專利名稱：Tft-lcd的陣列基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示器領(lǐng)域，尤其涉及薄膜晶體管液晶顯示器(Thin FilmTransistor-Liquid Crystal Display，簡(jiǎn)稱 TFT-LCD)陣列基板及其制造方法。
背景技術(shù)：
在TN、IPS、VA和平面電場(chǎng)等模式的液晶顯示器中，平面電場(chǎng)模式具有廣視角、低色差、穿透率高等優(yōu)點(diǎn)，越來(lái)越多地被各大面板廠商所采用。但平面電場(chǎng)模式薄膜晶體管液晶顯示器在陣列工藝段的工藝順序不同于其他幾種模式的液晶顯示器。如圖1和圖2所示的陣列基板結(jié)構(gòu)，柵線1和數(shù)據(jù)線2交叉定義一個(gè)像素單元，在制作過(guò)程中，第一層為第一像素電極層(通常為ΙΤ0，或稱1IT0)包括第一像素電極8，如圖2所示；其后為包括柵線1和柵電極，以及公共電極的圖形；第一層絕緣層； 源漏金屬電極層(包括薄膜晶體管的漏極4和源極幻、數(shù)據(jù)線2 ；第二層絕緣層，并刻蝕出漏極接觸孔5 ；第二像素電極層(稱為2IT0)，包括第二像素電極6和第二像素電極層開(kāi)口 7。圖2所示的平面電場(chǎng)模式TFT-IXD陣列基板中，由于兩層ITO正對(duì)，即2IT0與IITO重疊正對(duì)，因此存儲(chǔ)電容非常大，造成了像素充電速度慢的結(jié)果，在對(duì)應(yīng)大尺寸高解析度產(chǎn)品和倍頻驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品的時(shí)候，該問(wèn)題尤其明顯。針對(duì)上述問(wèn)題，現(xiàn)有技術(shù)提出了一種陣列基板，如圖3所示，該陣列基板要求第一像素電極層也制作有開(kāi)口，該開(kāi)口為第一像素電極層開(kāi)口 9，第二像素電極層的開(kāi)口為第二像素電極層開(kāi)口 7，第一像素電極層的像素電極為第一像素電極8、第二像素電極層的像素電極為第二像素電極6，第一像素電極8與第二像素電極6交錯(cuò)排列，使得第一像素電極層和第二像素電極層沒(méi)有電極重疊。這種陣列基板可以大幅度降低存儲(chǔ)電容。但由于第一像素電極層為透明層，因此該層和后續(xù)幾層的對(duì)位比較困難，對(duì)位精度比較差，通常對(duì)位精度在3μπι以上。如果因?qū)ξ徽`差造成兩層像素電極之間的重疊，那么存儲(chǔ)電容會(huì)有很大的變化，影響像素的充電特性偏移，造成面板的顯示畫面缺陷。因此在實(shí)際制作過(guò)程中，為避免因?qū)ξ徽`差造成的兩層像素電極的重疊，第二像素電極層的開(kāi)口要足夠?qū)?，通常要?0 μ m 以上。這種陣列基板設(shè)計(jì)的結(jié)果是像素透過(guò)率大幅降低?，F(xiàn)有技術(shù)還提出了另一種陣列基板，如圖4所示，該陣列基板要求第一像素電極層也制作有開(kāi)口，該開(kāi)口為第一像素電極層開(kāi)口 9，第二像素電極層的開(kāi)口為第二像素電極層開(kāi)口 7，第一像素電極層的像素電極為第一像素電極8、第二像素電極層的像素電極為第二像素電極6，第一像素電極8與第二像素電極6交錯(cuò)排列，使得第一像素電極層和第二像素電極層僅有部分電極重疊，這種結(jié)構(gòu)也可大幅度降低存儲(chǔ)電容。該陣列基板的第一像素電極層的開(kāi)口寬度小于第二像素電極層的電極寬度。通常的平面電場(chǎng)模式TFT-LCD陣列基板設(shè)計(jì)中，第二像素電極層的電極寬度僅有3 4 μ m，因此第一像素電極層的開(kāi)口寬度更小，僅有2 3μπι，現(xiàn)有工藝條件實(shí)現(xiàn)該開(kāi)口寬度非常困難，同樣這種陣列基板設(shè)計(jì)也存在對(duì)位精度較差會(huì)影響存儲(chǔ)電容變化的問(wèn)題，因此工藝可實(shí)現(xiàn)性較差。如果為避免對(duì)位誤差影響存儲(chǔ)電容變化，第二像素電極層的電極寬度要大大加寬，會(huì)造成像素透過(guò)率大幅降低。
