專利名稱：薄膜晶體管基板、其制造方法及具有該基板的平板顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有自對準(zhǔn)功能因此降低制造成本的薄膜晶體管基板、該薄膜晶體管基板的制造方法，以及具有該薄膜晶體管基板的平板顯示器。
背景技術(shù)：
目前，顯示器件市場已經(jīng)快速變化，聚焦于有效采用了大尺寸和小型尺寸的平板顯示器件。這種平板顯示器件可分成液晶顯示器(LCD)、等離子體顯示面板(PDP)、有機電致發(fā)光顯示器(OLED)等。平板顯示器件使用玻璃基板作為構(gòu)造成支撐多個薄膜的支撐體。 玻璃基板在減少厚度方面具有限制。即使玻璃基板厚度被減小了，玻璃基板也因其不具有耐久性和柔性而具有易碎的缺陷。結(jié)果，柔性顯示器已經(jīng)出現(xiàn)在市場中，其使用具有薄厚度和耐久性的材料，例如塑料代替不具有耐久性和柔性的玻璃基板。與玻璃基板相比，由于熱、張力、化學(xué)反應(yīng)和濕氣吸收等，容易改變這種柔性顯示器中使用的塑料膜的形狀。源于此，不利的是，在每條組裝線中必須考慮柔性基板的外形。 尤其是，塑料膜在150°C下會發(fā)生200ppm的熱收縮。如果使用這種塑料膜制造柔性顯示器， 則將嚴(yán)重降低薄膜間層對準(zhǔn)的精度。為了解決這個問題，美國專禾Ij No. 7，202，179和No. 7，521，313公開了具有自對準(zhǔn)
壓印光刻的薄膜器件。尤其是，根據(jù)USP No. 7，202，179，多個薄膜器件層沉積在基板上，然后，在多個薄膜器件層上提供諸如壓印聚合物的壓印3D模板結(jié)構(gòu)。之后，蝕刻多個薄膜器件層和3D模板結(jié)構(gòu)。該蝕刻形成了薄膜器件的基本(rudimentary)結(jié)構(gòu)。也就是，通過多個灰化和蝕刻工藝，使用多臺階抗蝕劑作為掩模對所形成的多個薄膜器件層進(jìn)行構(gòu)圖。這種情況下，由于在對多個薄膜器件層進(jìn)行構(gòu)圖時使用多臺階抗蝕劑，因此可解決多層對準(zhǔn)的問題。但是， 使用底切對最下層的柵極層進(jìn)行構(gòu)圖。此處，難以實施底切工藝且在形成圖案形狀上存在限制。而且，由于底切結(jié)構(gòu)和產(chǎn)品可靠性會因此變差，所以在柵極層上提供的柵極介質(zhì)層可能是浮置的。根據(jù)USP No. 7，512，313，當(dāng)在具有至少一個臺階的基板暴露區(qū)域中形成圖案時， 處理暴露區(qū)域以提供至少一個蝕刻抗蝕劑材料區(qū)域。但是，被施加表面處理工藝的材料受限且難以保證材料類型。而且，另外提供表面處理工藝，因此使得整個組裝工藝復(fù)雜化。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管基板及其制造方法。本發(fā)明的目的是提供一種能夠執(zhí)行自對準(zhǔn)的薄膜晶體管基板及其制造方法。
本發(fā)明的另外優(yōu)點、目的和特征將部分在隨后的描述中進(jìn)行闡述，而部分則將在本領(lǐng)域技術(shù)人員在研究下文之后變得顯而易見，或者可以通過本發(fā)明的實踐來了解。可以通過在書面的說明書和其權(quán)利要求以及所附附圖中具體指明的結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)和獲得本發(fā)明的目的及其他優(yōu)點。為了實現(xiàn)這些目的或其他優(yōu)點并根據(jù)本發(fā)明的意圖，如此處具體實施和廣泛描述的，一種薄膜晶體管基板包括包括分別具有不同深度的多個溝槽以具有多臺階結(jié)構(gòu)的基板；柵極線和數(shù)據(jù)線，在溝槽中交替交叉以形成多個像素區(qū)域；形成在基板溝槽中以形成在柵極線和數(shù)據(jù)線交叉部分中的薄膜晶體管，其中沿著柵極線和柵極形成薄膜晶體管的有源層，有源層與相鄰像素區(qū)域的有源層分開，其間具有數(shù)據(jù)線。所述基板可包括分別具有不同高度的第一至第四溝槽，并且基板第一水平面可通過第一溝槽暴露，基板第二水平面可通過具有低于第一溝槽深度的第二溝槽暴露，基板第三水平面可通過低于第二溝槽深度的第三溝槽暴露，基板第四水平面可通過低于第三溝槽深度的第四溝槽暴露。所述薄膜晶體管可包括形成在第一和第二水平面以及位于第一至第三水平面中每兩個之間的側(cè)表面上的柵極；形成在基板正面上的柵絕緣層；形成在基板的第一和第四水平面上以及與第二至第四水平面中每兩個之間的側(cè)表面對應(yīng)的柵絕緣層上的源極和漏極；形成在基板第二水平面上和與位于第二和第三水平面之間的側(cè)表面對應(yīng)的柵絕緣層上的有源層，該有源層與柵極重疊，其間具有柵絕緣層，以在源極和漏極之間形成溝道；以及形成在源極和漏極中每一個與有源層之間的歐姆接觸層。所述有源層可與相鄰像素區(qū)域的有源層通過位于數(shù)據(jù)線兩側(cè)上的第一溝槽分開。所述柵極線和數(shù)據(jù)線在基板的第三水平面上交叉，其間具有柵絕緣層。在位于其上形成有源極和漏極的第四水平面和其上形成有柵極的第二水平面之間的側(cè)表面的尖角可小于位于其上形成有柵極和柵極線的第二水平面和與第二水平面相鄰的第五水平面之間的側(cè)表面的尖角。所述薄膜晶體管基板還可包括與柵極線結(jié)合的柵極焊盤，所述柵極焊盤形成在第二水平面上；以及與數(shù)據(jù)線結(jié)合的數(shù)據(jù)焊盤，所述數(shù)據(jù)焊盤形成在第五水平面上，其中柵絕緣層和有源層被形成為暴露柵極焊盤。在本發(fā)明的另一方面中，一種制造薄膜晶體管基板的方法包括如下步驟形成包括分別具有不同深度的多個溝槽以具有多臺階結(jié)構(gòu)的基板；以及形成交替交叉以形成多個像素區(qū)域的柵極線和數(shù)據(jù)線，和薄膜晶體管，形成在基板的溝槽內(nèi)柵極和數(shù)據(jù)線的交叉部分中；其中薄膜晶體管的有源層沿著柵極線和柵極形成，有源層與相鄰像素區(qū)域的有源層分開，其間具有數(shù)據(jù)線。形成基板的步驟可包括如下步驟形成包括與第一至第四溝槽對應(yīng)的第一至第四凸起的壓印模型；使用壓印模型通過按壓塑料膜形成具有第一至第四溝槽的基板；以及將壓印模型與基板分開。