專利名稱：一種防范sti-cmp劃傷的方法
一種防范STI-CMP劃傷的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種改進(jìn)的STI-CMP (淺溝槽隔離平坦化)方法。
背景技術(shù)：
STI (淺溝槽隔離)目前已成為器件之間隔離的關(guān)鍵技術(shù)，并且已取代LOCOS (硅的局部氧化)技術(shù)。其主要步驟包括在純硅片上刻蝕淺溝槽、進(jìn)行二氧化硅沉積、最后用 CMP (化學(xué)機(jī)械拋光)技術(shù)進(jìn)行表面平坦化。CMP (化學(xué)機(jī)械拋光)工藝由IBM于1984年引入集成電路制造工業(yè)，并首先用在后道工藝的IMD(金屬間絕緣介質(zhì))的平坦化，然后通過設(shè)備和工藝的改進(jìn)用于鎢的平坦化，隨后用于STI和銅的平坦化。CMP為近年來IC制程中成長(zhǎng)最快、最受重視的一項(xiàng)技術(shù)。其主要原因是由于超大規(guī)模集成電路隨著線寬不斷細(xì)小化而產(chǎn)生對(duì)平坦化的強(qiáng)烈需求。STI-CMP的工藝目標(biāo)是磨掉比SiN(氮化硅)層高的所有氧化層，否則STI拋光后進(jìn)行的工藝就不能用熱磷酸剝離掉SiN，從而實(shí)現(xiàn)平坦化。因此傳統(tǒng)的STI-CMP—般按照如下兩個(gè)步驟進(jìn)行第一步是將有源區(qū)的 HDP-OX(高密度等離子體氧化硅)磨掉，第二步是將有源區(qū)的SiN磨掉指定的厚度(例如 400A)，而這兩步是連續(xù)進(jìn)行的，如圖1所示。然而，在半導(dǎo)體制造流程中，STI-CMP工序之前還有一個(gè)HDP-OX的沉淀過程，這一步會(huì)完成STI溝槽的填充，但是填充后在有源區(qū)表面會(huì)形成尖角。因此在STI-CMP研磨的時(shí)候有可能因?yàn)楸砻娲髩K的尖角倒掉而形成晶片表面劃傷，并且由于STI-CMP的研磨過程是連續(xù)進(jìn)行的，倒掉的大塊尖角存在于晶片和研磨墊中間，不能被清除掉，所以研磨后很容易形成劃傷。為了解決上述問題，很有必要提供一種改進(jìn)的STI-CMP方法。

發(fā)明內(nèi)容針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明解決的技術(shù)問題是提供一種改進(jìn)的STI-CMP方法， 其可以防范和減輕HDP-OX形成的尖角對(duì)晶片表面的劃傷。本發(fā)明的目的通過提供以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)—種防范STI-CMP劃傷的方法，包括步驟第一步，將晶片有源區(qū)表面的 HDP-OX(高密度等離子體氧化硅)磨掉，這時(shí)候晶片表面會(huì)形成倒掉的尖角；第二步，進(jìn)行 SiN的研磨并將SiN磨去一定的厚度，在第一步和第二步之間加入高壓清洗步驟以清除掉到的尖角，從而防止晶片表面劃傷。進(jìn)一步地，SiN的研磨可以將晶片表面偶然形成的劃傷去除。再進(jìn)一步地，SiN的研磨步驟中所述的一定的厚度是400A。再進(jìn)一步地，所述第一步驟、第二步驟以及兩者之間的高壓清洗步驟是連續(xù)進(jìn)行的。更進(jìn)一步地，所述倒掉的尖角是HDP-OX (高密度等離子體氧化硅)。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是高壓清洗步驟可以及時(shí)沖走倒掉的尖角，達(dá)到清洗晶片表面的作用，從而防止了 STI-CMP劃傷。
下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明圖1為現(xiàn)有技術(shù)的STI-CMP的流程圖。圖2為本發(fā)明防范STI-CMP劃傷的方法的流程圖。
具體實(shí)施方式以下參照