發(fā)明人在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的技術(shù)方案時(shí)發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有技術(shù)提供的平面電場(chǎng)模式的 TFT-LCD的陣列基板，皆存在要求較高的對(duì)位精度時(shí)，工藝實(shí)現(xiàn)性差和像素透過(guò)率低的缺陷。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于提供一種TFT-LCD陣列基板及其制造方法，能夠在對(duì)位精度不高時(shí)，保持通過(guò)率的前提下，減小TFT-LCD像素的存儲(chǔ)電容，且工藝實(shí)現(xiàn)性較好。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明TFT-LCD陣列基板及其制造方法采用如下技術(shù)方案一種TFT-IXD陣列基板，包括基板，形成在基板上的柵線和數(shù)據(jù)線；柵線和數(shù)據(jù)線交叉定義一個(gè)像素單元，每一個(gè)像素單元包括薄膜晶體管、公共電極、第一像素電極層和第二像素電極層；所述第一像素電極層與所述第二像素電極層通過(guò)絕緣層隔開(kāi)；所述第一像素電極層與公共電極連接，包括被第一像素電極層開(kāi)口間隔開(kāi)的數(shù)個(gè)第一像素電極；所述第二像素電極層與所述薄膜晶體管的漏極連接，包括被第二像素電極層開(kāi)口間隔開(kāi)的數(shù)個(gè)第二像素電極；所述第一像素電極與所述第二像素電極交錯(cuò)排列；所述第二像素電極包括完全重疊于第一像素電極的重疊處像素電極和其邊緣完全落入第一像素電極層開(kāi)口內(nèi)的開(kāi)口處像素電極；所述重疊處像素電極與所述開(kāi)口處像素電極間隔分布。所述兩個(gè)相鄰的開(kāi)口處像素電極之間至少有一個(gè)重疊處像素電極。所述第一像素電極層的第一像素電極的寬度a、第一像素電極層開(kāi)口寬度b與第二像素電極層的第二像素電極的寬度C、第二像素電極層開(kāi)口寬度d之間的關(guān)系為 c+n (c+d) < a < c+2d+n (c+d)，c < b < c+2d, a+b = 2c+2d+n (c+d),其中，η 為大于等于零的整數(shù)。所述兩個(gè)相鄰的開(kāi)口處像素電極之間有一個(gè)重疊處像素電極，則第一像素電極層的第一像素電極的寬度a、第一像素電極層開(kāi)口寬度b與第二像素電極層的第二像素電極的寬度C、第二像素電極層開(kāi)口寬度d之間的關(guān)系為c < a < c+2d, c < b < c+2d, a+b = 2c+2cL所述第一像素電極層的第一像素電極的寬度a、第一像素電極層開(kāi)口寬度b與第二像素電極層的第二像素電極的寬度C、第二像素電極層開(kāi)口寬度d之間的關(guān)系為a = b =c+d。一種TFT-IXD陣列基板的制造方法，包括沉積第一像素電極層薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括第一像素電極層的圖形，所述第一像素電極層的圖形包括被第一像素電極層開(kāi)口間隔開(kāi)的數(shù)個(gè)第一像素電極，所述第一像素電極層的圖形與公共電極連接；沉積第二像素電極層薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括第二像素電極層的圖形，所述第二像素電極的圖形通過(guò)漏極連接孔與薄膜晶體管的漏極連接，包括被第二像素電極層開(kāi)口間隔開(kāi)的數(shù)個(gè)第二像素電極；其中，所述第一像素電極與所述第二像素電極交錯(cuò)排列；所述第二像素電極包括完全重疊于第一像素電極的重疊處像素電極和其邊緣完全落入第一像素電極層開(kāi)口內(nèi)的開(kāi)口處像素電極；所述重疊處像素電極與所述開(kāi)口處像素電極間隔分布。