專利名稱：用于制造發(fā)光器件的基板和用于制造發(fā)光器件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
實(shí)施例涉及用于制造發(fā)光器件的基板和用于制造發(fā)光器件的方法。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(LED)是一種用于將電能轉(zhuǎn)換為光的半導(dǎo)體發(fā)光器件。與諸如熒光燈和白熾燈泡的現(xiàn)有技術(shù)的光源相比較，LED具有諸如低功耗、半永久壽命周期、快速響應(yīng)時(shí)間、安全、以及環(huán)境友好的優(yōu)點(diǎn)。為了將現(xiàn)有技術(shù)的光源替換為L(zhǎng)ED，已經(jīng)進(jìn)行許多研究。而且，根據(jù)作為諸如多種燈和街燈的照明裝置、液晶顯示裝置的照明單元、以及室內(nèi)和室外位置處的記分牌的光源的趨勢(shì)，LED的使用正日益增加。

發(fā)明內(nèi)容
實(shí)施例提供用于制造具有提高的可靠性的發(fā)光器件的基板和用于制造發(fā)光器件的方法。實(shí)施例還提供用于制造能夠容易剝離生長(zhǎng)襯底的發(fā)光器件的基板。實(shí)施例還提供用于制造能夠容易制造發(fā)光結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件的基板。在一個(gè)實(shí)施例中，一種用于制造發(fā)光器件的方法，包括在生長(zhǎng)襯底上形成具有小于激光的能量的帶隙能的犧牲層；在犧牲層上形成生長(zhǎng)層；在生長(zhǎng)層上形成發(fā)光結(jié)構(gòu)，該發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層、有源層、以及第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層；以及將激光穿過(guò)生長(zhǎng)襯底照射到犧牲層上，從而剝離生長(zhǎng)襯底。在另一實(shí)施例中，一種用于制造發(fā)光器件的基板，包括生長(zhǎng)襯底；具有小于用于去除生長(zhǎng)襯底的激光的能量的帶隙能的犧牲層；犧牲層上的生長(zhǎng)層；以及生長(zhǎng)層上的發(fā)光結(jié)構(gòu)，該發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層、有源層、以及第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層。在附圖和下面的描述中，闡述一個(gè)或者多個(gè)實(shí)施例的細(xì)節(jié)。根據(jù)描述和附圖，以及根據(jù)權(quán)利要求書(shū)，其它的特征將會(huì)是顯而易見(jiàn)的。


圖1是根據(jù)實(shí)施例的用于制造發(fā)光器件的基板的側(cè)截面圖。圖2至圖7是示出根據(jù)實(shí)施例的使用用于制造發(fā)光器件的基板制造發(fā)光器件的工藝的視圖。圖8是根據(jù)實(shí)施例的包括發(fā)光器件的發(fā)光器件封裝的截面圖。圖9是根據(jù)實(shí)施例的顯示裝置的分解透視圖。圖10是根據(jù)實(shí)施例的顯示裝置的視圖。
圖11是根據(jù)實(shí)施例的照明裝置的透視圖。
具體實(shí)施例方式在實(shí)施例的描述中，應(yīng)該理解的是，當(dāng)層(或膜)、區(qū)域、圖案、或結(jié)構(gòu)被稱為在基板、層(或膜)、區(qū)域、焊盤(pán)或圖案“上”時(shí)，它可以“直接”或“間接”在另一層或者基板上， 或者也可以存在中間層。此外，將會(huì)理解的是，當(dāng)層被稱為是在另一層“下”時(shí)，它能夠直接地在另一層下，并且也可以存在一個(gè)或者多個(gè)中間層。此外，將會(huì)基于附圖給出關(guān)于在每層 “上”和“下”的參考。在下文中，將參考附圖描述實(shí)施例。在附圖中，為了描述的方便和清楚起見(jiàn)，每層的厚度或者尺寸被夸大、省略或示意性示出。而且，每個(gè)元件的尺寸沒(méi)有完全反映真實(shí)尺寸。圖1是根據(jù)實(shí)施例的用于制造發(fā)光器件的基板的側(cè)截面圖。參考圖1，根據(jù)實(shí)施例的用于制造發(fā)光器件的基板100可以包括生長(zhǎng)襯底110、生長(zhǎng)襯底110上的犧牲層105、犧牲層105上的具有多晶體結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng)層120、以及生長(zhǎng)層120 上以產(chǎn)生光的發(fā)光結(jié)構(gòu)145，該發(fā)光結(jié)構(gòu)145包括第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層130、有源層140、 以及第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層150。例如，生長(zhǎng)襯底110 可以包括從由 A1203、SiC、GaAs, GaN、ZnO, Si、GaP、ΙηΡ、以及