本發(fā)明的最佳實(shí)施方式。如圖2所示，本發(fā)明提供一種防范STI-CMP(淺溝槽隔離平坦化劃傷)的方法。在半導(dǎo)體制造流程中，STI-CMP工序之前還有一個(gè)HDP-OX (高密度等離子體氧化硅)的沉淀過程，這一步會(huì)完成STI溝槽的填充，但是填充后在晶片的有源區(qū)表面會(huì)形成尖角。本發(fā)明的第一個(gè)步驟就是將晶片有源區(qū)表面的HDP-OX磨掉，這時(shí)候晶片有源區(qū)表面的尖角將會(huì)倒掉，同時(shí)還會(huì)形成其他副產(chǎn)物。這些倒掉的尖角和副產(chǎn)物位于晶片表面與研磨墊之間，若是不及時(shí)清理，在接下來的研磨過程中將會(huì)造成晶片表面的劃傷。而本發(fā)明正是在第一個(gè)步驟完成之后設(shè)置了一個(gè)高壓清洗步驟，通過高壓清洗，倒掉的尖角和副產(chǎn)物將被沖走，晶片表面也得到清洗。隨后，將會(huì)進(jìn)行SiN的研磨步驟，并且按照指定的厚度持續(xù)進(jìn)行研磨，該步驟可以將晶片表面偶然形成的劃傷弱化甚至去除，此時(shí)，SiN被磨掉的厚度一般在400A。 需要指出的是，上述步驟是連續(xù)進(jìn)行的。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是高壓清洗步驟可以及時(shí)沖走倒掉的尖角和其他副產(chǎn)物，達(dá)到清洗晶片表面的作用，從而防止了 STI-CMP劃傷。盡管為示例目的，已經(jīng)公開了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，但是本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將意識(shí)到，在不脫離由所附的權(quán)利要求書公開的本發(fā)明的范圍和精神的情況下，各種改進(jìn)、增加以及取代是可能的。
權(quán)利要求
1.一種防范STI-CMP劃傷的方法，包括步驟第一步，將晶片有源區(qū)表面的HDP-OX (高密度等離子體氧化硅)磨掉，這時(shí)候晶片表面會(huì)形成倒掉的尖角；第二步，進(jìn)行SiN的研磨并將SiN磨去一定的厚度，其特征在于在第一步和第二步之間加入高壓清洗步驟以清除掉到的尖角，從而防止晶片表面劃傷。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防范STI-CMP劃傷的方法，其特征在于SiN的研磨可以將晶片表面偶然形成的劃傷去除。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的防范STI-CMP劃傷的方法，其特征在于SiN的研磨步驟中所述的一定的厚度是400A。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的防范STI-CMP劃傷的方法，其特征在于所述第一步驟、第二步驟以及兩者之間的高壓清洗步驟是連續(xù)進(jìn)行的。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的防范STI-CMP劃傷的方法，其特征在于所述倒掉的尖角是 HDP-OX (高密度等離子體氧化硅)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種防范STI-CMP劃傷的方法，包括步驟第一步，將晶片有源區(qū)表面的HDP-OX(高密度等離子體氧化硅)磨掉，這時(shí)候晶片表面會(huì)形成倒掉的尖角；第二步，進(jìn)行SiN的研磨并將SiN磨去一定的厚度，在第一步和第二步之間加入高壓清洗步驟以清除掉到的尖角，從而防止晶片表面劃傷。與現(xiàn)有技術(shù)相比，高壓清洗步驟可以及時(shí)沖走倒掉的尖角，達(dá)到清洗晶片表面的作用，從而防止了STI-CMP劃傷。
文檔編號(hào)H01L21/3105GK102543819SQ20101057801
公開日2012年7月4日 申請(qǐng)日期2010年12月8日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月8日
發(fā)明者張炳一, 李健, 胡駿 申請(qǐng)人:無錫華潤(rùn)上華科技有限公司