專利名稱：低電壓驅(qū)動的空穴注入層作為發(fā)光調(diào)節(jié)層的oled器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光顯示器件，特別涉及一種有機電致發(fā)光器件。背景技術(shù)：
有機電致發(fā)光器件(OLED)是一種自發(fā)光、高亮度、全色顯示的發(fā)光元件，在外加 電場作用下電子和空穴在有機發(fā)光層復(fù)合發(fā)光，是一種電流發(fā)光的現(xiàn)象。有機電致發(fā)光器 件具有(1)低直流電壓下功耗小；( 發(fā)光亮度高，效率高；C3)發(fā)光顏色廣；(4)響應(yīng)速度 快(< 1微秒是IXD的1000倍)；( 顯示部件薄，可以制備柔性或透明顯示；(6)可用標(biāo) 準(zhǔn)印刷或逐卷制作技術(shù)制造成本低等特點；因此有機電致發(fā)光在平板顯示領(lǐng)域中成為未來 非常有競爭力的技術(shù)之基于OLED諸多的優(yōu)勢，其在彩色顯示、半導(dǎo)體照明和情景光源等多個領(lǐng)域被寄予 厚望，被認(rèn)為是引領(lǐng)潮流的下一代產(chǎn)品。但無論是哪個應(yīng)用領(lǐng)域都離不開以單色發(fā)光為基 礎(chǔ)的有效組合，因此使OLED發(fā)不同的單色光成為一個必須的課題。使OLED發(fā)不同顏色的 光，基本的方法是選用發(fā)光顏色不同的有機材料作為器件的基本發(fā)光體，但有時會存在著 發(fā)光光譜半高寬不夠窄，色純度不足的問題。另外，不同的有機發(fā)光體，其導(dǎo)電性能差別很 大，有的材料載流子輸運能力差，會造成OLED器件驅(qū)動電壓升高、功耗增加和效率降低。因 此，找到OLED器件光學(xué)性能和器件功耗的平衡點就十分必要。請參閱圖1至圖4所示，OLED顯示器件通常包括頂發(fā)射器件和底發(fā)射器件兩類， 每類又包括陽極在上、陰極在上兩種。OLED顯示器件的結(jié)構(gòu)通常包括透明或半透明基底、 陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極。通常情況下，成 熟的陽極電導(dǎo)材料多為無機物，與有機材料性能差別較大，界面勢壘會造成OLED器件的驅(qū) 動電壓升高。為了提高OLED器件的穩(wěn)定性，降低功耗，選擇合適的注入材料成為研究的重 點。近些年來人們開始嘗試使用無機化合物作為空穴注入層，例如氧化釩(V2O5)、氧化鎢 (WO3)、氧化鉬(MoO3),不少文獻詳細(xì)地研究了氧化鉬修飾ITO表面對于空穴注入能力的影 響，Journal of Non-Crystalline Solids, Vol 356，2010，1012，JOURNAL OF APPLIED PHYSICSVol 104，2008，054501，認(rèn)為其效果與傳統(tǒng)有機空穴注入材料相當(dāng)，但是由于其本 身內(nèi)在特性，不適合將其厚度做高，而只能利用超薄膜的“隧穿效應(yīng)”使電荷順利通過該層。 最佳厚度Inm左右，超過IOnm以上實際效果將明顯下降，電荷穿透氧化鉬層時會額外消耗 大量的電壓，非但不能降低電壓，反而會大大提升電壓，增加能耗。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供一種有機電致發(fā)光器件，其通過空穴注入層厚度的變化可以 改變OLED器件的發(fā)光顏色，而器件的驅(qū)動電壓基本不變。為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案—種有機電致發(fā)光器件，包括陽極和空穴注入層，所述陽極的材料為鋁或鋁合金， 所述空穴注入層的材料為金屬氧化物或鋁與金屬氧化物摻雜形成的摻雜物，所述金屬氧化
