專利名稱：一種高出光率led制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種高出光率LED制造方法。
背景技術(shù)：
LED已經(jīng)從應(yīng)用于電子產(chǎn)品的背光源、交通燈、顯示標(biāo)志、景觀照明走向白光等領(lǐng) 域，半導(dǎo)體發(fā)光二極管LED作為新型光源從特殊應(yīng)用市場逐步進(jìn)入普通照明市場，成為現(xiàn) 代光電子器件的重要分支，顯示出巨大的應(yīng)用潛力。在特種照明應(yīng)用中，LED相比現(xiàn)有的照 明光源具有節(jié)約能源、壽命長、體積小、發(fā)光效率高、無污染、色彩豐富等優(yōu)點。一般而言， 金屬與半導(dǎo)體的接觸行為有歐姆接觸和蕭特基接觸。目前，用來制作歐姆接觸電極的金屬 為Ti/Al、Cr/Pt/Au的金屬組合，采用此類金屬組合完成的金屬電極具有較低的特征接觸 阻抗，可獲得優(yōu)異的歐姆接觸特性。但是，采用此類金屬組合完成的金屬電極的熱穩(wěn)定性 不佳，比如Au，這些金屬通常是吸光的，這樣從有源區(qū)側(cè)壁發(fā)出的光將大部分被N型金屬吸 收，從而降低了 LED芯片的發(fā)光效率；再如金屬Al本身的熔點低、易氧化等不穩(wěn)定性，以及 Al與Au之間的互相擴(kuò)散產(chǎn)生Kirderdall效應(yīng)，尤其是在長時間工作條件下，Ti層對保護(hù) 層Au擴(kuò)散的阻擋作用有限，Au的內(nèi)擴(kuò)散都會導(dǎo)致電熱極穩(wěn)定性差。

發(fā)明內(nèi)容
為了克服現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種結(jié)構(gòu)簡單、出光效率 高的高出光率LED制造方法。為達(dá)到以上目的，本發(fā)明提供了一種高出光率LED制造方法，包括如下步驟1)在沉積了 P型區(qū)域的外延片上蝕刻出N型區(qū)域；2)在N型區(qū)域沉積透明電極層；3)使用光刻的方法光刻出透明電極；4)在N型區(qū)域的透明電極上沉積金屬電極。本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)在于，在P型區(qū)域沉積有透明電極。本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)在于，在P型區(qū)域的透明電極上沉積金屬電極。本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)在于，N型區(qū)域透明電極的上表面的高度等于或高于有源區(qū) 的上表面的高度。本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)在于，通過熱蒸發(fā)或電子束方法沉積N型區(qū)域金屬電極。本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)在于，通過熱蒸發(fā)或電子束方法沉積P型區(qū)域金屬電極。本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)在于，步驟1)中蝕刻方法為ICP蝕刻。本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)在于，所述的光刻為干法光刻或濕法光刻。由于采用了以上技術(shù)方案，本發(fā)明有益效果是在沉積透明電極后，保留在N電極 區(qū)域的透明電極，這樣從有源區(qū)側(cè)壁發(fā)出的光不被吸收，從而提高LED芯片的發(fā)光效率。


附圖1為本發(fā)明一種高出光率LED制造方法實施例一中制造的產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)示意圖；附圖2為本發(fā)明一種高出光率LED制造方法實施例二中制造的產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式下面對本發(fā)明的較佳實施例進(jìn)行詳細(xì)闡述，以使本發(fā)明的優(yōu)點和特征能更易于被 本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，從而對本發(fā)明的保護(hù)范圍做出更為清楚明確的界定。以下結(jié)合本發(fā)明的具體實施例說明高出光率LED制造方法。實施例一參見附圖1，本發(fā)明實施例一提供了一種高出光率LED制造方法，包括如下步驟1)在沉積了 P GaN區(qū)域的外延片上使用ICP蝕刻方法蝕刻出N GaN區(qū)域；2)在N GaN區(qū)域和P GaN區(qū)域沉積使用ZnO材料的透明電極層；3) N GaN區(qū)域透明電極層的上表面的高度等于有源區(qū)的上表面的高度時停止透明 電極層的沉積；4)使用濕法光刻方法光刻出透明電極；5)在N GaN區(qū)域和P GaN區(qū)域的透明電極上利用熱蒸發(fā)的方法沉積金屬電極，最 終就形成具有部分透明電極的金屬電極，有源區(qū)側(cè)表面發(fā)出的光經(jīng)過N GaN區(qū)域透明電極 ZnO時不會被吸收，提高了 LED的出光效率。