所述兩個(gè)相鄰的開(kāi)口處像素電極之間至少有一個(gè)重疊處像素電極。所述第一像素電極層的第一像素電極的寬度a、第一像素電極層開(kāi)口寬度b與第二像素電極層的第二像素電極的寬度C、第二像素電極層開(kāi)口寬度d之間的關(guān)系為 c+n (c+d) < a < c+2d+n (c+d)，c < b < c+2d, a+b = 2c+2d+n (c+d),其中，η 為大于等于零的整數(shù)。所述兩個(gè)相鄰的開(kāi)口處像素電極之間有一個(gè)重疊處像素電極，則第一像素電極層的第一像素電極的寬度a、第一像素電極層開(kāi)口寬度b與第二像素電極層的第二像素電極的寬度C、第二像素電極層開(kāi)口寬度d之間的關(guān)系為c < a < c+2d, c <b < c+2d, a+b = 2c+2cL所述第一像素電極層的第一像素電極的寬度a、第一像素電極層開(kāi)口寬度b與第二像素電極層的第二像素電極的寬度C、第二像素電極層開(kāi)口寬度d之間的關(guān)系為a = b =c+d。在本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案中，使得第一像素電極與所述第二像素電極交錯(cuò)排列，并且所述第二像素電極包括重疊處像素電極和開(kāi)口處像素電極，重疊處像素電極完全重疊于第一像素電極，而開(kāi)口處像素電極的邊緣完全落入第一像素電極層開(kāi)口內(nèi)，并且該重疊處像素電極與開(kāi)口處像素電極間隔分布，從而優(yōu)化了第一像素電極層和第二像素電極層的像素電極的排列方式；而且第一像素電極層和第二像素電極層對(duì)位精度要求降低，工藝可實(shí)現(xiàn)性好；同時(shí)，由于不需改變第二像素電極層的電極寬度和開(kāi)口寬度，像素的透過(guò)率沒(méi)有損失，更易對(duì)應(yīng)大尺寸高解析度產(chǎn)品和倍頻驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品。


為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為現(xiàn)有技術(shù)平面電場(chǎng)模式TFT-IXD的陣列基板的像素結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為圖1中A-A，向的剖面示意圖之一；圖3為圖1中A-A，向的剖面示意圖之二 ；圖4為圖1中A-A，向的剖面示意圖之三；圖5為本發(fā)明實(shí)施例TFT-IXD的陣列基板的像素結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為圖5中B-B，向的剖面示意圖之一；圖7為圖5中B-B，向的剖面示意圖之二 ；圖8為本發(fā)明實(shí)施例TFT-IXD的陣列基板的制造方法的流程圖。附圖標(biāo)記說(shuō)明I-柵線；2-數(shù)據(jù)線；3-源極；4-漏極；5-漏極接觸孔；6-第二像素電極；7-第二像素電極層開(kāi)口；8-第一像素電極；
9-第一像素電極層開(kāi)口；10-絕緣層；61-重疊處像素電極； 62-開(kāi)口處像素電極。
具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。本發(fā)明實(shí)施例提供一種TFT-LCD的陣列基板及其制造方法，能夠在對(duì)位精度不高時(shí)，保持通過(guò)率的前提下，減小TFT-IXD像素的存儲(chǔ)電容，且工藝實(shí)現(xiàn)性較好。