專利名稱：像素陣列基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種像素陣列基板及其制造方法，且特別是有關(guān)于一種用于顯示 裝置的像素陣列基板及其制造方法。
背景技術(shù)：
目前市場對于薄膜晶體管液晶顯示面板(TFT liquid crystal displaypanel) 皆朝向高對比(contrast ratio)、無灰階反轉(zhuǎn)(gray scale inversion)、高亮度 (brightness)、高色飽禾口度(color saturation)、快速反應(yīng)(response)以及廣視角 (viewing angle)等方向發(fā)展。目前常見的廣視角技術(shù)包括扭轉(zhuǎn)向列型液晶(TN)加 上廣視角膜(wide viewingfilm)、共平面切換式(In-PlaneSwitching，IPS)液晶顯示 面板、邊際場切換式(Fringe Field Switching, FFS)液晶顯示面板與多域垂直配向式 (Multi-domain Vertical Alignment, MVA)液晶顯示面板。以邊際場切換式(Fringe Field Switching，F(xiàn)FS)液晶顯示面板為例，其具有廣視 角(wide viewing angle)以及低色偏(color shift)等優(yōu)點(diǎn)特性。然而，在公知的邊際場 切換式(Fringe Field Switching, FFS)液晶顯示面板中，由于其像素電極與共通電極間的 電場強(qiáng)度不夠大，導(dǎo)致公知的邊際場切換式(Fringe Field Switching, FFS)液晶顯示面 板的顯示亮度不高，而使其顯示質(zhì)量降低。承上述，如何提高邊際場切換式(Fringe Field Switching, FFS)液晶顯示面板的顯示亮度，以使其顯示質(zhì)量如權(quán)利要求佳，實(shí)為研發(fā)者所 欲達(dá)的目標(biāo)之一。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種像素陣列基板，其可以提高邊際場切換式(Fringe FieldSwitching，F(xiàn)FS)顯示面板的顯示亮度。本發(fā)明提供一種顯示面板，其具有理想的顯示開口率以及理想的顯示質(zhì)量。本發(fā)明提供一種像素陣列基板的制造方法，以此方法可制造出一種可以提高邊際 場切換式(Fringe Field Switching, FFS)顯示面板透光度的像素陣列基板。本發(fā)明提出一種像素陣列基板，其包括基板、多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線、多個主動 組件、保護(hù)層、共同電極、介電層以及多個像素電極?；寰哂酗@示區(qū)與周邊區(qū)，周邊區(qū)實(shí)質(zhì) 上與顯示區(qū)連接。多條掃描線以及多條數(shù)據(jù)線配置于基板的顯示區(qū)，其中掃描線與數(shù)據(jù)線 彼此交錯配置。多個主動組件配置于基板的顯示區(qū)，且與掃描線及數(shù)據(jù)線電性連接。保護(hù) 層覆蓋主動組件。共同電極配置于保護(hù)層之上，并至少位于顯示區(qū)中。介電層覆蓋共同電 極。多個像素電極配置于介電層上，且各像素電極與其中一主動組件電性連接，其中各像素 電極具有多個狹縫以使共同電極于這些狹縫處不被各像素電極遮蔽。本發(fā)明還提出一種顯示面板，包括前述的像素陣列基板、一對向基板以及一顯示 介質(zhì)層。像素陣列基板與對向基板相對而設(shè)，而顯示介質(zhì)層配置于像素陣列基板與對向基 板之間。
