專利名稱：異質(zhì)結(jié)構(gòu)場效應(yīng)二極管及制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于功率型半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，尤其涉及一種異質(zhì)結(jié)構(gòu)場效應(yīng)二極管及制造 方法。
背景技術(shù)：
功率型肖特基二極管作為穩(wěn)壓器、整流器、逆變器中不可或缺的組成部分，在日常 生活中的應(yīng)用越來越廣泛，主要涉及高壓供電、電能管理、工廠自動化和機動車能量分配管 理等諸多領(lǐng)域。同時隨著功率型肖特基二極管在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛，對其性 能也提出了越來越高的要求。目前的功率型肖特基二極管主要采用Si基材料。但由于Si材料禁帶寬度、電子 遷移率等材料方面特性的限制，硅基功率器件的性能已經(jīng)接近其理論極限，不能滿足當今 高溫、高頻、大功率方面的需求。為了提高器件性能，突破Si材料的理論極限，人們已著手 尋找具有更優(yōu)性能的材料。以GaN、SiC為代表的寬禁帶半導(dǎo)體憑借其材料方面的優(yōu)勢，成為當前替代Si材料 的研究熱點。其中GaN作為新型III-V化合物半導(dǎo)體材料，具有寬禁帶、高臨界擊穿場強、 高電子遷移率、高熱導(dǎo)率等特點，非常適合高溫、高頻、大功率等方面應(yīng)用。同時基于GaN異 質(zhì)結(jié)構(gòu)的大能帶帶階以及壓電極化和自發(fā)極化效應(yīng)可產(chǎn)生高濃度的2DEG。如AlGaN/GaN異 質(zhì)結(jié)中的2DEG，二維電子氣面密度可達1013cm — 2數(shù)量級，比AWaAs/GaAs異質(zhì)結(jié)高出一 個數(shù)量級。結(jié)合GaN材料高的臨界擊穿場強，使AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料非常適用于器件 大功率方面的應(yīng)用?；趯捊麕О雽?dǎo)體材料的以上優(yōu)勢，對于耐高溫、高擊穿電壓、大功率肖特基二極 管的研究具有廣泛的應(yīng)用前景。目前對于功率型肖特基二極管的研究不僅在于實現(xiàn)低反向 漏電流、高反向擊穿電壓、大電流工作，同時要求具有低的開啟電壓。為了實現(xiàn)上述目的，許多研究小組提出了新穎的器件結(jié)構(gòu)模型。如Furukawa公 司的S. Yoshida等人提出了一種具有導(dǎo)通電壓低、恢復(fù)時間短、反向擊穿電壓高的場效應(yīng) 肖特基二極管(FESBD)。該研究小組對接觸層采用選擇區(qū)域生長的方法實現(xiàn)對Ohmic電 極接觸層部分的η型GaN生長，有利于進一步減小器件導(dǎo)通電阻。同時采用雙重肖特基結(jié) 構(gòu)相結(jié)合的新穎結(jié)構(gòu)，低肖特基勢壘部分選用Ti/Al低功函數(shù)金屬，高肖特基勢壘部分選 用Pt高功函數(shù)金屬，實現(xiàn)了開啟電壓低于0. IV的，反向擊穿電壓高于400V。其工作原理 為當施加正向偏壓時，利用AKiaN/GaN異質(zhì)結(jié)面產(chǎn)生2DEG溝道，電流從低肖特基勢壘電 極流向Ohmic電極，由于采用Ti/Al低功函數(shù)金屬，肖特基勢壘高度很低，因此具有較低的 開啟電壓特性；(2)當施加反向偏壓時，利用高勢壘肖特基電極對AKiaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)的場 效應(yīng)作用，對溝道進行有效的關(guān)斷。參見文獻S. Yoshida, et al. , "AlGaN/GaN field effect Schottky barrier diode (FESBD) 〃， phys. stat. sol. (c), vol. 2, no. 7, pp.2602-2606, 2005。
