專利名稱：光色調(diào)制方法、發(fā)光二極管光源模塊及其封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管(light-emitting diode,LED)光源模塊，特別是一種光色可變的LED光源模塊及其光色調(diào)制方法與封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
LED是由半導(dǎo)體材料所制成的發(fā)光組件，其具有體積小、壽命長、低驅(qū)動(dòng)電壓、耗電量低、耐震性佳等優(yōu)點(diǎn)。目前LED已廣泛應(yīng)用于指示燈、照明與背光源等領(lǐng)域。一般照明用的光大都為白光，而由于單一 LED芯片的發(fā)光頻譜窄，且本身無法發(fā)出白光，因而需要通過一些技巧來達(dá)到產(chǎn)生白光的目的。目前常見產(chǎn)生白光的方法有二種。 一種為利用藍(lán)光LED產(chǎn)生的藍(lán)光激發(fā)熒光粉而產(chǎn)生黃光，此產(chǎn)生的黃光與藍(lán)光混合后以形成白光；第二種是同時(shí)使用紅光LED、綠光LED及藍(lán)光LED來混合成白光。不同光色的光，有不同的色溫度(color temperature,以下簡(jiǎn)稱色溫)，例如當(dāng)光源色溫在3000K以下時(shí)，光色開始有偏紅的現(xiàn)象，給人溫暖的感覺；色溫超過5000K時(shí)，顏色則偏向藍(lán)光，給人清冷的感覺。因此光源色溫的高低變化將影響室內(nèi)的氣氛。為了能讓使用者可以調(diào)控室內(nèi)照明的色溫，現(xiàn)有的LED光色可調(diào)模塊多半使用由紅光LED、綠光LED及藍(lán)光LED來混光得到光色可變的LED模塊。由于單色光LED的發(fā)光頻譜普遍不寬，屬于窄頻譜光源，因此混光出來的白光色頻譜大多連續(xù)性不佳，進(jìn)而使得其演色性(col orrendering index, CRI)不佳。對(duì)照明領(lǐng)域的應(yīng)用而言，其所需白光的質(zhì)量要求較高，需要較連續(xù)的光譜(例如白光需要高演色性)。而使用現(xiàn)有的紅光LED、綠光LED及藍(lán)光LED來調(diào)制光色的方法，無法得到頻譜較連續(xù)的光譜(意即具高演色性的白光)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種可產(chǎn)生光頻譜較為連續(xù)的光線，并得到高演色性白光的光色調(diào)制方法，以及采用該光色調(diào)制方法的光色可變的發(fā)光二極管光源模塊及其封裝結(jié)構(gòu)通過。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種光色調(diào)制方法，所述方法包括調(diào)制一白光發(fā)光二極管光源，以產(chǎn)生一第一白光；調(diào)制至少一 LED光源，以產(chǎn)生至少一寬帶譜單色光； 以及混合第一白光與寬帶譜單色光，以產(chǎn)生一第二白光，其中第二白光的演色性大于第一白光的演色性，且第一白光的色坐標(biāo)異于第二白光的色坐標(biāo)。上述的至少一 LED光源包括多個(gè)單色LED光源，且調(diào)制LED光源的步驟包括調(diào)制單色LED光源，以產(chǎn)生至少二單色光；以及混合至少二單色光，以產(chǎn)生寬帶譜單色光。上述的至少二單色光包括一第一單色光及一第二單色光。第一單色光的中心波長 1/10強(qiáng)度所對(duì)應(yīng)的波長分別為λ 1及λ 2，第二單色光的中心波長1/10強(qiáng)度所對(duì)應(yīng)的波長分另Ij為λ3及λ 4，其中入2>入1，入4> λ 3，入4>入1且入2彡λ 3。上述的LED光源包括一 LED芯片及一波長轉(zhuǎn)換層，且調(diào)制LED光源的步驟包括激發(fā)LED芯片，以產(chǎn)生一光束；以及使光束通過波長轉(zhuǎn)換層，以產(chǎn)生寬帶譜單色光。
上述的寬帶譜單色光的半高全寬(full width half maximum, FWHM)大于光束的 FffHMo為了更好地實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種光色調(diào)制方法，所述方法包括調(diào)制一白光LED光源，以產(chǎn)生一第一白光；調(diào)制至少一LED光源，以產(chǎn)生一第二白光，其中第二白光包括至少一寬帶譜單色光；以及混合第一白光與第二白光，以產(chǎn)生一第三白光。上述的第三白光的演色性大于第一白光的演色性及第二白光的演色性，且第一白光、第二白光及第三白光的色坐標(biāo)彼此相異。上述的至少一 LED光源包括多個(gè)單色LED光源，且調(diào)制LED光源的步驟包括調(diào)制單色LED光源，以產(chǎn)生多個(gè)單色光；混合單色光，以產(chǎn)生寬帶譜單色光；以及混合單色光及寬帶譜單色光，以產(chǎn)生第二白光。上述的單色光包括一第一單色光及一第二單色光。第一單色光的中心波長1/10 強(qiáng)度所對(duì)應(yīng)的波長分別為λ 及λ 2，第二單色光的中心波長1/10強(qiáng)度所對(duì)應(yīng)的波長分別為入3及λ 4，其中入2> λ 1, λ4> λ 3，λ 4 > λ 且入2彡λ 3。上述的LED光源包括一 LED芯片及一波長轉(zhuǎn)換層，且調(diào)制LED光源的步驟包括激發(fā)LED芯片，以產(chǎn)生一光束；以及使光束通過波長轉(zhuǎn)換層，以產(chǎn)生寬帶譜單色光。上述的寬帶譜單色光的FWHM大于光束的FWHM。上述的調(diào)制LED光源的步驟包括調(diào)制LED光源的電流或脈沖寬度參數(shù)至少其中之一，以產(chǎn)生寬帶譜單色光。上述的調(diào)制白光LED光源的步驟包括調(diào)制白光LED光源的電流或脈沖寬度參數(shù)至少其中之一，以產(chǎn)生第一白光。為了更好地實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種光色可變的LED光源模塊，其包括一白光發(fā)光二極管(light-emitting diode, LED)光源、至少一 LED光源以及一控制單元。白光LED光源，產(chǎn)生一第一白光。至少一 LED光源，產(chǎn)生至少一寬帶譜單色光?？刂茊卧ぐl(fā)白光LED光源及LED光源，以發(fā)出第一白光與寬帶譜單色光。第一白光與寬帶譜單色光形成一第二白光，其中第二白光的演色性大于第一白光的演色性，且第一白光的色坐標(biāo)異于第二白光的色坐標(biāo)。上述的至少一 LED光源包括多個(gè)單色LED光源?？刂茊卧ぐl(fā)單色LED光源產(chǎn)生至少二個(gè)單色光，以混合至少二單色光產(chǎn)生寬帶譜單色光。上述的至少二單色光包括一第一單色光及一第二單色光。第一單色光的中心波長 1/10強(qiáng)度所對(duì)應(yīng)的波長分別為λ 1及λ 2，第二單色光的中心波長1/10強(qiáng)度所對(duì)應(yīng)的波長分另Ij為λ3及λ 4，其中入2>入1，入4> λ 3，入4>入1且入2彡λ 3。上述的LED光源包括一 LED芯片及一波長轉(zhuǎn)換層。控制單元激發(fā)LED芯片產(chǎn)生一光束，以使光束通過波長轉(zhuǎn)換層產(chǎn)生寬帶譜單色光。上述的寬帶譜單色光的FWHM大于光束的FWHM。為了更好地實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種光色可變的LED光源模塊，其包括一白光LED光源、至少一 LED光源以及一控制單元。白光LED光源產(chǎn)生一第一白光。至少一 LED光源產(chǎn)生一第二白光，其中第二白光包括至少一寬帶譜單色光?？刂茊卧ぐl(fā)白光LED光源及LED光源，以發(fā)出第一白光與第二白光。第一白光與第二白光形成一第三白光。
上述的第三白光的演色性大于第一白光的演色性及第二白光的演色性，且第一白光、第二白光及第三白光的色坐標(biāo)彼此相異。上述的至少一 LED光源包括多個(gè)單色LED光源?？刂茊卧ぐl(fā)單色LED光源產(chǎn)生多個(gè)單色光，以混合單色光產(chǎn)生一第一寬帶譜單色光，以及混合單色光及第一寬帶譜單色光產(chǎn)生第二白光。上述的單色光包括一第一單色光及一第二單色光。第一單色光的中心波長1/10 強(qiáng)度所對(duì)應(yīng)的波長分別為λ 及λ 2，第二單色光的中心波長1/10強(qiáng)度所對(duì)應(yīng)的波長分別為λ 3及λ 4，其中入2> λ 1, λ4> λ 3，入4> λ 且入2彡λ 3。上述的LED光源包括一 LED芯片及一波長轉(zhuǎn)換層?？刂茊卧ぐl(fā)LED芯片產(chǎn)生一光束，以使光束通過波長轉(zhuǎn)換層產(chǎn)生一第二寬帶譜單色光。上述的第二寬帶譜單色光的FWHM大于光束的FWHM。上述的第一白光的色溫及色坐標(biāo)可調(diào)。為了更好地實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其包括一基板以及多個(gè)發(fā)光二極管芯片。基板包括多個(gè)凹陷部。多個(gè)凹陷部包含多個(gè)凹陷部深度， 其中多個(gè)凹陷部深度至少部分相異。發(fā)光二極管芯片配置于多個(gè)凹陷部中。每一發(fā)光二極管芯片發(fā)出一對(duì)應(yīng)的光束，其中光束通過多個(gè)凹陷部后，產(chǎn)生至少一第一白光及至少一第二白光。其中，至少一第二白光與至少一第一白光的色坐標(biāo)彼此相異。上述的至少一第一白光或至少一第二白光包括至少一寬帶譜單色光。上述的光束通過凹陷部后產(chǎn)生至少二單色光。至少二單色光形成至少一寬帶譜單色光。上述的至少二單色光包括一第一單色光及一第二單色光。