本發(fā)明提出一種像素陣列基板的制造方法，此像素陣列基板的制造方法包括提 供一基板，基板上已形成有多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線、多個主動組件以及多條共同電極線， 其中掃描線與數(shù)據(jù)線彼此交錯配置，主動組件與各自對應(yīng)的掃描線及數(shù)據(jù)線電性連接，共 同電極線與數(shù)據(jù)線彼此交錯配置；形成保護(hù)層以覆蓋主動組件以及共同電極線；于共同電 極線的上方的保護(hù)層中形成多個第一開口，而暴露出共同電極線；于保護(hù)層上形成共同電 極，共同電極位于顯示區(qū)并填入第一開口，以與共同電極線電性連接；于共同電極上形成介 電層；于主動組件的上方的保護(hù)層與介電層中形成多個第二開口，而暴露出主動組件；于 介電層上形成多個像素電極，像素電極位于顯示區(qū)中并各自填入對應(yīng)的第二開口，而與對 應(yīng)的主動組件電性連接，其中各像素電極具有多個狹縫以使共同電極于這些狹縫處不被各 像素電極遮蔽。本發(fā)明提出一種像素陣列基板的制造方法，此像素陣列基板的制造方法包括提 供一基板，基板具有顯示區(qū)與周邊區(qū)，周邊區(qū)實(shí)質(zhì)上與顯示區(qū)連接，基板的顯示區(qū)上已形成 有多個主動組件、多條掃描線以及多條數(shù)據(jù)線，其中掃描線與數(shù)據(jù)線彼此交錯配置，主動組 件與各自對應(yīng)的掃描線及數(shù)據(jù)線電性連接，而基板的周邊區(qū)上已形成有周邊線路；形成保 護(hù)層以覆蓋主動組件以及周邊線路；于周邊線路的上方的保護(hù)層中形成第三開口，以暴露 出周邊線路；于保護(hù)層上形成共同電極，共同電極同時地位于周邊區(qū)與顯示區(qū)中，并且共同 電極位于周邊區(qū)的一部分填入于第三開口，而與周邊線路電性連接；于共同電極上形成介 電層；于主動組件的上方的保護(hù)層與介電層中形成多個第四開口，而暴露出主動組件；于 介電層上形成多個像素電極，像素電極各自填入對應(yīng)的第四開口，而與對應(yīng)的主動組件電 性連接，其中各像素電極具有多個狹縫以使共同電極于這些狹縫處不被各像素電極遮蔽?；谏鲜?，根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的像素陣列基板，在與基板表面垂直的方向上，像 素電極與共同電極之間僅夾有一層介電層，而在公知的像素陣列基板中像素電極與共同電 極間則夾有多層絕緣層。換言之，在本發(fā)明的像素陣列基板中，像素電極與共同電極間的距 離較短，而使得像素電極與共同電極間的電場較大。如此一來，具有此像素陣列基板的顯示 面板便可如權(quán)利要求有效地驅(qū)動顯示面板中的顯示介質(zhì)，進(jìn)而使得此顯示面板的透光度有 效提升。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能如權(quán)利要求明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合 所附圖式作詳細(xì)說明如下。


圖IA至圖IE為本發(fā)明一實(shí)施例的像素陣列基板的制造流程上視示意圖。圖2A至圖2E為沿圖IA至圖IE的剖線1_1’所繪的像素陣列基板的制造流程剖 面示意圖。圖3A至圖3E為本發(fā)明另一實(shí)施例的像素陣列基板的制造流程上視示意圖。圖4A至圖4E為沿圖3A至圖3E的剖線11_11，及剖線III-III，所繪的像素陣列 基板的制造流程剖面示意圖。圖5為本發(fā)明一實(shí)施例的顯示面板剖面示意圖。