基于采用復(fù)合電極的相同思想，Sharp公司的Takatani等人提出了一種基于AWaN/GaN異質(zhì)的khottky-Ohmic復(fù)合型電極場效應(yīng)二極管(SOCFED)。 為了實現(xiàn)低導(dǎo)通電壓， 他們采用了氟離子處理陽極電極下方的AKiaN勢壘層的方法。該方法通過對陽極電極下 方AWaN層的氟陰離子注入來實現(xiàn)對該部分AWaN/GaN異質(zhì)結(jié)二維電子氣的完全耗盡，從 而得到接近OV的開啟電壓，以及高于200V的擊穿電壓。參見文獻K. Takatani, et al., "AlGaN/GaN Schottky-ohmic combined anode field effect diode with fluoride-based plasma treatment", ELECTRONICS LETTERS, vol. 44, no.4, 2008。上述介紹的一些異質(zhì)結(jié)構(gòu)場效應(yīng)二極管實現(xiàn)方法都是利用陽極電極對異質(zhì)結(jié)界 面二維電子氣導(dǎo)電溝道的場效應(yīng)特性?，F(xiàn)有的肖特基二極管主要是通過肖特基勢壘來實現(xiàn) 整流特性，若增大肖特基勢壘，則正向?qū)妷涸龃螅聪蚱珘簳r漏電流減小，耐壓增大。正 向?qū)妷号c反向漏電流之間為相互矛盾的關(guān)系。故用傳統(tǒng)方法很難同時實現(xiàn)低導(dǎo)通電 壓、低反向漏電流特性。

發(fā)明內(nèi)容
針對現(xiàn)有技術(shù)的缺點，本發(fā)明的目的是提供一種異質(zhì)結(jié)構(gòu)場效應(yīng)二極管及制造方 法，本發(fā)明實現(xiàn)低正向?qū)妷骸⒌头聪蚵╇娏?、高反向阻斷電壓的特性。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案為一種異質(zhì)結(jié)構(gòu)場效應(yīng)二極管，其包括襯底 及依次設(shè)于襯底上的絕緣高阻半導(dǎo)體與寬禁帶異質(zhì)結(jié)構(gòu)勢壘層，絕緣高阻半導(dǎo)體與寬禁帶 異質(zhì)結(jié)構(gòu)勢壘層構(gòu)成二維電子氣的異質(zhì)結(jié)構(gòu)外延層，寬禁帶異質(zhì)結(jié)構(gòu)勢壘層及絕緣高阻半 導(dǎo)體的頂部通過刻蝕形成一隔離臺面，隔離臺面上形成有絕緣介質(zhì)層，絕緣介質(zhì)層上分別 形成有與寬禁帶異質(zhì)結(jié)構(gòu)勢壘層接觸的陰極電極及陽極電極，其中，陽極電極一部分位于 寬禁帶異質(zhì)結(jié)構(gòu)勢壘層上，另一部分位于絕緣介質(zhì)層之上形成具有khottky-MIS雙結(jié)構(gòu) 電極的二極管陽極，且陽極電極為低功函數(shù)金屬制得。該陽極電極為以下金屬中的一種或多種的組合鈦、鋁、鎂、銀、鉛、銦、鈀、鉭、鋯、 鈷。該二維電子氣的異質(zhì)結(jié)構(gòu)外延層材料為以下中的一種AWaAS/GaAS、InAlGaAs/ GaAS,InP/InGaAs 、InP/GaAs、InAlAs/InGaAs 、AlGaN/GaN、InAlN/GaN,InAlGaN/GaNo絕緣介質(zhì)層至少具有一層高介電常數(shù)的絕緣材料，是由以下一層或者多層不同絕 緣材料的組合Si02、Al203、AlN、Si3N4、SiNx、Si0xNy、Mg0、ai0、fei0、Hf02、TiA 或其多元組合。該絕緣介質(zhì)層采用兩層絕緣介質(zhì)材料結(jié)構(gòu)，其中接近寬禁帶異質(zhì)結(jié)構(gòu)勢壘層的一 層的介電常數(shù)較遠離寬禁帶異質(zhì)結(jié)構(gòu)勢壘層的一層的介電常數(shù)高。