第一單色光的中心波長 1/10強(qiáng)度所對(duì)應(yīng)的波長分別為λ 1及λ 2，第二單色光的中心波長1/10強(qiáng)度所對(duì)應(yīng)的波長分另Ij為λ3及λ 4，其中入2>入1，入4> λ 3，入4>入1且入2彡λ 3。上述的多個(gè)凹陷部中至少一凹陷部填充有波長轉(zhuǎn)換物質(zhì)光束中至少一光束通過至少一凹陷部產(chǎn)生至少一寬帶譜單色光。上述的至少一寬帶譜單色光的FWHM大于光束的FWHM。上述的基板包括一上表面。每一凹陷部具有一底面。上表面與底面分別定義出多個(gè)凹陷部。上述的第一白光、第二白光以及至少一寬帶譜單色光的光學(xué)特性取決多個(gè)凹陷部深度與發(fā)光二極管芯片至少其中之一。上述的第一白光、第二白光以及至少一寬帶譜單色光的光學(xué)特性取決多個(gè)凹陷部深度、發(fā)光二極管芯片以及波長轉(zhuǎn)換物質(zhì)至少其中之一。為了更好地實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其包括一基板以及多個(gè)發(fā)光二極管芯片?；灏ǘ鄠€(gè)凹陷部。多個(gè)凹陷部包含多個(gè)凹陷部深度， 其中多個(gè)凹陷部深度至少部分相異。發(fā)光二極管芯片配置于多個(gè)凹陷部中，每一發(fā)光二極管芯片發(fā)出一對(duì)應(yīng)的光束。其中，光束通過多個(gè)凹陷部后產(chǎn)生至少一第一白光及至少一寬帶譜單色光。上述的光束通過凹陷部產(chǎn)生至少二單色光。至少二單色光形成至少一寬帶譜單色光。
上述的至少二單色光包括一第一單色光及一第二單色光。第一單色光的中心波長 1/10強(qiáng)度所對(duì)應(yīng)的波長分別為λ 1及λ 2，第二單色光的中心波長1/10強(qiáng)度所對(duì)應(yīng)的波長分另Ij為λ3及λ 4，其中入2>入1，入4> λ 3，入4>入1且入2彡λ 3。上述的多個(gè)凹陷部中至少一凹陷部填充有波長轉(zhuǎn)換物質(zhì)。光束中至少一光束通過至少一凹陷部產(chǎn)生至少一寬帶譜單色光。上述的至少一寬帶譜單色光的FWHM大于光束的FWHM。上述的基板包括一上表面。每一凹陷部具有一底面。上表面與底面分別定義出多個(gè)凹陷部。上述的第一白光及至少一寬帶譜單色光的光學(xué)特性取決多個(gè)凹陷部深度與發(fā)光二極管芯片至少其中之一。上述的第一白光及至少一寬帶譜單色光的光學(xué)特性取決多個(gè)凹陷部深度、發(fā)光二極管芯片以及波長轉(zhuǎn)換物質(zhì)至少其中之一。為了更好地實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其包括一基板以及多個(gè)發(fā)光二極管芯片?；灏ㄖ辽俣€(gè)凹陷部。至少二個(gè)凹陷部深度彼此相異。 發(fā)光二極管芯片分別配置于至少二個(gè)凹陷部之中。發(fā)光二極管芯片可發(fā)出至少一第一光束與至少一第二光束，其中至少一第一光束與至少一第二光束彼此中心波長相異。上述的基板包括一上表面。每一凹陷部具有一底面。上表面與底面分別定義出至少二個(gè)凹陷部。本發(fā)明的技術(shù)效果在于本發(fā)明通過光色調(diào)制方法與光色可變的LED光源模塊， 即可調(diào)制出預(yù)定色坐標(biāo)、色溫或演色性的光線，并得到光頻譜連續(xù)的白光。以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對(duì)本發(fā)明的限定。


圖IA為本發(fā)明一實(shí)施例的光色可變的LED光源模塊的示意圖；圖IB為本發(fā)明一實(shí)施例的寬帶譜單色光的頻譜圖；圖IC為本發(fā)明一實(shí)施例的寬帶譜單色光的頻譜圖；圖2A 圖2F分別為圖IA中LED光源被激發(fā)后所發(fā)出的色光頻譜圖；圖3A 圖31為本發(fā)明另一實(shí)施例的色光頻譜圖；圖4A 圖4D為本發(fā)明另一實(shí)施例的色光頻譜圖；圖5為本發(fā)明另一實(shí)施例的光色可變的LED光源模塊的示意圖；圖6為第一白光的色坐標(biāo)在普朗克曲線上變化的示意圖；圖7為圖IA的光色可變的LED光源模塊的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的示意圖；圖8為本發(fā)明另一實(shí)施例的光色可變的LED光源模塊的示意圖；圖9A為圖8的實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的俯視圖；圖9B為沿圖9A的剖面線a-a，的側(cè)視圖；圖9C為沿圖9A的剖面線b-b，的側(cè)視圖；圖IOA為本發(fā)明另一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的俯視圖；圖IOB為沿圖IOA的剖面線c-c，的側(cè)視圖；圖IOC為圖IOA的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的另一實(shí)施例；
圖IlA為本發(fā)明另一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的俯視圖；圖IlB為沿圖IlA的剖面線d_d’的側(cè)視圖；圖IlC為本發(fā)明另一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的俯視圖；圖12為本發(fā)明另一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的示意圖；圖13為本發(fā)明一實(shí)施例的光色調(diào)制方法的步驟流程圖。其中，附圖標(biāo)記100,500,800光色可變的LED光源模塊110、170 白光 LED 光源120、130、140LED 光源150、550、850 控制單元160、560、660、760、860、960、1060 基板570光源區(qū)塊700、1000LED 封裝結(jié)構(gòu)610、620、630、640、710、720、730、740、810、820、830、840、910、920、930、940、1010、 1020LED 芯片W第一白光W，、W”第三白光W1、W2、W3、W4 白光λ 1、λ 2、λ 3、λ 4 波長R、R1、R2 紅色光B 藍(lán)色光G綠色光P普朗克曲線C1、C2、C3、C4、C5 凹陷部Sl基板上表面B1、B2、B3凹陷部底面H1、H2、H3、H4、H5凹陷部底面與基板上表面的距離a-a，、b_b，、c_c，、d_d，剖面線S800、S802、S804光色調(diào)制方法的步驟
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)原理和工作原理作具體的描述以下的敘述將伴隨著實(shí)施例的圖式，來詳細(xì)對(duì)本發(fā)明所提出的實(shí)施例進(jìn)行說明。 在各圖式中所使用相同或相似的參考標(biāo)號(hào)，是用來敘述相同或相似的部分。在本發(fā)明的范例實(shí)施例中，光色可變的LED光源模塊利用兩種白光共同混光，以調(diào)制出不同色溫輸出的白光光源，而參與混光的兩種白光其中之一包括至少一寬帶譜單色光。因此，本發(fā)明的實(shí)施例所提供的LED光源模塊，其發(fā)出的白光至少具有光譜連續(xù)性較佳以及演色性較高的良好光學(xué)質(zhì)量。此外，調(diào)制后所得的白光，其色坐標(biāo)則與用來混光的兩種白光不同。
圖IA為本發(fā)明一實(shí)施例的光色可變的LED光源模塊的示意圖。請(qǐng)參考圖1A，在本實(shí)施例中，光色可變的LED光源模塊100例如包括一基板160、一白光LED光源110、多個(gè) LED光源120、130、140及一控制單元150，其中白光LED光源110及LED光源120、130、140 配置于基板160上，而控制單元150可分別獨(dú)立地激發(fā)LED光源120、130、140。其中白光 LED光源110及LED光源120、130、140可為數(shù)組式或行列式且相鄰地配置。當(dāng)然本發(fā)明不限于一定相鄰配置，也可為不相臨配置。在本實(shí)施例中，白光LED光源110及LED光源120、130、140被控制單元150激發(fā)后，分別發(fā)出一第一白光W、一紅色光R、一藍(lán)色光B及一綠色光G，其中標(biāo)示于圖IA中光源區(qū)塊的標(biāo)號(hào)W、R、B、G即分別代表該LED光源被激發(fā)后所發(fā)出的色光顏色。值得注意的是， 在本實(shí)施例中，紅色光R、藍(lán)色光B及綠色光G，三者至少其中之一為寬帶譜單色光。詳細(xì)而言，以紅色光R為寬帶譜單色光為例，LED光源120包括多個(gè)頻譜較窄的紅色LED光源。在被控制單元150激發(fā)之后，該等紅色LED光源會(huì)產(chǎn)生多個(gè)頻譜較窄的紅色光，而在混合至少二頻譜較窄的紅色光后，即產(chǎn)生一寬帶譜的紅色光R，如圖IA所示。類似地，在其它實(shí)施例中，LED光源模塊100也可包括寬帶譜的綠色光G或?qū)拵ёV的藍(lán)色光B，相同或相似之處在此便不再贅述。圖IB為本發(fā)明一實(shí)施例的寬帶譜單色光的頻譜圖。其中色光頻譜圖的橫軸表示波長，單位為奈米(nm)，而縱軸表示光強(qiáng)度，單位為相對(duì)強(qiáng)度(A. U.)。請(qǐng)參考圖IA及圖1B， 在圖IA的實(shí)施例中，LED光源120例如包括兩個(gè)頻譜較窄的紅色LED光源，而在混合兩個(gè)頻譜較窄的紅色光后，即產(chǎn)生寬帶譜的紅色光R，如圖IB所示。在圖IB中，寬帶譜的紅色光R包括一第一紅色光Rl及一第二紅色光R2。在本實(shí)施例中，就第一紅色光Rl而言，其中心波長1/10強(qiáng)度所對(duì)應(yīng)的波長分別為入1及入2，對(duì)應(yīng)的頻譜寬度為波長λ 2減波長λ 1 ；而就第二紅色光R2而言，其中心波長1/10強(qiáng)度所對(duì)應(yīng)的波長分別為λ 3及λ 4，對(duì)應(yīng)的頻譜寬度為波長λ 4減波長λ 3，其中λ2> λ 1, λ4> λ 3，λ 4 > λ 且入2 彡 λ 3。