專利名稱：減少晶圓掉落的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其是一種在高電流植入機(jī)運(yùn)行過(guò)程中減少晶圓掉 落的方法。
背景技術(shù)：
高電流離子注入機(jī)作為半導(dǎo)體離子植入的主流機(jī)臺(tái)，在晶圓的傳送和操作過(guò)程中 需要保持很高的穩(wěn)定性，需保持晶圓與晶圓吸盤的吸附狀態(tài)，在晶圓的操作過(guò)程中，晶圓在 晶圓吸盤上高速旋轉(zhuǎn)，吸盤上存在的一些玷污將會(huì)影響到兩者之間的吸附力，從而造成掉 落，其結(jié)果只能是直接停機(jī)然后用清潔布進(jìn)行擦拭，費(fèi)時(shí)費(fèi)力，尤其對(duì)于采用批量化生產(chǎn)的 機(jī)臺(tái)，其在提高生產(chǎn)效率的同時(shí)也增加了晶圓掉落所產(chǎn)生的損失，目前在實(shí)踐中，在傳送中 晶圓掉落的發(fā)生率大概是0. 15%，一次大概會(huì)報(bào)廢13塊晶圓，同時(shí)停機(jī)和重新開(kāi)機(jī)的時(shí)間 大概需要一天，這對(duì)于投資巨大，動(dòng)輒以小時(shí)計(jì)算損失的晶圓制造廠來(lái)說(shuō)，將會(huì)造成非常大 的損失。

發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)以上缺陷，本發(fā)明的目的是提供一種方法，可使高電流植入機(jī)在運(yùn)行過(guò)程中 減少晶圓掉落的狀況。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)一種高電流植入機(jī)減少晶圓掉落的方法，采用離子植入的方法對(duì)待機(jī)狀態(tài)的晶圓 吸盤進(jìn)行SiF+離子植入；產(chǎn)生SiF+離子方法為(1)在離子植入源加裝含硅氣體；(2)采用傳統(tǒng)的燈絲熱電子激發(fā)含硅氣體產(chǎn)生SiF+離子。優(yōu)選的，所述含硅氣體為SiF4。本發(fā)明所述的方法，通過(guò)采用定期對(duì)晶圓吸盤在待機(jī)狀態(tài)下進(jìn)行SiF+離子植入 操作，使植入的硅存在于晶圓吸盤上，因其和將要吸附的晶圓材質(zhì)一樣而不會(huì)產(chǎn)生二次玷 污；同時(shí)植入的活性很強(qiáng)的F+離子(氟離子)和晶圓上的玷污反應(yīng)并揮發(fā)出去，從而保持 晶圓吸盤的清潔，進(jìn)而保證了晶圓傳送的穩(wěn)定性，減少了晶圓掉落所造成的損失。


下面根據(jù)實(shí)施例與附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。圖1是本發(fā)明實(shí)施例所述SiF+離子植入過(guò)程示意圖。圖中1、晶圓吸盤；2、高壓離子植入機(jī)；3、燈絲；4、含硅氣體入口。
具體實(shí)施例方式如圖1所示，給出了本發(fā)明所述電流植入機(jī)在運(yùn)行過(guò)程中減少晶圓掉落方法的一個(gè)具體實(shí)施例。含硅氣體，如SiF4，自含硅氣體入口 4進(jìn)入高壓離子植入機(jī)2的離子植入源，經(jīng)燈 絲3熱電子激發(fā)產(chǎn)生SiF+離子。設(shè)定離子植入機(jī)2的植入條件為能量范圍為20-50Kev， 原子量篩選為36. 5-37. 5，對(duì)晶圓吸盤1在待機(jī)狀態(tài)下進(jìn)行離子“空植入”，使植入的硅存在 于晶圓吸盤上，因其和將要吸附的晶圓材質(zhì)一樣而不會(huì)產(chǎn)生二次玷污；同時(shí)植入的活性很 強(qiáng)的F+離子(氟離子)和晶圓上的玷污反應(yīng)并揮發(fā)出去，本方法可在不停機(jī)的狀態(tài)下，實(shí) 現(xiàn)對(duì)晶圓吸盤1的在線清洗，消除玷污，延長(zhǎng)了晶圓吸盤的壽命，有效的節(jié)省了時(shí)間，提升 了機(jī)臺(tái)的可利用率。以上實(shí)施例顯示和描述了本發(fā)明所采用方法的主要特征以及所具有的優(yōu)點(diǎn)，本行 業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本發(fā)明不受上述實(shí)施例的限制，在不脫離本發(fā)明主旨和范圍的前 提下本發(fā)明還會(huì)有一些變化與改進(jìn)，如改變含硅氣體的種類，采用不同的離子植入方式等， 這些變化和改進(jìn)都落入本發(fā)明要求保護(hù)的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種減少晶圓掉落的方法，其特征在于包含以下步驟 采用離子植入的方法對(duì)待機(jī)狀態(tài)的晶圓吸盤進(jìn)行SiF+離子植入。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種減少晶圓掉落的方法，其特征在于所述SiF+離子采用以 下方法產(chǎn)生(1)在離子植入源加裝含硅氣體；(2)采用傳統(tǒng)的燈絲熱電子激發(fā)含硅氣體產(chǎn)生SiF+離子。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種減少晶圓掉落的方法，其特征在于所述含硅氣體為 SiF4。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)一種減少晶圓掉落的方法，采用離子植入的方法對(duì)待機(jī)狀態(tài)的晶圓吸盤進(jìn)行SiF+離子植入。本發(fā)明所述的方法，通過(guò)采用定期對(duì)晶圓吸盤在待機(jī)狀態(tài)下進(jìn)行SiF+離子植入操作，使植入的硅存在于晶圓吸盤上，因其和將要吸附的晶圓材質(zhì)一樣而不會(huì)產(chǎn)生二次玷污；同時(shí)植入的活性很強(qiáng)的F+離子(氟離子)和晶圓上的玷污反應(yīng)并揮發(fā)出去，從而保持晶圓吸盤的清潔，進(jìn)而保證了晶圓傳送的穩(wěn)定性，減少了晶圓掉落所造成的損失。
文檔編號(hào)H01L21/687GK102110596SQ20101059343
公開(kāi)日2011年6月29日 申請(qǐng)日期2010年12月17日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月17日
發(fā)明者李法濤, 陽(yáng)厚國(guó) 申請(qǐng)人:無(wú)錫華潤(rùn)上華半導(dǎo)體有限公司, 無(wú)錫華潤(rùn)上華科技有限公司