專利名稱：發(fā)光二極管圓片接合方法、芯片制造方法及圓片接合結(jié)構(gòu)的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種圓片的接合方法、芯片的制造方法及圓片與基體的接合結(jié)構(gòu)，且特別涉及一種LED圓片的接合方法、LED芯片的制造方法及LED圓片與基體的接合結(jié)構(gòu)。
背景技術：
目前主流發(fā)光二極管(LED)芯片型態(tài)可分為水平式結(jié)構(gòu)(Sapphire base structure)、覆晶式結(jié)構(gòu)(Flip-chip structure)與垂直式結(jié)構(gòu)(Vertical structure)等三種型態(tài)。由于藍寶石基材(Sapphire)的機械性質(zhì)佳且價格便宜，已成為目前主流氮化鎵 (GaN)的成長基板。但藍寶石基材不導電且導熱性不佳，在發(fā)光面上的電極也會將減少出光效率，且有電流分布不均的情形產(chǎn)生。為了改進上述缺點，業(yè)界提出以覆晶(Flip-Chip)的形式來封裝LED芯片。其散熱途徑不需經(jīng)過藍寶石基材而是由焊錫材料的替代，LED芯片的散熱能力可大幅上升。且此LED芯片的發(fā)光面上沒有電極的阻礙，LED芯片的發(fā)光效率將會大幅提升，但工藝將會麻煩許多(包括焊錫成長、對位等步驟)，且還有無鉛焊錫議題需要考慮。另外，垂直式結(jié)構(gòu)的LED芯片則是將LED圓片先與高導電與高導熱材料進行接合， 后續(xù)再利用準分子激光將藍寶石基材剝除，此類型LED芯片具有高散熱能力，高出光效率， 無電流群聚現(xiàn)象等優(yōu)點。由于垂直式結(jié)構(gòu)的LED芯片具有許多優(yōu)點，近年來已成為高功率 LED芯片的主流型態(tài)。圓片接合工藝為制造垂直式結(jié)構(gòu)LED芯片的關鍵步驟之一。所謂的圓片接合工藝是指將LED圓片與高導熱高導電的材料對接的步驟。現(xiàn)有的圓片接合方式有三種，第一種例如是中國臺灣專利公開編號第200839857號“金/銀擴散低溫圓片鍵結(jié)的方法”所述的固態(tài)原子擴散接合法，其工藝為在LED圓片蒸鍍上金，而在高導熱材上蒸鍍銀，后續(xù)在保護氣氛下，施加高壓力，再將兩者對接。由于金與銀具有相同的晶體結(jié)構(gòu)，因此金與銀兩種金屬原子易于于金與銀的基材中進行擴散，達到接合效果，此工藝雖可在低溫(100°C )環(huán)境中進行接合，但由于此工藝是固/固擴散，接合時間冗長(大于半小時)。另外接合面需要高平整度，且在接合過程中需要高壓力與保護氣氛，實際操作將有其困難度。第二種例如中國臺灣專利公告號第1261316 “圓片鍵合的方法”所述的低溫圓片接合方法。此專利在圓片接合工藝時，導入超音波使接合表面離子化，如此將可降低加熱溫度(約需100°c -200°C )，減少熱應力防止圓片損壞。此專利雖可降低接合溫度，但其設備極為昂貴復雜且若對位平整度不佳，超音波震動反而將使圓片產(chǎn)生裂片的現(xiàn)象。第三種例如是美國專利公開編號US 2008/0113463A1 "METHOD OF FABRICATING GAN DEVICE WITH LASER”所述的低溫圓片接合方法。圓片接合材料為銀膠，由于銀膠固化溫度約150°C左右，因此圓片可在低溫環(huán)境下進行接合，但由于銀膠主要由高分子所組成， 因此耐熱性、熱傳導性與機械強度不佳，所制作出來的LED芯片將無法具有最佳的光學效 果。