實(shí)施例一本發(fā)明實(shí)施例提供一種TFT-IXD的陣列基板，如圖5和圖6所示，該陣列基板包括基板，形成在基板上的柵線1和數(shù)據(jù)線2 ；柵線1和數(shù)據(jù)線2交叉定義一個(gè)像素單元，每一個(gè)像素單元包括薄膜晶體管、公共電極、第一像素電極層和第二像素電極層；所述第一像素電極層與所述第二像素電極層通過(guò)絕緣層10隔開(kāi)；所述第一像素電極層與公共電極連接，包括被第一像素電極層開(kāi)口 9間隔開(kāi)的數(shù)個(gè)第一像素電極8 ；所述第二像素電極層通過(guò)漏極接觸孔5與所述薄膜晶體管的漏極4連接，包括被第二像素電極層開(kāi)口 7間隔開(kāi)的數(shù)個(gè)第二像素電極6 ；所述第一像素電極8與所述第二像素電極6交錯(cuò)排列；所述第二像素電極6包括完全重疊于第一像素電極8的重疊處像素電極61和其邊緣完全落入第一像素電極層開(kāi)口 9內(nèi)的開(kāi)口處像素電極62 ；所述重疊處像素電極61與所述開(kāi)口處像素電極62間隔分布。在本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案中，使得第一像素電極與所述第二像素電極交錯(cuò)排列，并且所述第二像素電極包括重疊處像素電極和開(kāi)口處像素電極，重疊處像素電極完全重疊于第一像素電極，而開(kāi)口處像素電極的邊緣完全落入第一像素電極層開(kāi)口內(nèi)，并且該重疊處像素電極與開(kāi)口處像素電極間隔分布，從而優(yōu)化了第一像素電極層和第二像素電極層的像素電極的排列方式；而且第一像素電極層和第二像素電極層對(duì)位精度要求降低，工藝可實(shí)現(xiàn)性好；同時(shí)，由于不需改變第二像素電極層的電極寬度和開(kāi)口寬度，像素的透過(guò)率沒(méi)有損失，更易對(duì)應(yīng)大尺寸高解析度產(chǎn)品和倍頻驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品。進(jìn)一步地，所述兩個(gè)相鄰的開(kāi)口處像素電極之間至少有一個(gè)重疊處像素電極。以下以具體的實(shí)施方式來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案。實(shí)施例一如圖6所示，為第二像素電極層的兩個(gè)相鄰的開(kāi)口處像素電極之間有一個(gè)重疊處像素電極的情況。第一像素電極層上形成第一像素電極8，其具備寬度a，第一像素電極層上形成開(kāi)口部，為第一像素電極層開(kāi)口 9，其具備寬度b。第二像素電極層形成第二像素電極6，其具備寬度c，第二像素電極層上形成開(kāi)口部，為第二像素電極層開(kāi)口 7，其具備寬度d。使得第二像素電極層的一條第一像素電極8的兩個(gè)邊緣完全落在第一像素電極層的一條開(kāi)口之內(nèi)。則第一像素電極層的第一像素電極的寬度a、第一像素電極層開(kāi)口寬度b 與第二像素電極層的第二像素電極的寬度c、第二像素電極層開(kāi)口寬度d之間的關(guān)系為c < a < c+2d,c < b < c+2d,a+b = 2c+2d。設(shè)置第一像素電極的寬度a和第一像素電極層開(kāi)口寬度b都大于第二像素電極的寬度c，并且小于兩個(gè)第二像素電極層開(kāi)口寬度d與第一像素電極的寬度a的和，這樣，開(kāi)口處像素電極62與與其對(duì)應(yīng)位置的第一像素電極層開(kāi)口 9 的邊緣存在一定的距離，在對(duì)位存在偏差時(shí)，開(kāi)口處像素電極62仍然能夠位于第一像素電極層開(kāi)口 9區(qū)域內(nèi)，不會(huì)與第一像素電極8發(fā)生重疊，同樣地，重疊處像素電極61與與其重疊的第一像素電極8的邊緣存在一定的距離，在對(duì)位存在偏差時(shí)，重疊處像素電極61也能夠保持完全重疊于第一像素電極8位置，而不會(huì)偏移到第一像素電極層開(kāi)口 9處，從而避免了在存在對(duì)位偏差時(shí)，由于上下兩層像素電極的重疊變化帶來(lái)的存儲(chǔ)電容的大幅度變化。優(yōu)選地，在本實(shí)施例中，可以使第一像素電極與第一像素電極層開(kāi)口寬度相等，則所述第一像素電極層的第一像素電極的寬度a、第一像素電極層開(kāi)口寬度b與第二像素電極層的第二像素電極的寬度C、第二像素電極層開(kāi)口寬度d之間的關(guān)系可以為a = b = c+d。