專利名稱：金屬-半導(dǎo)體電極結(jié)構(gòu)及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件與工藝技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種金屬-半導(dǎo)體電極結(jié)構(gòu)及 其制備方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體器件研究中的一項(xiàng)重要工藝是利用金屬或合金制作低電阻的接觸電極。眾 所周知，傳統(tǒng)的半導(dǎo)體接觸電極制作需經(jīng)過化學(xué)溶劑處理半導(dǎo)體表面，然后濺射金屬薄膜， 再進(jìn)行退火等工序。樣品表面的自然氧化層以及器件工藝污染也會(huì)使接觸特性顯著退化。 此外，深能級(jí)陷阱對(duì)載流子也存在俘獲效應(yīng)。這些因素增加了接觸電極的制作難度和接觸 特性。關(guān)于半導(dǎo)體的接觸電極一般分為兩類，即/7型半導(dǎo)體上的接觸電極和/7型半導(dǎo)體 上的接觸電極。對(duì)于/7型半導(dǎo)體，以/7型寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)為例，由于其電子親和勢(shì)為 4. ，因此通常制作歐姆接觸電極時(shí)選用功函數(shù)接近4. 的金屬作為接觸電極，如銦 (In)，鋁(Al)，鈦(Ti)，鎢(W)等。早期的研究是利用Ti/Al或Al/Ti這樣的雙層結(jié)構(gòu)，先 在GaN薄膜表面依次沉積金屬，然后在氮?dú)鈿夥障驴焖偻嘶?。隨著技術(shù)的進(jìn)步，在Ti/Al或 Al/Ti結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上又進(jìn)行了改進(jìn)，發(fā)展了如Ti/Al/Ti/Au、Ti/Al/Pt/Au、Ti/Al/Ni/Au等 多層結(jié)構(gòu)。此外，也有在晶體生長(zhǎng)過程中生長(zhǎng)一層帶隙較窄的外延層(InN)，也可有效地降 低接觸電阻。對(duì)于/7型半導(dǎo)體，仍以GaN為例，需用功函數(shù)高達(dá)6. MV的金屬以形成低電阻的接 觸電極，但實(shí)際金屬最高勢(shì)壘高度沒有超過6eV的，只能選用Pt、Ni、Au、Pd等高功函數(shù)金 屬構(gòu)成復(fù)合電極。例如，在GaN LED和LD器件中，ρ型GaN晶體上常用Ni/Au制作接觸電 極，而且同樣需在一定溫度下快速退火。目前，雖然金屬(合金)作為電極的η型半導(dǎo)體的歐姆接觸研究相對(duì)較系統(tǒng)、深入， 并且接觸電阻率可達(dá)到10_5 10_8 Ω cm 2，但是制備工藝仍較復(fù)雜，蒸鍍多層金屬電極，退火 等工藝難以避免。而對(duì)于/7型半導(dǎo)體，一方面無法找到大功函數(shù)的合適接觸金屬，而且/7型 半導(dǎo)體本身重?fù)诫s困難，使得制備可靠、高質(zhì)、低阻值ρ型接觸電極仍是一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)。石墨烯是由碳原子組成的極薄層狀材料，最薄可到單原子層，可利用化學(xué)氣相 沉積，機(jī)械解理等特定條件制得，是一種零帶隙、半金屬的二維材料。石墨烯中的載流子 運(yùn)動(dòng)速度可達(dá)到光速的1/300，其電子遷移率實(shí)驗(yàn)測(cè)量值超過15000cm2/VS (載流子濃度 η IO13CnT2)，在10 100K范圍內(nèi)，遷移率幾乎與溫度無關(guān)。此外，石墨烯的費(fèi)米面可隨充 放電而進(jìn)行調(diào)節(jié)，具有較低的載流子注入勢(shì)壘，材質(zhì)柔軟，熱力學(xué)穩(wěn)定性強(qiáng)。