Ge組成的組中選擇的至少一個(gè)，但是實(shí)施例不限于此。犧牲層105可以設(shè)置在生長(zhǎng)襯底110上。例如，犧牲層105可以具有范圍從大約 1. OeV至大約7. OeV的帶隙。例如，犧牲層105可以包括從由ΙΤ0、MoxOy, WxOy, NiOx, TiOx, A1N、以及GaN組成的組中選擇的至少一個(gè)。例如，犧牲層105可以具有大約IOnm至大約 100 μ m的厚度，但是其不限于此。例如，使用濺射工藝、電子束沉積工藝、化學(xué)氣相沉積(CVD)工藝、以及原子層沉積(ALD)工藝中的一個(gè)，可以形成犧牲層105。通過(guò)在用于層壓生長(zhǎng)襯底110的激光剝離(LLO)工藝中使用的激光的能量，可以分解犧牲層105。因此，當(dāng)犧牲層105具有大于大約100 μ m的厚度時(shí)，它可能花費(fèi)長(zhǎng)的時(shí)間來(lái)通過(guò)激光的照射分解犧牲層105。而且，當(dāng)犧牲層105具有小于大約10 μ m的厚度時(shí)，由于它的薄的厚度可能很難形成層。激光可以是準(zhǔn)分子激光或者固態(tài)激光，但是其不限于此。準(zhǔn)分子激光可以具有大約IOns至大約20ns的脈沖持續(xù)時(shí)間。另外，準(zhǔn)分子激光可以在其中脈沖重復(fù)頻率是處于大約IHz至大約500Hz的范圍中產(chǎn)生具有強(qiáng)大的能量的脈沖。每脈沖的能量可能大約是1J， 并且平均功率可以在大約20W至大約100W的范圍內(nèi)變化，但是其不限于此。犧牲層105可以具有小于生長(zhǎng)襯底110的能量的帶隙能。因此，當(dāng)執(zhí)行LLO工藝時(shí)，由于通過(guò)激光的能量可以分解犧牲層105，所以可以容易剝離生長(zhǎng)襯底110。通過(guò)生長(zhǎng)襯底110和發(fā)光結(jié)構(gòu)145之間的生長(zhǎng)層120和犧牲層105，可以最小化由 LLO工藝產(chǎn)生、并且被傳送到發(fā)光結(jié)構(gòu)145的沖擊，以提高制造工藝的可靠性。生長(zhǎng)層120可以設(shè)置在犧牲層105上。生長(zhǎng)層120可以由通過(guò)其容易生長(zhǎng)發(fā)光結(jié)構(gòu)145的材料形成。
例如，使用濺射工藝、ALD工藝、以及電子束沉積工藝中的一個(gè)，可以形成生長(zhǎng)層 120。例如，生長(zhǎng)層120可以由具有多晶體結(jié)構(gòu)的Al2O3形成。然而，為了在生長(zhǎng)層120上生長(zhǎng)具有高質(zhì)量的發(fā)光結(jié)構(gòu)145，生長(zhǎng)層120具有與單晶結(jié)構(gòu)相類似的結(jié)構(gòu)可能是有利的。因此，在形成生長(zhǎng)層120之后，可以在大約900°C至大約1100°C的高溫對(duì)生長(zhǎng)層120進(jìn)行熱處理，以提高生長(zhǎng)層120的結(jié)晶性，但是其不限于此?？梢栽诘?、氧、氫、以及氨氣氣氛中的至少一個(gè)氣氛中執(zhí)行熱處理。生長(zhǎng)層120可以具有大約IOnm至大約100 μ m的厚度，特別地，具有大約IOOnm至大約10 μ m的厚度。由于通過(guò)蝕刻工藝能夠容易去除具有處于前述范圍內(nèi)的厚度的生長(zhǎng)層 120，所以可以提高加工性?？梢詫?duì)生長(zhǎng)層120的頂表面進(jìn)行垂直地構(gòu)圖或者傾斜地構(gòu)圖，以有效地生長(zhǎng)發(fā)光結(jié)構(gòu)145。緩沖層(未示出)可以設(shè)置在生長(zhǎng)層120上。緩沖層可以減小第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層130和生長(zhǎng)層120之間的晶格常數(shù)。例如，緩沖層可以包括從由InAlGaN、GaN、AlGaN、 InGaN, AlInN, A1N、以及InN組成的組中選擇的至少一個(gè)。例如，發(fā)光結(jié)構(gòu)145可以包括第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層130、第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層 130上的有源層140、有源層140上的第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層。使用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積 (MOCVD)工藝、化學(xué)氣相沉積(CVD)工藝、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)工藝、分子束外延(MBE)工藝、或者氫化物氣相外延(HVPE)工藝，前述的層可以形成在生長(zhǎng)層120上，但是其不限于此。