因此，在本發(fā)明的范例實(shí)施例中，由兩頻譜較窄的單色光混合所產(chǎn)生的寬帶譜的單色光例如可定義如下第一單色光的中心波長1/10強(qiáng)度所對(duì)應(yīng)的波長分別為λ 1及 λ 2，而第二單色光的中心波長1/10強(qiáng)度所對(duì)應(yīng)的波長分別為λ3及λ4，其中λ2>入1， λ 4 > λ 3，λ 4 > λ 且入2 彡 λ 3。此外，在圖IA的實(shí)施例中，寬帶譜單色光也不限于以多個(gè)頻譜較窄的LED光源來形成，也可以是采用熒光粉轉(zhuǎn)換的方式來產(chǎn)生寬帶譜單色光。圖IC為本發(fā)明一實(shí)施例的寬帶譜單色光的頻譜圖。在本實(shí)施例中，寬帶譜的紅色光R例如是采用熒光粉轉(zhuǎn)換模式來產(chǎn)生。例如，采用紅色熒光粉為波長轉(zhuǎn)換層時(shí)，LED光源 120可包括一紫外光(UV)LED芯片(圖未示)。在被控制單元150激發(fā)后，UV LED芯片會(huì)產(chǎn)生一紫外光束，其經(jīng)過波長轉(zhuǎn)換層轉(zhuǎn)換前的頻譜如圖中的虛線所示。在紫外光束經(jīng)過波長轉(zhuǎn)換層轉(zhuǎn)換后所產(chǎn)生寬帶譜的紅色光R如圖中的實(shí)線所示。因此，在本發(fā)明的實(shí)施例中，以熒光粉轉(zhuǎn)換模式所產(chǎn)生的寬帶譜的單色光，只要轉(zhuǎn)換后的單色光的半高全寬(FWHM)大于轉(zhuǎn)換前的單色光的FWHM，即可定義該單色光為一寬帶譜的單色光。類似地，在本實(shí)施例中，LED光源130、140也可分別包括藍(lán)色熒光粉、綠色熒光粉，并搭配UV LED芯片，以分別產(chǎn)生寬帶譜的藍(lán)色光B及寬帶譜的綠色光G。此外，若有產(chǎn)生其它顏色的寬帶譜單色光的需求時(shí)，LED光源模塊100的LED光源 120、130、140也可用其它發(fā)出不同色光的LED光源置換。例如，LED光源可包括釔鋁石榴石 (yttrium aluminium garnet, YAG)熒光粉及藍(lán)光LED芯片，而產(chǎn)生一寬帶譜的黃色光。從另一觀點(diǎn)來看，在本實(shí)施例中，LED光源模塊100可視為利用一第一白光及一第二白光來進(jìn)行光色調(diào)制(color tunable)，且調(diào)制后所獲得的一第三白光，其演色性大于第一白光及第二白光的演色性，且第一白光、第二白光及第三白光的色坐標(biāo)彼此相異。詳細(xì)而言，在被控制單元150激發(fā)后，LED光源120、130、140所發(fā)出的色光混合可視為另一白光LED光源170所發(fā)出的第二白光。在本實(shí)施例中，由于紅色光R、藍(lán)色光B及綠色光G，三者至少其中之一為寬帶譜單色光，因此白光LED光源170所發(fā)出的第二白光包括至少一寬帶譜單色光；并且，也可以使用二頻譜相異單色光形成一寬帶譜單色光，例如形成寬帶譜單色藍(lán)光B，以及使用熒光粉轉(zhuǎn)換方式(UV) LED搭配紅色熒光粉形成寬帶譜單色紅光R，再加上綠光G(可為寬帶譜單色光或是窄頻譜單色光，而寬帶譜單色光的形成方式已如上所述，在此便不再贅述)后形成該第二白光。換言之，第二白光的形成方式雖包含至少一寬帶譜單色光，然而，使用越多個(gè)寬帶譜單色光，由于已先利用頻譜疊加方式形成較連續(xù)的頻譜，故混合出來后的白光因?yàn)轭l譜較為接續(xù)因而展現(xiàn)較佳的演色性。在本實(shí)施例中，控制單元150可調(diào)制白光LED光源110以及LED光源120、130、140 的電流或脈沖寬度參數(shù)至少其中之一，以產(chǎn)生對(duì)應(yīng)的色光。在此，調(diào)制LED光源的電流指的是調(diào)整供給LED光源的電流強(qiáng)度來控制該 LED光源的發(fā)光亮度。調(diào)制LED光源的脈沖寬度指的是以脈沖寬度調(diào)制(PulseWidth Modulation,PWM)方式.驅(qū)動(dòng)LED光源發(fā)光，通過調(diào)整單位時(shí)間內(nèi)脈沖為高準(zhǔn)位的總時(shí)間， 以控制其發(fā)光強(qiáng)度。值得注意的是，控制單元150調(diào)制參數(shù)可選擇其一或結(jié)合運(yùn)用，并且在調(diào)制LED光源或白光LED光源時(shí)，提供電流或脈沖寬度可以分別獨(dú)立控制。上述調(diào)制參數(shù)僅為例示，非用來限定本發(fā)明的調(diào)制方式。圖2A 圖2F分別為圖IA中LED光源被激發(fā)后所發(fā)出的色光頻譜圖，其中每一色光頻譜圖的橫軸表示波長，單位為奈米(nm)，而縱軸表示光強(qiáng)度，單位為相對(duì)強(qiáng)度(A. U.)。請(qǐng)參考圖IA及圖2A 圖2F，在本實(shí)施例中，白光LED光源110及LED光源120、 130、140被控制單元150激發(fā)后，分別發(fā)出第一白光W、紅色光R、藍(lán)色光B及綠色光G，其被激發(fā)后所發(fā)出的色光頻譜分別如圖2E、圖2C、2A及圖2B所示。在本實(shí)施例中，紅色光R例如為一由兩頻譜較窄的單色光混合所產(chǎn)生的寬帶譜的單色光，如圖IB所定義的。其它實(shí)施例中，寬帶譜的紅色光R例如是由熒光粉轉(zhuǎn)換而得到的寬帶譜紅色光。圖2D所示為圖2A至圖2C中各色光共同疊合而成的色光頻譜，其色溫(CCT)為 5276K，而演色性(CRI)為69. 84。從另一觀點(diǎn)來看，圖2D所示的色光頻譜可視為具有色溫 5276K、演色性69. 84的第二白光的色光頻譜。另一方面，本實(shí)施例的白光LED光源110例如是一熒光粉轉(zhuǎn)換白光LED、一白光 LED芯片，或經(jīng)由藍(lán)色、綠色、紅色混光形成的白光。在本實(shí)施例中，白光LED光源110被激發(fā)后所發(fā)出第一白光W，其色光頻譜如圖2E所示。在本實(shí)施例中，第一白光W的色溫為5270K， 演色性為69. 7，而其頻譜范圍介于400奈米至850奈米之間。
值得注意的是，本實(shí)施例的白光LED光源110，其所發(fā)出的第一白光W的演色性小于或等于85，但本發(fā)明不限于此。在其它實(shí)施例中，白光LED光源110也可以是一高演色性白光LED光源，而此時(shí)所發(fā)出的第一白光W的演色性例如是大于或等于80。在白光LED光源110及LED光源120、130、140分別被激發(fā)之后，控制單元混合第一白光W及第二白光(紅色光R、藍(lán)色光B及綠色光G混成)，以產(chǎn)生第三白光W’。在此，“混合”第一白光與第二白光，例如可將第一白光與第二白光的照光路徑直接重疊，也可利用導(dǎo)光介質(zhì)將兩者混合。此導(dǎo)光介質(zhì)可以是但不限于透鏡與光導(dǎo)管。此外，也可利用反射面將其反射而疊合。因此，混合后的第三白光W’，其色光頻譜如圖2F所示。由圖2F可知，第三白光W’ 的色溫為5273K，而其演色性為93. 3。換句話說，在本實(shí)施例中，混合后第三白光的演色性大于第一白光W及第二白光的演色性。是以，本實(shí)施例的LED光源模塊100利用固定的第一白光W與由紅色光R、藍(lán)色光 B及綠色光G混成的第二白光進(jìn)行光色調(diào)制(color tunable)，以調(diào)制出具高演色性的第三白光W’。進(jìn)而，對(duì)照明領(lǐng)域的應(yīng)用而言，當(dāng)所需白光的質(zhì)量要求較高時(shí)，LED光源模塊100 可通過本實(shí)施例的光色調(diào)制方法提供頻譜較連續(xù)的光譜(意即具高演色性的白光)。須特別說明的是，在圖IA的實(shí)施例中，光色可變的LED光源模塊100包括白光LED 光源110及多個(gè)不同顏色的LED光源120、130、140，但本發(fā)明并不限于此。在其它實(shí)施例中，LED光源也可以是相同顏色的寬帶譜單色LED光源。也就是說，圖IA的LED光源120、130、140例如可分別配置具有不同的中心波長的寬帶譜藍(lán)色LED光源，而該等寬帶譜藍(lán)色LED光源例如是以熒光粉轉(zhuǎn)換模式來產(chǎn)生寬帶譜的藍(lán)色光。此時(shí)，經(jīng)控制單元調(diào)制后的第三白光也同樣可具有高演色性的光學(xué)特性，且因第三白光的藍(lán)光比例較高，一般稱為冷白光(Cool White)。換句話說，LED光源可依設(shè)計(jì)需求，配置為具有不同的中心波長的寬帶譜同色LED 光源，使調(diào)制后的第三白光不僅具有高演色性，也可具有對(duì)應(yīng)的色溫。此外，圖IA的LED光源120、130、140也可僅配置兩種不同顏色的寬帶譜單色LED 光源，而該等寬帶譜單色LED光源例如是以熒光粉轉(zhuǎn)換模式來產(chǎn)生寬帶譜的單色光。另外，在圖IA的實(shí)施例中，LED光源120、130、140也可配置為具有較窄頻譜的同色LED光源，而較窄頻譜的同色LED光源被激發(fā)后所發(fā)出窄頻譜同色光，于混合后也可成為一寬帶譜單色光，以與第一白光共同調(diào)制出具高演色性的第三白光。例如，LED光源120、130、140可配置為具有相同色光、中心波長不同而頻譜較窄的藍(lán)色LED光源，而該等較窄頻譜的藍(lán)色LED光源所發(fā)出窄頻譜藍(lán)色光，則可共同混合而成一寬帶譜藍(lán)色光，進(jìn)而與第一白光共同調(diào)制出具高演色性的第三白光。此外，在LED光源120、130、140為不同顏色的情況下，每一 LED光源也可包括多個(gè)較窄頻譜的同色LED光源。例如，LED光源130可包括多個(gè)較窄頻譜的藍(lán)色LED光源，而較窄頻譜的藍(lán)色LED 光源被激發(fā)后所發(fā)出窄頻譜藍(lán)色光，則可共同混合而使LED光源130發(fā)出一寬帶譜藍(lán)色光。圖3A 圖31為本發(fā)明另一實(shí)施例的色光頻譜圖，其分別為圖IA中LED光源被激發(fā)后所發(fā)出的色光頻譜。其中色光頻譜圖的橫軸表示波長，單位為奈米(nm)，而縱軸表示光強(qiáng)度，單位為相對(duì)強(qiáng)度(A.U.)。