這些性質(zhì)是利 用其形成低接觸電阻電極的物理基礎(chǔ)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是，提供一種金屬-半導(dǎo)體電極結(jié)構(gòu)及其制備方法，在不改變現(xiàn)有金屬材料的情況下，能夠在P型、η型及本征半導(dǎo)體上獲得低接觸電阻的電極 結(jié)構(gòu)。為了解決上述問題，本發(fā)明提供了一種金屬-半導(dǎo)體電極結(jié)構(gòu)，包括半導(dǎo)體層和 金屬電極，其特征在于，在半導(dǎo)體層和金屬電極之間進(jìn)一步設(shè)置一石墨烯層，以降低金屬電 極與半導(dǎo)體層之間的接觸電阻。本發(fā)明進(jìn)一步提供了一種金屬-半導(dǎo)體電極結(jié)構(gòu)的制備方法，包括如下步驟選 用化學(xué)氣相沉積的方法在生長(zhǎng)襯底上制備石墨烯薄膜層；在溶液中利用化學(xué)方法腐蝕石墨 烯襯底，將石墨烯薄膜層從生長(zhǎng)襯底上剝離；清洗半導(dǎo)體層的表面。用半導(dǎo)體將石墨烯薄 膜從溶液中撈起，表面張力使得石墨烯薄膜層均勻鋪展并吸附在半導(dǎo)體層的表面，從而在 半導(dǎo)體層表面形成石墨烯層；在石墨烯層的表面形成金屬層；在金屬層表面形成刻蝕阻擋 層；刻蝕金屬層與石墨烯層至半導(dǎo)體層停止，形成電極結(jié)構(gòu)。本發(fā)明進(jìn)一步提供了一種金屬-半導(dǎo)體電極結(jié)構(gòu)的制備方法，包括如下步驟選 用化學(xué)氣相沉積的方法在生長(zhǎng)襯底上制備石墨烯薄膜層；在石墨烯薄膜層上涂敷粘附層， 形成粘附層與石墨烯的復(fù)合薄膜層；在溶液中利用化學(xué)方法腐蝕石墨烯襯底，石墨烯薄膜 與粘附層從生長(zhǎng)襯底上剝離使其漂浮在液面上；清洗半導(dǎo)體層的表面；將石墨烯薄膜與粘 附層的復(fù)合薄膜層壓印在半導(dǎo)體層的表面；將粘附層去除，從而在半導(dǎo)體層表面形成石墨 烯層；在石墨烯層的表面形成金屬層；在金屬層表面形成刻蝕阻擋層；刻蝕金屬層與石墨 烯層至半導(dǎo)體層停止，形成電極結(jié)構(gòu)。本發(fā)明進(jìn)一步提供了一種金屬-半導(dǎo)體電極結(jié)構(gòu)的制備方法，包括如下步驟采 用石墨氧化還原的方法制備石墨烯粉末材料；清洗半導(dǎo)體層的表面；在半導(dǎo)體層的表面涂 敷石墨烯粉末材料，形成石墨烯層；在石墨烯層的表面形成金屬層；在金屬層表面形成刻 蝕阻擋層；刻蝕金屬層與石墨烯層至半導(dǎo)體層停止，形成電極結(jié)構(gòu)。所述半導(dǎo)體層的材料選自于III-V族化合物、II-VI族化合物以及IV族化合物以 及單質(zhì)半導(dǎo)體中的一種。所述半導(dǎo)體層的導(dǎo)電類型選自于N型半導(dǎo)體、P型半導(dǎo)體以及本 征半導(dǎo)體中的一種。所述石墨烯層的材料選自于單原子層石墨烯和多原子層石墨烯中的一 種。從下面的原理敘述中可以看出，無論是何種材料構(gòu)成的半導(dǎo)體層，也無論是何種導(dǎo)電類 型的半導(dǎo)體層，只要是具有典型的半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu)，石墨烯材料就能夠體現(xiàn)出降低接觸電 阻的優(yōu)勢(shì)。并且石墨烯材料也不限制為單原子層或者多原子層材料。本發(fā)明的實(shí)現(xiàn)原理如圖1所示。圖1以/7型摻雜半導(dǎo)體為例，比較了普通金屬和 石墨烯分別與其形成的接觸的不同性質(zhì)