第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層130可以僅包括單個(gè)導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層，或者可以進(jìn)一步包括單個(gè)導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層下的緩沖層(未示出)和未摻雜的半導(dǎo)體層(未示出)，但是其不限于此。例如，第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層130可以是η型半導(dǎo)體層。η型半導(dǎo)體層可以由具有InxAlyGai_x_yN(0彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)的組成式的半導(dǎo)體材料形成，例如， η型半導(dǎo)體層包括從由InAlGaN、GaN, AlGaN, InGaN, AlInN, A1N、以及InN組成的組中選擇的至少一個(gè)。在此，η型半導(dǎo)體層摻雜有諸如Si、Ge、以及Sn的η型摻雜物。由于未摻雜的半導(dǎo)體層沒(méi)有被摻雜有導(dǎo)電類型摻雜物，所以未摻雜的半導(dǎo)體層具有顯著地小于第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層130的導(dǎo)電性。因此，可以生長(zhǎng)未摻雜的半導(dǎo)體層，以提高第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的結(jié)晶性。有源層140可以設(shè)置在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層130上。在有源層140中，通過(guò)第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層130注入的電子(或者空穴)和通過(guò)第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層150注入的電子(或者空穴)可以相互復(fù)合。由于復(fù)合，可以發(fā)射具有與取決于有源層140的形成材料的能帶的帶隙的波長(zhǎng)相對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)的光。有源層140可以具有單量子阱結(jié)構(gòu)、多量子阱(MQW)結(jié)構(gòu)、量子線結(jié)構(gòu)、以及量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)中的一個(gè)，但是其不限于此。有源層140可以由具有InxAlyGa1^yN(0彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)的組成式的半導(dǎo)體材料形成。當(dāng)有源層140具有MQW結(jié)構(gòu)時(shí)，多個(gè)阱層和多個(gè)阻擋層可以堆疊以形成有源層140。例如，有源層140可以由InGaN阱層/GaN阻擋層、InGaN阱層/AlGaN 阻擋層、或者InGaN阱層/InGaN阻擋層的循環(huán)形成。阻擋層可以具有大于阱層的帶隙。
其中摻雜有η型或者ρ型摻雜物的包覆層(未示出)可以設(shè)置在有源層140上/ 下。通過(guò)AlGaN層或者InAlGaN層，可以實(shí)現(xiàn)包覆層(未示出)。包覆層可以具有大約有源層140的阻擋層的帶隙。第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層150可以設(shè)置在有源層140上。例如，第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層150可以是其中摻雜有ρ型摻雜物的ρ型半導(dǎo)體層。P型半導(dǎo)體層可以由具有 InxAlyGa1^yN(0彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)的組成式的半導(dǎo)體材料形成，例如，P型半導(dǎo)體層包括從由InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlInN、AlN、以及InN組成的組中選擇的至少一個(gè)。而且，ρ型半導(dǎo)體層可以摻雜有諸如Mg、Zn,等等的ρ型摻雜物。不同于前述的描述，第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層130可以是ρ型半導(dǎo)體層，而第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層150可以是η型半導(dǎo)體層。而且，其中摻雜有η型摻雜物的η型半導(dǎo)體層或者其中摻雜有P型摻雜物的P型半導(dǎo)體層(未示出)可以設(shè)置在第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層150 上。