具體實(shí)施例方式第一實(shí)施例圖IA至圖IE為本發(fā)明一實(shí)施例的像素陣列基板的制造流程上視示意圖。圖2A 至圖2E分別為沿圖IA至圖IE的剖線1-1’所繪的像素陣列基板的制造流程剖面示意圖。請先參照圖IA及圖2A，首先，提供基板102。此基板102具有顯示區(qū)Rl與周邊區(qū) R2，周邊區(qū)R2實(shí)質(zhì)上與顯示區(qū)Rl連接。舉例而言，周邊區(qū)R2例如為環(huán)繞顯示區(qū)Rl并與顯 示區(qū)Rl連接的一環(huán)狀區(qū)域。但，本發(fā)明并不限于此，在其它實(shí)施例中，周邊區(qū)R2亦可為與 顯示區(qū)Rl連接的其它形狀的區(qū)域。在本實(shí)施例中，基板102主要是用來承載組件之用，其 材質(zhì)可為玻璃、石英、有機(jī)聚合物、或是不透光/反射材料(例如導(dǎo)電材料、晶圓、陶瓷、或 其它可適用的材料)、或是其它可適用的材料。接著，于基板102的顯示區(qū)Rl上形成多條掃描線SL以及多條共同電極線CL。在 本實(shí)施例中，共同電極線CL的延伸方向?qū)嵸|(zhì)上平行于掃描線SL的延伸方向?；趯?dǎo)電性 的考慮，掃描線SL與共同電極線CL的材料一般是使用金屬材料。然，本發(fā)明不限于此，根據(jù) 其它實(shí)施例，掃描線SL與共同電極線CL也可以使用其它導(dǎo)電材料。例如合金、金屬材料的 氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或是金屬材料與其它導(dǎo)電材料的堆棧層。然后，于基板102上形成絕緣層GI，以覆蓋多條掃描線SL以及多條共同電極線 CL。絕緣層GI的材料可為無機(jī)絕緣材料(例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或上述至少二 種材料的堆棧層)、有機(jī)絕緣材料或上述的組合。之后，以掃描線SL的部份區(qū)域當(dāng)作柵極G，并于柵極G上形成信道層CH。進(jìn)一步 地，于信道層CH以及絕緣層GI上同時形成數(shù)據(jù)線DL與漏極D，其中數(shù)據(jù)線DL與掃描線SL 彼此交錯設(shè)置。換言之，數(shù)據(jù)線DL的延伸方向與掃描線SL的延伸方向不平行，較佳的是， 數(shù)據(jù)線DL的延伸方向與掃描線SL的延伸方向垂直。此外，在本實(shí)施例中，以數(shù)據(jù)線DL中 與信道層CH重迭的部分區(qū)域當(dāng)作源極S，于此便完成了主動組件T的制作。換言之，主動組 件T與掃描線SL及數(shù)據(jù)線DL電性連接。上述的主動組件T是以底部柵極型薄膜晶體管為 例來說明，但本發(fā)明不限于此。根據(jù)其它實(shí)施例，上述的主動組件T也可是以頂部柵極型薄 膜晶體管或是多柵極型薄膜晶體管等。另外，制作掃描線SL的同時可以由掃描線SL向外 延伸以作為柵極G之用，本發(fā)明不特別地限制柵極G需為掃描線SL的一部份。數(shù)據(jù)線DL是以交錯于掃描線SL以及共同電極線CL的方式設(shè)置。換言之，數(shù)據(jù)線 DL的延伸方向不平行于掃描線SL以及共同電極線CL的延伸方向。在本實(shí)施例中，數(shù)據(jù)線 DL的延伸方向例如垂直于掃描線SL以及共同電極線CL的延伸方向。數(shù)據(jù)線DL可使用的 材料與掃描線SL以及共同電極線CL類似，于此便不再重述。接著，請參照圖IB及圖2B，于基板102上形成保護(hù)層104，此保護(hù)層104例如為透 明保護(hù)層，此保護(hù)層104覆蓋主動組件T、共同電極線CL、掃描線SL以及數(shù)據(jù)線DL。然后， 于共同電極線CL上方的保護(hù)層104中及絕緣層GI中形成多個第一開口 H1，而暴露出共同 電極線CL。在本實(shí)施例中，保護(hù)層104的材料可為無機(jī)絕緣材料(例如氧化硅、氮化硅、 氮氧化硅、或上述至少二種材料的堆棧層)、有機(jī)絕緣材料或上述的組合。接著，請參照圖IC及圖2C，于保護(hù)層104上形成共同電極106，此共同電極106位 于顯示區(qū)Rl并填入第一開口 H1，以與共同電極線CL電性連接。值得一提的是，本實(shí)施例 的共同電極106具有多個缺口 K，缺口 K暴露出部分主動組件T以及與主動組件T電性連接的部分掃描線SL。