圖1中的(a)與(b)是普通金屬與半導(dǎo)體之間的接觸(a)為接觸之前的能帶示意圖， 這時(shí)半導(dǎo)體功函數(shù)Ws與金屬功函數(shù)Wm存在一定差異；(b)為/7型半導(dǎo)體與金屬直接接觸后 的能帶示意圖。由于半導(dǎo)體費(fèi)米面高于金屬費(fèi)米面，電子載流子從半導(dǎo)體流向金屬產(chǎn)生空 間電荷區(qū)。由于金屬在費(fèi)米面附近具有很高的載流子濃度和拋物線型的能帶結(jié)構(gòu)(如(a) 右側(cè)方框中所示)，金屬的費(fèi)米面基本保持不變，而空間電荷區(qū)集中于半導(dǎo)體一側(cè)，使得半 導(dǎo)體在界面附近的能帶產(chǎn)生彎曲，形成一個(gè)較高的接觸勢(shì)壘，最終使得兩者費(fèi)米面相平。該 接觸勢(shì)壘的高度qVD等于兩者功函數(shù)之差，是決定金屬與半導(dǎo)體接觸電阻的關(guān)鍵因素。與上述結(jié)果相比較，圖1的(C)與(d)分別是/7型半導(dǎo)體與石墨烯接觸前后的能帶 圖。對(duì)于石墨烯這一新型材料，雖然其具有同金屬相似的載流子濃度(可達(dá)102，1026CnT3)，遠(yuǎn)高于半導(dǎo)體內(nèi)的載流子濃度(10，1021Cm_3)，具有金屬性，但是它與普通金屬的本質(zhì)區(qū)別 在于普通金屬在費(fèi)米面具有很高的態(tài)密度和類拋物面的能帶結(jié)構(gòu)，因此少量電子的轉(zhuǎn)移 不會(huì)引起其費(fèi)米面的移動(dòng)，而石墨烯的能帶結(jié)構(gòu)在費(fèi)米面附近呈線性關(guān)系，且?guī)稙榱?如 (c)右側(cè)方框中所示)，因此少量電子向石墨烯發(fā)生遷移，對(duì)能帶進(jìn)行填充，就會(huì)引起其功函 數(shù)的迅速變化石墨烯功函數(shù)可隨電子的移入而降低，隨電子的流出而升高。如(d)所示， 當(dāng)半導(dǎo)體與石墨烯接觸時(shí)，無論半導(dǎo)體功函數(shù)與石墨烯功函數(shù)間存在多大的差異，在經(jīng)過 少量電子遷移后，石墨烯的費(fèi)米能級(jí)可以自適應(yīng)地與半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)匹配，這使得半導(dǎo)體內(nèi)的 凈電荷數(shù)量和空間電荷區(qū)的寬度遠(yuǎn)小于相同功函數(shù)的金屬形成的接觸，從而使得半導(dǎo)體能 帶只產(chǎn)生少量彎曲，形成較低的接觸勢(shì)壘，大大減小接觸電阻。雖然圖1的示例為/7型接觸的情形，但/7型半導(dǎo)體與石墨烯的接觸情況與其基本 一致。由于/7型半導(dǎo)體的功函數(shù)比石墨烯高，因此向石墨烯轉(zhuǎn)移的是空穴載流子，同樣轉(zhuǎn)移 少量載流子就可使得石墨烯的費(fèi)米面降低(功函數(shù)升高)，從而與半導(dǎo)體費(fèi)米面匹配，從而 產(chǎn)生接觸電阻減小的效果。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于，通過在金屬和半導(dǎo)體層之間插入石墨烯層，改善了金半接觸 的能帶狀態(tài)，可廣泛適用于不同功函數(shù)的金屬和不同摻雜類型及摻雜濃度的半導(dǎo)體，降低 了接觸能帶的勢(shì)壘，從而起到降低接觸電阻的作用。本發(fā)明提供的方法制備簡(jiǎn)單，性能穩(wěn) 定，重復(fù)性好，成本低廉，對(duì)于實(shí)現(xiàn)各種高性能低成本的微納半導(dǎo)體電子器件具有重要作用。


附圖1是本發(fā)明實(shí)現(xiàn)原理的能帶圖。附圖2A至附圖2G是本發(fā)明實(shí)施例一的工藝示意圖。附圖3是本發(fā)明實(shí)施例一與二的測(cè)試結(jié)構(gòu)示意圖。附圖4與附圖5是本發(fā)明實(shí)施例一與二的測(cè)試結(jié)果示意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明提供的金屬-半導(dǎo)體電極結(jié)構(gòu)及其制備方法的具體實(shí)施 方式做詳細(xì)說明。實(shí)施例一，以本征GaN晶體作為半導(dǎo)體層為例進(jìn)行敘述。步驟11，參考附圖2A，石墨烯制備選用化學(xué)氣相沉積的方法在生長(zhǎng)襯底100的表 面制備石墨烯薄膜110，關(guān)于化學(xué)氣相沉積法的具體實(shí)施方式