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術問題在于提供一種LED圓片的接合方法、LED芯片的制造方法及LED圓片與基體的接合結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提出一種發(fā)光二極管(LED)圓片的接合方法。LED圓片的接合方法用以結(jié)合一 LED圓片及一基體。接合方法包括以下步驟。形成一第一金屬薄膜層于LED圓片上。形成一第二金屬薄膜層于基體上。形成一接合材料層于第一金屬薄膜層表面，接合材料層的熔點低于攝氏110度(°C )。置放LED圓片于基體上，使接合材料層接觸第二金屬薄膜層。以一預固反應溫度加熱接合材料層一預固時間，以進行一預固反應并于第一金屬薄膜層及接合材料層之間形成一第一介金屬層，且于第二金屬薄膜層及接合材料層之間形成一第二介金屬層。以一擴散反應溫度加熱接合材料層一擴散時間，以進行一擴散反應，擴散反應后的第一介金屬層及第二介金屬層的熔點高于攝氏110度。根據(jù)本發(fā)明的一第二方面，提出一種發(fā)光二極管(LED)芯片的制造方法。LED芯片的制造方法包括以下步驟。形成一第一金屬薄膜層于一 LED圓片上。形成一第二金屬薄膜層于一基體上。形成一接合材料層于第一金屬薄膜層表面，接合材料層的熔點低于攝氏 110度。置放LED圓片于基體上，使接合材料層接觸第二金屬薄膜層。以一預固反應溫度加熱接合材料層一預固時間，以進行一預固反應并于第一金屬薄膜層及接合材料層之間形成一第一介金屬層，且于第二金屬薄膜層及接合材料層之間形成一第二介金屬層。以一擴散反應溫度加熱接合材料層一擴散時間，以進行一擴散反應，擴散反應后的第一介金屬層及第二介金屬層的熔點高于110度。剝除(Lift Off)LED圓片的一基材并切割LED圓片及基體，以形成多個LED芯片。根據(jù)本發(fā)明的一第三方面，提出一種發(fā)光二極管(LED)圓片與基體的接合結(jié)構(gòu)。 LED圓片與基體的接合結(jié)構(gòu)包括一基體、一第二金屬薄膜層、一第二介金屬層、一第一介金屬層、一第一金屬薄膜層及一 LED圓片。第二金屬薄膜層位于基體上，第二金屬薄膜層的材質(zhì)為選自于金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)及鎳(Ni)所組成的群組。第二介金屬層位于第二金屬薄膜層上。第一介金屬層位于第二介金屬層上，第一介金屬層與第二介金屬的材質(zhì)為獨立選自于由銅銦錫(Cu-In-Sn)介金屬、鎳銦錫(NiHn-Sn)介金屬、鎳鉍(Ni-Bi)介金屬、 金銦(Au-In)介金屬、銀銦(Ag-In)介金屬、銀錫(Ag-Sn)介金屬及金鉍(Au-Bi)介金屬所組成的群組。第一金屬薄膜層位于第一介金屬層之上，第一金屬薄膜層的材質(zhì)為選自于金 (Au)、銀(Ag)、銅(Cu)及鎳(Ni)所組成的群組。LED圓片位于第一金屬薄膜層上。以下結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明進行詳細描述，但不作為對本發(fā)明的限定。


圖1繪示本實施例發(fā)光二極管(LED)圓片與基體的接合方法與LED芯片的制造方法的流程圖；圖2 圖8繪示圖1的各個步驟示意圖。其中，附圖標記110:LED 圓片111 基材112 :N型半導體層
113:發(fā)光材料層114 :P型半導體層120:第一金屬薄膜層130 第一介金屬層140 接合材料層140，中介層150 第二介金屬層160 第二金屬薄膜層170 基體200 接合結(jié)構(gòu)300 =LED 芯片SlOl S107 流程步驟
