專利名稱：半導(dǎo)體裝置及其組裝方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置及其組裝方法，且特別是涉及一種采用覆晶接合技術(shù)的半導(dǎo)體裝置及其組裝方法。
背景技術(shù)：
覆晶接合制作工藝中，影響產(chǎn)品可靠度的有兩種現(xiàn)有的破壞方式。一種是機(jī)械性的破壞，例如溫度循環(huán)可靠度測試時(shí)因材料間熱膨脹系數(shù)的差異過大產(chǎn)生的殘留應(yīng)力造成接點(diǎn)破壞。另一種是因?yàn)楦唠娏鲿r(shí)的電遷移效應(yīng)使焊錫接點(diǎn)出現(xiàn)孔洞，進(jìn)而影響接點(diǎn)品質(zhì)以及結(jié)構(gòu)強(qiáng)度。另一方面，在焊錫接點(diǎn)的組裝或者高溫回焊的過程中，焊錫接點(diǎn)的界面上可能因?yàn)楦邷囟a(chǎn)生金屬間化合物(intermetallic compound, IMC)，通常這種金屬間化合物的材料硬度比原來的焊錫接點(diǎn)硬，剛性較高而缺乏彈性，較容易在溫度循環(huán)的可靠度測試中被破壞。但是，金屬間化合物具有可減緩電遷移效應(yīng)的特性，提高金屬間化合物含量反而可以增加焊錫接點(diǎn)抵抗電遷移效應(yīng)的能力。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種半導(dǎo)體裝置，可避免熱應(yīng)力以及電遷移效應(yīng)造成的破壞。本發(fā)明另一目的在于提供一種半導(dǎo)體裝置的組裝方法，所組裝成的半導(dǎo)體裝置可避免熱應(yīng)力以及電遷移效應(yīng)造成的破壞。為達(dá)上述目的，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置包括一第一芯片、一承載裝置、多個(gè)第一導(dǎo)電塊以及多個(gè)第二導(dǎo)電塊。第一芯片具有多個(gè)第一接墊。承載裝置具有多個(gè)第二接墊，使第二接墊對(duì)應(yīng)于第一接墊。多個(gè)第一導(dǎo)電塊分別配置于第一接墊其中之一與第二接墊其中之一之間。多個(gè)第二導(dǎo)電塊分別配置于第一接墊其中之一與第二接墊其中之一之間。第二導(dǎo)電塊的金屬間化合物的成分比例大于第一導(dǎo)電塊的金屬間化合物的成分比例。在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的一實(shí)施例中，第二導(dǎo)電塊的金屬間化合物的成分比例實(shí)質(zhì)上為100%。在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的一實(shí)施例中，承載裝置為一線路基板或另一芯片。在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的一實(shí)施例中，半導(dǎo)體裝置還包括一底膠材料，填充于第一芯片與承載裝置之間，并包圍第一導(dǎo)電塊與第二導(dǎo)電塊。在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的一實(shí)施例中，第一芯片還具有至少一加熱回路，電性絕緣于第一接墊，且鄰近于第二導(dǎo)電塊。加熱回路可制作為特殊形狀，增加長度提高熱阻，可有效增加局部溫度，例如呈城垛狀。在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的一實(shí)施例中，承載裝置還具有至少一加熱回路，電性絕緣于第二接墊，且鄰近于第二導(dǎo)電塊。加熱回路可制作為特殊形狀，增加長度提高熱阻，可有效增加局部溫度，例如呈城垛狀。
在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的一實(shí)施例中，半導(dǎo)體裝置還包括一第二芯片、多個(gè)第三導(dǎo)電塊以及多個(gè)第四導(dǎo)電塊。第二芯片具有多個(gè)第三接墊。第一芯片位于第二芯片與承載裝置之間，且第一芯片還具有多個(gè)第四接墊。多個(gè)第三導(dǎo)電塊分別配置于第三接墊其中之一與第四接墊其中之一之間。多個(gè)第四導(dǎo)電塊分別配置于第三接墊其中之一與第四接墊其中之一之間。第三導(dǎo)電塊的金屬間化合物的成分比例大于第四導(dǎo)電塊的金屬間化合物的成分比例。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的組裝方法包括下列步驟。將一芯片的多個(gè)第一接墊經(jīng)由多個(gè)第一導(dǎo)電塊電連接一承載裝置的多個(gè)第二接墊。