該絕緣介質(zhì)層的厚度介于1納米至2微米之間，絕緣介質(zhì)層厚度可以是均勻的或 不均勻的。該陽極電極位于絕緣介質(zhì)層上的MIS結(jié)構(gòu)部分的長度在0. 01-100微米之間。該襯底材料是藍寶石、硅、碳化硅、砷化鎵、氮化鎵或砷化鎵；該陰極電極為以下金 屬中的一種或多種的組合鈦、鋁、鎳、金、鉬、銥、鉬、鉭、鈮、鈷、鋯、鎢。同時，本發(fā)明還提供了一種異質(zhì)結(jié)構(gòu)場效應(yīng)二極管的制造方法，其包括以下步 驟
A、依次形成襯底、絕緣高阻半導(dǎo)體、寬禁帶異質(zhì)結(jié)構(gòu)勢壘層；
B、通過光刻方法在寬禁帶異質(zhì)結(jié)構(gòu)勢壘層上形成有源區(qū)圖形后，用刻蝕方法刻蝕至絕緣高阻半導(dǎo)體上部，形成一隔離臺面，實現(xiàn)有源區(qū)電隔離；
C、在所述隔離臺面上淀積一層或多層絕緣介質(zhì)層；
D、在隔離臺面上通過光刻的方法，先光刻出電極圖形，然后通過干法或濕法腐蝕的方 法，腐蝕絕緣介質(zhì)層形成電極蒸鍍的窗口，以便下一步蒸鍍金屬形成電極；
E、用電子束蒸發(fā)的方法制備多層金屬形成陰極電極；
F、再次用光刻方法光刻出陽極圖形，用電子束蒸發(fā)的方法蒸鍍陽極電極，其中一部分 金屬蒸鍍在寬禁帶異質(zhì)結(jié)構(gòu)勢壘層上，一部分在絕緣介質(zhì)層之上，形成具有khottky-MIS 雙結(jié)構(gòu)電極的二極管陽極。步驟E中，將陰極電極蒸鍍后樣片取出完成金屬剝離，最后通過高溫、保護氣環(huán)境 下快速熱退火形成歐姆合金；退火溫度在500-900°C之間，退火時間在10-120秒之間。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果在于
本發(fā)明中的異質(zhì)結(jié)構(gòu)場效應(yīng)二極管由于陽極電極選擇低功函數(shù)的金屬，與半導(dǎo)體形成 低勢壘肖特基接觸。當器件處于正偏狀態(tài)時，電流由低勢壘金屬經(jīng)由異質(zhì)結(jié)二維電子氣溝 道流向陰極。由于勢壘較低，故其正向開啟電壓很小，導(dǎo)通電阻低。當器件處于反向偏壓狀 態(tài)時，反向電壓較低時由陽極肖特基勢壘實現(xiàn)器件關(guān)斷特性；當反向偏壓較大時，利用陽極 MIS結(jié)構(gòu)對異質(zhì)結(jié)2DEG溝道進行場效應(yīng)控制，耗盡溝道中的2DEG，從而使溝道截止，實現(xiàn)高 反向偏壓下的低漏極電流。本發(fā)明中的具有二維電子氣異質(zhì)結(jié)構(gòu)場效應(yīng)二極管其另外一個 特征還在于其延伸于介質(zhì)層上方的陽極電極同時具有場板功能。當引入場板后，電極邊緣的電場線集中分布得到緩解，減小了電極邊緣的電場極 值，從而有效提高了器件的反向擊穿電壓。本發(fā)明正是利用延伸于介質(zhì)層上方的電極形成 場板功能，調(diào)制AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)2DEG溝道電場分布，調(diào)節(jié)高電壓下電場分布，提高肖特基 二極管的反向阻斷電壓。


圖1為本發(fā)明異質(zhì)結(jié)構(gòu)場效應(yīng)二極管實施例1的示意圖； 圖2為本發(fā)明異質(zhì)結(jié)構(gòu)場效應(yīng)二極管實施例2的示意圖3 (a) (f)為本發(fā)明異質(zhì)結(jié)構(gòu)場效應(yīng)二極管的制造過程的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式以下結(jié)合實施例及附圖對本發(fā)明進行詳細的描述。實施例1