在所述基板溝槽中形成柵極和數(shù)據(jù)線以及薄膜晶體管的步驟可包括如下步驟在第一和第二水平面上以及位于第一至第三水平面中每兩個之間的側(cè)表面上形成薄膜晶體管的柵極線和柵極；在基板正面上形成柵絕緣層；在基板的第二水平面上和與位于第二和第三水平面之間的側(cè)表面對應(yīng)的柵絕緣層上形成有源層，該有源層與柵極重疊，其間具有柵絕緣層，以在源極和漏極之間形成溝道；以及在基板的第三和第四水平面上以及位于第二至第四水平面中每兩個之間的一個側(cè)表面上形成源極、漏極和數(shù)據(jù)線。形成所述薄膜晶體管的柵極線和柵極的步驟可包括如下步驟在基板正面上形成柵極金屬層；在第一至第三水平面上以及在位于第一至第三水平面中每兩個之間的側(cè)表面上形成第一蝕刻抗蝕劑圖案；通過使用第一蝕刻抗蝕劑圖案作為掩模蝕刻柵極金屬層；以及去除第一蝕刻抗蝕劑圖案。根據(jù)實施例的形成有源層的步驟可包括如下步驟在其上形成有柵絕緣層的基板的第一水平面上形成第二蝕刻抗蝕劑圖案；在其上形成有第二蝕刻抗蝕劑圖案的基板上形成第一和第二硅層；在剝離工藝中去除第二蝕刻抗蝕劑圖案，第二蝕刻抗蝕劑圖案上的第一和第二硅層；形成第三蝕刻抗蝕劑圖案以覆蓋第一和第二水平面以及在第一至第三水平面中每兩個之間的側(cè)表面；和使用第三蝕刻抗蝕劑圖案作為掩模，通過蝕刻第一硅層在有源層上形成有源層和歐姆接觸層。根據(jù)另一實施例的形成有源層的步驟包括如下步驟在其上形成有柵絕緣層的基板的第一水平面上形成第二蝕刻抗蝕劑圖案；在其上形成有第二蝕刻抗蝕劑圖案的基板上形成第一硅層；在剝離工藝中去除第二蝕刻抗蝕劑圖案和第二蝕刻抗蝕劑圖案上的第一硅層；形成第三蝕刻抗蝕劑圖案以覆蓋第一和第二水平面和在第一至第三水平面中每兩個之間的側(cè)表面；以及通過使用第三蝕刻抗蝕劑圖案作為掩模蝕刻第一硅層形成有源層。形成所述數(shù)據(jù)線、源極和漏極的步驟可包括如下步驟灰化第三蝕刻抗蝕劑圖案以部分暴露歐姆接觸層的端部；在基板上形成源/漏極金屬層以覆蓋被灰化的第三蝕刻抗蝕劑圖案；在源/漏極金屬層上的第一至第四水平面上形成第四蝕刻抗蝕劑圖案；使用第四蝕刻抗蝕劑圖案作為掩模蝕刻源/漏極金屬層；去除第四蝕刻抗蝕劑圖案；以及在剝離工藝中去除第三蝕刻抗蝕劑圖案和第三蝕刻抗蝕劑圖案上的源/漏極金屬層。根據(jù)另一實施例的形成數(shù)據(jù)線、源極和漏極的步驟可包括步驟灰化第三蝕刻抗蝕劑圖案以部分暴露有源層的端部；在基板上形成第二硅層和源/漏極金屬層以覆蓋被灰化的第三蝕刻抗蝕劑圖案；在形成于源/漏極金屬層上的第一至第四水平面上形成第四蝕刻抗蝕劑圖案；使用第四蝕刻抗蝕劑圖案作為掩模，通過順序蝕刻源/漏極金屬層和第二硅層，與數(shù)據(jù)線、源極和漏極一起形成歐姆接觸層；去除第四蝕刻抗蝕劑圖案；以及在剝離工藝中通過去除蝕刻抗蝕劑圖案，將源極和漏極與位于源極和漏極之間的歐姆接觸層分開。在此，第二蝕刻抗蝕劑圖案可與形成在第二水平面上的柵絕緣層平齊。該方法還包括如下步驟在第二水平面上與柵極線一起形成柵極焊盤；在第四水平面上與數(shù)據(jù)線一起形成數(shù)據(jù)焊盤；以及通過去除形成在柵極焊盤上的有源層和柵絕緣層暴露柵極焊盤；尤其是，所述暴露柵極焊盤的步驟包括如下步驟在其上形成有源極、漏極、數(shù)據(jù)線和數(shù)據(jù)焊盤的基板的正面上涂覆蝕刻抗蝕劑；在浸漬(dipping)其上形成有柵極焊盤的基板預(yù)定部分之后，通過對蝕刻抗蝕劑構(gòu)圖形成第五蝕刻抗蝕劑圖案；以及使用第五蝕刻抗蝕劑圖案作為掩模蝕刻有源層和柵絕緣層。在本發(fā)明的另一方面中，一種平板顯示器件包括薄膜晶體管基板；與薄膜晶體管基板相對的陣列基板，該陣列基板包括驅(qū)動電極；以及形成在薄膜晶體管基板和陣列基板之間的接觸襯墊料，以結(jié)合薄膜晶體管和驅(qū)動電極，其中薄膜基板包括基板，包括分別具有不同深度的多個溝槽以具有多臺階結(jié)構(gòu)；柵極和數(shù)據(jù)線，在溝槽中交替交叉以形成多個像素區(qū)域；形成在基板的溝槽中的薄膜晶體管，以形成在柵極和數(shù)據(jù)線的交叉部分中，其中薄膜晶體管的有源層沿著柵極線和柵極形成，該有源層與相鄰像素區(qū)域的有源層分開，其間具有數(shù)據(jù)線。根據(jù)本發(fā)明，可提供包括分別具有不同深度的多個溝槽的基板且薄膜圖案可形成在基板的溝槽中。源于此，可設(shè)計提供大面積的結(jié)構(gòu)且有利的是將抗蝕劑印刷工藝應(yīng)用于本發(fā)明。而且，根據(jù)本發(fā)明可形成薄膜而不需對準(zhǔn)工藝。源于此，可實現(xiàn)自對準(zhǔn)。在底切結(jié)構(gòu)中不形成根據(jù)本發(fā)明的薄膜圖案，因此可提供其組裝工藝的效率和可靠性。應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明前面的一般描述和以下的詳細(xì)描述都是示范性和說明性的且旨在提供如所要求的本發(fā)明的進(jìn)一步解釋。


給本發(fā)明提供進(jìn)一步理解并結(jié)合在本申請中組成本申請一部分的附解了本發(fā)明的實施例，并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。在附圖中圖1是示出根據(jù)本發(fā)明示范性實施例的薄膜晶體管基板的透視圖；圖2是示出沿著圖1的線“1-1 ”、“11-11”和“111-111”的薄膜晶體管基板的截面圖；圖3A和:3B是詳細(xì)示出用于制造具有多臺階結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管基板的方法的透視圖和截面圖；圖4A至4C是詳細(xì)示出用于制造具有多臺階結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管基板的方法的截面圖；圖5A和5B是示出用于制造根據(jù)本發(fā)明上述實施例的薄膜晶體管的第一導(dǎo)體圖案組的方法的透視圖和截面圖；圖6A至6C是示出用于制造根據(jù)本發(fā)明上述實施例的薄膜晶體管的第一導(dǎo)體圖案組的方法的截面圖；圖7A和7B是示出用于制造根據(jù)本發(fā)明實施例的薄膜晶體管基板的半導(dǎo)體層的方法的透視圖和截面圖；圖8A至8D是示出用于制造根據(jù)本發(fā)明實施例的薄膜晶體管基板的半導(dǎo)體層的方法的截面圖；圖9A和9B是示出用于制造根據(jù)本發(fā)明實施例的薄膜晶體管基板的第二導(dǎo)體組的方法的透視圖和截面圖；圖IOA至IOE是示出用于制造根據(jù)本發(fā)明實施例的薄膜晶體管基板的第二導(dǎo)體組的方法的截面圖；圖IlA和IlB是示出根據(jù)本發(fā)明上述實施例去除提供在薄膜晶體管基板的柵極焊盤上的柵絕緣層和有源層的工藝的透視圖和截面圖；圖12A至12D是示出根據(jù)本發(fā)明上述實施例所述去除提供在薄膜晶體管基板的柵極焊盤上的柵絕緣層和有源層的工藝的截面圖13是示出根據(jù)本發(fā)明另一實施例的薄膜晶體管基板的截面圖；圖14A至141是示出用于制造圖13中所示薄膜晶體管基板的方法的截面圖；以及圖15是示出應(yīng)用了所述薄膜晶體管基板的平板顯示器件的截面圖。