具體實施例方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的結(jié)構(gòu)原理和工作原理作具體的描述請參照圖1 圖8，圖1繪示本實施例發(fā)光二極管(LED)圓片110與基體170的接合方法與LED芯片300的制造方法的流程圖，圖2 圖8繪示圖1的各個步驟示意圖。其中，步驟SlOl S106為LED圓片110與基體170的接合方法。如圖7所示，待步驟S106完成后，即形成LED圓片110與基體170的接合結(jié)構(gòu)200。步驟SlOl S107則為LED芯片300的制造方法。如圖8所示，待步驟S107完成后，即形成多個LED芯片300。如圖2所示，在步驟SlOl中，形成一第一金屬薄膜層120于一 LED圓片110上。 LED圓片110例如是包括一基材111、一 N型半導體層112、一發(fā)光材料層113及一 P型半導體層114。發(fā)光材料層113設置于N型半導體層112及P型半導體層114間，而構(gòu)成P_I_N 結(jié)構(gòu)?；?11例如是一藍寶石基材(Sapphire)。N型半導體層112及P型半導體層114 例如是但不局限于氮化鎵(GaN)、氮化鎵銦(feJnN)、磷化鋁銦鎵(AlInGaP)、氮化鋁(AlN)、 氮化銦αηΝ)、氮砷化銦鎵(InGaAsN)、磷氮化銦鎵(InGaPN)或其組合。LED圓片110所發(fā)出的光線的光譜可以是任何可見光光譜，例如是380 760納米(nm)，或其它光譜。再者，LED圓片110的型態(tài)可以是水平式結(jié)構(gòu)、垂直式結(jié)構(gòu)或覆晶式結(jié)構(gòu)。第一金屬薄膜層120的材質(zhì)可以是金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)及鎳(Ni)或其組合。 在此步驟中，第一金屬薄膜層120可以通過電鍍、濺鍍或電子槍(E-Gim)蒸鍍等方式形成于 LED圓片110上，第一金屬薄膜層120的厚度可以是但不限于0. 2 2. 0微米(um)。如圖3所示，在步驟S102中，形成一第二金屬薄膜層160于一基體170上?；w 170的材質(zhì)例如是但不局限于金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鉬(Mo)、硅(Si)、碳化硅 (SiC)、氮化鋁(AlN)、金屬陶瓷復合材料或其組合。第二金屬薄膜層160的材質(zhì)可以是金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)或鎳(Ni)。在此步驟中，第二金屬薄膜層160可以通過電鍍、濺鍍或蒸鍍等方式形成于基體170上，第二金屬薄膜層160的厚度可以是但不限于0. 2 2. 0微米(um)，例如是0. 5 1. 0微米(um)。
