本實(shí)施例與第一實(shí)施例的不同處在于,本實(shí)施例的半導(dǎo)體組件2更包括一第一保護(hù)層觀。該第一保護(hù)層觀與該第二保護(hù)層14相同。該第一保護(hù)層觀位于該第一表面101,且具有至少一開(kāi)口觀1,以顯露這些導(dǎo)通柱13。在本實(shí)施例中,部份這些金屬墊19(例如金屬墊四) 更位于該第一保護(hù)層28的開(kāi)口 281內(nèi)且電性連接至這些導(dǎo)通柱13。位于該第一表面101 的這些金屬墊四的結(jié)構(gòu)與位于該第二表面102的這些金屬墊19的結(jié)構(gòu)對(duì)稱且相等。參考圖9,顯示本發(fā)明第三實(shí)施例的半導(dǎo)體組件的剖視示意圖。本實(shí)施例的半導(dǎo)體組件3與第一實(shí)施例的半導(dǎo)體組件1 (圖6)大致相同,其中相同的組件賦予相同的編號(hào)。 本實(shí)施例與第一實(shí)施例的不同處在于,本實(shí)施例的半導(dǎo)體組件3更包括一電路層38及數(shù)個(gè)導(dǎo)接組件39。該電路層38位于該第一表面101,且電性連接至這些導(dǎo)通柱13。這些導(dǎo)接組件39位于該電路層38上。在本實(shí)施例中,每一導(dǎo)接組件39包括一焊墊391及一凸塊392。 要注意的是,該電路層38可以具有一重布層(Redistribution Layer,RDL),而可以重新分配這些導(dǎo)接組件39的位置。參考圖10及11,分別顯示本發(fā)明第四實(shí)施例的半導(dǎo)體組件的剖視及俯視示意圖。 本實(shí)施例的半導(dǎo)體組件4與第一實(shí)施例的半導(dǎo)體組件1(圖6)大致相同,其中相同的組件賦予相同的編號(hào)。本實(shí)施例與第一實(shí)施例的不同處在于,這些導(dǎo)通柱43為中空環(huán)柱狀,且該半導(dǎo)體組件4更包括一內(nèi)絕緣材料48。該內(nèi)絕緣材料48位于這些導(dǎo)通柱43內(nèi)。參考圖12及13,分別顯示本發(fā)明第五實(shí)施例的半導(dǎo)體組件的剖視及俯視示意圖。 該半導(dǎo)體組件5包括一基材本體10、數(shù)個(gè)導(dǎo)通柱13、一絕緣材料11、一第二保護(hù)層14及數(shù)個(gè)金屬墊19。該基材本體10具有一第一貫孔10 及一第二貫孔104b。這些導(dǎo)通柱13包括一第一導(dǎo)通柱13a及一第二導(dǎo)通柱13b。該第一導(dǎo)通柱13a位于該第一貫孔10 內(nèi),該第二導(dǎo)通柱1 位于該第二貫孔104b內(nèi)。該絕緣材料11包括一第一絕緣材料Ila及一第二絕緣材料lib。該第一絕緣材料Ila位于該第一導(dǎo)通柱13a及該第一貫孔10 的側(cè)壁之間, 該第二絕緣材料lib位于該第二導(dǎo)通柱1 及該第二貫孔104b的側(cè)壁之間。該第二保護(hù)層14具有一第一開(kāi)口 141a及一第二開(kāi)口 141b,該第一開(kāi)口 141a顯露該第一導(dǎo)通柱13a, 該第二開(kāi)口 141b顯露該第二導(dǎo)通柱13b。這些金屬墊19包括一第一金屬墊16及一第二金屬墊16b。該第一金屬墊16位于該第一開(kāi)口 141a內(nèi)且電性連接至該第一導(dǎo)通柱13a,該第一金屬墊16具有至少一第一弧狀側(cè)壁161及至少一第一參考側(cè)壁162,該第一弧狀側(cè)壁161的曲率與該第一參考側(cè)壁162 的曲率不同。該第二金屬墊16b位于該第二開(kāi)口 141b內(nèi)且電性連接至該第二導(dǎo)通柱13b, 該第二金屬墊16b具有至少一第二弧狀側(cè)壁161b及至少一第二參考側(cè)壁162b,該第二弧狀側(cè)壁161b的曲率與該第二參考側(cè)壁162b的曲率不同,且該第一參考側(cè)壁162面對(duì)該第二參考側(cè)壁162b。