此種情況下，與圖2所示的結(jié)構(gòu)相比較，像素存儲(chǔ)電容可減小一半左右。在本實(shí)施例中，優(yōu)選第二像素電極的寬度c取值在2um 4um范圍內(nèi)，第二像素電極層開(kāi)口寬度d取值在3um 6um范圍內(nèi)。在本實(shí)施例的技術(shù)方案中，在存儲(chǔ)電容方面，可以顯而易見(jiàn)的看到，相對(duì)于圖2所示的現(xiàn)有技術(shù)，由于兩層像素電極層的正對(duì)重疊面積減小了一半，所以存儲(chǔ)電容可減小一半左右；在圖形對(duì)位要求方面，相對(duì)于圖4所示的現(xiàn)有技術(shù)，對(duì)位精度要求降低，從圖4所示的圖形來(lái)看，第一像素電極層開(kāi)口 9必須完全落在第二像素電極6的寬幅之內(nèi)。眾所周知， 一般來(lái)說(shuō)廣泛應(yīng)用的第二像素電極6的寬幅僅有3 4 μ m，因此，第一像素電極層開(kāi)口 9的寬幅小于或等于這個(gè)數(shù)值，假如二者相等，那么兩層像素電極層的圖形對(duì)位偏移會(huì)引起存儲(chǔ)電容的大幅變化；假如第一像素電極層開(kāi)口 9的寬幅小于第二像素電極6的寬幅，首先工藝上很難實(shí)現(xiàn)這么小的電極開(kāi)口尺寸，其次可容許的對(duì)位偏差也很小，最多也僅有1 μ m左右。這在陣列工藝上同樣也是很難實(shí)現(xiàn)的。本實(shí)施方案中，如圖6所示，第一像素電極層開(kāi)口 9的寬度b的值在9 μ m左右，工藝上很容易實(shí)現(xiàn)；在對(duì)位方面，只要第二像素電極6完全落在第一像素電極8的范圍內(nèi)就不會(huì)引起存儲(chǔ)電容變化，因此可容許對(duì)位偏差可達(dá)3 μ m左右，陣列工藝很容易實(shí)現(xiàn)；在穿透率方面，本實(shí)施方案與圖2和圖4所示的現(xiàn)有技術(shù)的穿透率表現(xiàn)持平，而圖3所示的現(xiàn)有技術(shù)穿透率表現(xiàn)較差，比以上幾個(gè)方案有約10%的穿透率降低。實(shí)施例二如圖7所示，為第二像素電極層的兩個(gè)相鄰的開(kāi)口處像素電極62之間有兩個(gè)重疊處像素電極61的情況。第一像素電極層上形成第一像素電極8，其具備寬度a，第一像素電極層上形成開(kāi)口部，為第一像素電極層開(kāi)口 9，其具備寬度b。第二像素電極層形成第二像素電極6，其具備寬度c，第二像素電極層上形成開(kāi)口部，為第二像素電極層開(kāi)口 7，其具備寬度d。使得第二像素電極層的一條第一像素電極8的兩個(gè)邊緣完全落在第一像素電極層的一條開(kāi)口之內(nèi)。則第一像素電極層的第一像素電極的寬度a、第一像素電極層開(kāi)口寬度b 與第二像素電極層的第二像素電極的寬度c、第二像素電極層開(kāi)口寬度d之間的關(guān)系為a =2c+2d并且b = c+d。此種情況下，像素存儲(chǔ)電容可減小三分之一左右。對(duì)于本實(shí)施例的方案，在存儲(chǔ)電容方面表現(xiàn)不如優(yōu)選實(shí)施方案一，存儲(chǔ)電容只減小三分之一左右，但圖形對(duì)位方面和穿透率表現(xiàn)方面與實(shí)施例一相同。同理，可以得出，所述兩個(gè)相鄰的開(kāi)口處像素電極之間可以設(shè)置一個(gè)至多個(gè)重疊處像素電極。只要第一像素電極層的第一像素電極的寬度a、第一像素電極層開(kāi)口寬度b與第二像素電極層的第二像素電極的寬度C、第二像素電極層開(kāi)口寬度d之間的關(guān)系滿足關(guān)系式:c+n (c+d) < a < c+2d+n (c+d)，c < b < c+2d, a+b = 2c+2d+n (c+d)，其中，η 為大于等于零的整數(shù)。則都可以實(shí)現(xiàn)兼顧減小存儲(chǔ)電容、圖形對(duì)位和穿透率方面的要求。