3物為氧化鉬、氧化鎢、氧化釩、氧化亞銅、氧化鎳中的一種或幾種。所述陽極為透射陽極，所述透射陽極的材料為鋁，所述空穴注入層的材料為氧化 鉬，所述空穴注入層的厚度為10-200nm，所述透射陽極的厚度為10-20nm。所述陽極為反射陽極，所述反射陽極的材料為鋁，所述空穴注入層的材料為氧化 鉬，所述空穴注入層的厚度為10-200nm，所述反射陽極的厚度100-500nm。所述透射陽極的厚度為15nm，所述空穴注入層的厚度為lO-lSOnm。所述陽極的材料為鋁，所述空穴注入層的材料為鋁與氧化鉬摻雜形成的摻雜物， 所述空穴注入層中鋁與氧化鉬的摩爾比為(0-0.89) (1-0.11)。所述陽極為透射陽極，所述透射陽極的厚度為10-20nm，所述空穴注入層的厚度為 10-200nm。所述陽極為反射陽極，所述反射陽極的厚度100-500nm，所述空穴注入層的厚度為 10-200nm。所述透射陽極的厚度為15nm，所述空穴注入層的厚度為20-110nm。所述OLED器件還包括基板、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層。所述基板為玻璃基板或柔性基板。相對于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明具有以下優(yōu)點1、利用金屬膜本身對可見光的反射和透射特性，再加上特定金屬氧化物的性能， 可以靈活制備具有微腔效應(yīng)的底發(fā)射或頂發(fā)射OLED器件，對器件光學(xué)性能可進行有效的 調(diào)控；2、可以通過調(diào)節(jié)特定金屬氧化物的厚度，有效地調(diào)節(jié)光學(xué)腔長度，改變發(fā)光顏色， 提升發(fā)光強度，降低發(fā)光光譜半高寬(FWHM)，改善色純度；3、僅通過特定金屬氧化物厚度的變化改變光學(xué)腔長度，可以大大降低OLED器件 前期設(shè)計的工作強度和復(fù)雜度；并且可以很容易整合到整個器件制備流程中，簡化了工藝 流程，有利大規(guī)模的工業(yè)化生產(chǎn)；4、結(jié)合了金屬的優(yōu)異導(dǎo)電性與特定氧化物良好的空穴注入性能，可大大降低OLED 器件的驅(qū)動電壓，降低功耗，并且在厚度增加的過程中驅(qū)動電壓不明顯增大，能耗不提高。

圖1是底發(fā)射式OLED器件的結(jié)構(gòu)示意圖，陰極在上，其中O為基板，1為透射陽極， 3為空穴注入層，4為空穴傳輸層，5為發(fā)光層，6為電子傳輸層，7為電子注入層，9為反射陰 極；圖2是底發(fā)射式OLED器件的結(jié)構(gòu)示意圖，陽極在上，其中O為基板，2為反射陽極， 3為空穴注入層，4為空穴傳輸層，5為發(fā)光層，6為電子傳輸層，7為電子注入層，8為透射陰 極；圖3是頂發(fā)射式OLED器件的結(jié)構(gòu)示意圖，陽極在上，其中O為基板，1為透射陽極， 3為空穴注入層，4為空穴傳輸層，5為發(fā)光層，6為電子傳輸層，7為電子注入層，9為反射陰 極；圖4是頂發(fā)射式OLED器件的結(jié)構(gòu)示意圖，陰極在上，其中O為基板，2為反射陽極， 3為空穴注入層，4為空穴傳輸層，5為發(fā)光層，6為電子傳輸層，7為電子注入層，8為透射陰極；圖5是實施例1和對比例1中各器件亮度對比圖；圖6是器件^、4b、k與參照器件3在7V時的光譜圖；圖7是器件fe、5b、5c與參照器件3在8V時的光譜圖；圖8是器件6a、6b、6c與參照器件3在9V時的光譜圖。