如此一來，共同電極106與掃描線SL間以及共同電極106與主動組 件T間的寄生電容(parasitic capacitance)可有效地被降低，進(jìn)而改善信號延遲及驅(qū)動 負(fù)載較大的問題。在本實(shí)施例中，共同電極106例如是透明導(dǎo)電層，其包括金屬氧化物，例 如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或其它合適的氧化 物、或者是上述至少二者的堆棧層。接著，請參照圖ID及圖2D，于基板102上形成介電層108，以覆蓋共同電極106。 在本實(shí)施例中，介電層108亦覆蓋主動組件T、絕緣層GI、掃描線SL及數(shù)據(jù)線DL。然候，于 主動組件T的上方的保護(hù)層104與介電層108中形成第二開口 H2，以暴露出主動組件T的 漏極D。在本實(shí)施例中，介電層108例如為透明介電層，介電層108的材料可為無機(jī)絕緣材 料(例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或上述至少二種材料的堆棧層)、有機(jī)絕緣材料或上 述的組合。接著，請參照圖IE及圖2E，于介電層108上形成多個像素電極PE以完成主動組件 陣列基板100。這些像素電極PE位于顯示區(qū)Rl中并各自填入對應(yīng)的第二開口 H2，而與對 應(yīng)的主動組件T電性連接，其中各像素電極PE具有多個狹縫g，以使共同電極106于這些狹 縫g處不被各像素電極PE遮蔽。進(jìn)一步地說，共享電極106與像素電極PE藉由介電層108而彼此電性絕緣。像素 電極PE藉由多個曝露出共同電極106的狹縫g與共同電極106間形成一電場。值得一提的是，在本實(shí)施例中，像素電極PE與共同電極106間僅夾一介電層108。 如此一來，在與基板102表面垂直的方向上，像素電極PE與共同電極106間的距離實(shí)質(zhì)上 等于介電層108的厚度。因此，像素電極PE與共同電極106間的電場大小可顯著地提升。此外，在本實(shí)施例中，部分?jǐn)?shù)據(jù)線DL與部分像素電極PE可重迭，以增加像素陣列 基板100的開口率(aperture ratio).如權(quán)利要求詳細(xì)地說，部分?jǐn)?shù)據(jù)線DL與部分像素 電極PE間夾有保護(hù)層104、共同電極106以及介電層108，而使得數(shù)據(jù)線DL與像素電極PE 間的距離較大。如此一來，數(shù)據(jù)線DL與像素電極PE間的電容耦合(capacitive coupling) 效應(yīng)并不明顯，而使得部分像素電極PE可與部分?jǐn)?shù)據(jù)線DL可重迭，進(jìn)而達(dá)成增加像素陣列 基板100的顯示開口率(aperture ratio)的目的。第二實(shí)施例本實(shí)施例的像素陣列基板100A與第一實(shí)施例的像素陣列基板100類似，以下僅就 不同的處進(jìn)行說明，相同之處就不再重述。圖3A至圖3E為本發(fā)明另一實(shí)施例的像素陣列基板的制造流程上視示意圖。圖4A 至圖4E為沿圖3A至圖3E的剖線11-11，及剖線III-III，所繪的像素陣列基板的制造流 程剖面示意圖。請先參照圖3A及圖4A，首先，提供基板102。此基板102具有顯示區(qū)Rl與周邊區(qū) R2。于基板102的顯示區(qū)Rl上形成多條掃描線SL，并且于基板102的周邊區(qū)R2上形成周 邊線路L。在本實(shí)施例中，周邊區(qū)R2例如為一環(huán)繞顯示區(qū)Rl并與顯示區(qū)Rl連接的環(huán)狀區(qū) 域，周邊線路L例如為一環(huán)狀線路，此環(huán)狀線路環(huán)繞基板102的顯示區(qū)Rl。周邊線路L可使 用的材質(zhì)與掃描線SL類似，于此便不再贅述。