如圖4所示，在步驟S103中，形成一接合材料層140于第一金屬薄膜層120表面。 接合材料層140的材質(zhì)例如是鉍銦(BiHn)、鉍銦鋅(Bi-In-Si)、鉍銦錫(Bi-In-Sn)Jj^i 錫鋅(Bi-In-Sn-Zn)或其組合。其中，接合材料層140的熔點例如是但不局限低于攝氏110 度。舉例來說，鉍銦(Bi-In)的熔點約為攝氏110度，鉍銦鋅(Bi-25In-18Zn)的熔點約為攝氏82度，鉍銦錫鋅(Bi-2(nn-30Sn-3Zn)的熔點約為攝氏90度，鉍銦鋅(Bi-33In-0. 5Zn) 的熔點約為攝氏110度。在此步驟中，接合材料層140可以通過電鍍、濺鍍或蒸鍍等方式形成于第一金屬薄膜層120上，接合材料層140的厚度可以是但不限于0. 2 5. 0微米(um)， 例如是0. 5 1. 0微米(um)。如圖5所示，置放LED圓片110于基體170上，使接合材料層140接觸第二金屬薄膜層160。如圖6所示，以一預固反應溫度加熱接合材料層140—預固時間，以進行一預固反應并于第一金屬薄膜層120及接合材料層140之間形成一第一介金屬層130，且于第二金屬薄膜層160及接合材料層140之間形成一第二介金屬層150。其中，本實施例的預固反應可以是一液固反應。此步驟的目的在于將LED圓片110與基體170依當前的對位關系(Alignment)進行預先固定，可利后續(xù)工藝的進行。預固反應溫度可以是等于或高于接合材料層140的熔點，例如等于或高于攝氏80度，或是例如攝氏80到200度，且預固時間可以相當短，故前述對位關系將能有效被維持，且不會對LED圓片110產(chǎn)生任何類似熱應力的影響。其中若接合材料層140的材質(zhì)為鉍銦錫(Bi-In-Sn)，則預固反應溫度可以是攝氏 82度或攝氏82度以上。加熱的方式則可以采用激光加熱、熱風加熱、紅外線加熱、熱壓加熱或超音波輔助熱壓加熱的方式。加熱的位置則可以是直接將環(huán)境溫度提高到預固反應溫度、或直接加熱于接合材料層140、或直接加熱于基體170再傳導熱能至接合材料層140。以圖6為例，可以采用激光直接加熱于基體170的底部，且其預固反應溫度為85度。預固時間則可以是但不限于0. 1 5秒(Sec)，例如是0. 1 1秒。預固時間可以視預固反應的情況而適當?shù)卣{(diào)整。也就是說，可以在第一金屬薄膜層120及接合材料層 140之間形成足夠的第一介金屬層130，并且第二金屬薄膜層160及接合材料層140之間形成足夠的第二介金屬層150時停止預固反應，而預固反應所需的時間即為預固時間。而此步驟可以在形成非常薄的第一介金屬層130及第二介金屬層150時，立即停止預固反應，也可以在形成較厚的第一介金屬層130及第二金屬層150時，才停止預固反應。其中，依據(jù)不同的第一金屬薄膜層120、接合材料層140及第二金屬薄膜層160，第一介金屬層130及第二介金屬層150的材質(zhì)也會不同。第一介金屬層130及第二介金屬層150的材質(zhì)例如是但不局限于銅銦錫(Cu-In-Sn)介金屬、鎳銦錫(Ni^n-Sn)介金屬、鎳鉍(Ni-Bi)介金屬、金銦(Au-In)介金屬、銀銦(Ag-In)介金屬、銀錫(Ag-Sn)介金屬、金鉍 (Au-Bi)介金屬或其組合。接著，如圖7所示，在步驟S106中，以一擴散反應溫度加熱接合材料層140—擴散時間，以進行一擴散反應。其中，擴散反應可以是一液固反應或一固固反應。擴散反應為液固反應時，擴散反應溫度可以等于或高于接合材料層140的熔點，例如攝氏80到200度，擴散時間為30分鐘到3小時。擴散反應為固固反應時，擴散反應溫度為低于接合材料層140的熔點。由于此時