具體實施方式雖然無機氧化物本身的電導(dǎo)率比較低，不適合作為導(dǎo)電材料，但是如果能利用摻 雜的方法使其形成連續(xù)的缺陷能級——從“價帶”跨越到“導(dǎo)帶”就能將其變成一種導(dǎo)電材 料，這種情況下導(dǎo)電性能對材料厚度依賴的敏感性將大大降低，也就是說在一定的厚度范 圍內(nèi)電荷穿透摻雜層所造成的電壓降很小且變化不大，在試驗中我們首次發(fā)現(xiàn)鋁摻雜的氧 化鉬具有這樣的特性。由于鋁的功函數(shù)與氧化鉬價帶能級相差遠，界面勢壘高，理論上其空 穴注入必然會比能級更匹配的ITO/氧化鉬界面困難很多，然而實驗證實，兩者在空穴注入 能力上沒有多少差別，尤其在膜層厚度大的情況下，以鋁摻雜的氧化鉬作為陽極的器件，亮 度明顯高于ITO/氧化鉬陽極。一方面原因在于鋁和氧化鉬界面上可以形成新的摻雜態(tài)，定 義為MoaxAlbx0。x，該復(fù)合形態(tài)降低了 Al/氧化鉬的界面勢壘；另一方面，摻雜所引起的特定 氧化物能級變成“準(zhǔn)連續(xù)能級”，增強了對有機空穴傳輸材料的空穴注入能力。對金屬氧化 物進行摻雜的方法很簡單，只需要將摻雜元素與金屬氧化物共同蒸鍍，或共同濺鍍即可，摻 雜的比例通過調(diào)節(jié)兩者各自的蒸鍍或濺鍍速度實現(xiàn)，有利于規(guī)?；I(yè)生產(chǎn)。進一步，我們發(fā)現(xiàn)簡單地將鋁與氧化鉬形成各自單獨的雙層復(fù)合層也能達到鋁與 氧化鉬共混摻雜的同樣效果。在雙層之間的界面上會形成界面態(tài)，并且界面態(tài)的擴散半徑 可以達到150nm左右，氧化鉬的厚度從幾納米增加到100納米以上，不會影響其空穴注入效 果和器件的起亮電壓，這拓寬了以前僅將氧化鉬作為空穴注入層用于OLED的領(lǐng)域，也就是 說，不論鋁與氧化鉬共混態(tài)，還是單獨調(diào)節(jié)氧化鉬層的厚度，都可以用來調(diào)節(jié)微腔光學(xué)長度 而不增加功耗。眾所周知，以薄的半透明鋁膜等金屬膜和厚的反射金屬膜作為電極材料時，必然 會產(chǎn)生微腔效應(yīng)。平面光學(xué)微腔是由間距在光波長量級的兩個平行平面反射鏡構(gòu)成的 Fabry-Perot (F-P)諧振腔。早在1946年，M. puroll就從理論上提出了限制在微腔中的光 場光子態(tài)密度改變的效應(yīng)，并預(yù)言了腔對自發(fā)輻射速率有增強和抑制的作用；上世紀(jì)90年 代開始，將微腔效應(yīng)用到OLED的設(shè)計和研究中逐步引起人們的重視。在OLED中，特定設(shè) 計的器件結(jié)構(gòu)可以使得不同能態(tài)的光子密度重新分布，只有符合特定共振腔模式的，得以 在特定的角度射出特定波長的光，因此光波的半高寬會變窄，色純度和效率都會比普通的 OLED (通常情況下，OLED器件多采用ITO作為陽極，幾乎沒有或僅有弱的微腔效應(yīng))大幅提 升，這對提高顯示器件色彩飽和度，提高壽命，降低功耗都是非常有利的。對OLED光學(xué)器件而言，構(gòu)成平面微腔的出光鏡和反射鏡有三種基本的組合方式 a)DBR/IT0出光鏡和金屬反射鏡；b) DBR出光鏡和DBR反射鏡；c)半透明金屬出光鏡和金屬 反射鏡。DBR經(jīng)常使用的介質(zhì)材料包括氧化硅、氧化鋯、氧化鈦、氧化鋅、硒化鋅及不同組分 的氮化硅SixNy等，其生長方法包括濺射、電子束蒸發(fā)、等離子體增強的化學(xué)氣相沉積等， 根據(jù)所需反射率的不同其高低折射率層的數(shù)目從幾層到幾十層不等。DBR所需實驗手段要求高，工藝過程復(fù)雜，制程周期長，故很大程度上制約了 a和b兩種OLED器件用于顯示領(lǐng)域 的大規(guī)?；a(chǎn)。采用傳統(tǒng)的半透明金屬透鏡和金屬反射鏡的微腔OLED器件，雖然在制程 上比DBR簡化，但為調(diào)制出適合微腔共振模式的特定波長，大大增加了器件設(shè)計的復(fù)雜程 度和工作強度，并且有時還必須以犧牲器件的其他性能為代價。