加熱部分的第一導(dǎo)電塊而形成多個(gè)第二導(dǎo)電塊，以使第二導(dǎo)電塊的金屬間化合物的成分比例大于第一導(dǎo)電塊的金屬間化合物的成分比例。在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的組裝方法的一實(shí)施例中，在形成第二導(dǎo)電塊之后，還包括填充一底膠材料于芯片與承載裝置之間。底膠材料并包圍第一導(dǎo)電塊與第二導(dǎo)電塊。在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的組裝方法的一實(shí)施例中，在將第一接墊電連接第二接墊之后與形成第二導(dǎo)電塊之前，還包括填充一底膠材料于芯片與承載裝置之間。底膠材料并包圍第一導(dǎo)電塊與第二導(dǎo)電塊。在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的組裝方法的一實(shí)施例中，形成第二導(dǎo)電塊的步驟包括通電于芯片的至少一加熱回路。加熱回路電性絕緣于第一接墊，且鄰近于第二導(dǎo)電塊。在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的組裝方法的一實(shí)施例中，形成第二導(dǎo)電塊的步驟包括通電于承載裝置的至少一加熱回路。加熱回路電性絕緣于第一接墊，且鄰近于第二導(dǎo)電塊?；谏鲜?，在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置及其組裝方法中，導(dǎo)電塊的金屬間化合物的成分比例不同而可分別抵抗熱應(yīng)力以及電遷移效應(yīng)可能造成的破壞。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附附圖作詳細(xì)說明如下。




圖1是本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的透視圖； 圖2是另一種加熱回路；
圖3A至圖3C分別列示三種加熱回路的分布方式；
圖4A至圖4F分別列示六種第一導(dǎo)電塊與第二導(dǎo)電塊的排列方式；
圖5是本發(fā)明另一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的透視圖6是本發(fā)明再一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的局部剖視圖7為本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的組裝方法的流程圖8A至圖8C為圖7的組裝方法所組裝的半導(dǎo)體裝置在組裝時(shí)的剖視圖9為本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的組裝方法的流程圖。
主要元件符號(hào)說明
100,500,600 半導(dǎo)體裝置
110、510、610、810 芯片
112、512、812 第一接墊
114:第四接墊
120、520、820 承載裝置122,822 第二接墊124、200、310、320、330、514、432、434、436、438、442、444 加熱回路130、410、830 第一導(dǎo)電塊140、420、840 第二導(dǎo)電塊150、850 底膠材料612 第三接墊620:第三導(dǎo)電塊630:第四導(dǎo)電塊SllO S140:步驟
具體實(shí)施例方式圖1是本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的透視圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1，本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置100包括一芯片110、一承載裝置120、多個(gè)第一導(dǎo)電塊130以及多個(gè)第二導(dǎo)電塊140。 芯片110具有多個(gè)第一接墊112。承載裝置120具有多個(gè)第二接墊122。每個(gè)第一導(dǎo)電塊 130配置于一個(gè)第一接墊112與一個(gè)第二接墊122之間。每個(gè)第二導(dǎo)電塊140配置于一個(gè)第一接墊112與一個(gè)第二接墊122之間。第二導(dǎo)電塊140的金屬間化合物的成分比例大于第一導(dǎo)電塊130的金屬間化合物的成分比例。本實(shí)施例中，第一導(dǎo)電塊130與第二導(dǎo)電塊 140的金屬間化合物的成分比例的差異，是在半導(dǎo)體裝置100制作完成時(shí)就已經(jīng)形成，或者在半導(dǎo)體裝置售出后再形成。