請(qǐng)參考圖IA及圖3A 圖31，在LED光源120、130、140為不同顏色的情況下，控制單元150可調(diào)制單色LED光源120、130、140的電流或脈沖寬度參數(shù)至少其中之一，以改變各色光之間的比例關(guān)系。進(jìn)而，不同的色光比例可調(diào)制出不同的第二白光。之后，第二白光再與第一白光W混合后，可調(diào)制出具有不同色溫的高演色性第三白光W’。以圖3A至圖3C為例，在LED光源120、130、140被激發(fā)后，三者所發(fā)出寬帶譜單色光頻譜如圖3A所示。由圖3A可知，經(jīng)控制單元150調(diào)制后，紅色光R所占的比例，遠(yuǎn)較藍(lán)色光B、綠色光G為高，而此時(shí)對(duì)應(yīng)的第二白光，其色溫為^92K、演色性為10. 17。另外，圖 3Β為白光LED光源110所發(fā)出的第一白光的色光頻譜。因此，控制單元150混合具有上述頻譜特性的第一白光W及第二白光，可得調(diào)制后的第三白光W’，而其色光頻譜如圖3C所示，色溫為3005K、演色性為92. 2。另外，再以圖3D至圖3F為例，在LED光源120、130、140被激發(fā)后，三者所發(fā)出寬帶譜單色光頻譜如圖3D所示。由圖3D可知，經(jīng)控制單元150調(diào)制后，紅色光R與藍(lán)色光B 所占的比例相當(dāng)，但較寬帶譜綠色光G為高，而此時(shí)對(duì)應(yīng)的第二白光，其色溫為3436. 6K、演色性為23. 17。此外，圖3E為白光LED光源110所發(fā)出的第一白光的色光頻譜，與圖相同。同樣地，控制單元150混合具有上述頻譜特性的第一白光W及第二白光，可得調(diào)制后的第三白光W’，而其色光頻譜如圖3F所示，色溫為5025K、演色性為95. 7。此外，又以圖3G至圖31為例，在LED光源120、130、140被激發(fā)后，三者所發(fā)出寬帶譜單色光頻譜如圖3G所示。由圖3G可知，經(jīng)控制單元150調(diào)制后，紅色光R與綠色光G 所占的比例相當(dāng)，但較藍(lán)色光B為低，而此時(shí)對(duì)應(yīng)的第二白光，其色溫為3436. 7K、演色性為 29. 26。另外，圖3H為白光LED光源110所發(fā)出的第一白光的色光頻譜，與圖3B、圖3E相同。類似地，控制單元150混合具有上述頻譜特性的第一白光W及第二白光，可得調(diào)制后的第三白光W’，而其色光頻譜如圖31所示，色溫為6993K、演色性為95. 5。由上述例示的多個(gè)色光頻譜圖可知，在本實(shí)施例中，第一白光的色光頻譜并未改變，而控制單元150可依設(shè)計(jì)需求調(diào)制LED光源120、130、140的電流或脈沖寬度參數(shù)至少其中之一，以改變混成第二白光的各色光之間的比例關(guān)系。進(jìn)而，不同的色光比例的第二白光與相同的第一白光混合后，可依實(shí)際需求調(diào)制出具有不同色溫的高演色性第三白光。圖4A 圖4D為本發(fā)明另一實(shí)施例的色光頻譜圖，其分別為圖IA中LED光源被激發(fā)后所發(fā)出的色光頻譜。其中色光頻譜圖的橫軸表示波長，單位為奈米(nm)，而縱軸表示光強(qiáng)度，單位為相對(duì)強(qiáng)度(A.U.)。請(qǐng)參考圖IA及圖4A 圖4D，在本實(shí)施例中，多個(gè)不同顏色的LED光源120、130、 140及白光LED光源110被激發(fā)后，第二白光及第一白光的色光頻譜分別如圖4A及圖4B所示，其中圖4A為第二白光的色光頻譜，其演色性為35，而圖4B為第一白光W的色光頻譜，其演色性為70。在本實(shí)施例中，控制單元150可依實(shí)際需求調(diào)制LED光源120、130、140的電流或脈沖寬度參數(shù)至少其中之一，以改變各色光之間的比例關(guān)系。以圖4B為例，第一白光W的色光頻譜演色性較低是由于色光組成中紅色光R的比例較低，因此，在將第二白光的色溫調(diào)整與第一白光的色溫相同的前提下，控制單元150可調(diào)制寬帶譜紅色的LED光源120的電流或脈沖寬度參數(shù)至少其中之一，以增加紅色光R的強(qiáng)度。因此，經(jīng)調(diào)制后的第三白光W’，其演色性在紅色光頻譜范圍內(nèi)可被補(bǔ)強(qiáng)，因而具有高演色性(CRI = 84)的光學(xué)性質(zhì)，如圖4C所示。另外，第三白光W，的流明(lumen)為37151m。此外，若依據(jù)實(shí)際需求，在將第二白光的色溫調(diào)整與第一白光的色溫相同的前提下，需要獲得較高流明的第三白光W’時(shí)，則控制單元150可調(diào)制綠色的LED光源140的電流或脈沖寬度參數(shù)至少其中之一，以提高綠色光G的強(qiáng)度，進(jìn)而增加其所占的比例。因此， 經(jīng)調(diào)制后的第三白光W”的演色性為CRI = 77，而流明可大幅度的提升為54731m，如圖4D 所示。換句話說，在本實(shí)施例中，若欲提高第三白光的演色性，例如可以提高第二白光中紅色光R所占的比例；若欲提高第三白光的流明，例如可以提高第二白光中綠色光G所占的比例。因此，在本發(fā)明的實(shí)施例中，通過一可調(diào)制的第二白光與一固定的第一白光混合，可達(dá)到光色調(diào)制(color tunable)的目的。圖5為本發(fā)明另一實(shí)施例的光色可變的LED光源模塊的示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D5，在本實(shí)施例中，LED光源模塊500的基板560上例如配置有四組圖IA的LED光源模塊100的光源區(qū)塊，其中標(biāo)示于圖5中光源區(qū)塊的標(biāo)號(hào)R、B、G即分別代表該光源被激發(fā)后所發(fā)出的色光顏色。應(yīng)注意的是，標(biāo)示為相同標(biāo)號(hào)的光源區(qū)塊僅代表該光源被激發(fā)后所發(fā)出的色光顏色相同，而其中心波長仍有可能不同。在本實(shí)施例中，LED光源模塊500例如包括多個(gè)白光LED光源，而該等白光LED光源所發(fā)出的白光可共同調(diào)制出第一白光。例如，在本實(shí)施例中，光源區(qū)塊570中的白光W1、 W2、W3、W4可發(fā)出不同色坐標(biāo)的四種白光，其在CIE色度圖上具有四的坐標(biāo)點(diǎn)，(XI，Yl)、 (Χ2，Υ2)、(Χ3, Υ3), (Χ4，W)，利用W1、W2、W3、W4即可共同調(diào)制出第一白光。藉此，本實(shí)施例的第一白光的色坐標(biāo)可在四種白光的坐標(biāo)點(diǎn)所圍成的區(qū)域范圍內(nèi)依設(shè)計(jì)需求移動(dòng)，或在 CIE坐標(biāo)圖中的普朗克曲線(Planck curve)上移動(dòng)，使調(diào)制后的第一白光為一全普朗克曲線可變白光。其中白光W1、W2、W3、W4可為數(shù)組式且相鄰地配置。而白光W1、W2、W3、W4之外圍依序排列有紅色光R、綠色光G、藍(lán)色光B等多個(gè)LED光源。舉例而言，圖6為第一白光的色坐標(biāo)在普朗克曲線上變化的示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D5 及圖6，在本實(shí)施例中，白光Wl、W2、W3、W4所共同調(diào)制出第一白光，可依實(shí)際需求調(diào)整第一白光色坐標(biāo)在四白光坐標(biāo)點(diǎn)所圍成的區(qū)域范圍變化，或是改變?cè)撋鴺?biāo)在普朗克曲線上的位置，且不同位置則對(duì)應(yīng)不同的白光色溫。圖6即例示了通過調(diào)整白光W1、W2、W3、W4，而可得到第一白光的不同色溫，例如分別為6500K、5300K、4500K或3600Κ。換句話說，在本實(shí)施例中，第一白光W的色溫為可變。另一方面，在本實(shí)施例中，LED光源模塊500例如包括多個(gè)LED光源，其可以藍(lán)色光B為例，每一 LED光源所發(fā)出的藍(lán)色光B，其中心波長可相同或不相同，且其FWHM也可相同或不相同。在其它實(shí)施例中，每一 LED光源所發(fā)出藍(lán)色光也可為較窄頻譜的藍(lán)色光。但無論該等藍(lán)色光、綠色光、紅色光的光學(xué)性質(zhì)如何，在本實(shí)施例中，由LED光源所調(diào)制出的光色包含至少一寬帶譜單色光，以與第一白光調(diào)制出具有高演色性的第三白光。而寬帶譜單色光形成方式已如前述，相同或相似之處在此不再贅述。因此，在本實(shí)施例中，LED光源模塊500的第一白光的色溫為可調(diào)，其搭配至少一種寬帶譜單色光，可調(diào)制出具高演色性的第三白光。從另一觀點(diǎn)來看，本實(shí)施例的所有紅色光R、綠色光G、藍(lán)色光B的混合可視為第二白光，以與第一白光搭配，進(jìn)行光色調(diào)制(color tunable)。另外，在本實(shí)施例中，光源區(qū)塊570的白光W1、W2、W3、W4也可均為同一色溫固定不變的白光光源，以提高照明所需要的亮度，再通過寬帶譜的紅色光R、綠色光G或藍(lán)色光B， 來達(dá)成光色調(diào)制的目的。圖7為圖IA的光色可變的LED光源模塊的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。請(qǐng)參考圖IA及圖7，在本實(shí)施例中，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)700例如包括一基板760以及多個(gè)LED 芯片 710、720、730、740。