此外，OLED器件由載流子 輸運區(qū)域到發(fā)光層的平均電場場強值很大(一個磷光OLED發(fā)光層到電子輸運區(qū)得得平均 場強值大于106V/cm)，這意味著通過增加有機層厚度，調(diào)制光學(xué)腔長度，改善光色純度，會 使工作電壓大幅度上升，降低器件的發(fā)光功率效率，從而削弱OLED器件本身節(jié)能、高效、低 碳、環(huán)保的“綠色”優(yōu)勢。Jean等人研究過鋁作為陰極與陽極的OLED微腔效應(yīng)APPLIED PHYSICS LETTER VolSl，2002，1717，但是沒有用無機空穴注入層來調(diào)節(jié)微腔。歐洲專利公開第EPl 154676 號也公開過鋁作為半透明透光層的OLED微腔結(jié)構(gòu)，宣稱多次反射提高了發(fā)光強度，但實際 上亮度增強效應(yīng)非常微弱，也沒提及對器件發(fā)光顏色的調(diào)控。Dongge Ma等人曾用氧化鉬 修飾鋁反射陽極，做陰極頂發(fā)射的OLED器件APPLIED PHYSICS LETTERS Vol 94，2009， 233306，但是沒有通過改變氧化鉬的厚度來調(diào)節(jié)微腔光學(xué)長度。此外還有氧化鉬作為多層 OLED器件之間串聯(lián)的連接層APPLIED PHYSICS LETTERS Vol 93，2008，083305，沒有實際 數(shù)據(jù)以表明連接層性能的好壞。中國發(fā)明專利申請CN200410007308. 5籠統(tǒng)地將處于兩層 金屬界面之內(nèi)的所有無機導(dǎo)電材料與有機導(dǎo)電材料全部歸于發(fā)光調(diào)節(jié)層的范圍，對高導(dǎo)電 率的ITO和低導(dǎo)電率的氧化鉬、氧化鋅毫無區(qū)別，統(tǒng)稱為透明相-導(dǎo)電層，但實施例中微腔 光學(xué)長度調(diào)節(jié)更多的是以ITO導(dǎo)電層搭配有機層的厚度來進行調(diào)節(jié)，也沒有涉及單獨通過 空穴注入層的厚度改變器件的光學(xué)性能，更沒有理論或?qū)嶒灁?shù)據(jù)證明在微腔光學(xué)長度變大 的過程中仍然可以保持同等亮度下電壓不大幅度升高，能耗不增大。下面結(jié)合實施例和對比例對本發(fā)明做進一步詳細(xì)描述實施例1在含有除污劑的水溶液中對平板玻璃基板用超聲波進行清洗，然后分別用蒸餾水 與乙醇沖洗一遍并干燥；轉(zhuǎn)移基板至真空熱蒸鍍腔室中，在玻璃基板上，先蒸鍍15nm Al作 為半透射金屬層；在金屬層上蒸鍍氧化鉬形成20nmMo03作為空穴注入層；接著按先后次序 分別熱升華蒸鍍NPD 60nm,AlQ365nm,LiF lnm，形成有機發(fā)光層；最后在有機發(fā)光層上熱升 華蒸鍍鋁200nm形成陰極。沉積速度對有機材料保持在2埃/秒，對LiF保持在1埃/秒， 對金屬鋁保持在5埃/秒，最后形成的器件結(jié)構(gòu)如下玻璃/Al (15nm) /MoO3 (20nm) /NPD (60nm) /AlQ3 (65nm) /LiF(Inm) /Al (200nm)。其他工藝條件不變，改變空穴注入層的厚度制備器件如下玻璃/Al (15nm) /MoO3 (60nm) /NPD (60nm) /AlQ3 (65nm) /LiF(Inm) /Al (200nm)；