實(shí)施例三本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種制備上述實(shí)施例所述的TFT-IXD的陣列基板的制造方法，如圖8所示，該方法包括步驟101、沉積第一像素電極層薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括第一像素電極層的圖形，所述第一像素電極層包括被第一像素電極層開(kāi)口間隔開(kāi)的數(shù)個(gè)第一像素電極，所述第一像素電極層的圖形與公共電極連接；進(jìn)一步地，沉積柵線金屬層薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括柵線和柵電極，以及公共電極的圖形，所述第一像素電極層的圖形與公共電極連接；沉積第一層絕緣層，并沉積源漏金屬層薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括薄膜晶體管和數(shù)據(jù)線的圖形；沉積第二層絕緣層，通過(guò)構(gòu)圖工藝分別在薄膜晶體管的漏極處形成漏極接觸孔，其中漏極接觸孔開(kāi)至漏極。在本實(shí)施例中，可以在基板上先形成柵線和柵電極，以及公共電極的圖形后，再形成第一像素電極層的圖形。需要說(shuō)明的是，形成上述圖形的工藝步驟的次序僅為舉例，本實(shí)施例不加以限制。步驟102、沉積第二像素電極層薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括第二像素電極層的圖形，所述第二像素電極的圖形通過(guò)漏極連接孔與薄膜晶體管的漏極連接，包括被第二像素電極層開(kāi)口間隔開(kāi)的數(shù)個(gè)第二像素電極；其中，所述第一像素電極與所述第二像素電極交錯(cuò)排列；所述第二像素電極包括完全重疊于第一像素電極的重疊處像素電極和其邊緣完全落入第一像素電極層開(kāi)口內(nèi)的開(kāi)口處像素電極；所述重疊處像素電極與所述開(kāi)口處像素電極間隔分布。在本實(shí)施例中，所述構(gòu)圖工藝包括光刻膠涂覆、曝光、顯影、刻蝕、剝離等工序。進(jìn)一步地，所述兩個(gè)相鄰的開(kāi)口處像素電極之間至少有一個(gè)重疊處像素電極。所述第一像素電極層的第一像素電極的寬度a、第一像素電極層開(kāi)口寬度b與第二像素電極層的第二像素電極的寬度C、第二像素電極層開(kāi)口寬度d之間的關(guān)系為 c+n (c+d) < a < c+2d+n (c+d)，c < b < c+2d, a+b = 2c+2d+n (c+d),其中，η 為大于等于零的整數(shù)。所述兩個(gè)相鄰的開(kāi)口處像素電極之間有一個(gè)重疊處像素電極，則第一像素電極層的第一像素電極的寬度a、第一像素電極層開(kāi)口寬度b與第二像素電極層的第二像素電極的寬度C、第二像素電極層開(kāi)口寬度d之間的關(guān)系為c < a < c+2d, c < b < c+2d, a+b = 2c+2cL所述第一像素電極層的第一像素電極的寬度a、第一像素電極層開(kāi)口寬度b與第二像素電極層的第二像素電極的寬度C、第二像素電極層開(kāi)口寬度d之間的關(guān)系為a = b =c+d。在本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案中，使得第一像素電極與所述第二像素電極交錯(cuò)排列，并且所述第二像素電極包括重疊處像素電極和開(kāi)口處像素電極，重疊處像素電極完全重疊于第一像素電極，而開(kāi)口處像素電極的邊緣完全落入第一像素電極層開(kāi)口內(nèi)，并且該重疊處像素電極與開(kāi)口處像素電極間隔分布，從而優(yōu)化了第一像素電極層和第二像素電極層的像素電極的排列方式，并進(jìn)一步優(yōu)化了第一像素電極層的開(kāi)口寬度的像素電極的寬度，使得像素存儲(chǔ)電容大幅降低；而且第一像素電極層和第二像素電極層對(duì)位精度要求降低，工藝可實(shí)現(xiàn)性好；同時(shí)，由于不需改變第二像素電極層的電極寬度和開(kāi)口寬度，像素的透過(guò)率沒(méi)有損失，更易對(duì)應(yīng)大尺寸高解析度產(chǎn)品和倍頻驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品。