因此，發(fā)光器件100可以具有ηρ結(jié)結(jié)構(gòu)、ρη結(jié)結(jié)構(gòu)、ηρη結(jié)結(jié)構(gòu)、以及ρηρ結(jié)結(jié)構(gòu)中的一個(gè)。第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層130和第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層150可以在其中具有導(dǎo)電類型摻雜物的均勻或者非均勻的摻雜濃度。即，發(fā)光結(jié)構(gòu)145可以具有各種結(jié)構(gòu)，但是其不限于此。圖2至圖7是示出根據(jù)實(shí)施例的使用用于制造發(fā)光器件的基板制造發(fā)光器件的工藝的視圖。參考圖2，溝道層155可以形成在用于制造發(fā)光器件的基板的頂表面的圓周區(qū)域上。使用沉積工藝，可以形成溝道層155，但是其不限于此。溝道層155可以防止發(fā)光結(jié)構(gòu)145和電極(稍后將會(huì)描述)相互電氣地短路，以提高發(fā)光器件的可靠性。溝道層I55可以由具有絕緣性的材料，例如，從由Six0y、Si3N4、SixNy、Si0xNy、Al203、 以及TiO2組成的組中選擇的至少一個(gè)形成。參考圖3，歐姆接觸層156可以形成在發(fā)光結(jié)構(gòu)145上，并且反射層157可以形成在歐姆接觸層156和溝道層155上。即，歐姆接觸層156可以形成在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的頂表面上和溝道層155的內(nèi)部中。歐姆接觸層156可以由透明金屬氧化物或者金屬氮化物形成。例如，歐姆接觸層 156 可以包括從由 ITO、IZO(In-ZnO)、GZO (Ga-ZnO)、AZO (Al-ZnO)、AGZO (Al-Ga ZnO)、 IGZ0(In-Ga ZnO)、Ir0x、Ru0x、Ru0x/IT0、Ni/Ir0x/Au、以及 Ni/Ir0x/Au/IT0 組成的組中選擇的至少一個(gè)?；蛘撸瑲W姆接觸層156可以由具有大約數(shù)個(gè)納米至大約數(shù)十個(gè)納米的厚度的金屬薄膜形成以傳輸光。在這樣的情況下，歐姆接觸層156可以包括從由Ni、Pt、Ir、Rh、 以及Ag組成的組中選擇的至少一個(gè)。根據(jù)發(fā)光器件的設(shè)計(jì)，可以在形狀上不同地改變歐姆接觸層156，但是其不限于此。反射層157可以形成在歐姆接觸層156和溝道層155上。例如，反射層157可以由Ag、Al、Pd、Cu、以及Pt的至少一個(gè)金屬或者其合金形成?？梢圆恍纬煞瓷鋵?57和歐姆接觸層156，或者可以僅形成反射層157和歐姆接觸層156中的一個(gè)，但是其不限于此。參考圖4，第一電極160可以形成在反射層157上。
第一電極160可以支撐在其下的多層，并且用作電極。第一電極160可以包括從由11、0、慰^1、？扒411、1、01、以及船組成的組中選擇的至少一個(gè)，或者可以是其中注入雜質(zhì)的半導(dǎo)體基板，但是其不限于此。第一電極160可以被鍍和/或沉積在發(fā)光結(jié)構(gòu)145上或者可以以片的形式附著到發(fā)光結(jié)構(gòu)145，但是其不限于此。第一電極160可以支撐發(fā)光結(jié)構(gòu)145，并且第一電極160和稍后將會(huì)形成的第二電極(未示出)可以向發(fā)光結(jié)構(gòu)145供應(yīng)電力。參考圖5，生長(zhǎng)襯底110可以被上下顛倒，然后，生長(zhǎng)襯底110可以被去除。通過(guò)激光剝離(LLO)工藝，可以去除生長(zhǎng)襯底110。特別地，當(dāng)激光照射到生長(zhǎng)襯底Iio的頂表面上時(shí)，通過(guò)激光的能量可以分解犧牲層105。因此，生長(zhǎng)襯底110可以被層壓。因此，為了通過(guò)激光的能量分解犧牲層105，犧牲層105應(yīng)具有小于生長(zhǎng)襯底110 的能量的帶隙能。當(dāng)生長(zhǎng)襯底110被去除時(shí)，犧牲層的一部分105a可以存在于生長(zhǎng)層120上。由于生長(zhǎng)層120和犧牲層105設(shè)置在生長(zhǎng)襯底110和發(fā)光結(jié)構(gòu)145之間，所以可以最小化由于在生長(zhǎng)襯底去除工藝中產(chǎn)生的沖擊而導(dǎo)致的發(fā)光結(jié)構(gòu)145的損壞。參考圖6，可以去除犧牲層的一部分105a和生長(zhǎng)層120。通過(guò)蝕刻工藝，可以去除犧牲層的一部分105a和生長(zhǎng)層120。特別地，由于生長(zhǎng)層120具有大約IOnm至大約100 μ m的非常薄的厚度，所以通過(guò)蝕刻工藝可以容易去除生長(zhǎng)層120。參考圖7，沿著邊界區(qū)域147可以對(duì)發(fā)光結(jié)構(gòu)145執(zhí)行隔離蝕刻工藝，以暴露溝道層155。