8擴散反應溫度低于接合材料層140的熔點，所以此步驟的擴散反應對于預固反應已完成的對位關系不致于會有影響，例如攝氏40到80度，擴散時間為30分鐘到3小時。擴散反應為液固反應時，擴散反應溫度為高于接合材料層140的熔點。由于此時擴散反應溫度高于接合材料層140的熔點，所以此步驟的擴散反應可以增加定位LED圓片 110與基體170的動作，以增加LED圓片110與基體170的對位關系的精準度。此步驟的擴散時間可以依據(jù)擴散反應溫度的設定而調(diào)整。當擴散反應溫度較高時，擴散時間可以縮短；當擴散反應溫度較低時，擴散時間可以增力卩。在本實施例中，擴散時間例如是30分鐘到3小時。此步驟的擴散反應過程的目的在于讓接合材料層140的合金元素與第一金屬薄膜層120及第二金屬薄膜層160的元素相互擴散。擴散時間可設定為大部分接合材料層 140中的合金元素完成擴散所需的時間。也就是說，此步驟可以進行到擴散反應完畢為止。在此步驟中，可以采用批次作業(yè)來處理，例如是統(tǒng)一以熱風式、烤箱、紅外線加熱或熱板加熱的方式來進行。擴散反應后的第一介金屬層130及第二介金屬層150的熔點例如是高于110攝氏度。第一介金屬層130及第二介金屬層150的材質(zhì)不同，其熔點也會不同。舉例來說，銀銦 (Ag-In)介金屬的熔點至少約為攝氏250度以上，銀錫(Ag-Sn)介金屬的熔點至少約為攝氏 450度以上，金鉍(Au-Bi)介金屬的熔點至少約為攝氏350度以上，金錫(Au-Sn)介金屬的熔點至少約為攝氏250度以上。在擴散反應完成后，接合材料層140可能會有部分殘留于第一介金屬層130及第二介金屬層150之間，而形成中介層140’(如圖7所示)。在一實施例中，接合材料層140 也有可能被完全反應而消失。中介層140’的材質(zhì)例如是錫(Sn)、鉍(Bi)、銦an)、鋅(Zn) 或其組合。以圖7為例，在步驟SlOl S106完成之后，即完成了 LED圓片110與基體170的接合結(jié)構(gòu)200。此接合結(jié)構(gòu)200包括基體170、第二金屬薄膜層160、第二介金屬層150、中介層140’、第一介金屬層130、第一金屬薄膜層120及LED圓片110。第二金屬薄膜層160 位于基體170上。第二介金屬層150位于第二金屬薄膜層160上。中介層140’位于第二介金屬層150上。第一介金屬層130位于中介層140’上。第一金屬薄膜層120位于第一介金屬層130之上。LED圓片110位于第一金屬薄膜層120上。如圖8所示，在步驟S107中，剝除(Lift Off) LED圓片110的基材111并切割LED 圓片110及基體170，以形成多個LED芯片300。在此步驟中，還包括電極、點測、分類等工藝。最后則完成一顆顆的LED芯片300。本發(fā)明提出一種LED圓片110的接合方法、LED芯片300的制造方法及LED圓片 110與基體170的接合結(jié)構(gòu)，可以讓LED圓片110在低溫環(huán)境(低于110°C )下進行接合， 如此將可避免因熱膨脹系數(shù)(CTE)不同所造成的熱應力問題，且接合過程不需高壓力、高平整度，也不需保護氣氛。并且由于接合材料層140為金屬且擴散反應后的第一介金屬層130、第二介金屬層150及中介層140，的熔點可提高至250°C以上，使得本發(fā)明的LED圓片110、LED芯片300 及接合結(jié)構(gòu)200具有接合熱應力低、高散熱、高接合強度及耐高溫等特性。當然，本發(fā)明還可有其它多種實施例，在不背離本發(fā)明精神及其實質(zhì)的情況下，熟悉本領域的技術人員當可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應的改變和變形，但這些相應的改變和變形都應屬于本發(fā)明所附的權利要求的保護范圍。
權利要求