具體實施例方式現(xiàn)在將詳細(xì)參考本發(fā)明的特定實施例，其實例于附圖中示出。可以的話，在整個附圖中使用相同的附圖標(biāo)記表示相同或相似的部分。圖1和圖2是示出根據(jù)本發(fā)明示范性實施例的薄膜晶體管基板的透視圖和截面圖。圖1和圖2中所示的薄膜晶體管基板包括基板101 ；交叉形成在基板101上的柵極線102和數(shù)據(jù)線104，其間提供有柵絕緣層112 ；以及與兩條柵極線和數(shù)據(jù)線的交叉部分相鄰的薄膜晶體管130。薄膜晶體管基板包括與柵極線102相結(jié)合的柵極焊盤150和與數(shù)據(jù)線104相結(jié)合的數(shù)據(jù)焊盤160。基板101具有第一至第五水平面(Tl，T2，T3，T4和仍)，其具有逐步增加的高度，并且該基板形成了多臺階結(jié)構(gòu)。第一水平面(Tl)通過具有第一深度(dl)的第一溝槽(IOla) 暴露。第二水平面0 通過具有低于第一深度(dl)的第二深度的第二溝槽(IOlb)暴露。 第三水平面CH)通過具有低于第二深度(業(yè))的第三深度(們)的第三溝槽IOlc暴露。第四水平面(T4)通過具有低于第三深度(們)的第四深度(d4)的溝槽IOld暴露。尤其是，第一水平面(Tl)位于相鄰像素區(qū)域之間以將像素區(qū)域的溝道相互分開。 也就是，第一水平面(Tl)形成在與位于柵極線之間的數(shù)據(jù)線兩個相對側(cè)中的柵極線對應(yīng)的預(yù)定區(qū)域中。有源層114不形成在第一水平面(Tl)的第一溝槽IOla中，并且相鄰像素區(qū)域的溝道分開。第三水平面CH)與柵極線102和數(shù)據(jù)線104的交叉區(qū)域?qū)?yīng)。第五水平面(T5)與除了與第一至第四水平面(Tl，T2，T3和T4)對應(yīng)的區(qū)域之外的具有基板101最大高度的區(qū)域?qū)?yīng)。尤其是，可基于接近水平面調(diào)整第五水平面(T5)的尖角以防止數(shù)據(jù)線104與漏極110之間短路以及源極108與漏極110之間短路。也就是， 位于其中形成了柵極106和柵極線102的第二水平面(1 和與第二水平面(1 相鄰的第五水平面(仍)之間的側(cè)表面的尖角(θ 1)可大于其中形成了源極和漏極108和110的第四水平面(Τ4)和其中形成了柵極106的第二水平面(Τ2)之間的側(cè)表面的尖角(θ 2)。源于此，源極108和漏極110以及數(shù)據(jù)線104不延伸至第五水平面(Τ5)和位于與第五水平面 (Τ5)相鄰的第二水平面(1 和相鄰的第五水平面0 之間的側(cè)表面，以便防止其間的短路。這樣，基板101可由塑料膜形成，其由選自聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)，聚對苯二甲酸乙二酯(PET)，聚乙烯乙醚鄰苯二甲酸鹽(Polyethylene KherPhathlate)，聚碳酸酯， 聚酰亞胺和聚丙烯酸脂中的至少一種有機材料制成。薄膜晶體管130形成在基板的第二溝槽IOlb中且其包括柵極106、源極108、漏極 110、有源層114和歐姆接觸層116。柵極106結(jié)合到柵極線102，并且源極108結(jié)合到數(shù)據(jù)線104。漏極110與源極108 相對，并且有源層114與柵極106重疊，其間具有柵絕緣層112，以在源極108和漏極110之間形成溝道。歐姆接觸層116形成在有源層114除了溝道區(qū)的預(yù)定區(qū)域上，以與源極和漏極108和110歐姆接觸。柵極106結(jié)合到柵極線102且其形成在基板101的第一至第三水平面(Tl，T2和 T3)上和位于其中兩個之間的側(cè)表面上。源極108形成在基板101的第四水平面(T4)上和第二至第四水平面中兩個之間的側(cè)表面上，以與數(shù)據(jù)線104結(jié)合。漏極110形成在基板101 的第四水平面(T4)上和位于第二至第四水平面(T2，T3和T4)中兩個之間的側(cè)表面上，以與源極108相對。有源層114沿著柵極線102和柵極106形成在基板的第一水平面(Tl) 上和位于第一和第二水平面(Tl和1 之間的側(cè)表面上。形成這種有源層114，其與柵極 106重疊，其間具有柵絕緣層112，且該有源層114形成了源極108和漏極110之間的溝道區(qū)。此外，有源層114與相鄰像素區(qū)域的另一有源層通過形成在數(shù)據(jù)線104兩側(cè)上的第一溝槽IOla分開。歐姆接觸層116可以分別在源極108和漏極電極110之間以及在每條數(shù)據(jù)線104 和有源層114之間形成。尤其是，歐姆接觸層116形成在除溝道區(qū)外的有源層114上，以與源極108和漏極110歐姆接觸。柵極線102形成在基板101的第一和第二溝槽IOla和IOlb中，且其經(jīng)由柵極焊盤 150與柵極驅(qū)動器(未示出)結(jié)合。數(shù)據(jù)焊盤150形成在形成于基板中具有第二深度(d2) 的第二溝槽IOlb中，從第二水平面(1 上的柵極線102延伸。柵絕緣層112不形成在該柵極焊盤150上，因此柵極焊盤150暴露于外部。數(shù)據(jù)線104形成在基板的第三和第四溝槽IOlc和IOld中，且其經(jīng)由數(shù)據(jù)焊盤160 與數(shù)據(jù)驅(qū)動器(未示出)結(jié)合。