在本實(shí)施例中，基板760包括多個(gè)凹陷部Cl、C2、C3。在此，基板760的上表面Sl 與每一凹陷部的底面共同定義出對(duì)應(yīng)凹陷部。例如，凹陷部Cl由上表面Sl與其底面Bl共同定義；凹陷部C2由上表面Sl與其底面B2共同定義；而凹陷部C3由上表面Sl與其底面 B3共同定義。在本實(shí)施例中，每一凹陷部底面與基板760上表面Sl之間的距離，或稱為凹陷部高度，可以相同或不同。例如，凹陷部Cl的底面Bl及凹陷部C2的底面B2與基板760 的上表面Sl距離(凹陷部深度)均為H2，兩者相同；而凹陷部C3的底面B3與基板760的上表面Sl距離(凹陷部深度)為H1，其與H2兩者不同值得注意的是，在本發(fā)明的范例實(shí)施例中，每一凹陷部可以包括多個(gè)容置空間，以填充波長轉(zhuǎn)換物質(zhì)(例如熒光粉)、環(huán)氧樹脂(epoxy)或硅膠(silicone)等封裝材料。又填充封裝材料的容置空間可以理解為特定凹陷部底面與高于該底面的相鄰凹陷部底面最小深度差所定義的空間范圍；而在欠缺高于該底面的相鄰凹陷部時(shí)，容置空間可以理解為凹陷部深度所定義的空間范圍。因此，在容置空間內(nèi)填充入特定的封裝材料后，該等材料所占據(jù)的容置空間例如形成一垂直堆棧的態(tài)樣。此外，本實(shí)施例的不同的凹陷部，其容置空間可部分連通或全部連通。在其它實(shí)施例中，底面B3的高度也可與基板760的上表面Sl高度相同，此時(shí)基板760例如僅包括凹陷部C1、C2而使得兩者不連通。凹陷部深度不同，可以使芯片所發(fā)出的光束與熒光粉的作用路徑不一，作用后所發(fā)出的光色也有所差異。在本實(shí)施例中，每一 LED芯片配置于對(duì)應(yīng)的凹陷部。每一容置空間分別被填充對(duì)應(yīng)的波長轉(zhuǎn)換物質(zhì)、環(huán)氧樹脂或硅膠等封裝材料。每一 LED芯片被激發(fā)后，發(fā)出一對(duì)應(yīng)的光束。在此，光束通過對(duì)應(yīng)的封裝材料后，可以產(chǎn)生例如第一白光W及寬帶譜的紅色光R，以及綠色光G、藍(lán)色光B (即第二白光)，如圖IA的光源區(qū)塊所示。因此，第一白光W與第二白光混合后，可產(chǎn)生具高演色性的第三白光W’。在本實(shí)施例中，第三白光的演色性大于第一白光及第二白光的演色性，且第三白光的色坐標(biāo)異于第一白光及第二白光的色坐標(biāo)。在本實(shí)施例中，LED芯片710、720、730、740通過對(duì)應(yīng)的封裝材料后，例如分別產(chǎn)生第一白光W及寬帶譜的紅色光R，以及綠色光G、藍(lán)色光B。在此，寬帶譜的紅色光R可以是頻譜較窄的紅色光混合所產(chǎn)生的寬帶譜紅色光，或者可以是由熒光粉轉(zhuǎn)換而得到的寬帶譜紅色光。換句話說，在本實(shí)施例中，雖然有三個(gè)凹陷部C1、C2、C3，但是并非每一凹陷部都是利用波長轉(zhuǎn)換的方式來產(chǎn)生寬帶譜的單色光。因此，LED芯片710例如是一藍(lán)光LED芯片，而白光LED光源110例如包括藍(lán)光LED 芯片及一波長轉(zhuǎn)換層。在此，凹陷部Cl的容置空間例如被填充波長轉(zhuǎn)換物質(zhì)后，當(dāng)藍(lán)光LED 芯片被激發(fā)時(shí)，產(chǎn)生一藍(lán)光，藍(lán)光通過該層狀結(jié)構(gòu)后以發(fā)出第一白光W。舉例來說，上述的藍(lán)光通過波長轉(zhuǎn)換層時(shí)分別產(chǎn)生一綠光與一紅光，而綠光、紅光與藍(lán)光混合產(chǎn)生第一白光?；蛘?，上述的藍(lán)光通過波長轉(zhuǎn)換層時(shí)分別產(chǎn)生一黃光、綠光及一紅光，而黃光、綠光、紅光與藍(lán)光混合產(chǎn)生第一白光。或者，上述的藍(lán)光通過波長轉(zhuǎn)換層時(shí)分別產(chǎn)生一黃光與一紅光，而黃光、紅光與藍(lán)光混合產(chǎn)生第一白光。或者，上述的藍(lán)光通過波長轉(zhuǎn)換層時(shí)產(chǎn)生一黃光，而黃光與藍(lán)光混合產(chǎn)生第一白光。以上僅為例示，本發(fā)明不以此為限。在另一實(shí)施例中，LED芯片710例如是一 UV LED芯片，而第一白光LED光源110例如包括UV LED芯片及一波長轉(zhuǎn)換層，而紫外光通過波長轉(zhuǎn)換層以發(fā)出第一白光W。換句話說，本發(fā)明的范例實(shí)施例并不對(duì)白光LED光源110所包括的LED芯片型式、種類加以限制，只要該LED芯片通過波長轉(zhuǎn)換層可發(fā)出第一白光W，即為本發(fā)明所欲保護(hù)的范疇。另一方面，在本實(shí)施例中，LED芯片720例如為一 UV LED芯片。換句話說，本實(shí)施例的LED光源120例如包括一 UV LED芯片及一對(duì)應(yīng)的波長轉(zhuǎn)換層。UV LED芯片被激發(fā)時(shí)產(chǎn)生一紫外光，而紫外光通過對(duì)應(yīng)的波長轉(zhuǎn)換層并發(fā)出對(duì)應(yīng)的寬帶譜單色光。以寬帶譜紅色光為例，LED光源120例如包括一 UV LED芯片及一對(duì)應(yīng)的波長轉(zhuǎn)換層，其中該波長轉(zhuǎn)換層例如是填充于凹陷部C3的容置空間的多種熒光粉所形成的層狀結(jié)構(gòu)，在此，熒光粉的材質(zhì)只要是可以使紫外光通過后，產(chǎn)生寬帶譜紅色光即可，本發(fā)明并不加以限制。值得注意的是，在本實(shí)施例中，第一白光與寬帶譜單色光的光學(xué)特性，諸如中心波長、半高全寬、亮度、色溫等特性，至少取決于芯片種類、凹陷部深度或波長轉(zhuǎn)換物質(zhì)的濃度、密度、數(shù)量、種類等特性其中之一。因此，在本發(fā)明的范例實(shí)施例中，LED光源模塊100的封裝結(jié)構(gòu)例如可以是如圖7所示，其混合第一白光與至少一種寬帶譜單色光，可調(diào)制出具高演色性的第二白光。圖8為本發(fā)明另一實(shí)施例的光色可變的LED光源模塊的示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D8，在本實(shí)施例中，光源模塊800的LED光源810、820、830、840例如分別包括一 UV LED芯片及不同濃度的紅色熒光粉、綠色熒光粉、藍(lán)色熒光粉，以形成四種白光Wl W4。在本實(shí)施例中， LED光源810、820、830、840在基板860上是以“數(shù)組”(array)方式且相鄰地排設(shè)。圖9A為圖8的實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖9B為沿圖9A的剖面線a-a’的側(cè)視圖，而圖9C為沿圖9A的剖面線b_b’的側(cè)視圖。本實(shí)施例與前述實(shí)施例不同特點(diǎn)在于多個(gè)凹陷部彼此相鄰成矩陣式排列，且凹陷部深度均不相同。請(qǐng)參考圖8及圖9A 圖9C，在本實(shí)施例中，基板860例如包括四個(gè)凹陷部Cl C4，凹陷部Cl C4的底面分別配置對(duì)應(yīng)的UV LED芯片810、820、830、840，且凹陷部Cl C4的深度分別為Hl H4，其彼此均不相同。在本實(shí)施例中，配合UV LED芯片810、820、830、840，每一凹陷部的容置空間可填充濃度相同或不相同的混合式(blended)熒光粉，例如包括紅色熒光粉、綠色熒光粉或藍(lán)色熒光粉。由于各UV LED芯片所發(fā)出的紫外光束經(jīng)由不同長短的路徑穿透對(duì)應(yīng)的凹陷部的容置空間，因此會(huì)形成不同的四種白光Wl W4，如圖9B及圖9C所示?；蛘撸谄渌鼘?shí)施例中，LED光源810、820、830、840例如分別是一藍(lán)光LED芯片， 而此時(shí)對(duì)應(yīng)的凹陷部的容置空間所填充的，例如是相同濃度的YAG熒光粉，以形成四種白光Wl W4。值的注意的是，本實(shí)施例中也可選擇藍(lán)光LED芯片搭配UV LED芯片一起使用， 例如LED光源810、830均為藍(lán)光芯片，LED光源820、840均為UV LED芯片，此時(shí)針對(duì)凹陷部Cl、C3可填充YAG熒光粉，Cl及C3因Hl及H3深度不同所造成芯片發(fā)出光線經(jīng)過熒光粉作用路徑不同，因此形成不同色坐標(biāo)的白光Wl及W3 ；又針對(duì)凹陷部C2、C4可填充藍(lán)色、 綠色、紅色混合熒光粉，使得UV LED發(fā)出光線得以激發(fā)形成不同色坐標(biāo)的白光W2及W4。此外，在本實(shí)施例中，也可不需通過圖7、圖9B或圖9C的容置空間，而透過芯片種類、熒光層內(nèi)熒光粉的選擇，來選擇性地搭配熒光層來形成不同光線，以圖8舉例說明，基板860可以是不具備容置空間的高導(dǎo)熱材料，例如氮化鋁基板、鋁基板、銅基板、硅基板、或是PCB基板等，基板上可以配置多個(gè)芯片(Light Emitting Dies)彼此緊密相臨，形成單一封裝體多芯片的封裝形式(Multi-chip in One Package)。在芯片個(gè)數(shù)的配置上，可以使用至少二以上芯片即可以達(dá)成單一封裝體多芯片的色溫可調(diào)變的封裝形式(圖未示)，而圖示四顆芯片810，820，830，840僅為實(shí)施例其中之一。就色溫調(diào)變的方法，可以使各芯片所發(fā)出的中心波長相同，例如，芯片810以及820均為相同的藍(lán)光波段，而在芯片表面上涂布濃度、成份配比不同的熒光粉，例如為YAG熒光粉，此時(shí)芯片發(fā)出的光線激發(fā)熒光粉后混合形成第一白光以及第二白光，就第一白光以及第二白光而言彼此色溫(以及色度坐標(biāo))相異，而各該白光所發(fā)出的比例可以透過控制單元850來調(diào)整，而調(diào)整的參數(shù)可以是電流、頻譜或脈沖寬度任意其一，在此情形下，單一封裝體內(nèi)即可達(dá)成色溫可調(diào)變的功能。