1.一種發(fā)光二極管LED圓片的接合方法，用以結(jié)合一 LED圓片及一基體，其特征在于， 該接合方法包括形成一第一金屬薄膜層于該LED圓片上； 形成一第二金屬薄膜層于該基體上；形成一接合材料層于第一金屬薄膜層表面，該接合材料層的熔點低于攝氏110度； 置放該LED圓片于該基體上，使該接合材料層接觸該第二金屬薄膜層； 以一預固反應溫度加熱該接合材料層一預固時間，以進行一預固反應并于該第一金屬薄膜層及該接合材料層之間形成一第一介金屬層，且于該第二金屬薄膜層及該接合材料層之間形成一第二介金屬層；以及以一擴散反應溫度加熱該接合材料層一擴散時間，以進行一擴散反應，該擴散反應后的該第一介金屬層及該第二介金屬層的熔點高于攝氏110度。
2.根據(jù)權利要求1所述的LED圓片的接合方法，其特征在于，該預固反應為一液固反應，該預固反應溫度等于或高于該接合材料層的熔點。
3.根據(jù)權利要求1所述的LED圓片的接合方法，其特征在于，該預固反應溫度為攝氏 80到200度，該預固時間為0. 1秒到5秒。
4.根據(jù)權利要求1所述的LED圓片的接合方法，其特征在于，該擴散反應為一液固反應或一固固反應，該擴散反應為該液固反應時，該擴散反應溫度等于或高于該接合材料層的熔點，該擴散反應為該固固反應時，該擴散反應溫度低于該接合材料層的熔點。
5.根據(jù)權利要求4所述的LED圓片的接合方法，其特征在于，該擴散反應為該液固反應時，該擴散反應溫度為攝氏80度到200度；該擴散反應為該固固反應時，該擴散反應溫度為攝氏40度到80度；且上述該擴散時間為30分鐘到3小時。
6.根據(jù)權利要求1所述的LED圓片的接合方法，其特征在于，該第一金屬薄膜層的材質(zhì)選自于由金、銀、銅及鎳所組成的群組。
7.根據(jù)權利要求1所述的LED圓片的接合方法，其特征在于，該接合材料層的材質(zhì)選自于由鉍銦、鉍銦鋅、鉍銦錫及鉍銦錫鋅所組成的群組。
8.根據(jù)權利要求1所述的LED圓片的接合方法，其特征在于，該基體的材質(zhì)選自于由金、銀、銅、鎳、鉬、硅、碳化硅、氮化鋁及金屬陶瓷復合材料所組成的群組。
9.根據(jù)權利要求1所述的LED圓片的接合方法，其特征在于，該第一介金屬層及該第二介金屬層的材質(zhì)為獨立選自于由銅銦錫介金屬、鎳銦錫介金屬、鎳鉍介金屬、金銦介金屬、 銀銦介金屬、銀錫介金屬及金鉍介金屬所組成的群組。
10.根據(jù)權利要求1所述的LED圓片的接合方法，其特征在于，該接合材料層的厚度為 0.2 5.0微米。
11.一種LED芯片的制造方法，其特征在于，包括 形成一第一金屬薄膜層于一 LED圓片上； 形成一第二金屬薄膜層于一基體上；形成一接合材料層于第一金屬薄膜層表面，該接合材料層的熔點低于攝氏110度； 置放該LED圓片于該基體上，使該接合材料層接觸該第二金屬薄膜層； 以一預固反應溫度加熱該接合材料層一預固時間，以進行一預固反應并于該第一金屬薄膜層及該接合材料層之間形成一第一介金屬層，且于該第二金屬薄膜層及該接合材料層之間形成一第二介金屬層；以一擴散反應溫度加熱該接合材料層一擴散時間，以進行一擴散反應，該擴散反應后的該第一介金屬層及該第二介金屬層的熔點高于攝氏110度；以及剝除該LED圓片的一基材并切割該LED圓片及該基體，以形成多個LED芯片。
12.根據(jù)權利要求11所述的LED芯片的制造方法，其特征在于，該預固反應為一液固反應，該預固反應溫度等于或高于該接合材料層的熔點。
13.根據(jù)權利要求11所述的LED芯片的制造方法，其特征在于，該預固反應溫度為攝氏 80到200度，該預固時間為0. 1秒到5秒。
14.根據(jù)權利要求11所述的LED芯片的制造方法，其特征在于，該擴散反應為一液固反應或一固固反應，該擴散反應為該液固反應時，該擴散反應溫度等于或高于該接合材料層的熔點，該擴散反應為該固固反應時，該擴散反應溫度低于該接合材料層的熔點。