數(shù)據(jù)焊盤160形成在第四溝槽IOld中，其從基板101的第四水平面(T4)上的數(shù)據(jù)線104延伸。如下，將描述圖1和2中示出的根據(jù)本發(fā)明用于制造薄膜晶體管基板的方法。圖3A和:3B是說明具有在薄膜晶體管基板中提供的多個臺階的基板制造工藝的透視圖和截面圖。如圖3A和;3B中所示，可提供具有分別設(shè)置成不同高度的第一至第五水平面(Tl， T2，T3，T4和T5)的基板101。第一水平面(Tl)經(jīng)由具有第一深度(dl)的第一溝槽(IOla) 暴露，并且第二水平面0 經(jīng)由具有低于第一深度(dl)的第二深度(d2)的第二溝槽IOlb 暴露。第三水平面CH)經(jīng)由具有低于第二深度(業(yè))的第三深度(們)的第三溝槽IOlc暴露，并且第四水平面經(jīng)由具有低于第三深度(d3)的第四深度(d4)的第四溝槽IOld暴露。 第五水平面(T5)位于高于第四水平面(T4)的基板101的最高位置。此外，在基板101的第二水平面0 和第五水平面(仍)之間暴露的側(cè)表面的尖角(θ 1)大于在第二水平面(Τ2) 和第四水平面(Τ4)之間暴露的側(cè)表面的尖角(Θ2)。尤其是，如圖4Α中所示，具有多個凸起200a、200b、200c和200d的壓印模型200可對準(zhǔn)塑料膜100。壓印模型200包括分別具有連續(xù)降低高度的第一至第四凸起200a、200b、 200c和200d。第一凸起200a具有預(yù)定的第一高度，與位于相鄰像素區(qū)域中的區(qū)域?qū)?yīng)， 該區(qū)域中分離了形成薄膜晶體管的溝道的有源層。第二凸起200b具有低于第一高度的第二高度，與其中將形成具有柵極和柵極焊盤的第一導(dǎo)體圖案組的區(qū)域?qū)?yīng)。第三凸起200c 具有低于第二高度的第三高度，與數(shù)據(jù)線和柵極線之間的交叉區(qū)域?qū)?yīng)。第四凸起200d具有低于第三高度的預(yù)定高度，與其中將形成具有數(shù)據(jù)線、源極、漏極和數(shù)據(jù)焊盤的第二導(dǎo)體組的區(qū)域?qū)?yīng)。這種壓印模型200可由具有高彈性的橡膠材料制成，諸如聚二甲基硅氧烷 (PDMS)等。壓印模型200通過其重量按壓塑料膜100且壓印模型200與塑料膜100分開， 如圖4B中所示，然后，如圖4C中所示，可形成具有第一至第四凸起200a、200b、200c和200d 的反轉(zhuǎn)圖案的第一至第四溝槽101a、101b、101c和IOld以及具有第一至第五水平面T1、T2、 Τ3、Τ4和Τ5的基板101。在此，第一溝槽IOla具有與壓印模型200的第一凸起圖案200a 的高度對應(yīng)的第一深度(dl)，并且第二溝槽IOlb具有與第二凸起圖案200b的高度對應(yīng)的第二深度(d2，d2 < dl)。第三溝槽IOlc具有與壓印模型200的第三凸起圖案200c的高度對應(yīng)的第三深度(d3，d3<d2)，并且第四溝槽IOld具有對應(yīng)于壓印模型200第四凸起圖案200d高度的第四深度(d4，d4 < d3)。此外，在第二水平面(1 和第五水平面(T5)之間暴露的側(cè)表面的尖角(θ 1)大于在第二水平面(1 和第四水平面(T4)之間暴露的側(cè)表面的尖角(θ 2)。圖5Α和5Β是說明根據(jù)本發(fā)明薄膜晶體管基板的第一導(dǎo)體圖案組的制造工藝的透視圖和截面圖。如圖5Α和5Β中所示，包括柵極線102、柵極106和柵極焊盤150的第一導(dǎo)體圖案組形成在第一至第三水平面(Tl，Τ2和B)上以及位于所述水平面中每兩個之間的側(cè)表面上。尤其是，如圖6Α中所示，柵極金屬層172和第一蝕刻抗蝕劑順序形成在基板101 的頂表面上。柵極金屬層172由鋁、銅或鉬形成和第一蝕刻抗蝕劑由丙烯酸樹脂或酚醛清漆樹脂形成，其對柵極金屬層的蝕刻劑具有耐性。之后，在大氣壓下或者真空狀態(tài)下在等離子體灰化工藝中灰化第一蝕刻抗蝕劑，并形成第一蝕刻抗蝕劑圖案170。O2, NF3, SF3, N2，清洗干燥氣體(CDA)的氣體混合物用作灰化氣體。從基板的第四和第五水平面(Τ4和Τ5)去除第一蝕刻抗蝕劑圖案170，該第一蝕刻抗蝕劑圖案170形成在第一至第三水平面(Tl Τ3)上和位于第一至第三水平面中每兩個之間的側(cè)表面上?？赏ㄟ^使用第一蝕刻抗蝕劑圖案170作為掩模蝕刻柵極金屬層172。源于此，形成包括柵極線102、柵極106和柵極焊盤 150的第一導(dǎo)體圖案組，如圖6Β中所示。第一導(dǎo)體圖案組形成在第一至第三水平面(Tl Τ3)中的每一個上和位于第一至第三水平面中每兩個之間的側(cè)表面上。如圖6C中所示，在剝離工藝中去除殘留在第一導(dǎo)體圖案組上的第一蝕刻抗蝕劑圖案170。圖7Α和7Β是說明根據(jù)本發(fā)明用于在薄膜晶體管基板上制造柵絕緣層、有源層和歐姆接觸層的方法的透視圖和截面圖。盡管歐姆接觸層沒有于圖7Α中示出，但是歐姆接觸層可如圖7Β中所示形成為與有源層相同的圖案。如圖7Α和7Β中所示，柵絕緣層112形成在其上形成有第一導(dǎo)體圖案組的基板101 的頂表面上。有源層114和歐姆接觸層116形成在第二水平面Τ2上和位于第二與第三水平面Τ2和Τ3之間的側(cè)表面上，他們具有相同圖案。在此，形成在位于第二和第三水平面之間的側(cè)表面上的有源層114的高度可低于形成在位于第二和第三水平面之間的側(cè)表面之間的柵極106的高度。尤其是，如圖8Α中所示，柵絕緣層112和第二蝕刻抗蝕劑順序?qū)盈B在其上形成有第一導(dǎo)體圖案組的基板101的表面上。之后，在大氣壓下或真空狀態(tài)下，在等離子體灰化工藝中灰化第二蝕刻抗蝕劑，之后形成第二蝕刻抗蝕劑圖案184。在此，將02，NF3, SF3, N2和 CDA的氣體混合物用作灰化氣體。從第二至第五水平面Τ2、Τ3、Τ4和Τ5和位于其中每兩個