舉例而言，第一導(dǎo)電塊130的材質(zhì)為錫銀，與第一導(dǎo)電塊130接觸的材質(zhì)為銅，則第二導(dǎo)電塊140中的金屬間化合物可能是錫銅化合物(如Cu3Sn或者Cu6Sn5)?；蛘撸谝粚?dǎo)電塊130為錫銀銅，與第一導(dǎo)電塊130接觸的材質(zhì)為鎳，則第二導(dǎo)電塊140中的金屬間化合物可能是錫鎳銅化合物(如(Cu，ND3Sn4或(Cu，Ni)6Sn5)。根據(jù)第一導(dǎo)電塊130的材質(zhì)以及與第一導(dǎo)電塊130接觸的材質(zhì)的不同，可能同時(shí)出現(xiàn)很多種不同的金屬間化合物，這邊只是舉例。本說明書中所謂的金屬間化合物的成分比例的百分比是以所有金屬間化合物體積總和相對(duì)于非金屬間化合物體積而言。在本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置100中，芯片110與承載裝置120的熱膨脹系數(shù)可能不同，在半導(dǎo)體裝置100因工作而升溫以及因停止工作而降溫的溫度變化過程中，位于芯片 110與承載裝置120之間的第一導(dǎo)電塊130因金屬間化合物的成分比例較小，剛性及硬度較低可承受較大的熱應(yīng)力而不會(huì)被破壞。另一方面，金屬間化合物的成分比例較大的第二導(dǎo)電塊140對(duì)于電遷移效應(yīng)所造成的破壞具有較佳的抵抗能力。因此，將第二導(dǎo)電塊140做為傳遞大電流的途徑時(shí)，可提升半導(dǎo)體裝置100的可靠度。本實(shí)施例的第二導(dǎo)電塊140的金屬間化合物的成分比例甚至有機(jī)會(huì)達(dá)到實(shí)質(zhì)上為100%。因此，第二導(dǎo)電塊140即使做為主要的電流輸入途徑，仍可大幅降低因?yàn)殡娺w移效應(yīng)而造成破壞的可能性。另外，本實(shí)施例以兩種不同金屬間化合物的成分比例的導(dǎo)電塊為例，但在其他實(shí)施例中也可同時(shí)采用更多種不同金屬間化合物的成分比例的導(dǎo)電塊。本實(shí)施例的承載裝置120是以線路基板為例。然而，在其他實(shí)施例中，承載裝置120也可以為另一個(gè)芯片。換言之，制作金屬間化合物的成分比例不同的導(dǎo)電塊的技術(shù)可應(yīng)用在芯片與線路基板之間，也可以應(yīng)用在兩個(gè)芯片之間，或者是其他以導(dǎo)電塊做為電性傳導(dǎo)途徑的裝置中。亦即是，本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置100可以是由多個(gè)芯片堆疊而成，只要半導(dǎo)體裝置100中包括兩種金屬間化合物的成分比例不同的導(dǎo)電塊，即屬本發(fā)明所欲保護(hù)的范疇。本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置100可還包括一底膠材料150，填充于芯片110與承載裝置 120之間，并包圍第一導(dǎo)電塊130與第二導(dǎo)電塊140。底膠材料150用以第一導(dǎo)電塊130與第二導(dǎo)電塊140裸露出的部分，并同時(shí)減緩芯片110與承載裝置120之間因溫度變化而所產(chǎn)生的熱應(yīng)力，還可預(yù)防外界的濕氣進(jìn)入半導(dǎo)體裝置100的內(nèi)部。本實(shí)施例的承載裝置120可還具有至少一加熱回路124。加熱回路IM與第二接墊122電性絕緣，亦即加熱回路124并不連接第二接墊122。而且，加熱回路IM鄰近于第二導(dǎo)電塊140。在輸入電流至加熱回路IM后，加熱回路IM會(huì)因?yàn)楸旧淼碾娮瓒饾u升溫，并使得鄰近的第二導(dǎo)電塊140的溫度被提高。另一方面，較為遠(yuǎn)離加熱回路124的第一導(dǎo)電塊130的溫度則提升有限。由于金屬間化合物的含量會(huì)隨著溫度升高而增加，因此利用加熱回路124的作用即可產(chǎn)生金屬間化合物的成分比例不同的第一導(dǎo)電塊130與第二導(dǎo)電塊140。當(dāng)半導(dǎo)體裝置100完成后，加熱回路IM斷電流，加熱回路IM不需取出，使加熱回路IM還可在半導(dǎo)體裝置100工作時(shí)做為提升散熱效率之用。此外，改變加熱回路的形狀也可增加加熱回路長度以及電阻值進(jìn)而提高第二導(dǎo)電塊受加熱時(shí)的溫度，可有效增加第二導(dǎo)電塊的金屬間化合物的成分比例。例如，圖2的加熱回路200就以城垛狀設(shè)計(jì)增加回路長度而具有較高的電阻值。另外，加熱回路的分布位置是根據(jù)要產(chǎn)生金屬間化合物的成分比例較高的第二導(dǎo)電塊的位置而決定。