15.根據(jù)權利要求14所述的LED芯片的制造方法，其特征在于，該擴散反應為該液固反應時，該擴散反應溫度為攝氏80度到200度；該擴散反應為該固固反應時，該擴散反應溫度為攝氏40度到80度；且上述該擴散時間為30分鐘到3小時。
16.根據(jù)權利要求11所述的LED芯片的制造方法，其特征在于，該第一金屬薄膜層的材質(zhì)選自于由金、銀、銅及鎳所組成的群組。
17.根據(jù)權利要求11所述的LED芯片的制造方法，其特征在于，該接合材料層的材質(zhì)選自于由鉍銦、鉍銦鋅、鉍銦錫及鉍銦錫鋅所組成的群組。
18.根據(jù)權利要求11所述的LED芯片的制造方法，其特征在于，該基體的材質(zhì)選自于由金、銀、銅、鎳、鉬、硅、碳化硅、氮化鋁及金屬陶瓷復合材料所組成的群組。
19.根據(jù)權利要求11所述的LED芯片的制造方法，其特征在于，該第一介金屬層及該第二介金屬層的材質(zhì)為獨立選自于由銅銦錫介金屬、鎳銦錫介金屬、鎳鉍介金屬、金銦介金屬、銀銦介金屬、銀錫介金屬、金鉍介金屬及金錫介金屬所組成的群組。
20.根據(jù)權利要求11所述的LED芯片的制造方法，其特征在于，該接合材料層的厚度為 0.2 5.0微米。
21.—種LED圓片與基體的接合結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括一基體；一第二金屬薄膜層，位于該基體上，該第二金屬薄膜層的材質(zhì)為選自于金、銀、銅及鎳所組成的群組；一第二介金屬層，位于該第二金屬薄膜層上；一第一介金屬層，位于該第二介金屬層上，該第一介金屬層與該第二介金屬的材質(zhì)為獨立選自于由銅銦錫介金屬、鎳銦錫介金屬、鎳鉍介金屬、金銦介金屬、銀銦介金屬、銀錫介金屬及金鉍介金屬所組成的群組；一第一金屬薄膜層，位于該第一介金屬層之上，該第一金屬薄膜層的材質(zhì)為選自于金、 銀、銅及鎳所組成的群組；以及一 LED圓片，位于該第一金屬薄膜層上。
22.根據(jù)權利要求21所述的發(fā)光二極管圓片與基體的接合結(jié)構(gòu)，其特征在于，該基體為選自于由金、銀、銅、鎳、鉬、硅、碳化硅、氮化鋁或金屬陶瓷復合材料所組成的群組。
23.根據(jù)權利要求21所述的LED圓片與基體的接合結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括一中介層，該中介層位于該第一介金屬層與該第二介金屬層之間，該中介層的材質(zhì)選自于由錫、 鉍、銦及鋅所組成的群組。
全文摘要
一種發(fā)光二極管圓片接合方法、芯片制造方法及圓片接合結(jié)構(gòu)。發(fā)光二極管(LED)圓片的接合方法包括以下步驟。形成一第一金屬薄膜層于LED圓片上。形成一第二金屬薄膜層于基體上。形成一接合材料層于第一金屬薄膜層表面，接合材料層的熔點低于攝氏110度。置放LED圓片于基體上。以一預固反應溫度加熱接合材料層一預固時間，以進行依預固反應并形成一第一介金屬層及一第二介金屬層。以一擴散反應溫度加熱接合材料層一擴散時間，以進行一擴散反應，擴散反應后的第一介金屬層及第二介金屬層的熔點高于攝氏110度。
文檔編號H01L33/64GK102569545SQ201010622768
公開日2012年7月11日 申請日期2010年12月30日 優(yōu)先權日2010年12月23日
發(fā)明者林修任, 林建憲, 蔡禎輝, 陳効義 申請人:財團法人工業(yè)技術研究院