通過(guò)以上的實(shí)施方式的描述，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可以清楚地了解到本發(fā)明可借助軟件加必需的通用硬件的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)，當(dāng)然也可以通過(guò)硬件，但很多情況下前者是更佳的實(shí)施方式?；谶@樣的理解，本發(fā)明的技術(shù)方案本質(zhì)上或者說(shuō)對(duì)現(xiàn)有技術(shù)做出貢獻(xiàn)的部分可以以軟件產(chǎn)品的形式體現(xiàn)出來(lái)，該計(jì)算機(jī)軟件產(chǎn)品存儲(chǔ)在可讀取的存儲(chǔ)介質(zhì)中，如計(jì)算機(jī)的軟盤，硬盤或光盤等，包括若干指令用以使得一臺(tái)計(jì)算機(jī)設(shè)備(可以是個(gè)人計(jì)算機(jī)， 服務(wù)器，或者網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等)執(zhí)行本發(fā)明各個(gè)實(shí)施例所述的方法。以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種TFT-IXD的陣列基板，其特征在于，包括基板，形成在基板上的柵線和數(shù)據(jù)線；柵線和數(shù)據(jù)線交叉定義一個(gè)像素單元，每一個(gè)像素單元包括薄膜晶體管、公共電極、第一像素電極層和第二像素電極層；所述第一像素電極層與所述第二像素電極層通過(guò)絕緣層隔開(kāi)；所述第一像素電極層與公共電極連接，包括被第一像素電極層開(kāi)口間隔開(kāi)的數(shù)個(gè)第一像素電極；所述第二像素電極層與所述薄膜晶體管的漏極連接，包括被第二像素電極層開(kāi)口間隔開(kāi)的數(shù)個(gè)第二像素電極；所述第一像素電極與所述第二像素電極交錯(cuò)排列；所述第二像素電極包括完全重疊于第一像素電極的重疊處像素電極和其邊緣完全落入第一像素電極層開(kāi)口內(nèi)的開(kāi)口處像素電極；所述重疊處像素電極與所述開(kāi)口處像素電極間隔分布。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述兩個(gè)相鄰的開(kāi)口處像素電極之間至少有一個(gè)重疊處像素電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述第一像素電極層的第一像素電極的寬度a、第一像素電極層開(kāi)口寬度b與第二像素電極層的第二像素電極的寬度C、第二像素電極層開(kāi)口寬度d之間的關(guān)系為c+n(c+d) < a < c+2d+n (c+d)，c < b < c+2d，a+b =2c+2d+n(c+d)，其中，η為大于等于零的整數(shù)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述兩個(gè)相鄰的開(kāi)口處像素電極之間有一個(gè)重疊處像素電極，則第一像素電極層的第一像素電極的寬度a、第一像素電極層開(kāi)口寬度b與第二像素電極層的第二像素電極的寬度C、第二像素電極層開(kāi)口寬度d之間的關(guān)系為:c < a < c+2d, c < b < c+2d, a+b = 2c+2d。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述第一像素電極層的第一像素電極的寬度a、第一像素電極層開(kāi)口寬度b與第二像素電極層的第二像素電極的寬度C、第二像素電極層開(kāi)口寬度d之間的關(guān)系為a = b = c+d。