例如，圖3A至圖3C就分別列示了三種加熱回路310、320與330的分布方式。其中，圖3C的加熱回路330的數(shù)量為兩個(gè)，而加熱回路330的數(shù)量也可依需求進(jìn)一步增加。故本發(fā)明的各實(shí)施例的加熱回路可依不同幾何形狀設(shè)計(jì)來達(dá)到欲加熱第一導(dǎo)電塊使形成第二導(dǎo)電塊的目的。在第一導(dǎo)電塊與第二導(dǎo)電塊的相對(duì)位置方面，同樣可依需求作適當(dāng)調(diào)整。主要考量在于，應(yīng)在使用時(shí)通過電流量較大而易發(fā)生電遷移效應(yīng)的位置配置金屬間化合物的成分比例高的第二導(dǎo)電塊，并在承受較大熱應(yīng)力的位置配置金屬間化合物的成分比例低的第一導(dǎo)電塊。圖4A至圖4F即分別列示六種第一導(dǎo)電塊410與第二導(dǎo)電塊420的排列方式。圖4A顯示第一導(dǎo)電塊410分布于芯片一側(cè)，第二導(dǎo)電塊420分布于其它大部分區(qū)域。而第二導(dǎo)電塊420欲達(dá)到此種分布效果，加熱回路432可預(yù)先于第二導(dǎo)電塊420的區(qū)域中布置。圖4B顯示第一導(dǎo)電塊410分布于芯片上近似T字形，第二導(dǎo)電塊420分布于其它區(qū)域。而加熱回路434可預(yù)先于第二導(dǎo)電塊420的區(qū)域中布置。圖4C顯示第一導(dǎo)電塊 410分布于第二導(dǎo)電塊420外緣。而加熱回路436可預(yù)先于第二導(dǎo)電塊420的區(qū)域從中布置，且電流輸出入可由垂直芯片表面方向設(shè)計(jì)。圖4D顯示第一導(dǎo)電塊410分布于芯片對(duì)角線部分，第二導(dǎo)電塊420分布于其它區(qū)域并對(duì)稱。而加熱回路438可預(yù)先于第二導(dǎo)電塊420 的區(qū)域中布置。圖4E顯示第二導(dǎo)電塊420分布于芯片上呈十字形，第一導(dǎo)電塊410分布于其它區(qū)域。而加熱回路442可預(yù)先于第二導(dǎo)電塊420的區(qū)域中布置。圖4F顯示第二導(dǎo)電塊420分布于芯片上呈L形，第一導(dǎo)電塊410分布于其它區(qū)域。而加熱回路444可預(yù)先于第二導(dǎo)電塊420的區(qū)域中布置。圖5是本發(fā)明另一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的透視圖。請(qǐng)參照?qǐng)D5，本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置500與圖1的半導(dǎo)體裝置100相似，差異在于承載裝置520沒有加熱回路，而芯片510 具有至少一加熱回路514。加熱回路514與第一接墊512電性絕緣，且加熱回路514鄰近于第二導(dǎo)電塊140。亦即是，加熱回路514的使用方式、產(chǎn)生的作用及可能的變化都與圖1的加熱回路1 相同。圖6是本發(fā)明再一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的局部剖視圖。請(qǐng)參照?qǐng)D6，本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置600與圖1的半導(dǎo)體裝置100相似，差異在于在本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置600還包括一芯片610、多個(gè)第三導(dǎo)電塊620以及多個(gè)第四導(dǎo)電塊630。芯片610具有多個(gè)第三接墊 612。芯片110位于芯片610與承載裝置120之間，且芯片110還具有多個(gè)第四接墊114。 每個(gè)第三導(dǎo)電塊620配置于一個(gè)第三接墊612與一個(gè)第四接墊114之間。每個(gè)第四導(dǎo)電塊 630配置于一個(gè)第三接墊612與一個(gè)第四接墊114之間。第三導(dǎo)電塊620的金屬間化合物的成分比例大于第四導(dǎo)電塊630的金屬間化合物的成分比例。亦即是，制作金屬間化合物的成分比例不同的導(dǎo)電塊的技術(shù)也可應(yīng)用在芯片堆疊式的半導(dǎo)體裝置600，以提升芯片堆疊式的半導(dǎo)體裝置600的可靠度。圖7為本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的組裝方法的流程圖，而圖8A至圖8C為圖 7的組裝方法所組裝的半導(dǎo)體裝置在組裝時(shí)的剖視圖。請(qǐng)參照?qǐng)D7與圖8A，本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的組裝方法是先將芯片810的第一接墊812經(jīng)由第一導(dǎo)電塊830電連接承載裝置 820的第二接墊822，步驟Sl 10。