該第一導(dǎo)通柱13a具有一第一中心軸18a,該第二導(dǎo)通柱1 具有一第二中心軸 18b,該第一中心軸18a及該第二中心軸18b的距離定義為一第三間距P3,該第三間距P3小于該第一間距P1 (圖6),同時(shí)亦小于該第二間距P2 (圖6),因此該第一導(dǎo)通柱13a及該第二導(dǎo)通柱13b可以更靠近。在本實(shí)施例中,該第一弧狀側(cè)壁161定義出一第一半徑T1,該第二弧狀側(cè)壁161b 定義出一第二半徑r2,該第三間距P3小于該第一半徑巧及該第二半徑r2之和。亦即P3 < r!+r2參考圖14及15,分別顯示本發(fā)明第六實(shí)施例的半導(dǎo)體組件的剖視及俯視示意圖。 本實(shí)施例的半導(dǎo)體組件6與第五實(shí)施例的半導(dǎo)體組件5 (圖12及1 大致相同,其中相同的組件賦予相同的編號(hào)。本實(shí)施例與第五實(shí)施例的不同處在于,該第一貫孔104a、該第二貫孔104b、該第一絕緣材料Ila及該第二絕緣材料lib的結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施例中,該第一貫孔10 及該第二貫孔104b并非圓柱狀,而是具有一弧狀側(cè)壁及一參考側(cè)壁。因此,該第一絕緣材料Ila具有至少一第一弧狀側(cè)壁Illa及至少一第一參考側(cè)壁112a,該第一絕緣材料Ila的第一參考側(cè)壁11 對(duì)應(yīng)該第一金屬墊16的第一參考側(cè)壁162。該第二絕緣材料 lib具有至少一第二弧狀側(cè)壁Illb及至少一第二參考側(cè)壁112b,該第二絕緣材料lib的第二參考側(cè)壁112b對(duì)應(yīng)該第二金屬墊16b的第二參考側(cè)壁162b。該第一中心軸18a及該第二中心軸18b的距離定義為一第四間距P4,該第四間距 P4小于該第三間距&(圖13),因此該第一導(dǎo)通柱13a及該第二導(dǎo)通柱1 可以更靠近。參考圖16及17,分別顯示本發(fā)明第七實(shí)施例的半導(dǎo)體組件的剖視及俯視示意圖。 本實(shí)施例的半導(dǎo)體組件7與第五實(shí)施例的半導(dǎo)體組件5 (圖12及1 大致相同,其中相同的組件賦予相同的編號(hào)。本實(shí)施例與第五實(shí)施例的不同處在于,該第一導(dǎo)通柱13a及該第二導(dǎo)通柱13b位于同一貫孔704內(nèi)。參考圖18及19,分別顯示本發(fā)明第八實(shí)施例的半導(dǎo)體組件的剖視及俯視示意圖。 本實(shí)施例的半導(dǎo)體組件8與第七實(shí)施例的半導(dǎo)體組件7 (圖16及17)大致相同,其中相同的組件賦予相同的編號(hào)。本實(shí)施例與第七實(shí)施例的不同處在于,在第七實(shí)施例中,該第二保護(hù)層14的每一開(kāi)口 141a,141b顯露每一導(dǎo)通柱13a,13b。然而,在本實(shí)施例中,該第二保護(hù)層14的開(kāi)口 141c的面積大于該至少二個(gè)導(dǎo)通柱13a,13b的截面積之和,以顯露該至少二個(gè)導(dǎo)通柱13a,13b。較佳地,該開(kāi)口 141c的面積略小于該貫孔704的面積。因此,這些導(dǎo)通柱13a,13b之間不會(huì)有該第二保護(hù)層14。參考圖20及21,分別顯示本發(fā)明第九實(shí)施例的半導(dǎo)體組件的剖視及俯視示意圖。 本實(shí)施例的半導(dǎo)體組件9與第一實(shí)施例的半導(dǎo)體組件1(圖6)大致相同,其中相同的組件賦予相同的編號(hào)。本實(shí)施例與第一實(shí)施例的不同處在于,在本實(shí)施例中,部分這些金屬墊 19 (即這些金屬墊96)具有數(shù)個(gè)第一弧狀側(cè)壁961及數(shù)個(gè)第一參考側(cè)壁962。因此這些導(dǎo)通柱13可以更靠近。藉此,在有限空間內(nèi),可以排列較多的導(dǎo)通柱13。參考圖22及23,分別顯示本發(fā)明第十實(shí)施例的半導(dǎo)體組件的剖視及俯視示意圖。 本實(shí)施例的半導(dǎo)體組件9a與第九實(shí)施例的半導(dǎo)體組件9(圖21)大致相同,其中相同的組件賦予相同的編號(hào)。