然后，于基板102的顯示區(qū)Rl與周邊區(qū)R2上形成絕緣層GI，以覆蓋多條掃描線 SL以及周邊線路L。之后，于多條掃描線SL的部份區(qū)域上形成信道層CH，以將掃描線SL的部份區(qū)域當(dāng)作柵極G。然后，于信道層CH以及絕緣層GI上形成數(shù)據(jù)線DL，其中以數(shù)據(jù)線DL 與信道層CH重迭的部分區(qū)域當(dāng)作源極S，同時間于信道層CH上形成漏極D，便完成了主動 組件T的制作。換句話說，主動組件T與掃描線SL及數(shù)據(jù)線DL電性連接。上述的主動組 件T是以底部柵極型薄膜晶體管為例來說明，但本發(fā)明不限于此。根據(jù)其它實(shí)施例，上述的 主動組件T也可是以頂部柵極型薄膜晶體管或是多柵極型薄膜晶體管等。在本實(shí)施例中，數(shù)據(jù)線DL與掃描線SL彼此交錯設(shè)置。換言之，數(shù)據(jù)線DL的延伸 方向與掃描線SL的延伸方向不平行。在本實(shí)施例中，數(shù)據(jù)線DL的延伸方向例如與掃描線 SL的延伸方向垂直。接著，請參照圖3B及圖4B，于基板102上形成保護(hù)層104，覆蓋主動組件T、掃描 線SL、數(shù)據(jù)線DL以及周邊線路L。然后，于周邊線路L的上方的保護(hù)層104中形成第三開 口 H3，以暴露出周邊線路L。值得一提的是，第三開口 H3例如是貫穿保護(hù)層104以及絕緣 層GI以使得周邊線路L被第三開口 H3暴露出來。接著，請參照圖3C及圖4C，于保護(hù)層104上形成共同電極106。共同電極106從顯 示區(qū)Rl延伸至周邊區(qū)R2。換句話說，共同電極106同時地位于周邊區(qū)R2與顯示區(qū)Rl中， 并且共同電極106位于周邊區(qū)R2的一部分填入于第三開口 H3，以與周邊線路L電性連接。之后，請參照圖3D及圖4D，于基板102上形成介電層108，以覆蓋共同電極104。 然候，于主動組件T的上方的保護(hù)層104與介電層108中形成多個第四開口 H4，而暴露出主 動組件T的漏極D。 接著，請參照圖3E及圖4E，于介電層108上形成多個像素電極PE，這些像素電極 PE各自填入對應(yīng)的這些第四開口 H4，以與對應(yīng)的這些主動組件T的漏極D電性連接，其中 各像素電極PE具有多個狹縫g，以使共同電極106于這些狹縫g處不被各像素電極PE遮 蔽。于此，便完成了本實(shí)施例的像素陣列基板100A。值得一提的是，本實(shí)施例的像素陣列基板100A未包括配置于顯示區(qū)Rl中的共同 電極線CL。一般來說，為了具備良好的信號傳輸質(zhì)量，共享電極線CL會采用金屬等不透光 的透明導(dǎo)電材質(zhì)加以制作。因此，本實(shí)施例的像素陣列基板100A除了具有第一實(shí)施例的像 素陣列基板100的優(yōu)點(diǎn)外，其顯示開口率(aperture ratio)可進(jìn)一步被提升。圖5繪示為本發(fā)明一實(shí)施例的顯示面板。請參照圖5，顯示面板300包括一像素 陣列基板310、一對向基板320以及一顯示介質(zhì)層330。像素陣列基板310與對向基板320 相對而設(shè)，而顯示介質(zhì)層330配置于像素陣列基板310與對向基板320之間。此外，顯示介 質(zhì)層330例如是一液晶層。具體而言，像素陣列基板310例如選自于前述第一實(shí)施例的像 素陣列基板100或是第二實(shí)施例的像素陣列基板100A。由前述實(shí)施例可知，像素陣列基板 100與像素陣列基板100A中像素電極PE與共享電極106之間形成有顯著的電場效應(yīng)。因 此，顯示介質(zhì)層330中的顯示介質(zhì)可以有效率地被驅(qū)動，而使得此顯示面板300的顯示亮度 可被有效地提升。另外，像素陣列基板100與像素陣列基板100A據(jù)有高顯示開口率的特點(diǎn) 也使得顯示面板300具備理想的顯示亮度。