此時(shí)，所有第一接墊812與第二接墊822之間的導(dǎo)電塊都是第一導(dǎo)電塊830，且所有的第一導(dǎo)電塊830的成分在不考慮制作工藝差異時(shí)基本上都相同。第一導(dǎo)電塊830可能由第一接墊812上的凸塊(未繪示)、第二接墊822上的凸塊(未繪示)與兩個(gè)凸塊之間的焊料構(gòu)成。兩個(gè)凸塊的材質(zhì)都可以是錫鉛合金、金或其他導(dǎo)體。另外，第一接墊812與凸塊之間可能還形成有凸塊底層金屬(underbump metallurgy, UBM)， 而第二接墊822與凸塊之間同樣可能形成有凸塊底層金屬。此外，第一導(dǎo)電塊830也可能只由第一接墊812上的凸塊(未繪示)與第二接墊822上的凸塊(未繪示)構(gòu)成，兩者之間以激光或其他方式進(jìn)行接合。本技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者當(dāng)知，第一導(dǎo)電塊830的構(gòu)成方式上有許多其他可能，在此并不一一說明。接著，請(qǐng)參照?qǐng)D7與圖8B，加熱部分的第一導(dǎo)電塊830而形成第二導(dǎo)電塊840，以使第二導(dǎo)電塊840的金屬間化合物的成分比例大于第一導(dǎo)電塊830的金屬間化合物的成分比例，步驟S120。具體而言，被加熱的第一導(dǎo)電塊830中的金屬間化合物的成分比例會(huì)增加，而這種金屬間化合物的成分比例增加后的第一導(dǎo)電塊830在此被稱為第二導(dǎo)電塊840， 以區(qū)隔金屬間化合物的成分比例不同的兩種導(dǎo)電塊。加熱第一導(dǎo)電塊830而形成第二導(dǎo)電塊840的方式有很多種，其中一種就是利用如圖1的承載裝置120的加熱回路IM或圖5 的芯片510的加熱回路514的加熱回路而加熱第一導(dǎo)電塊830。根據(jù)實(shí)驗(yàn)，利用通電于加熱回路而加熱第一導(dǎo)電塊的方式，甚至有機(jī)會(huì)形成金屬間化合物的成分比例實(shí)質(zhì)上為100% 的第二導(dǎo)電塊。請(qǐng)參照?qǐng)D7與圖8C，在形成第二導(dǎo)電塊840之后，還可選擇性地填充底膠材料850 于芯片810與承載裝置820之間，步驟S130。底膠材料850與圖1的底膠材料150相同。圖9為本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的組裝方法的流程圖。請(qǐng)參照?qǐng)D9，本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的組裝方法與圖7的實(shí)施例相似，差異在于填充底膠材料的步驟S140是在將第一接墊電連接第二接墊的步驟SllO之后與形成第二導(dǎo)電塊的步驟S120之前進(jìn)行。綜上所述，在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置及其組裝方法中，具備了兩種不同金屬間化合物的成分比例的導(dǎo)電塊。其中，金屬間化合物的成分比例較小的導(dǎo)電塊對(duì)于熱應(yīng)力具有較佳的抵抗能力，金屬間化合物的成分比例較大的導(dǎo)電塊則對(duì)于電遷移效應(yīng)具有較佳的抵抗能力。因此，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置及其組裝方法具有較佳的可靠度。雖然結(jié)合以上實(shí)施例揭露了本發(fā)明，然而其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中熟悉此技術(shù)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作些許的更動(dòng)與潤飾，故本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以附的權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，包括 第一芯片，具有多個(gè)第一接墊；承載裝置，具有多個(gè)第二接墊，使該些第二接墊對(duì)應(yīng)于該些第一接墊；多個(gè)第一導(dǎo)電塊，分別配置于該些第一接墊其中之一與該些第二接墊其中之一之間；以及多個(gè)第二導(dǎo)電塊，分別配置于該些第一接墊其中之一與該些第二接墊其中之一之間， 其中該些第二導(dǎo)電塊的金屬間化合物的成分比例大于該些第一導(dǎo)電塊的金屬間化合物的成分比例。