12之間的側(cè)表面去除第二蝕刻抗蝕劑圖案184，以便僅保留在第一水平面Tl上。換句話說，第二蝕刻抗蝕劑圖案184形成在于第一水平面Tl上形成的柵絕緣層112的正面和側(cè)表面上， 其具有的預(yù)定厚度與在第二水平面T2上形成的柵絕緣層112齊平。其上摻雜有雜質(zhì)(η+ 或P+)的非晶硅層182和本征非晶硅層192層疊在其上形成有這種第二蝕刻抗蝕劑圖案 184的基板101上。之后，第二蝕刻抗蝕劑圖案184和形成在第二蝕刻抗蝕劑圖案184上的非晶硅層182以及其上摻雜有雜質(zhì)(η+或ρ+)的非晶硅層192可在剝離工藝中一起去除。 之后，如圖8Β中所示，可對形成在基板101第一水平面Tl上的柵絕緣層112上形成的摻雜有雜質(zhì)(η+或ρ+)的非晶硅層192構(gòu)圖從而將其去除，之后形成有源層114和歐姆接觸層 116。結(jié)果，包括被構(gòu)造成形成相鄰像素溝道的有源層114的半導(dǎo)體層與包括用于歐姆接觸的歐姆接觸層116的半導(dǎo)體層分開，其間設(shè)置有數(shù)據(jù)線104。換句話說，形成在柵極和數(shù)據(jù)線102和104的交叉區(qū)域中的半導(dǎo)體層114和116可與形成在位于半導(dǎo)體層114和116的右側(cè)和左側(cè)上的柵極線102上的半導(dǎo)體層114和116分開，以形成為島狀。因此，如圖8C中所示，第三蝕刻抗蝕劑層疊在其上形成有半導(dǎo)體層114和116的基板101上。在此，第一蝕刻抗蝕劑可為對半導(dǎo)體層蝕刻劑具有耐性的丙烯酸樹脂或酚醛清漆樹脂。之后，在大氣壓下或者在真空狀態(tài)下，在等離子體灰化工藝中灰化第三蝕刻抗蝕劑，之后形成第三蝕刻抗蝕劑圖案180。將02、NF3、N2和CDA的氣體混合物用作灰化氣體。 第三蝕刻抗蝕劑圖案180形成在第三至第五水平面T3，T4和T5上以及位于其每兩個之間的側(cè)表面上，以將其去除。第三蝕刻抗蝕劑圖案180在蝕刻半導(dǎo)體層114和116中用作掩模，如圖8C中所示。之后，半導(dǎo)體層114和116可形成在第二水平面T2和位于第二和第三水平面T2和T3之間的側(cè)表面上。如圖8D中所示，殘留在半導(dǎo)體層114和116上的第三蝕刻抗蝕劑圖案180可在剝離工藝中去除。圖9A和9B是說明用于制造第二導(dǎo)體圖案組和歐姆接觸層的方法的透視圖和截面圖。如圖9A和9B中所示，包括源極108、漏極110、數(shù)據(jù)線104和數(shù)據(jù)焊盤160的第二導(dǎo)體圖案組形成在第三和第四水平面T3和T4上、位于兩個水平面之間的側(cè)表面上以及位于第二和第三水平面之間的側(cè)表面上。在此，源極108和漏極110部分形成在第二和第三水平面T2和T3之間的側(cè)表面上，以便與柵極106和有源層114重疊。尤其是，如圖IOA中所示，在基板101上涂覆并灰化蝕刻抗蝕劑，之后形成部分暴露歐姆接觸層116端部的蝕刻抗蝕劑圖案。代替這種方法，灰化于圖8C中示出的殘留在有源層114上的第三蝕刻抗蝕劑圖案180，而不是在剝離工藝中去除。如下，將描述通過使用圖8C中示出的第三蝕刻抗蝕劑圖案180的構(gòu)圖方法。也就是，灰化第三蝕刻抗蝕劑圖案 180且使其形成為暴露位于第二和第三水平面T2和T3之間的側(cè)表面上的歐姆接觸層116 端部的預(yù)定部分。因此，如圖IOB中所示，源/漏極金屬層194和第四蝕刻抗蝕劑可順序形成在其上形成有第三蝕刻抗蝕劑圖案180的基板101正面上。在此，第四蝕刻抗蝕劑由乙烯酸樹脂或酚醛清漆樹脂形成，其對源/漏極金屬層的蝕刻劑具有耐性。之后，在大氣壓下或真空狀態(tài)下在等離子體灰化工藝中灰化第四蝕刻抗蝕劑，之后形成第四蝕刻抗蝕劑圖案196。將 02、NF3、SF3、N2和CDA的氣體混合物用作灰化氣體?？蓮牡谖逅矫鎀5和位于第四和第五水平面T4和T5之間的側(cè)表面去除第四蝕刻抗蝕劑圖案196，以留下基板101的其他區(qū)域。
因此，如圖IOC中所示，通過使用第四蝕刻抗蝕劑圖案196作為掩模蝕刻源/漏極金屬層194。源于此，形成包括源極和漏極108和110、數(shù)據(jù)線104和數(shù)據(jù)焊盤160的第二導(dǎo)體圖案組，其每一個都相互連接。如圖IOD中所示，在剝離工藝中去除殘留在第二導(dǎo)體圖案組上的第四蝕刻抗蝕劑圖案196。之后，在剝離工藝中一起去除第三蝕刻抗蝕劑圖案180 和源極和漏極，以分開源極和漏極108和110。此時，在蝕刻工藝中，使用源極和漏極108和 110作為掩模去除位于源極和漏極108和110之間的歐姆接觸層116，以暴露出有源層114， 并去除不與柵極焊盤150和柵極線102上的有源層114重疊的歐姆接觸層116。同時，第三導(dǎo)體圖案組不形成在位于第二和第五水平面T2和T5之間的側(cè)表面上， 以防止源極和漏極108和110之間以及在源極108和數(shù)據(jù)線104之間產(chǎn)生短路。尤其是， 在第二水平面T2與位于第二水平面和相鄰的第五水平面T5之間的側(cè)表面之間的第一尖角 (θ 1)大于在其他側(cè)表面之間的第二尖角(θ幻。當(dāng)將源/漏極金屬層194沉積在這種基板101上時，源/漏極金屬層194不能沉積在具有相對大尖角的位于基板的第二和第五水平面Τ2和Τ5之間的側(cè)表面上。源于此，可形成與基板其他區(qū)域相比具有相對較小厚度的源/漏極金屬層194。這種情況下，位于與第一尖角(θ 1)對應(yīng)的第二和第五水平面Τ2和 Τ5之間的側(cè)表面上的源/漏極金屬層194與位于與第二尖角對應(yīng)的側(cè)表面上的源/漏極金屬層194相比具有較快的蝕刻速度。而且，蝕刻劑向與第一尖角(θ 1)對應(yīng)的位于第二和第五水平面Τ2和Τ5之間的側(cè)表面的滲透速度高于蝕刻劑向其他區(qū)域的滲透速度。源于此，位于與尖角(θ 1)對應(yīng)的第二和第五水平面Τ2和Τ5之間的側(cè)表面上的源/漏極金屬層194的蝕刻速度較高。可完全去除位于與第一尖角(θ 1)對應(yīng)的第二和第五水平面Τ2 和Τ5之間的側(cè)表面中的源/漏極金屬層194。之后，除了在與第一尖角(Θ1)對應(yīng)的第二和第五水平面Τ2和Τ5之間的側(cè)表面外，也蝕刻在第四水平面Τ4上的源/漏極金屬層194， 并且第四水平面Τ4的面積相對足夠大，從而不影響圖案表示。圖IlA和IlB是說明薄膜晶體管基板柵極焊盤上的柵絕緣層和有源層的去除工藝的透視圖和截面圖。如圖IlA和IlB中所示，去除在柵極焊盤150上的柵絕緣層112和有源層114以暴露柵極焊盤150。尤其是，如圖12Α中所示，在其上形成有第二導(dǎo)體圖案組的基板101正面上形成第五蝕刻抗蝕劑136。