而參與調(diào)光的芯片個(gè)數(shù)亦可以具體為四，再利用前述相類似步驟使各晶粒發(fā)出第一白光、第二白光、 第三白光、第四白光，該些白光色溫、色度坐標(biāo)彼此相異，再運(yùn)用前述方法調(diào)變各該白光的比例，以達(dá)到單一封裝體色溫可調(diào)變的功能。值得注意的是參與調(diào)變的芯片個(gè)數(shù)越多，能產(chǎn)生不同色溫的白光種類越多，對(duì)于色溫調(diào)變的范圍越廣；另外，芯片也可以一部或全部是發(fā)出UV波段的芯片，搭配對(duì)應(yīng)的熒光粉被激發(fā)后形成參與色溫調(diào)制的白光。圖IOA為本發(fā)明另一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的俯視圖。請(qǐng)參照?qǐng)D10A，與前述實(shí)施不同的是在本實(shí)施例中，LED光源910、920、930、940在基板960上是以“列”(row)方式排設(shè)，且凹陷部深度均不相同。圖IOB為沿圖IOA的剖面線c-c’的側(cè)視圖。請(qǐng)參照?qǐng)DIOA及圖10B，在本實(shí)施例中，LED光源910、920、930、940可以全部是UV LED芯片搭配混合式熒光粉的組合，或者可以全部是藍(lán)光LED芯片搭配YAG熒光粉的組合。 由于每一凹陷部深度Hl H4并不相同，因此各UV LED芯片所發(fā)出的紫外光束經(jīng)由不同長短的路徑穿透容置空間中的波長轉(zhuǎn)換物質(zhì)，因此會(huì)形成不同的四種白光Wl W4。另外，在本實(shí)施例中，LED光源910、920、930、940可以部分是UV LED芯片搭配混合式熒光粉的組合，或者可以部分是藍(lán)光LED芯片搭配YAG熒光粉的組合。例如，LED光源 920,940是UV LED芯片搭配混合式熒光粉的組合，而LED光源910、930是藍(lán)光LED芯片搭配YAG熒光粉的組合?；蛘?，在LED光源910、920、930、940中，至少其中兩個(gè)LED光源分別為UV LED芯片搭配混合式熒光粉的組合，以及藍(lán)光LED芯片搭配YAG熒光粉的組合，而另外兩個(gè)LED光源可為兩個(gè)UV LED芯片搭配混合式熒光粉的組合，或者兩個(gè)藍(lán)光LED芯片搭配YAG熒光粉的組合，或者一個(gè)UV LED芯片搭配混合式熒光粉的組合及一個(gè)藍(lán)光LED芯片搭配YAG熒光粉的組合。圖IOC為圖IOA的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的另一實(shí)施例，其繪示沿圖IOA的剖面線 cc'的側(cè)視圖。請(qǐng)參照?qǐng)D10C，在本實(shí)施例中，凹陷部Cl、C3的深度HI、H3相同；而凹陷部 C2、C4的深度H2、H4相同。本實(shí)施例特點(diǎn)在于凹陷部深度部分相同。在本實(shí)施例中，LED光源920、930例如是UV LED芯片搭配混合式熒光粉的組合，而LED光源910、940例如是藍(lán)光LED芯片搭配YAG熒光粉的組合。雖然LED光源920、930均是UV LED芯片搭配混合式熒光粉的組合，但其對(duì)應(yīng)的UV LED芯片所發(fā)出的紫外光束通過熒光粉層的濃度、種類配比相異，因此可產(chǎn)生不同的兩種白光W2、W3。類似地，雖然LED光源910、940均是藍(lán)光LED芯片搭配YAG熒光粉的組合，但其對(duì)應(yīng)的藍(lán)光LED芯片所發(fā)出的藍(lán)色光束通過熒光粉層的濃度、種類配比不同，因此可產(chǎn)生不同的兩種白光W1、W4?；蛘?， 可令兩相同種類芯片的中心波長相異，當(dāng)激發(fā)相同濃度、種類配比的熒光粉組合時(shí)，也換產(chǎn)生相異的兩色光。因此，在本實(shí)施例中，依據(jù)設(shè)計(jì)需求，透過凹陷部深度的控制，以及芯片種類、熒光粉的調(diào)整，可以形成不同的四種白光Wl W4。另外，在本實(shí)施例中，凹陷部C5可視實(shí)際需求設(shè)計(jì)為一保護(hù)層。例如，凹陷部C5 可為一玻璃層(glass sheet)，以防止紫外光束外漏。此外，在本實(shí)施例中，為使LED光源模塊具有良好光學(xué)特性，可以在面芯片處鍍上一層光學(xué)鍍膜，以將紫外光束及特定波段的藍(lán)色光束反射回封裝體，而允許可見光穿透。圖IlA為本發(fā)明另一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的俯視圖。請(qǐng)參照?qǐng)D11A，在本實(shí)施例中，LED光源610、620、630在基板660上是以“列” (row)方式排設(shè)。圖IlB為沿圖 IlA的剖面線d-d’的側(cè)視圖。本實(shí)施例與前述差別主要在于單一凹陷部可配置多個(gè)LED 芯片，芯片與凹陷部的個(gè)數(shù)并非對(duì)應(yīng)。請(qǐng)參照?qǐng)DIlA及圖11B，在本實(shí)施例中，LED光源610、630例如配置于凹陷部Cl中， 而LED光源620例如配置于凹陷部C2中。圖IlC為本發(fā)明另一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的俯視圖。請(qǐng)參照?qǐng)D11C，在本實(shí)施例中，凹陷部C2還配置一 LED光源640。由圖1IA 圖1IC的范例實(shí)施例可知，基板660的凹陷部可配置一個(gè)或多個(gè)LED光源，而在圖lie中，若相同深度的凹陷部配置有多個(gè)LED光源時(shí)，該等LED光源其芯片所發(fā)出的中心波長(peak wavelength)可以為部分相異的波段。例如，凹陷部C2所配置的LED 光源可以是多個(gè)藍(lán)光LED芯片搭配YAG熒光粉的組合，而該多個(gè)藍(lán)光LED芯片其所發(fā)出的中心波長可以為部分相異的波段，以產(chǎn)生不同色坐標(biāo)的白光。類似地，凹陷部Cl所配置的 LED光源的種類可以是UV LED芯片搭配混合式熒光粉的組合，或是藍(lán)光LED芯片搭配YAG 熒光粉的組合。凹陷部Cl所配置的LED光源為兩個(gè)(LED光源610、630)時(shí)，其個(gè)別芯片所發(fā)出的中心波長也可以為兩個(gè)相異的波段。利用上述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)，至少可以得到至少兩種以上色坐標(biāo)的白光。值得注意的是，在本實(shí)施例中，相同深度的凹陷部并不排斥使用相同中心波長的 LED芯片，使用多個(gè)LED芯片可以因應(yīng)照明環(huán)境的亮度需求來提高流明值；并且，在本實(shí)施例中，LED光源610及640可以例如是一白光光源，LED光源620及630可以是中心波長相異的兩單色光，例如為一第一紅光及一第二紅光，此時(shí)屬于凹陷部Cl的容置空間可以不用充填波長轉(zhuǎn)換物質(zhì)，利用兩單色光頻譜疊加形成一寬帶譜單色光，來改變?cè)摪坠夤庠吹纳珳鼗蚴茄萆浴ｍ毺貏e說明的是，在圖7 圖IlC的實(shí)施例中，凹陷部的數(shù)目及深度、熒光粉的種類以及寬帶譜單色光及白光的產(chǎn)生方式僅用以例示說明，本發(fā)明并不限于此。圖12為本發(fā)明另一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。請(qǐng)參考圖12，在本實(shí)施例中，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)1000例如包括一基板1060以及多個(gè)LED芯片1010、1020。 在此，基板1060包括至少兩個(gè)凹陷部Cl、C2。在本實(shí)施例中，LED芯片1010、1020所產(chǎn)生的光源態(tài)樣例如是一第一白光以及一第二白光，或者例如是一第一白光與一寬帶譜單色光，或者例如是至少兩中心波長相異的單色光。在本實(shí)施例中，寬帶譜單色光及白光的產(chǎn)生方式例如是利用光束通過對(duì)應(yīng)的波長轉(zhuǎn)換物質(zhì)來產(chǎn)生，也可以是利用中心波長不同的單色光疊加的方式來形成。舉例而言，LED芯片1020可以是一 UV LED芯片以發(fā)出紫外光束，配置于凹陷部 C2的容置空間內(nèi)可以填充由紅色熒光粉、藍(lán)色熒光粉、綠色熒光所組成的混合式熒光粉 (Blended phosphor)，以紫外光束激發(fā)該混合式熒光粉后可以產(chǎn)生第一白光；而LED芯片 1010可以是一藍(lán)光芯片以發(fā)出藍(lán)光光束，配置于Cl內(nèi)可以填充YAG熒光粉，以藍(lán)光光束激發(fā)該YAG熒光粉后可以產(chǎn)生第二白光，利用第一白光與第二白光混合可以產(chǎn)生第三白光， 其中第三白光與第一白光及第二白光色坐標(biāo)相異，并且第三白光的演色性相較于第一白光或第二白光的演色性為高。值得注意的是，兩不同深度的凹陷部也可以配置相同種類的芯片，例如LED芯片 1010、1020可以均為藍(lán)光芯片，而凹陷部Cl及C2均填充有YAG熒光粉，由于芯片發(fā)出的光束通過熒光粉作用路徑不一，因此會(huì)產(chǎn)生一第一白光與一第二白光，利用第一白光與第二白光混合可以產(chǎn)生第三白光，其中第三白光與第一白光及第二白光色坐標(biāo)相異，并且第三白光的演色性相較于第一白光或第二白光的演色性為高。又LED芯片1010、1020可以均為 UV LED芯片，而凹陷部Cl及C2均填充有混合式熒光粉，其它與前述相同或類似部分，在此不重復(fù)贅述。由于第一白光與第二白光的色坐標(biāo)相異，因此，可以透過控制單元(圖未示)改變分別提供于芯片1010、1020的電流或脈沖寬度，以調(diào)制第三白光。另外，在另一種實(shí)施例中，也可以令芯片1020為一白光光源，產(chǎn)生白光的方式已如前述，在此不贅述。