屬于公知技術(shù)，此處不再詳細(xì) 敘述。本步驟需要為化學(xué)氣相襯底工藝提供單獨(dú)的生長(zhǎng)襯底100?；瘜W(xué)氣相沉積法的工藝 能夠在生長(zhǎng)襯底100表面形成石墨烯薄膜，且此工藝對(duì)生長(zhǎng)襯底100材料的要求非常寬泛， 很多常見的襯底材料，例如單晶硅、藍(lán)寶石、玻璃甚至于金屬襯底都可以滿足要求。所述石 墨烯薄膜110也可以采用濕化學(xué)法生長(zhǎng)。石墨烯薄膜110為未經(jīng)P型或η型摻雜或表面修 飾的石墨烯。步驟12，參考附圖2Β，在石墨烯薄膜110上旋涂聚二甲基硅氧烷(PDMS)層130，由 于PDMS有一定的粘性，可以粘附石墨烯薄膜層，并利用化學(xué)方法腐蝕石墨烯襯底，從而將 石墨烯薄膜層從生長(zhǎng)襯底上剝離。例如將生長(zhǎng)襯底100置于能夠腐蝕生長(zhǎng)襯底的化學(xué)腐蝕液中，使石墨烯薄膜110與二甲基硅氧烷(PDMS)層130從生長(zhǎng)襯底100上剝離并漂浮在液 面上。步驟13，本征GaN晶體的清洗用丙酮、酒精等有機(jī)溶劑清洗表面。步驟14，參考附圖2C，將石墨烯薄膜110與PDMS層130構(gòu)成的復(fù)合薄膜層壓印在 本征GaN晶體120表面。此步驟中，石墨烯薄膜110與本征GaN晶體120緊密貼合。步驟15，參考附圖2D，用酒精或丙酮等有機(jī)溶劑將PDMS層130溶解，從而實(shí)現(xiàn)了 石墨烯薄膜110到本征GaN晶體120上的轉(zhuǎn)移。以上步驟S12至S15也可以代之以如下步驟在實(shí)施完畢步驟Sll之后，直接將 帶有石墨烯薄膜110的生長(zhǎng)襯底100置于能夠腐蝕生長(zhǎng)襯底100的化學(xué)腐蝕液中，使石墨 烯薄膜Iio從生長(zhǎng)襯底100上剝離并漂浮在液面上；清洗本征GaN晶體120的表面；用本 征GaN晶體120將石墨烯薄膜110從溶液中撈起，石墨烯材料的表面張力使得石墨烯薄膜 110鋪展并吸附在本征GaN晶體120的表面，從而在本征GaN晶體120表面形成石墨烯薄膜 110。以上兩種方法都可以在半導(dǎo)體襯底表面形成石墨烯薄膜。步驟16，參考附圖2E，蒸鍍金屬選用真空蒸鍍的方法將導(dǎo)電金屬層140覆蓋到石 墨烯薄膜110上。步驟17，參考附圖2F，在金屬層140表面形成圖形化的刻蝕阻擋層150。此為常見 的光刻工藝。步驟18，參考附圖2G，利用感應(yīng)耦合等離子體(ICP)方法刻蝕金屬層140與石墨 烯薄膜110至本征GaN晶體120停止，形成電極結(jié)構(gòu)。附圖3所示的結(jié)構(gòu)是為了表明上述方法的有效性而制作的測(cè)試結(jié)構(gòu)，包括本征 GaN層300及其表面的兩個(gè)電極310和320，每個(gè)電極均包括石墨烯層311與321，以及金屬 層312與322。附圖4是此結(jié)構(gòu)的電極性能檢測(cè)結(jié)果。電極性能檢測(cè)利用了導(dǎo)電原子力顯 微鏡，將測(cè)試探針分別與如圖3所示的電極接觸，從而獲得了測(cè)試電極間的IV曲線如附圖 4所示。將此結(jié)果和探針直接與η型GaN接觸后所測(cè)的結(jié)果進(jìn)行比較，如圖4所示，可知明 顯減小了接觸電阻。實(shí)施例二 以P型GaN晶體作為半導(dǎo)體層為例進(jìn)行敘述。步驟21，石墨烯制備選用石墨氧化還原的方法來制備石墨烯粉末材料。關(guān)于石 墨還原法的具體實(shí)施方式