第五蝕刻抗蝕劑136由丙烯酸樹脂或者酚醛清漆樹脂形成， 其對柵絕緣層112和有源層114的蝕刻劑具有耐性。之后，形成在基板上的與柵極焊盤150 對應(yīng)的預(yù)定區(qū)域被選擇性浸漬在容納了剝離液體的槽中，并且選擇性去除與柵極焊盤150 對應(yīng)的區(qū)域的第五蝕刻抗蝕劑136。結(jié)果，如圖12c中所示形成暴露與柵極焊盤150對應(yīng)的區(qū)域的第五蝕刻抗蝕劑圖案134。通過使用第五蝕刻抗蝕劑圖案134作為掩模蝕刻所暴露的有源層和柵絕緣層112。之后，去除形成在柵極焊盤150上的有源層114和柵絕緣層 112，并且如圖12d中所示將柵極焊盤150暴露在外面。而且，去除位于柵極焊盤150之間的柵絕緣層112，并且暴露基板101的第五水平面T5。圖13是根據(jù)本發(fā)明另一實施例(第二實施例)的薄膜晶體管基板的截面圖。與圖2中示出的薄膜晶體管基板相比，除了以相同圖案形成在第二導(dǎo)體圖案組下方的歐姆接觸層之外，于圖13中示出的薄膜晶體管基板包括相同元件。源于此，將省略相同元件的描述。在除了溝道區(qū)的有源層114上形成歐姆接觸層116以與源極108和漏極110歐姆接觸。在源極和漏極108和110以及數(shù)據(jù)線和焊盤104和160下方形成與其具有相同圖案的這種歐姆接觸層116。換句話說，與同時包括源極108、漏極110、數(shù)據(jù)線104和數(shù)據(jù)焊盤 160的第三導(dǎo)體圖案組一起形成歐姆接觸層116。圖14A至141是說明用于制造圖13中所示薄膜晶體管基板的方法的截面圖。首先，根據(jù)圖4A至4C中所示的制造方法提供具有多臺階結(jié)構(gòu)的基板。之后，根據(jù)圖6A至6C中所示的制造方法形成第一導(dǎo)體圖案組。之后，如圖14A中所示，柵絕緣層112 和第二蝕刻抗蝕劑順序?qū)盈B在其上形成有第一導(dǎo)體圖案組的基板101的正面上?；一诙g刻抗蝕劑，并形成第二蝕刻抗蝕劑圖案184。之后，非晶硅層182層疊在其上形成有這種第二蝕刻抗蝕劑圖案184的基板101上。一起去除第二蝕刻抗蝕劑圖案184和在第二蝕刻抗蝕劑圖案上的非晶硅層182。結(jié)果，對形成在位于基板第一水平面Tl上的柵絕緣層112 上的非晶硅層182構(gòu)圖以將其去除，如圖14B中所示，之后形成有源層114。之后，如圖14C 中所示，第三蝕刻抗蝕劑層疊在其上形成有有源層114的基板101上并被灰化，之后形成第三蝕刻抗蝕劑圖案180。通過使用第三蝕刻抗蝕劑圖案180作為掩模蝕刻有源層114。之后，在灰化了如圖14D中所示的殘留在有源層114上的第三蝕刻抗蝕劑圖案180之后，其上摻雜有雜質(zhì)(η+或ρ+)或者本征的非晶硅層192、源/漏極金屬層194和第四蝕刻抗蝕劑順序形成在其上形成有灰化的第三蝕刻抗蝕劑圖案180的基板101的正面上，如圖14Ε中所示。之后，灰化第四蝕刻抗蝕劑，并形成第四蝕刻抗蝕劑圖案196。通過使用第四蝕刻抗蝕劑圖案196作為掩模順序蝕刻源/漏極金屬層194和其上摻雜有雜質(zhì)的非晶硅層192，之后形成包括源極和漏極108和110、相互連接的數(shù)據(jù)線104和數(shù)據(jù)焊盤160、和位于第二導(dǎo)體圖案組下方的歐姆接觸層116的第二導(dǎo)體圖案組，如圖14F中所示。之后，如圖14G中所示，在剝離工藝中去除殘留在第二導(dǎo)體圖案組上的第四蝕刻抗蝕劑圖案196。之后，在剝離工藝中一起去除第三蝕刻抗蝕劑圖案180、位于第三蝕刻抗蝕劑圖案180上的歐姆接觸層和源極和漏極。如圖14Η中所示，分開源極和漏極108和110。此時，去除位于源極和漏極 108和110之間的歐姆接觸層116以暴露有源層114。之后，在于圖12Α和12D中示出的制造工藝中去除歐姆接觸層116。圖15是示出采用了根據(jù)本發(fā)明的薄膜晶體管基板的有機電致發(fā)光顯示器件的截面圖。圖15中示出的有機電致發(fā)光顯示器件包括根據(jù)本發(fā)明的薄膜晶體管基板、發(fā)光基板210和連接彼此的接觸襯墊料202。發(fā)光基板210包括第一電極204、有機電致發(fā)光層206和第二電極208，其順序形成在第二基板111上。在由透明塑料材料制成的第二基板111上，第一電極由透明導(dǎo)電材料形成。為了形成有機電致發(fā)光層206，順序多層疊置電子注入層(EIL)、電子傳輸層 (ETL)、發(fā)光層、空穴傳輸層(HTL)和空穴注入層(HIL)。通過在第一電極204的電子重新與第二電極208的空穴鍵合時產(chǎn)生的激勵器返回到底部狀態(tài)，發(fā)光層206朝向第二基板111 全發(fā)射具有特定波長的光。第二電極208與第一電極204相對，有機電致發(fā)光層206位于其之間。這種第二電極由不透光的導(dǎo)電材料制成。接觸襯墊料202電結(jié)合發(fā)光基板210的第二電極208和薄膜晶體管基板的漏極110。也就是，驅(qū)動信號從數(shù)據(jù)線104經(jīng)由接觸襯墊料202提供給第二電極208。多個這種接觸襯墊料202形成在漏極和第二電極208之間。同時，漏極110用作第二電極208，而不需接觸襯墊料202，并且發(fā)光層206和第一電極204順序地層疊在漏極110上。這種情況下，漏極110用作第二電極208而不需接觸襯墊料202。源于此，防止了由于接觸襯墊料202的高度產(chǎn)生的整體厚度和重量的增加，以允許顯示器件變得小巧輕薄。而且，說明了將根據(jù)本發(fā)明的薄膜晶體管基板應(yīng)用于有機電致發(fā)光顯示器件。除此，根據(jù)本發(fā)明的薄膜晶體管基板也可應(yīng)用于電子墨水型顯示器件和反射型液晶顯示器件。也就是，如果將本發(fā)明的薄膜晶體管基板應(yīng)用于電子墨水型顯示器件，則根據(jù)本發(fā)明的薄膜晶體管基板經(jīng)由接觸襯墊料202與電子墨水膜結(jié)合或者漏極110用作電子墨水型顯示器件的驅(qū)動電極。如果根據(jù)本發(fā)明的薄膜晶體管基板應(yīng)用于反射型顯示器件，則在提供于柵極線 102和數(shù)據(jù)線的交叉部分中的像素區(qū)域中形成的漏極110用作反射電極以驅(qū)動液晶。