本實(shí)施例與第九實(shí)施例的不同處在于,在本實(shí)施例中,這些導(dǎo)通柱13 位于同一貫孔904內(nèi),且該第二保護(hù)層14的開(kāi)口 141d的面積大于這些個(gè)導(dǎo)通柱13的截面積之和,以顯露這些導(dǎo)通柱13。因此,部分這些金屬墊19 (即這些金屬墊96)位于這些導(dǎo)通柱13及該絕緣材料11上,且未接觸該第二保護(hù)層14。參考圖24,顯示本發(fā)明第十一實(shí)施例的具有半導(dǎo)體組件的封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。該封裝結(jié)構(gòu)9b包括一半導(dǎo)體組件1、一芯片90及一底膠(Underfill) 92。在本實(shí)施例中,該半導(dǎo)體組件1為本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體組件1 (圖6)。然而,在其它實(shí)施例中,該半導(dǎo)體組件1可置換成本發(fā)明第二至十實(shí)施例的半導(dǎo)體組件。該芯片90位于該半導(dǎo)體組件1上。該芯片90具有數(shù)個(gè)導(dǎo)體組件91 (例如焊球),以接觸且電性連接這些金屬墊19。 該底膠91位于該芯片90及該半導(dǎo)體組件1之間,以包覆且保護(hù)這些導(dǎo)體組件91。惟上述實(shí)施例僅為說(shuō)明本發(fā)明的原理及其功效,而非用以限制本發(fā)明。因此,習(xí)于此技術(shù)的人士對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修改及變化仍不脫本發(fā)明的精神。本發(fā)明的權(quán)利范圍應(yīng)如權(quán)利要求書所列。
權(quán)利要求
1.一種具有半導(dǎo)體組件的封裝結(jié)構(gòu),包括 一半導(dǎo)體組件,包括一基材本體,具有一第一表面、一第二表面及至少一貫孔; 數(shù)個(gè)導(dǎo)通柱,位于該至少一貫孔內(nèi); 一絕緣材料,位于這些導(dǎo)通柱及該至少一貫孔的側(cè)壁之間; 一第二保護(hù)層,位于該第二表面,且具有至少一開(kāi)口,以顯露這些導(dǎo)通柱;及數(shù)個(gè)金屬墊,位于該至少一開(kāi)口內(nèi)且電性連接至這些導(dǎo)通柱,這些金屬墊包括至少一第一金屬墊,該第一金屬墊具有至少一第一弧狀側(cè)壁及至少一第一參考側(cè)壁,其中該第一弧狀側(cè)壁的曲率與該第一參考側(cè)壁的曲率不同;一芯片,位于該半導(dǎo)體組件上,該芯片具有數(shù)個(gè)導(dǎo)體組件,以電性連接這些金屬墊;及一底膠,位于該芯片及該半導(dǎo)體組件之間,以包覆這些導(dǎo)體組件。
2.如權(quán)利要求1的封裝結(jié)構(gòu),其中該基材本體為一硅基材。
3.如權(quán)利要求1的封裝結(jié)構(gòu),其中這些導(dǎo)通柱為實(shí)心柱狀。
4.如權(quán)利要求1的封裝結(jié)構(gòu),其中該基材本體具有一第一貫孔及一第二貫孔,這些導(dǎo)通柱包括一第一導(dǎo)通柱及一第二導(dǎo)通柱,該第一導(dǎo)通柱位于該第一貫孔內(nèi),該第二導(dǎo)通柱位于該第二貫孔內(nèi),該絕緣材料包括一第一絕緣材料及一第二絕緣材料,該第一絕緣材料位于該第一導(dǎo)通柱及該第一貫孔的側(cè)壁之間,該第二絕緣材料位于該第二導(dǎo)通柱及該第二貫孔的側(cè)壁之間,該第二保護(hù)層具有一第一開(kāi)口及一第二開(kāi)口,該第一開(kāi)口顯露該第一導(dǎo)通柱,該第二開(kāi)口顯露該第二導(dǎo)通柱,這些金屬墊更包括至少一第二金屬墊,該第一金屬墊位于該第一開(kāi)口內(nèi)且電性連接至該第一導(dǎo)通柱,該第二金屬墊位于該第二開(kāi)口內(nèi)且電性連接至該第二導(dǎo)通柱,該第二金屬墊具有至少一第二弧狀側(cè)壁及至少一第二參考側(cè)壁,該第二弧狀側(cè)壁的曲率與該第二參考側(cè)壁的曲率不同,且該第一參考側(cè)壁面對(duì)該第二參考側(cè)壁。