需要特別提及的是，本實施例中P型區(qū)域和N型區(qū)域的材料為GaN，本發(fā)明可以應(yīng) 用于各種不同材質(zhì)的LED，LED的材質(zhì)不限定本發(fā)明的保護(hù)范圍。當(dāng)然本實施例中透明電極的材料為&10，本發(fā)明也不限于僅使用ZnO制造的透明 電極，只要透明電極的材質(zhì)對光線的吸收效率底并且該透明電極的導(dǎo)電性能好，均可以應(yīng) 用于本發(fā)明，透明電極的材料不限定本發(fā)明的保護(hù)范圍。實施例二本發(fā)明實施例二提供了一種高出光率LED制造方法，包括如下步驟1)在沉積了 P GaN區(qū)域的外延片上使用ICP蝕刻方法蝕刻出N GaN區(qū)域；幻在N GaN區(qū)域沉積使用ZnO材料的透明電極層；3) N GaN區(qū)域透明電極的上表面的高度等于有源區(qū)的上表面的高度時停止透明電 極SiO的沉積；4)使用干法光刻光刻出透明電極；5)在N GaN區(qū)域的透明電極上利用電子束的方法沉積金屬電極，在P GaN區(qū)域利 用電子束的方法沉積金屬電極，最終在N GaN區(qū)域形成具有部分透明電極的金屬電極，有源 區(qū)側(cè)表面發(fā)出的光經(jīng)過N GaN區(qū)域透明電極ZnO時不會被吸收，提高了 LED的出光效率。通過上述實施方式，不難看出本發(fā)明是一種結(jié)構(gòu)簡單、出光效率高的高出光率LED 制造方法。以上實施方式只為說明本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思及特點，其目的在于讓熟悉此項技術(shù)的 人了解本發(fā)明的內(nèi)容并加以實施，并不能以此限制本發(fā)明的保護(hù)范圍，凡根據(jù)本發(fā)明精神 實質(zhì)所做的等效變化或修飾均涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種高出光率LED制造方法，其特征在于包括如下步驟1)在沉積了P型區(qū)域的外延片上蝕刻出N型區(qū)域；2)在N型區(qū)域沉積透明電極層；3)使用光刻的方法光刻出透明電極；4)在N型區(qū)域的透明電極上沉積金屬電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高出光率LED制造方法，其特征在于在P型區(qū)域沉積有透 明電極層，使用光刻方法光刻出透明電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高出光率LED制造方法，其特征在于在P型區(qū)域的透明電 極上沉積金屬電極。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高出光率LED制造方法，其特征在于N型區(qū)域透明電極的上 表面的高度等于或高于有源區(qū)的上表面的高度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高出光率LED制造方法，其特征在于通過熱蒸發(fā)或電子束 方法沉積N型區(qū)域金屬電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高出光率LED制造方法，其特征在于通過熱蒸發(fā)或電子束 方法沉積P型區(qū)域金屬電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高出光率LED制造方法，其特征在于步驟1)中蝕刻方法為 ICP蝕刻。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2中所述的高出光率LED制造方法，其特征在于所述的光刻為 干法光刻或濕法光刻。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種高出光率LED制造方法，包括如下步驟1)在沉積了P型區(qū)域的外延片上蝕刻出N型區(qū)域；2)在N型區(qū)域沉積透明電極層；3)使用光刻的方法光刻出透明電極；4)在N型區(qū)域的透明電極上沉積金屬電極。本發(fā)明解決了現(xiàn)有技術(shù)的缺點，提供了一種結(jié)構(gòu)簡單、出光效率高的高出光率LED制造方法。
文檔編號H01L33/42GK102142486SQ201010612708
公開日2011年8月3日 申請日期2010年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月29日
發(fā)明者劉經(jīng)國 申請人:劉經(jīng)國