對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說很清楚的是，在不脫離本發(fā)明的精神或者范圍內(nèi)可以在本發(fā)明中作出各種修改和變動。因此，其意圖是，本發(fā)明涵蓋對于本發(fā)明的修改和變動，只要這些修改和變動落入所附權(quán)利要求及其等效物的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管基板，包括基板，包括分別具有不同深度的多個溝槽以具有多臺階結(jié)構(gòu)； 柵極線和數(shù)據(jù)線，在所述溝槽中交替交叉以形成多個像素區(qū)域； 薄膜晶體管，形成在所述基板的溝槽中以形成在柵極線和數(shù)據(jù)線的交叉部分中， 其中，沿著柵極線和柵極形成薄膜晶體管的有源層，所述有源層與相鄰像素區(qū)域的有源層分開，其間具有數(shù)據(jù)線。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其中所述基板包括分別具有不同高度的第一至第四溝槽，并且基板的第一水平面通過第一溝槽暴露，基板的第二水平面通過具有低于第一溝槽深度的第二溝槽暴露，基板的第三水平面通過具有低于第二溝槽深度的第三溝槽暴露，基板的第四水平面通過具有低于第三溝槽深度的第四溝槽暴露。
3.如權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管基板，其中所述薄膜晶體管包括所述柵極，形成在第一和第二水平面上以及在第一至第三水平面中每兩個之間的側(cè)表面上，柵絕緣層，形成在基板的正面上；源極和漏極，形成在基板的第三和第四水平面上以及與第二至第四水平面中每兩個之間的側(cè)表面對應(yīng)的柵絕緣層上；所述有源層，形成在基板的第二水平面上以及與第二和第三水平面之間的側(cè)表面對應(yīng)的柵絕緣層上，所述有源層與柵極重疊，其間具有柵絕緣層，以在源極和漏極之間形成溝道；以及歐姆接觸層，形成在源極和漏極的每一個與有源層之間。
4.如權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管基板，其中所述有源層通過在數(shù)據(jù)線兩側(cè)上的第一溝槽與相鄰像素區(qū)域的有源層分開。
5.如權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管基板，其中所述柵極線和數(shù)據(jù)線在基板的第三水平面上交叉，其間具有所述柵絕緣層。
6.如權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管基板，其中位于其上形成有源極和漏極的第四水平面和其上形成有柵極的第二水平面之間的側(cè)表面的尖角小于位于其上形成有柵極和柵極線的第二水平面和與第二水平面相鄰的第五水平面之間的側(cè)表面的尖角。
7.如權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管基板，還包括與所述柵極線連接的柵極焊盤，所述柵極焊盤形成在第二水平面上；以及與所述數(shù)據(jù)線連接的數(shù)據(jù)焊盤，所述數(shù)據(jù)焊盤形成在第四水平面上， 其中形成柵絕緣層和有源層以暴露柵極焊盤。
8.一種用于制造薄膜晶體管基板的方法，包括如下步驟形成包括分別具有不同深度的多個溝槽以具有多臺階結(jié)構(gòu)的基板；以及在所述基板的溝槽中，形成交替交叉以形成多個像素區(qū)域的柵極線和數(shù)據(jù)線，以及形成在柵極線和數(shù)據(jù)線的交叉部分中形成的薄膜晶體管；其中所述薄膜晶體管的有源層沿著柵極線和柵極形成，所述有源層與相鄰像素區(qū)域的有源層分開，其間具有數(shù)據(jù)線。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中所述基板包括分別具有不同高度的第一至第四溝槽，并且基板的第一水平面通過第一溝槽暴露，基板的第二水平面通過具有低于第一溝槽深度的第二溝槽暴露，基板的第三水平面通過具有低于第二溝槽深度的第三溝槽暴露，基板的第四水平面通過具有低于第三溝槽深度的第四溝槽暴露。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中形成所述基板的步驟包括如下步驟 形成包括與第一至第四溝槽對應(yīng)的第一至第四凸起的壓印模型；通過使用所述壓印模型按壓塑料膜形成具有第一至第四溝槽的基板；以及將所述壓印模型與基板分開。
11.如權(quán)利要求9所述的方法，在所述基板的溝槽中形成柵極線和數(shù)據(jù)線以及薄膜晶體管的步驟包括如下步驟在第一和第二水平面上以及在第一至第三水平面中每兩個之間的側(cè)表面上形成薄膜晶體管的柵極線和柵極；在基板的正面上形成柵絕緣層；在基板的第二水平面上和與第二和第三水平面之間的側(cè)表面對應(yīng)的柵絕緣層上形成有源層，所述有源層與柵極重疊，其間具有柵絕緣層，以在源極和漏極之間形成溝道；以及在基板的第三和第四水平面上以及位于第二至第四水平面中每兩個之間的一個側(cè)表面上形成源極、漏極和數(shù)據(jù)線。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中形成所述薄膜晶體管的柵極線和柵極的步驟包括如下步驟在基板的正面上形成柵極金屬層；在第一至第三水平面上以及在位于第一至第三水平面中每兩個之間的側(cè)表面上形成第一蝕刻抗蝕劑圖案；通過使用第一蝕刻抗蝕劑圖案作為掩模蝕刻所述柵極金屬層；以及去除第一蝕刻抗蝕劑圖案。
13.如權(quán)利要求11所述的方法，其中形成所述有源層的步驟包括如下步驟 在其上形成有柵絕緣層的基板的第一水平面上形成第二蝕刻抗蝕劑圖案； 在其上形成有第二蝕刻抗蝕劑圖案的基板上形成第一和第二硅層；在剝離工藝中去除第二蝕刻抗蝕劑圖案，在第二蝕刻抗蝕劑圖案上的第一和第二硅層；形成第三蝕刻抗蝕劑圖案以覆蓋第一和第二水平面以及在第一至第三水平面中每兩個之間的側(cè)表面；以及使用所述第三蝕刻抗蝕劑圖案作為掩模，通過蝕刻第一硅層形成有源層和在有源層上的歐姆接觸層。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中形成所述數(shù)據(jù)線、源極和漏極的步驟包括如下步驟灰化所述第三蝕刻抗蝕劑圖案以部分暴露歐姆接觸層的端部； 在基板上形成源/漏極金屬層以覆蓋被灰化的第三蝕刻抗蝕劑圖案； 在源/漏極金屬層上的第一至第四水平面上形成第四蝕刻抗蝕劑圖案； 使用所述第四蝕刻抗蝕劑圖案作為掩模蝕刻源/漏極金屬層； 去除第四蝕刻抗蝕劑圖案；以及在剝離工藝中去除第三蝕刻抗蝕劑圖案和在第三蝕刻抗蝕劑圖案上的源/漏極金屬層。