通過(guò)蝕刻工藝，發(fā)光結(jié)構(gòu)可以具有臺(tái)面形狀。接下來(lái)，第二電極170可以形成在發(fā)光結(jié)構(gòu)145上，特別地，可以形成在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層130的一部分上，以制造具有垂直型電極結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件100A。通過(guò)隔離蝕刻工藝，多個(gè)發(fā)光器件100A可以相互分開(kāi)。第二電極170可以具有從由11、0、慰^1、？扒411、1、01、以及船組成的組中選擇的至少一個(gè)的單或者多層結(jié)構(gòu)，但是其不限于此。使用沉積或者鍍工藝，可以形成第二電極 170。粗糙或者不平坦的圖案135可以形成在發(fā)光結(jié)構(gòu)145的第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層 130的頂表面上，以提高光提取效率。粗糙或者不平坦圖案135中的每一個(gè)可以具有隨機(jī)的形狀，或者粗糙或者不平坦圖案135在其間可以具有預(yù)定的距離。圖8是根據(jù)實(shí)施例的包括發(fā)光器件的發(fā)光器件封裝的截面圖。參考圖8，根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件封裝30包括封裝主體20 ；第一和第二引線電極31和32，該第一和第二引線電極31和32至少設(shè)置在封裝主體20的橫向表面的頂表面和圓周上；根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件100A，該發(fā)光器件100A設(shè)置在封裝主體20上的第一和第二引線電極31和32上，并且電氣地連接到第一和第二引線電極31和32 ；以及成型構(gòu)件 40，該成型構(gòu)件40包圍發(fā)光器件100A。封裝主體20可以是由硅材料、合成樹(shù)脂材料或者金屬材料形成。而且，當(dāng)從頂部觀察時(shí)，封裝主體20含有具有傾斜表面53的空腔50。
第一和第二引線電極31和32相互電氣地分開(kāi)，并且向發(fā)光器件100A供應(yīng)電力。 而且，第一和第二引線電極31和32可以用作反射板和散熱板，所述反射板反射在發(fā)光器件 100A中產(chǎn)生的光以提高光效率，而所述散熱板將在發(fā)光器件100A中產(chǎn)生的熱釋放到外部。第一引線電極31和/或第二引線電極32可以穿過(guò)封裝主體20。由于這可以根據(jù)發(fā)光器件100A的電極結(jié)構(gòu)進(jìn)行變化，所以本公開(kāi)不限于此。發(fā)光器件100A可以設(shè)置在封裝主體20上或者設(shè)置在第一和第二引線電極31和 32中的任何一個(gè)上。使用倒裝芯片或者貼片方法，發(fā)光器件100A可以電氣地連接到第一和第二引線電極31和32中的一個(gè)。例如，發(fā)光器件100A的第一電極160可以電氣地連接到第二引線電極32，并且發(fā)光器件100A的第二電極170可以電氣地連接到第一引線電極31。成型構(gòu)件40可以包圍發(fā)光器件100A。成型構(gòu)件40可以包含磷光體，以變化從發(fā)光器件100A發(fā)射的光的波長(zhǎng)。發(fā)光器件封裝30可以安裝至少一個(gè)或者多個(gè)上述發(fā)光器件100A上，但是其不限于此。發(fā)光器件封裝30可以具有板上芯片(COB)型。S卩，根據(jù)COB型，封裝主體20可以具有平頂表面，并且多個(gè)發(fā)光器件100A可以設(shè)置在封裝主體20上。根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件或者發(fā)光器件封裝可以被應(yīng)用于照明單元。照明單元具有其中排列有多個(gè)發(fā)光器件或者發(fā)光器件封裝的結(jié)構(gòu)。因此，照明單元可以包括在圖9和圖 10中所示的顯示裝置和圖11中所示的照明裝置。另外，照明單元可以包括照明燈、交通燈、 車輛前燈、以及標(biāo)識(shí)牌。圖9是根據(jù)實(shí)施例的顯示裝置的分解透視圖。參考圖9，顯示單元1000可以包括導(dǎo)光板1041 ；發(fā)光模塊1031，該發(fā)光模塊1031 用于向?qū)Ч獍?041提供光；反射構(gòu)件1022，該反射構(gòu)件1022位于導(dǎo)光板1041下；光學(xué)片 1051，該光學(xué)片1051位于導(dǎo)光板1041上；顯示面板1061，該顯示面板1061位于光學(xué)片1051 上；以及底蓋1011，該底蓋1011容納導(dǎo)光板1041、發(fā)光模塊1031、以及反射構(gòu)件1022，但是其不限于此。底蓋1011、反射構(gòu)件1022、導(dǎo)光板1041以及光學(xué)片1051可以被限定為照明單元 1050。導(dǎo)光板1041使由發(fā)光模塊1031提供的光擴(kuò)散，以產(chǎn)生平面光。