綜上所述，根據(jù)本發(fā)明的像素陣列基板，在與基板表面垂直的方向上，像素電極與 共同電極之間僅夾有一層介電層，而在公知的像素陣列基板中像素電極與共同電極間則夾 有多層絕緣層。換言之，在本發(fā)明的像素陣列基板中，像素電極與共同電極間的距離較短， 而使得像素電極與共同電極間的電場較大。如此一來，具有本實(shí)施例的像素陣列基板的顯示面板便可如權(quán)利要求有效地驅(qū)動顯示面板中的顯示介質(zhì)，而此顯示面板的驅(qū)動電壓亦可 有效地被降低。此外，根據(jù)本發(fā)明的像素陣列基板，共同電極具有多個缺口，各缺口暴露出其中一 個主動組件以及與主動組件電性連接的掃描線。如此一來，共同電極與掃描線以及主動組 件間的寄生電容(parasitic capacitance)可有效地被降低，進(jìn)而有效得改善信號延遲及 驅(qū)動負(fù)載較大的問題。另外，本發(fā)明的像素陣列基板中，像素電極與數(shù)據(jù)線之間夾有多層絕緣層以及一 共享電極層，使得數(shù)據(jù)線與像素電極間的電容耦合(capacitivecoupling)效應(yīng)較小。如 此一來，部分像素電極便可與部分?jǐn)?shù)據(jù)線重迭，進(jìn)而增加像素陣列基板的開口率(aperture ratio)ο雖然本發(fā)明已以實(shí)施例公開如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域 中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的如權(quán)利要求動與潤飾， 故本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視前述的申請專利范圍所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種像素陣列基板，其特征在于，包括一基板，該基板具有一顯示區(qū)與一周邊區(qū)，該周邊區(qū)實(shí)質(zhì)上與該顯示區(qū)連接； 多條掃描線以及多條數(shù)據(jù)線，配置于該基板的該顯示區(qū)，其中該些掃描線與該些數(shù)據(jù) 線彼此交錯配置；多個主動組件，配置于該基板的該顯示區(qū)，且與該掃描線及該數(shù)據(jù)線電性連接； 一保護(hù)層，覆蓋該主動組件；一共同電極，配置于該保護(hù)層之上，并至少位于該顯示區(qū)中； 一介電層，覆蓋該共同電極；以及多個像素電極，配置于該介電層上，且各該像素電極與其中一該主動組件電性連接，其 中各該像素電極具有多個狹縫以使該共同電極于該些狹縫處不被各該像素電極遮蔽。
2.如權(quán)利要求1所述的像素陣列基板，其特征在于，還包括多條共同電極線，該些共同 電極線與該些數(shù)據(jù)線彼此交錯配置，而該些共同電極線延伸方向?qū)嵸|(zhì)上平行于該些掃描線 的延伸方向，且該共同電極電性連接該些共同電極線。
3.如權(quán)利要求1所述的像素陣列基板，其特征在于，該共同電極具有多個缺口，各該缺 口暴露出其中一個該主動組件以及與該主動組件電性連接的該掃描線。
4.如權(quán)利要求1所述的像素陣列基板，其特征在于，部份該些數(shù)據(jù)線與部份該些像素 電極重迭。
5.如權(quán)利要求1所述的像素陣列基板，其特征在于，還包括一周邊線路，配置于該周邊 區(qū)，且該共同電極如權(quán)利要求延伸至該周邊區(qū)中以與該周邊線路電性連接。
6.如權(quán)利要求5所述的像素陣列基板，其特征在于，該周邊線路為一環(huán)狀線路，該環(huán)狀 線路環(huán)繞該基板的該顯示區(qū)。
7.—種顯示面板，其特征在于，包括如權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的像素陣列基板；一對向基板，與該像素陣列基板相對；以及一顯示介質(zhì)層，配置于該像素陣列基板與該對向基板之間。