圖1為本發(fā)明第一個實施例MGaN/GaN異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)二極管的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，其中襯底1可以是藍寶石Sapphire、硅Si、碳化硅SiC、氮化鎵GaN、 砷化鎵GaAs襯底等。位于襯底1之上為高阻GaN層2，高阻GaN層2可以是摻雜或者非摻 雜的一層或多層的組合，厚度在200納米至10微米之間。位于高阻GaN層2之上為AWaN 勢壘層3，厚度在2-50納米之間。AWaN勢壘層3與高阻GaN層2之間形成2DEG溝道，濃 度在 IOici-IO1Vcm2 之間。位于AWaN勢壘層3上的絕緣介質(zhì)層6，絕緣介質(zhì)層6至少具有一層高介電常數(shù) 的絕緣材料，厚度介于1納米至2微米之間。本實施例中，絕緣介質(zhì)層6采用Al2O3，厚度為5-20納米。位于AlGaN勢壘層3的陰極電極4，在本實施例中陰極電極4采用Ti/Al/Ni/Au或 Ti/Al/Mo/Au或Ti/Al/Pt/Au或Ti/Al/Ti/Au。最后通過高溫、保護氣環(huán)境下快速熱退火形 成歐姆合金。退火溫度在700-900°C之間，退火時間在10-120秒之間。位于AlGaN勢壘層3與絕緣介質(zhì)層6之上的陽極電極5，陽極金屬選用低功函數(shù) 金屬，如Ti/Ni/Au或Ti/Mo/Au或Ti/Pt/Au。所述的陽極電極5 —部分在AlGaN勢壘層3 上，一部分在絕緣介質(zhì)層6上形成khottky-MIS雙結(jié)構(gòu)電極。實施例2
圖2為本發(fā)明第二個實例AWaN/GaN異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)二極管的結(jié)構(gòu)示意圖。本實施例中的結(jié)構(gòu)和實施例1基本相同，不同之處在于采用兩層絕緣介質(zhì)層6結(jié) 構(gòu)，其中6-1層為低介電常數(shù)材料，6-2層為采用較高介電常數(shù)材料。絕緣介質(zhì)層第一層采用低介電常數(shù)介質(zhì)層6-1，本實施例中為SiO2,厚度在2-10 納米之間，目的是優(yōu)化和提高絕緣介質(zhì)層生長界面質(zhì)量；第二層采用高介電常數(shù)介質(zhì)層
6-2，本實施例中選用Al2O3，厚度為5-20納米。選用高介電常數(shù)介質(zhì)層6-2目的是保證減 小陽極反向漏電流的同時，盡可能減薄介質(zhì)層厚度從而提高陽極對2DEG溝道的控制能力。實施例3
本發(fā)明還提供了一種異質(zhì)結(jié)構(gòu)場效應(yīng)二極管的制造方法，其包括以下步驟 A、如圖3 (a)所示，依次為襯底1、絕緣高阻半導(dǎo)體2、寬禁帶異質(zhì)結(jié)構(gòu)勢壘層3。B、如圖3 (b)所示，通過光刻方法形成有源區(qū)圖形后，用刻蝕方法形成隔離臺面， 實現(xiàn)有源區(qū)電隔離。C、如圖3 (C)所示，在所述隔離臺面上淀積一層或多層絕緣介質(zhì)層6，層數(shù)和各層 厚度可以根據(jù)需要做適應(yīng)的調(diào)整；
D、如圖3(d)所示，在臺面上通過光刻的方法，先光刻出電極圖形，然后通過干法或濕 法腐蝕的方法，腐蝕絕緣介質(zhì)層6形成電極蒸鍍的窗口，以便下一步蒸鍍金屬形成電極；
E、如圖3(e)所示，用電子束蒸發(fā)的方法制備多層金屬形成陰極電極4，陰極電極4可 以為以下金屬的組合鈦(Ti)、鋁(Al)、鎳(Ni)、金(Au)、鉬(Pt)、銥(Ir)、鉬(Mo)、鉭(Ta)、 鈮(Nb)、鈷(Co)、鋯(Zr)、鎢(W)等中的一種或多種合金。將金屬蒸鍍后樣片取出完成金屬 剝離，最后通過高溫、保護氣環(huán)境下快速熱退火形成歐姆合金。退火溫度在500-90(TC之間， 退火時間在10-120秒之間；