屬于公知技術(shù)，此處不再詳細(xì)敘述。步驟22，ρ型GaN晶體的清洗用丙酮、酒精等有機(jī)溶劑清洗表面。步驟23，在ρ型GaN晶體上覆蓋石墨烯層將石墨烯粉末材料旋涂在P型GaN晶 體上。步驟Μ，蒸鍍金屬選用真空蒸鍍的方法將導(dǎo)電金屬層覆蓋到石墨烯層上。步驟25，在金屬層表面形成刻蝕阻擋層。步驟沈，利用感應(yīng)耦合等離子體(ICP)方法刻蝕金屬層與石墨烯層至ρ型GaN晶 體停止，形成電極結(jié)構(gòu)。附圖5所示是采用上述方法制作與附圖3相同的結(jié)構(gòu)，并采用相同的方法進(jìn)行電 學(xué)測(cè)試后的測(cè)試結(jié)果。此結(jié)果和探針直接與P型GaN接觸后所測(cè)的結(jié)果進(jìn)行比較，可知明 顯減小了接觸電阻。以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為 本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種金屬-半導(dǎo)體電極結(jié)構(gòu)，包括半導(dǎo)體層和金屬電極，其特征在于，在半導(dǎo)體層和 金屬電極之間進(jìn)一步設(shè)置一石墨烯層，以降低金屬電極與半導(dǎo)體層之間的接觸電阻。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬-半導(dǎo)體電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體層的材料選 自于III-V族化合物、II-VI族化合物以及IV族化合物以及單質(zhì)半導(dǎo)體中的一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬-半導(dǎo)體電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體層的導(dǎo)電類 型選自于N型半導(dǎo)體、P型半導(dǎo)體以及本征半導(dǎo)體中的一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的金屬-半導(dǎo)體電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體層的材料為 寬禁帶半導(dǎo)體材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的金屬-半導(dǎo)體電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述寬禁帶半導(dǎo)體材料 選自于GaN、A1N、ZnO, SiC和SiTe及其合金中的一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬-半導(dǎo)體電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述石墨烯層的材料選 自于單原子層石墨烯和多原子層石墨烯中的一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的金屬-半導(dǎo)體電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述石墨烯為未經(jīng)ρ型 或η型摻雜或表面修飾的石墨烯。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬-半導(dǎo)體電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬電極的材料選 自于金、銀、鉬、鎳、銅、鈷、鈀和鋁中的一種。
9.一種金屬-半導(dǎo)體電極結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括如下步驟 采用化學(xué)氣相沉積的方法在生長(zhǎng)襯底上制備石墨烯薄膜層；將生長(zhǎng)襯底置于能夠腐蝕生長(zhǎng)襯底的化學(xué)腐蝕液中，使石墨烯薄膜層從生長(zhǎng)襯底上剝 離并漂浮在液面上；清洗半導(dǎo)體襯底的表面；用半導(dǎo)體襯底將石墨烯薄膜從溶液中撈起，石墨烯材料的表面張力使得石墨烯薄膜層 鋪展并吸附在半導(dǎo)體層的表面，從而在半導(dǎo)體襯底表面形成石墨烯層； 在石墨烯層的表面形成金屬層； 在金屬層表面形成刻蝕阻擋層；刻蝕金屬層與石墨烯層至半導(dǎo)體襯底停止，以形成電極結(jié)構(gòu)。