并令1010芯片經(jīng)調(diào)制后為一寬帶譜單色光，例如所產(chǎn)生的光束在通過凹陷部Cl后產(chǎn)生一寬帶譜紅色光。寬帶譜紅色光的形成方式例如是LED芯片1010利用其所發(fā)出的光束通過凹陷部Cl對(duì)應(yīng)的波長轉(zhuǎn)換物質(zhì)來產(chǎn)生，也可以是利用中心波長不同的單色光疊加的方式來形成。若寬帶譜紅色光的形成方式是利用中心波長不同的單色光疊加的方式來形成的，芯片1010可以是多個(gè)晶粒(die)所組成(圖未示)，其對(duì)應(yīng)的凹陷部 Cl的容置空間此時(shí)所填充的物質(zhì)可以是環(huán)氧樹脂或硅膠，以加強(qiáng)封裝體的可靠度。類似地，在另一實(shí)施例中，可以令芯片1020為一藍(lán)光芯片，為了充分加強(qiáng)藍(lán)光與熒光粉的作用，可以將填入凹陷部C2的容置空間中的熒光粉采用濃度較高的黃色或橘紅色熒光粉，使得藍(lán)光與濃度高的黃色或橘紅色熒光粉充分作用后產(chǎn)生一第一白光，以減少在中高色溫光源頻譜藍(lán)光峰值較高的問題；再令1010為一綠光LED芯片，以調(diào)整該第一白光所需要的色坐標(biāo)及色溫達(dá)到一預(yù)定范圍，此時(shí)，凹陷部可以選擇性地填入硅或環(huán)氧樹脂， 以保護(hù)芯片及膠材；或可填入摻雜散射粒子(例如二氧化鈦Ti02)的具流動(dòng)性高透光散熱液體(例如硅油或電解水)，以加強(qiáng)封裝體的散熱能力以及混合后光色均勻性。在相類似的實(shí)施例中，LED芯片1010以及1020也可以僅是兩中心波長相異的單色光配置于不同深度的凹陷部當(dāng)中，而凹陷部Cl或C2的容置空間內(nèi)可以選擇地填充波長轉(zhuǎn)換物質(zhì)、環(huán)氧樹脂(epoxy)或硅膠(silicone)等封裝材料，或者是具有散熱能力的高導(dǎo)熱透明液體，例如硅油或電解水，或是選擇性的摻雜散射粒子，與前述相同或類似之處，在此不再重述。圖13為本發(fā)明一實(shí)施例的光色調(diào)制方法的步驟流程圖。請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)DIA及圖13， 本實(shí)施例的光色調(diào)制方法包括如下步驟。首先，在步驟S800中，調(diào)制一白光LED光源110， 以產(chǎn)生一第一白光W。接著，在步驟S802中，調(diào)制LED光源120、130、140，以產(chǎn)生一第二白光，其中第二白光包括至少一寬帶譜單色光。之后，在步驟S804中，混合第一白光W與第二白光，以產(chǎn)生一第三白光W’。在此，第三白光的演色性大于第一白光及第二白光的演色性， 且三者的色坐標(biāo)彼此相異。另外，本發(fā)明的實(shí)施例的光色調(diào)制方法可以由圖IA至圖12實(shí)施例的敘述中獲致足夠的教示、建議與實(shí)施說明，因此不再贅述。綜上所述，本發(fā)明的LED光源模塊利用光色調(diào)制方法，混合固定的白光與可調(diào)制的白光，以調(diào)制出具高演色性的白光，達(dá)到光色調(diào)制(color tunable)的目的。進(jìn)而，對(duì)照明領(lǐng)域的應(yīng)用而言，當(dāng)所需白光的質(zhì)量要求較高時(shí)，LED光源模塊可通過本發(fā)明的光色調(diào)制方法提供具高演色性的白光。當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實(shí)施例，在不背離本發(fā)明精神及其實(shí)質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種光色調(diào)制方法，其特征在于，包括調(diào)制一白光發(fā)光二極管光源，以產(chǎn)生一第一白光；調(diào)制至少一 LED光源，以產(chǎn)生至少一寬帶譜單色光；以及混合該第一白光與該寬帶譜單色光，以產(chǎn)生一第二白光，其中該第二白光的演色性大于該第一白光的演色性，且該第一白光的色坐標(biāo)異于該第二白光的色坐標(biāo)。
2.如權(quán)利要求1所述的光色調(diào)制方法，其特征在于，該至少一LED光源包括多個(gè)單色 LED光源，且調(diào)制該LED光源的該步驟包括調(diào)制該些單色LED光源，以產(chǎn)生至少二單色光；以及混合該至少二單色光，以產(chǎn)生該寬帶譜單色光。
3.如權(quán)利要求2所述的光色調(diào)制方法，其特征在于，該至少二單色光包括一第一單色光及一第二單色光，該第一單色光的中心波長1/10強(qiáng)度所對(duì)應(yīng)的波長分別為λ 1及λ 2，該第二單色光的中心波長1/10強(qiáng)度所對(duì)應(yīng)的波長分別為λ3及λ 4，其中λ2> λ1，λ4> 入3，入4>入1且入2彡入3。
4.如權(quán)利要求1所述的光色調(diào)制方法，其特征在于，該LED光源包括一LED芯片及一波長轉(zhuǎn)換層，且調(diào)制該LED光源的該步驟包括激發(fā)該LED芯片，以產(chǎn)生一光束；以及使該光束通過該波長轉(zhuǎn)換層，以產(chǎn)生該寬帶譜單色光。
5.如權(quán)利要求4所述的光色調(diào)制方法，其特征在于，該寬帶譜單色光的半高全寬大于該光束的半高全寬。
6.一種光色調(diào)制方法，其特征在于，包括調(diào)制一白光LED光源，以產(chǎn)生一第一白光；調(diào)制至少一 LED光源，以產(chǎn)生一第二白光，其中該第二白光包括至少一寬帶譜單色光；以及混合該第一白光與該第二白光，以產(chǎn)生一第三白光。
7.如權(quán)利要求6所述的光色調(diào)制方法，其特征在于，該第三白光的演色性大于該第一白光的演色性及該第二白光的演色性，且該第一白光、該第二白光及該第三白光的色坐標(biāo)彼此相異。
8.如權(quán)利要求6所述的光色調(diào)制方法，其特征在于，該至少一LED光源包括多個(gè)單色 LED光源，且調(diào)制該LED光源的該步驟包括調(diào)制該些單色LED光源，以產(chǎn)生多個(gè)單色光；混合該些單色光，以產(chǎn)生該寬帶譜單色光；以及混合該些單色光及該寬帶譜單色光，以產(chǎn)生該第二白光。
9.如權(quán)利要求8所述的光色調(diào)制方法，其特征在于，該些單色光包括一第一單色光及一第二單色光，該第一單色光的中心波長1/10強(qiáng)度所對(duì)應(yīng)的波長分別為λ 1及λ 2，該第二單色光的中心波長1/10強(qiáng)度所對(duì)應(yīng)的波長分別為λ 3及λ 4，其中λ2>λ1，λ4>λ3， λ 4 >入1且入2彡λ 3。
10.如權(quán)利要求6所述的光色調(diào)制方法，其特征在于，該LED光源包括一LED芯片及一波長轉(zhuǎn)換層，且調(diào)制該LED光源的該步驟包括激發(fā)該LED芯片，以產(chǎn)生一光束；以及使該光束通過該波長轉(zhuǎn)換層，以產(chǎn)生該寬帶譜單色光。
11.如權(quán)利要求10所述的光色調(diào)制方法，其特征在于，該寬帶譜單色光的半高全寬大于該光束的半高全寬。
12.如權(quán)利要求6所述的光色調(diào)制方法，其特征在于，調(diào)制該LED光源的該步驟包括調(diào)制該LED光源的電流或脈沖寬度參數(shù)至少其中之，以產(chǎn)生該寬帶譜單色光。
13.如權(quán)利要求6所述的光色調(diào)制方法，其特征在于，調(diào)制該白光LED光源的該步驟包括調(diào)制該白光LED光源的電流或脈沖寬度參數(shù)至少其中之一，以產(chǎn)生該第一白光。
14.一種光色可變的LED光源模塊，其特征在于，包括一白光發(fā)光二極管光源，產(chǎn)生一第一白光；至少一 LED光源，產(chǎn)生至少一寬帶譜單色光；以及一控制單元，激發(fā)該白光LED光源及該LED光源，以發(fā)出該第一白光與該寬帶譜單色光，該第一白光與該寬帶譜單色光形成一第二白光，其中該第二白光的演色性大于該第一白光的演色性，且該第一白光的色坐標(biāo)異于該第二白光的色坐標(biāo)。
15.如權(quán)利要求14所述的LED光源模塊，其特征在于，該至少一LED光源包括多個(gè)單色 LED光源，該控制單元激發(fā)該些單色LED光源產(chǎn)生至少二個(gè)單色光，以混合該至少二單色光產(chǎn)生該寬帶譜單色光。
16.如權(quán)利要求15所述的LED光源模塊，其特征在于，該至少二單色光包括一第一單色光及一第二單色光，該第一單色光的中心波長1/10強(qiáng)度所對(duì)應(yīng)的波長分別為λ 1及λ 2，該第二單色光的中心波長1/10強(qiáng)度所對(duì)應(yīng)的波長分別為λ3及λ 4，其中λ2> λ1，λ4> λ 3，λ 4 > λ 且入2 彡 λ 3。
17.如權(quán)利要求14所述的LED光源模塊，其特征在于，該LED光源包括一LED芯片及一波長轉(zhuǎn)換層，該控制單元激發(fā)該LED芯片產(chǎn)生一光束，以使該光束通過該波長轉(zhuǎn)換層產(chǎn)生該寬帶譜單色光。
18.如權(quán)利要求17所述的LED光源模塊，其特征在于，該寬帶譜單色光的半高全寬大于該光束的半高全寬。
19.一種光色可變的LED光源模塊，其特征在于，包括一白光LED光源，產(chǎn)生一第一白光；至少一 LED光源，產(chǎn)生一第二白光，其中該第二白光包括至少一寬帶譜單色光；以及一控制單元，激發(fā)該白光LED光源及該LED光源，以發(fā)出該第一白光與該第二白光，該第一白光與該第二白光形成一第三白光。
20.如權(quán)利要求19所述的LED光源模塊，其特征在于，該第三白光的演色性大于該第一白光的演色性及該第二白光的演色性，且該第一白光、該第二白光及該第三白光的色坐標(biāo)彼此相異。