玻璃 /Al (15nm) /MoO3 (IlOnm) /NPD (60nm) /AlQ3 (65nm) /LiF(Inm) /Al (200nm)。形成的3種器件的亮度電壓曲線如圖5所示。對比例1在含有除污劑的水溶液中對玻璃基板用超聲波進行清洗，然后分別用蒸餾水與乙 醇沖洗一遍并干燥。轉(zhuǎn)移基板至真空熱蒸鍍腔室中。在玻璃基板上，先蒸鍍15nmAg作為半 透射金屬層；在層上蒸鍍氧化鉬形成20nmMo03作為空穴注入層；接著按先后次序分別熱升 華蒸鍍NPD60nm，AlQ365nm, LiF lnm，形成有機發(fā)光層；最后在有機發(fā)光層上熱升華蒸鍍鋁
6200nm形成陰極。沉積速度對有機材料保持在2埃/秒，對LiF保持在1埃/秒，對金屬鋁 保持在5埃/秒，最后形成的器件結(jié)構(gòu)如下玻璃/Ag/Mo03 (20nm) /NPD (60nm) /AlQ3 (65nm) /LiF (Inm) /Al (200nm)。其他工藝條件不變，改變空穴注入層的厚度制備器件如下玻璃/Ag/Mo03 (60nm) /NPD (60nm) /AlQ3 (65nm) /LiF (Inm) /Al (200nm)；玻璃/Ag/Mo03 (IlOnm) /NPD (60nm) /AlQ3 (65nm) /LiF (Inm) /Al (200nm)。形成的3種器件的亮度電壓曲線如圖5所示。由圖5的亮度電壓曲線可以看出，氧化鉬作為空穴注入材料，在非活潑金屬銀和 活潑金屬鋁表面的表現(xiàn)有極大的差異。一是同樣厚度下，在鋁表面的亮度明顯高于銀表面； 二是隨著厚度的增加，鋁表面的氧化鉬從20nm變到llOnm，但是亮度沒有明顯衰退，而銀表 面的氧化鉬在60nm左右時，亮度大幅度衰竭，器件基本不亮，這意味著氧化鉬作為微腔調(diào) 節(jié)層應(yīng)用于銀半透射電極效果很差，沒有實際應(yīng)用價值。實施例2實施例2說明，在一定范圍內(nèi)不同厚度的空穴注入層對器件驅(qū)動電壓影響不大。在含有除污劑的水溶液中對平板玻璃基板用超聲波進行清洗，然后分別用蒸餾水 與乙醇沖洗一遍并干燥。轉(zhuǎn)移基板至真空熱蒸鍍腔室中。在玻璃基板上，依次蒸鍍15nm Al作為半透射陽極；同時蒸鍍Al和氧化鉬形成20nmMoaxAlbx0。x(鋁與氧化鉬的摩爾比為 0. 42 1)作為空穴注入層；接著按先后次序分別熱升華蒸鍍NPD 60nm, AlQ365nm, LiF lnm，形成有機發(fā)光層；最后在有機發(fā)光層上熱升華蒸鍍鋁200nm形成陰極。沉積速度對有 機材料保持在2埃/秒，對LiF保持在1埃/秒，對金屬鋁保持在5埃/秒。最后形成的器件結(jié)構(gòu)如下玻璃/Al (15nm) /MoaxAlbxOcx (20nm) /NPD (60nm) /AlQ3 (65nm) /LiF(Inm) /Al (200nm)該器件命名為器件加；其他工藝條件不變，改變空穴注入層的厚度和材料制備器 件如下器件器件2b 玻璃 /Al (15nm)/MoaxAlbxOcx(HOnm)(鋁與氧化鉬的摩爾比為 0. 07 1)/ NPD (60nm) /AlQ3 (65nm) /LiF(Inm) /Al (200nm)；器件2c 玻璃 /Al (15nm)/MoOx QOnm)/NPD ^Onm)/AlGj3 ^5nm)/LiF (Inm)/ Al(200nm)；器件2d 玻璃 /Al (15nm)/MoOx (IlOnm)/NPD ^Onm)/AlGj3 陽5歷)/LiF (Inm)/ Al(200nm)。表一同一電流密度下空穴注入層厚度不同的器件的電壓及亮度
權(quán)利要求
1.一種低電壓驅(qū)動的空穴注入層作為發(fā)光調(diào)節(jié)層的OLED器件，其特征在于包括陽極 和空穴注入層，所述陽極的材料為鋁或鋁合金，所述空穴注入層的材料為金屬氧化物或鋁 與金屬氧化物摻雜形成的摻雜物，所述金屬氧化物為氧化鉬、氧化鎢、氧化釩、氧化亞銅、氧 化鎳中的一種或幾種。