10.一種金屬-半導(dǎo)體電極結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括如下步驟 選用化學(xué)氣相沉積的方法在生長(zhǎng)襯底上制備石墨烯薄膜層；在石墨烯薄膜層上涂敷粘附層，形成粘附層與石墨烯的復(fù)合薄膜層； 將生長(zhǎng)襯底置于能夠腐蝕生長(zhǎng)襯底的化學(xué)腐蝕液中，使石墨烯薄膜與粘附層從生長(zhǎng)襯 底上剝離并漂浮在液面上； 清洗半導(dǎo)體襯底；將石墨烯薄膜與粘附層的復(fù)合薄膜層壓印在半導(dǎo)體襯底的表面； 將粘附層去除，從而在半導(dǎo)體襯底表面形成石墨烯層； 在石墨烯層的表面形成金屬層； 在金屬層表面形成刻蝕阻擋層；刻蝕金屬層與石墨烯層至半導(dǎo)體襯底停止，以形成電極結(jié)構(gòu)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的金屬-半導(dǎo)體電極結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述粘附 層的材料為聚二甲基硅氧烷，所述將粘附層除去的步驟采用溶解法。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的金屬-半導(dǎo)體電極結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述刻蝕 金屬層與石墨烯層的步驟中，采用的是感應(yīng)耦合等離子體刻蝕方法。
13.一種金屬-半導(dǎo)體電極結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括如下步驟 采用石墨氧化還原的方法制備石墨烯粉末材料；清洗半導(dǎo)體襯底的表面；在半導(dǎo)體襯底的表面涂敷石墨烯粉末材料，形成石墨烯層； 在石墨烯層的表面形成金屬層； 在金屬層表面形成刻蝕阻擋層；刻蝕金屬層與石墨烯層至半導(dǎo)體襯底停止，形成電極結(jié)構(gòu)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的金屬-半導(dǎo)體電極結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述刻蝕 金屬層與石墨烯層的步驟中，采用的是感應(yīng)耦合等離子體刻蝕方法。
全文摘要
一種金屬-半導(dǎo)體電極結(jié)構(gòu)，包括半導(dǎo)體層和金屬電極，在半導(dǎo)體層和金屬電極之間進(jìn)一步設(shè)置一石墨烯層，以降低金屬電極與半導(dǎo)體層之間的接觸電阻。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于，通過在金屬和半導(dǎo)體層之間插入石墨烯層，改善了金半接觸的能帶狀態(tài)，可廣泛適用于不同功函數(shù)的金屬和不同摻雜類型及摻雜濃度的半導(dǎo)體，降低了接觸勢(shì)壘，從而起到降低接觸電阻的作用。本發(fā)明提供的方法制備簡(jiǎn)單，性能穩(wěn)定，重復(fù)性好，成本低廉，對(duì)于實(shí)現(xiàn)各種高性能低成本的微納半導(dǎo)體電子器件具有重要作用。
文檔編號(hào)H01L21/285GK102064189SQ20101057458
公開日2011年5月18日 申請(qǐng)日期2010年12月6日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月6日
發(fā)明者劉爭(zhēng)暉, 劉立偉, 張學(xué)敏, 徐耿釗, 樊英民, 王建峰, 蔡德敏, 鐘海艦 申請(qǐng)人:中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所, 蘇州納維科技有限公司