21.如權(quán)利要求19所述的LED光源模塊，其特征在于，該至少一LED光源包括多個(gè)單色 LED光源，該控制單元激發(fā)該些單色LED光源產(chǎn)生多個(gè)單色光，以混合該些單色光產(chǎn)生一第一寬帶譜單色光，以及混合該些單色光及該第一寬帶譜單色光產(chǎn)生該第二白光。
22.如權(quán)利要求21所述的LED光源模塊，其特征在于，該些單色光包括一第一單色光及一第二單色光，該第一單色光的中心波長1/10強(qiáng)度所對(duì)應(yīng)的波長分別為λ 1及λ 2，該第二單色光的中心波長1/10強(qiáng)度所對(duì)應(yīng)的波長分別為λ 3及λ 4，其中λ2>λ1，λ4>λ3， λ 4 >入1且入2彡λ 3。
23.如權(quán)利要求19所述的LED光源模塊，其特征在于，該LED光源包括一LED芯片及一波長轉(zhuǎn)換層，該控制單元激發(fā)該LED芯片產(chǎn)生一光束，以使該光束通過該波長轉(zhuǎn)換層產(chǎn)生一第二寬帶譜單色光。
24.如權(quán)利要求23所述的LED光源模塊，其特征在于，該第二寬帶譜單色光的半高全寬大于該光束的半高全寬。
25.如權(quán)利要求19所述的LED光源模塊，其特征在于，該第一白光的色溫及色坐標(biāo)可調(diào)。
26.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括一基板，包括多個(gè)凹陷部，該多個(gè)凹陷部包含多個(gè)凹陷部深度，其中該多個(gè)凹陷部深度至少部分相異；以及多個(gè)發(fā)光二極管芯片，配置于該多個(gè)凹陷部中，每一發(fā)光二極管芯片發(fā)出一對(duì)應(yīng)的光束，其中該些光束通過該多個(gè)凹陷部后，產(chǎn)生至少一第一白光及至少一第二白光； 其中該至少一第二白光與該至少一第一白光的色坐標(biāo)彼此相異。
27.如權(quán)利要求沈所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該至少一第一白光或該至少一第二白光包括至少一寬帶譜單色光。
28.如權(quán)利要求27所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該些光束通過該些凹陷部后產(chǎn)生至少二單色光，該至少二單色光形成該至少一寬帶譜單色光。
29.如權(quán)利要求觀所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該至少二單色光包括一第一單色光及一第二單色光，該第一單色光的中心波長1/10強(qiáng)度所對(duì)應(yīng)的波長分別為入1 及λ 2，該第二單色光的中心波長1/10強(qiáng)度所對(duì)應(yīng)的波長分別為λ3及λ4，其中λ2> λ 1, λ 4 > λ 3，λ 4 > λ 且入2 彡 λ 3。
30.如權(quán)利要求27所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該多個(gè)凹陷部中至少一凹陷部填充有波長轉(zhuǎn)換物質(zhì)，該些光束中至少一光束通過該至少一凹陷部產(chǎn)生該至少一寬帶譜單色光。
31.如權(quán)利要求30所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該至少一寬帶譜單色光的半高全寬大于該光束的半高全寬。
32.如權(quán)利要求沈所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該基板包括一上表面，每一凹陷部具有一底面，該上表面與該些底面分別定義出該多個(gè)凹陷部。
33.如權(quán)利要求27所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一白光、該第二白光以及該至少一寬帶譜單色光的光學(xué)特性取決該多個(gè)凹陷部深度與該多個(gè)發(fā)光二極管芯片至少其中之ο
34.如權(quán)利要求30所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一白光、該第二白光以及該至少一寬帶譜單色光的光學(xué)特性取決該多個(gè)凹陷部深度、該多個(gè)發(fā)光二極管芯片以及該波長轉(zhuǎn)換物質(zhì)至少其中之一。
35.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括一基板，包括多個(gè)凹陷部，該多個(gè)凹陷部包含多個(gè)凹陷部深度，其中該多個(gè)凹陷部深度至少部分相異；以及多個(gè)發(fā)光二極管芯片，配置于該多個(gè)凹陷部中，每一發(fā)光二極管芯片發(fā)出一對(duì)應(yīng)的光束，其中該些光束通過該多個(gè)凹陷部后，產(chǎn)生至少一第一白光及至少一寬帶譜單色光。
36.如權(quán)利要求35所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該些光束通過該些凹陷部產(chǎn)生至少二單色光，該至少二單色光形成該至少一寬帶譜單色光。
37.如權(quán)利要求36所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該至少二單色光包括一第一單色光及一第二單色光，該第一單色光的中心波長1/10強(qiáng)度所對(duì)應(yīng)的波長分別為λ 1 及λ 2，該第二單色光的中心波長1/10強(qiáng)度所對(duì)應(yīng)的波長分別為λ3及λ4，其中λ2> λ 1, λ 4 > λ 3，λ 4 > λ 且入2 彡 λ 3。
38.如權(quán)利要求35所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該多個(gè)凹陷部中至少一凹陷部填充有波長轉(zhuǎn)換物質(zhì)，該些光束中至少一光束通過該至少一凹陷部產(chǎn)生該至少一寬帶譜單色光。
39.如權(quán)利要求38所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該至少一寬帶譜單色光的半高全寬大于該光束的半高全寬。
40.如權(quán)利要求35所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該基板包括一上表面，每一凹陷部具有一底面，該上表面與該些底面分別定義出該多個(gè)凹陷部。
41.如權(quán)利要求35所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一白光及該至少一寬帶譜單色光的光學(xué)特性取決該多個(gè)凹陷部深度與該多個(gè)發(fā)光二極管芯片至少其中之一。
42.如權(quán)利要求38所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一白光及該至少一寬帶譜單色光的光學(xué)特性取決該多個(gè)凹陷部深度、該多個(gè)發(fā)光二極管芯片以及該波長轉(zhuǎn)換物質(zhì)至少其中之一。
43.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括一基板，包括至少二個(gè)凹陷部，該至少二個(gè)凹陷部深度彼此相異；以及多個(gè)發(fā)光二極管芯片，分別配置于該至少二個(gè)凹陷部之中，該些發(fā)光二極管芯片可發(fā)出至少一第一光束與至少一第二光束，其中該至少一第一光束與該至少一第二光束彼此中心波長相異。
44.如權(quán)利要求43所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該基板包括一上表面，每一凹陷部具有一底面，該上表面與該些底面分別定義出該至少二個(gè)凹陷部。
45.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)具有單一封裝體多芯片的封裝形式，且該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)包括一基板，其中形成該基板的材料為高導(dǎo)熱材料；以及至少二個(gè)發(fā)光二極管芯片，配置于該基板上，可發(fā)出一第一光束與一第二光束；以及至少一個(gè)波長轉(zhuǎn)換物質(zhì)，分別配置于該至少二個(gè)發(fā)光二極管芯片上，其中該第一光束與該第二光束通過該波長轉(zhuǎn)換物質(zhì)后，分別產(chǎn)生一第一白光及一第二白光，以調(diào)制出一第三白光，該第一白光的色坐標(biāo)異于該第二白光的色坐標(biāo)，且調(diào)制出的該第三白光的演色性大于該第一白光的演色性及該第二白光的演色性。
全文摘要
一種光色調(diào)制方法、發(fā)光二極管光源模塊及其封裝結(jié)構(gòu)，其中光色調(diào)制方法，包括如下步驟調(diào)制一白光LED光源，以產(chǎn)生一第一白光；調(diào)制至少一LED光源，以產(chǎn)生一第二白光，其中第二白光包括至少一寬帶譜單色光；混合第一白光與第二白光，以產(chǎn)生一第三白光，其中，第三白光的演色性大于第二白光的演色性及第一白光的演色性，且第一白光、第二白光及第三白光的色坐標(biāo)彼此相異。本發(fā)明通過光色調(diào)制方法與光色可變的LED光源模塊，即可調(diào)制出預(yù)定色坐標(biāo)、色溫或演色性的光線，并得到光頻譜連續(xù)的白光。
文檔編號(hào)H01L25/075GK102458019SQ201010623169
公開日2012年5月16日 申請(qǐng)日期2010年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月26日
發(fā)明者張愛蓮, 李兆偉, 胡鴻烈, 鐘享吉, 陳繼峰 申請(qǐng)人:財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院