5 如權(quán)利要求4的封裝結(jié)構(gòu),其中該第一導(dǎo)通柱的中心軸及該第二導(dǎo)通柱的中心軸間的距離定義為一間距,該第一弧狀側(cè)壁定義出一第一半徑,該第二弧狀側(cè)壁定義出一第二半徑,該間距小于該第一半徑及該第二半徑之和。
6.如權(quán)利要求4的封裝結(jié)構(gòu),其中該第一絕緣材料具有至少一第一弧狀側(cè)壁及至少一第一參考側(cè)壁,該第一絕緣材料的第一參考側(cè)壁對(duì)應(yīng)該第一金屬墊的第一參考側(cè)壁,該第二絕緣材料具有至少一第二弧狀側(cè)壁及至少一第二參考側(cè)壁,該第二絕緣材料的第二參考側(cè)壁對(duì)應(yīng)該第二金屬墊的第二參考側(cè)壁。
7.如權(quán)利要求1的封裝結(jié)構(gòu),其中該基材本體具有數(shù)個(gè)貫孔,每一導(dǎo)通柱位于每一貫孔內(nèi),該第二保護(hù)層具有數(shù)個(gè)開(kāi)口,每一開(kāi)口顯露每一導(dǎo)通柱,每一金屬墊位于每一開(kāi)口內(nèi)且電性連接至每一導(dǎo)通柱。
8.如權(quán)利要求1的封裝結(jié)構(gòu),其中這些金屬墊延伸至該第二保護(hù)層上。
9.如權(quán)利要求1的封裝結(jié)構(gòu),其中至少二個(gè)導(dǎo)通柱位于一個(gè)貫孔內(nèi)。
10.如權(quán)利要求9的封裝結(jié)構(gòu),其中該第二保護(hù)層具有數(shù)個(gè)開(kāi)口,且每一開(kāi)口顯露每一導(dǎo)通柱。
11.如權(quán)利要求9的封裝結(jié)構(gòu),其中該第二保護(hù)層的開(kāi)口的面積大于該至少二個(gè)導(dǎo)通柱的截面積之和,以顯露該至少二個(gè)導(dǎo)通柱。
12.如權(quán)利要求11的封裝結(jié)構(gòu),其中部分這些金屬墊位于該絕緣材料上,且未接觸該第二保護(hù)層。
13.如權(quán)利要求1的封裝結(jié)構(gòu),其中部分這些金屬墊具有數(shù)個(gè)該第一弧狀側(cè)壁及數(shù)個(gè)該第一參考側(cè)壁。
14.如權(quán)利要求1的封裝結(jié)構(gòu),其中該半導(dǎo)體組件更包括 一電路層,位于該第一表面,且電性連接至這些導(dǎo)通柱;及數(shù)個(gè)導(dǎo)接組件,位于該電路層上。
15.如權(quán)利要求1的封裝結(jié)構(gòu),其中該第一參考側(cè)壁為一平直面。
16.如權(quán)利要求1的封裝結(jié)構(gòu),其中該半導(dǎo)體組件更包括一內(nèi)絕緣材料,這些導(dǎo)通柱為中空環(huán)柱狀,該內(nèi)絕緣材料位于這些導(dǎo)通柱內(nèi)。
全文摘要
本發(fā)明關(guān)于一種具有半導(dǎo)體組件的封裝結(jié)構(gòu)。該半導(dǎo)體組件包括一基材本體、數(shù)個(gè)導(dǎo)通柱及數(shù)個(gè)金屬墊。這些導(dǎo)通柱位于該基材本體的貫孔內(nèi)。這些金屬墊電性連接至這些導(dǎo)通柱,這些金屬墊的至少其中之一具有至少一弧狀側(cè)壁及至少一參考側(cè)壁,其中該弧狀側(cè)壁的曲率與該參考側(cè)壁的曲率不同。藉此,這些金屬墊可以更靠近,使得這些導(dǎo)通柱亦可以更靠近,因而,在有限空間內(nèi),可以排列較多的導(dǎo)通柱。
文檔編號(hào)H01L23/488GK102479765SQ20101057150
公開(kāi)日2012年5月30日 申請(qǐng)日期2010年11月24日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月24日
發(fā)明者蔡莉雯, 陳國(guó)華 申請(qǐng)人:日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司