2.如權(quán)利要求1所述一種低電壓驅(qū)動的空穴注入層作為發(fā)光調(diào)節(jié)層的OLED器件，其 特征在于所述陽極為透射陽極，所述透射陽極的材料為鋁，所述空穴注入層的材料為氧化 鉬，所述空穴注入層的厚度為10-200nm，所述透射陽極的厚度為10-20nm。
3.如權(quán)利要求1所述一種低電壓驅(qū)動的空穴注入層作為發(fā)光調(diào)節(jié)層的OLED器件，其 特征在于所述陽極為反射陽極，所述反射陽極的材料為鋁，所述空穴注入層的材料為氧化 鉬，所述空穴注入層的厚度為10-200nm，所述反射陽極的厚度100-500nm。
4.如權(quán)利要求2所述一種低電壓驅(qū)動的空穴注入層作為發(fā)光調(diào)節(jié)層的OLED器件，其特 征在于所述透射陽極的厚度為15nm，所述空穴注入層的厚度為10-180nm。
5.如權(quán)利要求1所述一種低電壓驅(qū)動的空穴注入層作為發(fā)光調(diào)節(jié)層的OLED器件，其特 征在于所述陽極的材料為鋁，所述空穴注入層的材料為鋁與氧化鉬摻雜形成的摻雜物，所 述空穴注入層中鋁與氧化鉬的摩爾比為(0-0.89) (1-0.11)。
6.如權(quán)利要求5所述一種低電壓驅(qū)動的空穴注入層作為發(fā)光調(diào)節(jié)層的OLED器件，其特 征在于所述陽極為透射陽極，所述透射陽極的厚度為10-20nm，所述空穴注入層的厚度為 10-200nm。
7.如權(quán)利要求5所述一種低電壓驅(qū)動的空穴注入層作為發(fā)光調(diào)節(jié)層的OLED器件，其特 征在于所述陽極為反射陽極，所述反射陽極的厚度100-500nm，所述空穴注入層的厚度為 10-200nm。
8.如權(quán)利要求6所述一種低電壓驅(qū)動的空穴注入層作為發(fā)光調(diào)節(jié)層的OLED器件，其特 征在于所述透射陽極的厚度為15nm，所述空穴注入層的厚度為20-110nm。
9.如權(quán)利要求1至8中任一項所述一種低電壓驅(qū)動的空穴注入層作為發(fā)光調(diào)節(jié)層的 OLED器件，其特征在于所述OLED器件還包括基板、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層。
10.如權(quán)利要求9所述一種低電壓驅(qū)動的空穴注入層作為發(fā)光調(diào)節(jié)層的OLED器件，其 特征在于所述基板為玻璃基板或柔性基板。
全文摘要
本發(fā)明提供一種低電壓驅(qū)動的空穴注入層作為發(fā)光調(diào)節(jié)層的OLED器件，包括陽極和空穴注入層，所述陽極的材料為鋁或鋁合金，所述空穴注入層的材料為金屬氧化物或鋁與金屬氧化物摻雜形成的摻雜物，所述金屬氧化物為氧化鉬、氧化鎢、氧化釩、氧化鎳、氧化亞銅中的一種或幾種。本發(fā)明利用金屬膜本身對可見光的反射和透射特性，再加上特定金屬氧化物的性能，可以制備具有微腔效應(yīng)的OLED，通過調(diào)節(jié)特定金屬氧化物的厚度，有效地調(diào)節(jié)光學(xué)腔長度，改變發(fā)光顏色，提升發(fā)光強度，降低發(fā)光光譜半高寬，改善色純度；結(jié)合了金屬的優(yōu)異導(dǎo)電性與特定氧化物良好的空穴注入性能，可大大降低OLED的驅(qū)動電壓，降低功耗，并且在厚度增加的過程中驅(qū)動電壓不明顯增大，能耗不提高。
文檔編號H01L51/50GK102110783SQ20101060050
公開日2011年6月29日 申請日期2010年12月22日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月22日
發(fā)明者宋書清, 徐寧, 閔軍輝 申請人:西安文景光電科技有限公司