8.一種像素陣列基板的制造方法，其特征在于，包括提供一基板，該基板具有一顯示區(qū)與一周邊區(qū)，該周邊區(qū)實(shí)質(zhì)上與該顯示區(qū)連接，該基 板的該顯示區(qū)上已形成有多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線、多個主動組件以及多條共同電極線，其 中該些掃描線與該些數(shù)據(jù)線彼此交錯配置，該些主動組件與各自對應(yīng)的該掃描線及該數(shù)據(jù) 線電性連接，該些共同電極線與該些數(shù)據(jù)線彼此交錯配置；于該基板上形成一保護(hù)層，并且覆蓋該些主動組件、該些共同電極線、該些掃描線以及 該些數(shù)據(jù)線；于該些共同電極線上方的該保護(hù)層中形成多個第一開口，而暴露出該些共同電極線； 于該保護(hù)層上形成一共同電極，該共同電極位于該顯示區(qū)并填入該些第一開口，以與 該些共同電極線電性連接；于該基板上形成一介電層，以覆蓋該共同電極上；于該些主動組件的上方的該保護(hù)層與該介電層中形成多個第二開口，而暴露出該些主 動組件；于該介電層上形成多個像素電極，該些像素電極位于該顯示區(qū)中并各自填入對應(yīng)的該些第二開口，而與對應(yīng)的該主動組件電性連接，其中各該像素電極具有多個狹縫，以使該共 同電極于該些狹縫處不被各該像素電極遮蔽。
9. 一種像素陣列基板的制造方法，其特征在于，包括提供一基板，該基板具有一顯示區(qū)與一周邊區(qū)，該周邊區(qū)實(shí)質(zhì)上與該顯示區(qū)連接，該基 板的該顯示區(qū)上已形成有多個主動組件、多條掃描線以及多條數(shù)據(jù)線，其中該些掃描線與 該些數(shù)據(jù)線彼此交錯配置，該些主動組件與各自對應(yīng)的該掃描線及該數(shù)據(jù)線電性連接，而 該基板的該周邊區(qū)上已形成有一周邊線路；于該基板上形成一保護(hù)層，覆蓋該些主動組件、該些掃描線、該些數(shù)據(jù)線以及該周邊線路；于該周邊線路的上方的該保護(hù)層中形成一第三開口，以暴露出該周邊線路； 于該保護(hù)層上形成一共同電極，該共同電極同時位于該周邊區(qū)與該顯示區(qū)中，并且該 共同電極位于該周邊區(qū)的一部分填入于該第三開口，以與該周邊線路電性連接； 于該形成一介電層，以覆蓋該共同電極；于該主動組件的上方的該保護(hù)層與該介電層中形成多個第四開口，而暴露出該些主動 組件；于該介電層上形成多個像素電極，該些像素電極各自填入對應(yīng)的該些第四開口，以與 對應(yīng)的該些主動組件電性連接，其中各該像素電極具有多個狹縫，以使該共同電極于該些 狹縫處不被各該像素電極遮蔽。
全文摘要
一種像素陣列基板，包括基板、多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線、多個主動組件、保護(hù)層、共同電極、介電層以及多個像素電極?；寰哂酗@示區(qū)與周邊區(qū)。掃描線與數(shù)據(jù)線彼此交錯配置。主動組件與掃描線及數(shù)據(jù)線電性連接。保護(hù)層覆蓋主動組件。共同電極配置于保護(hù)層之上，并至少位于顯示區(qū)中。介電層覆蓋共同電極。多個像素電極配置于介電層上，且各像素電極與其中一主動組件電性連接，其中各像素電極具有多個狹縫以使共同電極于這些狹縫處不被各像素電極遮蔽。
文檔編號H01L21/77GK102129143SQ201010590598
公開日2011年7月20日 申請日期2010年12月15日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月15日
發(fā)明者劉夢騏, 張?jiān)?申請人:中華映管股份有限公司, 華映視訊(吳江)有限公司