導(dǎo)光板1041可以由透明材料形成。例如，導(dǎo)光板1041可以由諸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的丙烯酸基樹(shù)脂材料、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)樹(shù)脂、聚碳酸酯(PC)樹(shù)脂、環(huán)烯烴共聚物(COC)樹(shù)脂， 以及聚萘二甲酸乙二酯(PEN)樹(shù)脂中的一個(gè)形成。發(fā)光模塊1031設(shè)置在導(dǎo)光板1041的至少一個(gè)橫向表面上，以向?qū)Ч獍?041的至少一個(gè)橫向表面提供光。因此，發(fā)光模塊1031可以用作顯示裝置的光源。至少一個(gè)發(fā)光模塊1031可以設(shè)置在導(dǎo)光板1041的一個(gè)橫向表面上，以直接或者間接提供光。發(fā)光模塊1031可以包括根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件封裝30和基板1033。發(fā)光器件封裝30可以以預(yù)定的距離排列在基板1033上?；?033可以是印制電路板(PCB)，但是其不限于此。而且，基板1033可以包括金屬芯PCB或者柔性PCB，但是其不限于此。當(dāng)發(fā)光器件封裝30安裝在底蓋1011的橫向表面上或者安裝在散熱板上時(shí)，基板1033可以被去除。在此，散熱板的一部分可以接觸底蓋1011的頂表面。因此，在發(fā)光器件封裝30中產(chǎn)生的熱可以經(jīng)由散熱板釋放到底蓋1011?？梢园惭b多個(gè)發(fā)光器件封裝30，以允許發(fā)光表面與導(dǎo)光板1041隔開(kāi)預(yù)定的距離， 通過(guò)該發(fā)光表面在基板1033上發(fā)射光，但是其不限于此。發(fā)光器件封裝30可以向光入射表面直接或者間接提供光，該光入射表面是導(dǎo)光板1041的側(cè)面，但是其不限于此。反射構(gòu)件1022可以設(shè)置在導(dǎo)光板1041下。由于反射構(gòu)件1022反射入射到導(dǎo)光板1041的下表面上的光，以向顯示面板1061提供光，可以提高顯示面板1061的亮度。例如，反射構(gòu)件1022可以由PET、PC、以及PVC中的一個(gè)形成，但是其不限于此。反射構(gòu)件1022 可以是底蓋1011的頂表面，但是其不限于此。底蓋1011可以容納導(dǎo)光板1041、發(fā)光模塊1031、以及反射構(gòu)件1022。為此，底蓋 1011可以包括容納部件1012，該容納部件1012具有帶有開(kāi)口的上側(cè)的盒形狀，但是其不限于此。底蓋1011能夠與頂蓋(未示出)耦合，但是其不限于此。底蓋1011可以由金屬材料或者樹(shù)脂材料形成。而且，可以使用沖壓成型工藝或者擠壓成型工藝制造底蓋1011。底蓋1011可以由具有優(yōu)異的導(dǎo)熱性的金屬或者非金屬材料形成，但是其不限于此。例如，顯示面板1061可以是液晶顯示(LCD)面板，并且包括由透明材料形成的第一和第二基板以及第一和第二基板之間的液晶層。偏振板可以附著到顯示面板1061的至少一個(gè)表面。本公開(kāi)不限于偏振板的所附著的結(jié)構(gòu)。顯示面板1061傳輸或者阻擋由發(fā)光模塊1031提供的光，以顯示信息。顯示單元1000可以應(yīng)用于各種便攜式終端、用于筆記本電腦的顯示器、用于膝上型電腦的顯示器、電視，等等。光學(xué)片1051能夠設(shè)置在顯示面板1061和導(dǎo)光板1041之間，并且包括至少一個(gè)透射片。例如，光學(xué)片1051可以包括擴(kuò)散片、水平和垂直棱鏡片以及亮度增強(qiáng)片，等等中的至少一個(gè)。擴(kuò)散片使入射光擴(kuò)散，而水平或/和垂直棱鏡片向顯示區(qū)域收集入射光。另外，亮度增強(qiáng)片重新使用丟失的光，以提高亮度。而且，保護(hù)片可以設(shè)置在顯示面板1061上，但是其不限于此。諸如導(dǎo)光板1041和光學(xué)片1051的光學(xué)構(gòu)件可以設(shè)置在發(fā)光模塊1031的光學(xué)路徑上，但是其不限于此。圖10是示出根據(jù)實(shí)施例的顯示裝置的視圖。參考圖10，顯示單元1100包括底蓋1152、其上排列有上述發(fā)光器件封裝30的基板1120、光學(xué)構(gòu)件1154、以及顯示面板1155?；?120和發(fā)光器件封裝30可以被限定為發(fā)光模塊1060。底蓋1152、至少一個(gè)發(fā)光模塊1060、以及光學(xué)構(gòu)件1154可以被限定為照明單元。底蓋1152可以包括容納部件1153，但是其不限于此。光學(xué)構(gòu)件1154可以包括透鏡、導(dǎo)光板、擴(kuò)散片、水平和垂直棱鏡片、以及亮度增強(qiáng)片中的至少一個(gè)。導(dǎo)光板可以由PC材料或者PMMA材料形成。在這樣的情況下，導(dǎo)光板可以被去除。擴(kuò)散片使入射光擴(kuò)散，水平和垂直棱鏡片向顯示面板1155收集入射光。亮度增強(qiáng)片重新使用丟失的光，以提高亮度。光學(xué)構(gòu)件1154設(shè)置在發(fā)光模塊1060上，以使用從發(fā)光模塊1060發(fā)射的光產(chǎn)生平面光，或者擴(kuò)散并且收集從發(fā)光模塊1060發(fā)射的光。