F、如圖3(f)所示，再次用光刻方法光刻出陽極圖形，用電子束蒸發(fā)的方法蒸鍍陽極電 極5，其中一部分金屬蒸鍍在寬禁帶異質(zhì)結(jié)構(gòu)勢壘層3上，一部分在絕緣介質(zhì)層6之上，形 成具有khottky-MIS雙結(jié)構(gòu)電極的二極管陽極5。所述陽極電極5采用低功函數(shù)金屬，可 以為以下金屬的的組合如鈦(Ti)、鋁(Al)、鎂(Mg)、銀(Ag)、鉛(Pb)、銦(In)、鈀(Ba)、鉭 (Ta)、鋯(Zr)、鈷(Co)等中的一種或多種合金。以上對本發(fā)明所提供的異質(zhì)結(jié)構(gòu)場效應(yīng)二極管及其制作方法進行了詳細介紹，對 于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明實施例的思想，在具體實施方式
及應(yīng)用范圍上均會 有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制。
權(quán)利要求
1.一種異質(zhì)結(jié)構(gòu)場效應(yīng)二極管，其特征在于，包括襯底(1)及依次設(shè)于襯底(1)上的 絕緣高阻半導(dǎo)體(2)與寬禁帶異質(zhì)結(jié)構(gòu)勢壘層(3)，絕緣高阻半導(dǎo)體(2)與寬禁帶異質(zhì)結(jié)構(gòu) 勢壘層(3)構(gòu)成二維電子氣的異質(zhì)結(jié)構(gòu)外延層，寬禁帶異質(zhì)結(jié)構(gòu)勢壘層(3)及絕緣高阻半 導(dǎo)體(2)的頂部通過刻蝕形成一隔離臺面，隔離臺面上形成有絕緣介質(zhì)層(6)，絕緣介質(zhì)層 (6)上分別形成有與寬禁帶異質(zhì)結(jié)構(gòu)勢壘層(3)接觸的陰極電極(4)及陽極電極(5)，其中， 陽極電極(5)—部分位于寬禁帶異質(zhì)結(jié)構(gòu)勢壘層(3)上，另一部分位于絕緣介質(zhì)層(6)之上 形成具有khottky-MIS雙結(jié)構(gòu)電極的二極管陽極，且陽極電極(5)為低功函數(shù)金屬制得。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)構(gòu)場效應(yīng)二極管，其特征在于，該陽極電極(5)為以下 金屬中的一種或多種的組合鈦、鋁、鎂、銀、鉛、銦、鈀、鉭、鋯、鈷。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)構(gòu)場效應(yīng)二極管，其特征在于，該二維電子氣的異質(zhì) 結(jié)構(gòu)外延層材料為以下中的一種AlGaAs/GaAs、InAlGaAs/GaAS、InP/InGaAs、InP/GaAs、 InAlAs/InGaAs , AlGaN/GaN,InAlN/GaN,InAlGaN/GaNo
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)構(gòu)場效應(yīng)二極管，其特征在于，絕緣介質(zhì)層(6)至少具 有一層高介電常數(shù)的絕緣材料，是由以下一層或者多層不同絕緣材料的組合Si02、A1203、 A1N、Si3N4, SiNx、SiOxNy、MgO, ZnO, GaO, HfO2, TiO2 或其多元組合。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)構(gòu)場效應(yīng)二極管，其特征在于，該絕緣介質(zhì)層(6)采用 兩層絕緣介質(zhì)材料結(jié)構(gòu)，其中接近寬禁帶異質(zhì)結(jié)構(gòu)勢壘層(3)的一層的介電常數(shù)較遠離寬 禁帶異質(zhì)結(jié)構(gòu)勢壘層(3)的一層的介電常數(shù)高。