6.一種TFT-IXD的陣列基板的制造方法，其特征在于，包括沉積第一像素電極層薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括第一像素電極層的圖形，所述第一像素電極層的圖形包括被第一像素電極層開(kāi)口間隔開(kāi)的數(shù)個(gè)第一像素電極，所述第一像素電極層的圖形與公共電極連接；沉積第二像素電極層薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括第二像素電極層的圖形，所述第二像素電極的圖形通過(guò)漏極連接孔與薄膜晶體管的漏極連接，包括被第二像素電極層開(kāi)口間隔開(kāi)的數(shù)個(gè)第二像素電極；其中，所述第一像素電極與所述第二像素電極交錯(cuò)排列；所述第二像素電極包括完全重疊于第一像素電極的重疊處像素電極和其邊緣完全落入第一像素電極層開(kāi)口內(nèi)的開(kāi)口處像素電極；所述重疊處像素電極與所述開(kāi)口處像素電極間隔分布。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述兩個(gè)相鄰的開(kāi)口處像素電極之間至少有一個(gè)重疊處像素電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述第一像素電極層的第一像素電極的寬度a、第一像素電極層開(kāi)口寬度b與第二像素電極層的第二像素電極的寬度C、第二像素電極層開(kāi)口寬度d之間的關(guān)系為c+n (c+d) < a < c+2d+n (c+d)，c < b < c+2d，a+b =2c+2d+n(c+d)，其中，η為大于等于零的整數(shù)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述兩個(gè)相鄰的開(kāi)口處像素電極之間有一個(gè)重疊處像素電極，則第一像素電極層的第一像素電極的寬度a、第一像素電極層開(kāi)口寬度b與第二像素電極層的第二像素電極的寬度C、第二像素電極層開(kāi)口寬度d之間的關(guān)系為:c < a < c+2d, c < b < c+2d, a+b = 2c+2d。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述第一像素電極層的第一像素電極的寬度a、第一像素電極層開(kāi)口寬度b與第二像素電極層的第二像素電極的寬度C、第二像素電極層開(kāi)口寬度d之間的關(guān)系為a = b = c+d。
全文摘要
本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種TFT-LCD的陣列基板及其制造方法，涉及液晶顯示器技術(shù)領(lǐng)域，能夠在對(duì)位精度不高時(shí)，減小存儲(chǔ)電容。該陣列基板包括基板，基板上的柵線和數(shù)據(jù)線；柵線和數(shù)據(jù)線交叉定義一個(gè)像素單元，每一個(gè)像素單元包括薄膜晶體管、公共電極、通過(guò)絕緣層隔開(kāi)的第一像素電極層和第二像素電極層；第一像素電極層與公共電極連接，包括被第一像素電極層開(kāi)口間隔開(kāi)的數(shù)個(gè)第一像素電極；第二像素電極層與薄膜晶體管的漏極連接，包括被第二像素電極層開(kāi)口間隔開(kāi)的數(shù)個(gè)第二像素電極；第二像素電極包括完全重疊于第一像素電極的重疊處像素電極和其邊緣完全落入第一像素電極層開(kāi)口內(nèi)的開(kāi)口處像素電極。
文檔編號(hào)H01L21/77GK102566155SQ201010611650
公開(kāi)日2012年7月11日 申請(qǐng)日期2010年12月28日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月28日
發(fā)明者葉*, 孫榮閣 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 合肥鑫晟光電科技有限公司