圖11是根據(jù)實(shí)施例的照明裝置的透視圖。參考圖11，照明裝置1500包括外殼1510 ；外殼1510中的發(fā)光模塊1530 ；以及連接端子1520，該連接端子1520設(shè)置在外殼1510中以接收來(lái)自外部電源的電力。外殼1510優(yōu)選由具有良好熱屏蔽特性的材料形成，例如，由金屬材料或者樹(shù)脂材料形成。發(fā)光模塊1530可以包括基板1532，和安裝在基板1532上的發(fā)光器件封裝30?？梢蕴峁┒鄠€(gè)發(fā)光器件封裝30，并且多個(gè)發(fā)光器件封裝30可以以矩陣的形狀排列或者相互隔開(kāi)預(yù)定的距離。基板1532可以是其上印制有電路圖案的絕緣體基板，并且可以包括，例如，普通的印制電路板(PCB)、金屬芯PCB、柔性PCB、陶瓷PCB，F(xiàn)R-4，等等。而且，基板1532可以由有效地反射光的材料形成，并且其表面可以以能夠有效地反射光的顏色形成。例如，基板可以是具有白色或者銀色的涂層。至少一個(gè)發(fā)光器件封裝30可以安裝在基板1532上。每個(gè)發(fā)光器件封裝30可以包括至少一個(gè)發(fā)光二極管(LED)芯片。LED芯片可以包括發(fā)射具有紅、綠、藍(lán)或者白光的有色LED，和發(fā)射紫外(UV)射線的UV LED。發(fā)光模塊1530可以具有數(shù)個(gè)發(fā)光器件封裝30的組合，以獲得所想要的顏色和亮度。例如，發(fā)光模塊1530可以具有白光LED、紅光LED以及綠光LED的組合，以獲得高顯色指數(shù)(CRI)。連接端子1520可以電氣地連接到發(fā)光模塊1530以供應(yīng)電力?？梢詫⑦B接端子 1520以插口的類型旋擰且聯(lián)接到外部電源，但是其不限于此。例如，連接端子1520可以以插頭的形式制成并且插入到外部電源，或者可以通過(guò)線連接到外部電源。根據(jù)實(shí)施例，由于具有小于用于去除生長(zhǎng)襯底的激光的能量的帶隙能的犧牲層設(shè)置在生長(zhǎng)襯底上，所以通過(guò)激光的能量可以分解犧牲層以容易剝離生長(zhǎng)襯底。根據(jù)實(shí)施例，生長(zhǎng)層可以設(shè)置在犧牲層和發(fā)光結(jié)構(gòu)之間，以最小化由LLO工藝產(chǎn)生、并且被傳送到發(fā)光結(jié)構(gòu)的沖擊，從而提高制造工藝的可靠性。根據(jù)實(shí)施例，生長(zhǎng)層可以設(shè)置在犧牲層和發(fā)光結(jié)構(gòu)之間，以由于生長(zhǎng)層的去除而完全地去除在生長(zhǎng)襯底的剝離工藝之后剩余的犧牲層的部分。根據(jù)實(shí)施例，由于生長(zhǎng)層被熱處理以形成單晶體結(jié)構(gòu)，所以可以容易制造發(fā)光結(jié)構(gòu)。根據(jù)實(shí)施例，由于生長(zhǎng)層具有大約IOnm至大約100 μ m的薄厚度，所以通過(guò)是后工藝的蝕刻工藝可以容易去除生長(zhǎng)層。根據(jù)實(shí)施例，生長(zhǎng)的頂表面可以被構(gòu)圖或者緩沖層設(shè)置在生長(zhǎng)層上，從而容易制造發(fā)光結(jié)構(gòu)。在本說(shuō)明書(shū)中對(duì)于“一個(gè)實(shí)施例”、“實(shí)施例”、“示例性實(shí)施例”等的任何引用意味著結(jié)合實(shí)施例描述的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性被包括在本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例中。在說(shuō)明書(shū)中，在各處出現(xiàn)的這類短語(yǔ)不必都表示相同的實(shí)施例。此外，當(dāng)結(jié)合任何實(shí)施例描述特定特征、結(jié)構(gòu)或特性時(shí)，都認(rèn)為結(jié)合實(shí)施例中的其它實(shí)施例實(shí)現(xiàn)這樣的特征、結(jié)構(gòu)或特性也是本領(lǐng)域技術(shù)人員所能夠想到的。雖然已經(jīng)參照本發(fā)明的多個(gè)示例性實(shí)施例描述了實(shí)施例，但是應(yīng)該理解，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以想到許多落入本公開(kāi)的原理的精神和范圍內(nèi)的其它修改和實(shí)施例。更加具體地，在本公開(kāi)、附圖和所附權(quán)利要求書(shū)的范圍內(nèi)，主題組合布置的組成部件和/或布置方面的各種變化和修改都是可能的。除了組成部件和/或布置方面的變化和修改之外，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，替代使用也將是顯而易見(jiàn)的。