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)構(gòu)場效應(yīng)二極管，其特征在于，該絕緣介質(zhì)層(6)的厚 度介于1納米至2微米之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)構(gòu)場效應(yīng)二極管，其特征在于，該陽極電極(5)位于絕 緣介質(zhì)層上的MIS結(jié)構(gòu)部分的長度在0. 01-100微米之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7任一項所述的異質(zhì)結(jié)構(gòu)場效應(yīng)二極管，其特征在于，該襯底(1) 材料是藍寶石、硅、碳化硅、砷化鎵、氮化鎵或砷化鎵；該陰極電極(4)為以下金屬中的一種 或多種的組合鈦、鋁、鎳、金、鉬、銥、鉬、鉭、鈮、鈷、鋯、鎢。
9.一種異質(zhì)結(jié)構(gòu)場效應(yīng)二極管的制造方法，其特征在于，包括以下步驟A、依次形成襯底(1)、絕緣高阻半導(dǎo)體(2)、寬禁帶異質(zhì)結(jié)構(gòu)勢壘層(3);B、通過光刻方法在寬禁帶異質(zhì)結(jié)構(gòu)勢壘層(3)上形成有源區(qū)圖形后，用刻蝕方法刻蝕 至絕緣高阻半導(dǎo)體(2)上部，形成一隔離臺面，實現(xiàn)有源區(qū)電隔離；C、在所述隔離臺面上淀積一層或多層絕緣介質(zhì)層(6)；D、在隔離臺面上通過光刻的方法，先光刻出電極圖形，然后通過干法或濕法腐蝕的方 法，腐蝕絕緣介質(zhì)層(6)形成電極蒸鍍的窗口，以便下一步蒸鍍金屬形成電極；E、用電子束蒸發(fā)的方法制備多層金屬形成陰極電極(4)；F、再次用光刻方法光刻出陽極圖形，用電子束蒸發(fā)的方法蒸鍍陽極電極(5)，其中一 部分金屬蒸鍍在寬禁帶異質(zhì)結(jié)構(gòu)勢壘層(3)上，一部分在絕緣介質(zhì)層(6)之上，形成具有 khottky-MIS雙結(jié)構(gòu)電極的二極管陽極(5)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的異質(zhì)結(jié)構(gòu)場效應(yīng)二極管的制造方法，其特征在于，步驟E中， 將陰極電極(4)蒸鍍后樣片取出完成金屬剝離，最后通過高溫、保護氣環(huán)境下快速熱退火形 成歐姆合金；退火溫度在500-900°C之間，退火時間在10-120秒之間。
全文摘要
本發(fā)明公開一種異質(zhì)結(jié)構(gòu)場效應(yīng)二極管及制造方法，該結(jié)構(gòu)包括襯底及依次設(shè)于襯底上的絕緣高阻半導(dǎo)體與寬禁帶異質(zhì)結(jié)構(gòu)勢壘層，絕緣高阻半導(dǎo)體與寬禁帶異質(zhì)結(jié)構(gòu)勢壘層構(gòu)成二維電子氣的異質(zhì)結(jié)構(gòu)外延層，寬禁帶異質(zhì)結(jié)構(gòu)勢壘層及絕緣高阻半導(dǎo)體的頂部通過刻蝕形成一隔離臺面，隔離臺面上形成有絕緣介質(zhì)層，絕緣介質(zhì)層上分別形成有與寬禁帶異質(zhì)結(jié)構(gòu)勢壘層接觸的陰極電極及陽極電極，其中，陽極電極一部分位于寬禁帶異質(zhì)結(jié)構(gòu)勢壘層上，另一部分位于絕緣介質(zhì)層之上形成具有Schottky-MIS雙結(jié)構(gòu)電極的二極管陽極，且陽極電極為低功函數(shù)金屬制得。本發(fā)明實現(xiàn)低正向?qū)妷?、低反向漏電流、高反向阻斷電壓的特性。特別適用于功率型GaN基異質(zhì)結(jié)構(gòu)場效應(yīng)二極管的制作。
文檔編號H01L29/40GK102097492SQ20101060408
公開日2011年6月15日 申請日期2010年12月24日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月24日
發(fā)明者劉揚, 姚堯, 鄧慶煜 申請人:中山大學(xué)