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中該些第二導(dǎo)電塊的金屬間化合物的成分比例實(shí)質(zhì)上為100%。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中該承載裝置為一線路基板或另一芯片。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，還包括一底膠材料，填充于該第一芯片與該承載裝置之間，并包圍該些第一導(dǎo)電塊與該些第二導(dǎo)電塊。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中該第一芯片還具有至少一加熱回路，電性絕緣于該些第一接墊，且鄰近于該些第二導(dǎo)電塊。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其中該加熱回路呈城垛狀。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中該承載裝置還具有至少一加熱回路，電性絕緣于該些第二接墊，且鄰近于該些第二導(dǎo)電塊。
8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其中該加熱回路呈城垛狀。
9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，還包括第二芯片，具有多個(gè)第三接墊，其中該第一芯片位于該第二芯片與該承載裝置之間，該第一芯片還具有多個(gè)第四接墊；多個(gè)第三導(dǎo)電塊，分別配置于該些第三接墊其中之一與該些第四接墊其中之一之間；以及多個(gè)第四導(dǎo)電塊，分別配置于該些第三接墊其中之一與該些第四接墊其中之一之間， 其中該些第三導(dǎo)電塊的金屬間化合物的成分比例大于該些第四導(dǎo)電塊的金屬間化合物的成分比例。
10.一種半導(dǎo)體裝置的組裝方法，包括將一芯片的多個(gè)第一接墊經(jīng)由多個(gè)第一導(dǎo)電塊電連接一承載裝置的多個(gè)第二接墊；以及加熱部分的該些第一導(dǎo)電塊而形成多個(gè)第二導(dǎo)電塊，以使該些第二導(dǎo)電塊的金屬間化合物的成分比例大于該些第一導(dǎo)電塊的金屬間化合物的成分比例。
11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置的組裝方法，其中在形成該些第二導(dǎo)電塊之后， 還包括填充一底膠材料于該芯片與該承載裝置之間，該底膠材料并包圍該些第一導(dǎo)電塊與該些第二導(dǎo)電塊。
12.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置的組裝方法，其中在將該些第一接墊電連接該些第二接墊之后與形成該些第二導(dǎo)電塊之前，還包括填充一底膠材料于該芯片與該承載裝置之間，該底膠材料并包圍該些第一導(dǎo)電塊與該些第二導(dǎo)電塊。
13.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置的組裝方法，其中形成該些第二導(dǎo)電塊的步驟包括通電于該芯片的至少一加熱回路，該加熱回路電性絕緣于該些第一接墊，且鄰近于該些第二導(dǎo)電塊。
14.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置的組裝方法，其中形成該些第二導(dǎo)電塊的步驟包括通電于該承載裝置的至少一加熱回路，該加熱回路電性絕緣于該些第一接墊，且鄰近于該些第二導(dǎo)電塊。
全文摘要
本發(fā)明公開一種半導(dǎo)體裝置及其組裝方法。半導(dǎo)體裝置包括一芯片、一承載裝置、多個(gè)第一導(dǎo)電塊以及多個(gè)第二導(dǎo)電塊。芯片具有多個(gè)第一接墊。承載裝置具有多個(gè)第二接墊。第二接墊對(duì)應(yīng)于第一接墊。多個(gè)第一導(dǎo)電塊分別配置于第一接墊其中之一與第二接墊其中之一之間。多個(gè)第二導(dǎo)電塊分別配置于第一接墊其中之一與第二接墊其中之一之間。第二導(dǎo)電塊的金屬間化合物的成分比例大于第一導(dǎo)電塊的金屬間化合物的成分比例。
文檔編號(hào)H01L23/31GK102569235SQ20101061964
公開日2012年7月11日 申請(qǐng)日期2010年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月28日
發(fā)明者林育民, 詹朝杰, 陸蘇財(cái) 申請(qǐng)人:財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院