15.如權(quán)利要求11所述的方法，其中形成所述有源層的步驟包括如下步驟 在其上形成有柵絕緣層的基板的第一水平面上形成第二蝕刻抗蝕劑圖案； 在其上形成有第二蝕刻抗蝕劑圖案的基板上形成第一硅層；在剝離工藝中去除所述第二蝕刻抗蝕劑圖案和在第二蝕刻抗蝕劑圖案上的第一硅層；形成第三蝕刻抗蝕劑圖案以覆蓋第一和第二水平面和位于第一和第三水平面中每兩個之間的側(cè)表面；以及使用所述第三蝕刻抗蝕劑圖案作為掩模，通過蝕刻第一硅層形成有源層。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其中形成所述數(shù)據(jù)線、源極和漏極的步驟包括如下步驟灰化所述第三蝕刻抗蝕劑圖案以部分暴露有源層的端部； 在基板上形成第二硅層和源/漏極金屬層以覆蓋被灰化的第三蝕刻抗蝕劑圖案； 在形成于源/漏極金屬層上的第一至第四水平面上形成第四蝕刻抗蝕劑圖案； 使用所述第四蝕刻抗蝕劑圖案作為掩模，通過順序蝕刻源/漏極金屬層和第二硅層， 可與數(shù)據(jù)線、源極和漏極一起形成歐姆接觸層； 去除第四蝕刻抗蝕劑圖案；以及通過在剝離工藝中去除第三蝕刻抗蝕劑圖案分開源極和漏極與位于源極和漏極之間的歐姆接觸層。
17.如權(quán)利要求13或15所述的方法，其中所述第二蝕刻抗蝕劑圖案與形成在第二水平面上的柵絕緣層齊平。
18.如權(quán)利要求9所述的方法，還包括如下步驟 與柵極線一起在第二水平面上形成柵極焊盤；與數(shù)據(jù)線一起在第四水平面上形成數(shù)據(jù)焊盤；以及通過去除形成在柵極焊盤上的有源層和柵絕緣層暴露柵極焊盤。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，其中所述暴露柵極焊盤的步驟包括如下步驟 在其上形成有源極、漏極、數(shù)據(jù)線和數(shù)據(jù)焊盤的基板正面上涂覆蝕刻抗蝕劑；在浸漬其上形成有柵極焊盤的基板的預(yù)定部分之后，通過對蝕刻抗蝕劑構(gòu)圖形成第五蝕刻抗蝕劑圖案；以及使用第五蝕刻抗蝕劑圖案作為掩模蝕刻有源層和柵絕緣層。
20.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述有源層關(guān)于位于數(shù)據(jù)線兩側(cè)的第一溝槽與相鄰像素區(qū)域的有源層分開。
21.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述柵極線和數(shù)據(jù)線相互交叉，柵絕緣層在第三水平面上。
22.如權(quán)利要求9所述的方法，其中位于其上形成有源極和漏極的第四水平面和其上形成有柵極的第二水平面之間的側(cè)表面的尖角小于位于其上形成有柵極和柵極線的第二水平面和與第二水平面相鄰的第五水平面之間的側(cè)表面的尖角。
23.一種平板顯示器件，包括 薄膜晶體管基板；與薄膜晶體管基板相對的陣列基板，該陣列基板包括驅(qū)動電極；以及接觸襯墊料，形成在薄膜晶體管基板和陣列基板之間以結(jié)合薄膜晶體管和驅(qū)動電極，其中所述薄膜晶體管基板包括基板，包括分別具有不同深度的多個溝槽以具有多臺階結(jié)構(gòu)；柵極和數(shù)據(jù)線，在所述溝槽中交替交叉以形成多個像素區(qū)域；形成在基板溝槽中的薄膜晶體管，以形成在柵極和數(shù)據(jù)線的交叉區(qū)域中，其中薄膜晶體管的有源層沿著柵極線和柵極形成，有源層與相鄰像素區(qū)域的有源層分開，其間具有數(shù)據(jù)線。
24.如權(quán)利要求23所述的平板顯示器件，其中所述基板包括分別具有不同高度的第一至第四溝槽，并且基板的第二水平面通過第一溝槽暴露，基板的第二水平面通過具有低于第一溝槽深度的第二溝槽暴露，基板的第三水平面通過具有低于第二溝槽深度的第三溝槽暴露，基板的第四水平面通過具有低于第三溝槽深度的第四溝槽暴露。
25.如權(quán)利要求M所述的平板顯示器件，其中所述薄膜晶體管包括所述柵極，形成在第一和第二水平面上以及位于第一至第三水平面中每兩個之間的側(cè)表面上；柵絕緣層，形成在基板的正面上；源極和漏極，形成在基板的第一和第四水平面上以及與位于第二至第四水平面中每兩個之間的側(cè)表面對應(yīng)的柵絕緣層上；所述有源層，形成在基板的第二水平面上以及與位于第二和第四水平面之間的側(cè)表面對應(yīng)的柵絕緣層上，所述有源層與柵極重疊，其間具有柵絕緣層，以在源極和漏極之間形成溝道；以及歐姆接觸層，形成在源極和漏極中每一個與有源層之間。
26.如權(quán)利要求M所述的平板顯示器件，其中所述有源層通過位于數(shù)據(jù)線兩側(cè)上的第一溝槽與相鄰像素區(qū)域的有源層分開。
27.如權(quán)利要求M所述的薄膜晶體管，其中所述柵極線和數(shù)據(jù)線在基板的第三水平面上交叉，其間具有所述柵絕緣層。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種薄膜晶體管基板、其制造方法以及具有該薄膜晶體管基板的平板顯示器。所述薄膜晶體管基板包括基板，具有分別具有不同深度的多個溝槽，以具有多臺階結(jié)構(gòu)；在溝槽中交替交叉的柵極線和數(shù)據(jù)線，以形成多個像素區(qū)域；形成在基板溝槽中的薄膜晶體管，以形成在柵極和數(shù)據(jù)線的交叉部分中，其中沿著柵極線和柵極形成薄膜晶體管的有源層，有源層與相鄰像素區(qū)域的有源層分開，其間具有數(shù)據(jù)線。
文檔編號H01L21/77GK102280452SQ20101058091
公開日2011年12月14日 申請日期2010年12月6日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月11日
發(fā)明者南承熙, 李南錫, 李臣馥 申請人:樂金顯示有限公司