權(quán)利要求
1.一種用于制造發(fā)光器件的方法，所述方法包括在生長(zhǎng)襯底上形成具有小于激光的能量的帶隙能的犧牲層； 在所述犧牲層上形成生長(zhǎng)層；在所述生長(zhǎng)層上形成發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層、有源層、以及第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層；以及將激光穿過(guò)所述生長(zhǎng)襯底照射到所述犧牲層上，從而剝離所述生長(zhǎng)襯底。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括在剝離所述生長(zhǎng)襯底之后，使用蝕刻工藝去除所述生長(zhǎng)層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)上形成第一電極。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中所述生長(zhǎng)襯底由具有單晶體結(jié)構(gòu)的藍(lán)寶石形成， 并且所述生長(zhǎng)層由具有多晶體結(jié)構(gòu)的藍(lán)寶石形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述犧牲層具有大約1.OeV至大約7. OeV的帶隙。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述犧牲層包括從由IT0、Mox0y、Wx0y、Ni0x、Ti0x、 A1N、以及GaN組成的組中選擇的至少一個(gè)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述犧牲層具有大約IOnm至大約100μ m的厚度。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括在形成所述生長(zhǎng)層之后，對(duì)所述生長(zhǎng)層的頂表面進(jìn)行構(gòu)圖。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括在形成所述生長(zhǎng)層之后，在所述生長(zhǎng)層上形成緩沖層。
10.一種用于制造發(fā)光器件的基板，所述基板包括 生長(zhǎng)襯底；具有小于用于去除所述生長(zhǎng)襯底的激光的能量的帶隙能的犧牲層； 所述犧牲層上的生長(zhǎng)層；以及所述生長(zhǎng)層上的發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層、有源層、以及第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的基板，其中所述犧牲層具有大約1.OeV至7. OeV的帶隙。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的基板，其中所述生長(zhǎng)襯底由具有單晶體結(jié)構(gòu)的藍(lán)寶石形成，并且所述生長(zhǎng)層由具有多晶體結(jié)構(gòu)的藍(lán)寶石形成。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的基板，其中所述犧牲層包括從由ITO、MoxOy,Wx0y、NiOx, TiOx, A1N、以及GaN組成的組中選擇的至少一個(gè)。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的基板，其中所述犧牲層具有大約IOnm至大約100μ m的厚度。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的基板，其中所述生長(zhǎng)層具有包括圖案結(jié)構(gòu)的頂表面。
全文摘要
本發(fā)明提供用于制造發(fā)光器件的基板和用于制造發(fā)光器件的方法。用于制造發(fā)光器件的方法包括在生長(zhǎng)襯底上形成具有小于激光的能量的帶隙能的犧牲層；在犧牲層上形成生長(zhǎng)層；在生長(zhǎng)層上形成發(fā)光結(jié)構(gòu)，該發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層、有源層、以及第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層；以及將激光穿過(guò)生長(zhǎng)襯底照射到犧牲層上，從而剝離生長(zhǎng)襯底。
文檔編號(hào)H01L33/00GK102194930SQ201010623078
公開(kāi)日2011年9月21日 申請(qǐng)日期2010年12月27日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月9日
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