專利名稱：四邊扁平無接腳封裝方法及其制成的結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)一種半導(dǎo)體封裝技術(shù)，特別是一種四邊扁平無接腳(quad flat no-lead)封裝方法及其制成結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
于半導(dǎo)體封裝工藝中，由于電子產(chǎn)品輕薄短小的趨勢加上功能不斷增多，使得封裝密度隨之不斷提高，亦不斷縮小封裝尺寸與改良封裝技術(shù)。如何開發(fā)高密度與細間距的封裝工藝與降低制造成本一直為為此技術(shù)領(lǐng)域的重要課題。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述問題，本發(fā)明目的之一是提供一種四邊扁平無接腳封裝方法及其制成結(jié)構(gòu)，可獲得高密度與細間距的封裝工藝且可提高工序良率。本發(fā)明目的之一是提供一種四邊扁平無接腳封裝方法及其制成結(jié)構(gòu)，可使用現(xiàn)有技術(shù)與雙面工藝，且與使用基板相較具有較低的成本與優(yōu)勢。為了達到上述目的，根據(jù)本發(fā)明一方面提供一種四邊扁平無接腳封裝方法，包括下列步驟提供一封裝載板，其中封裝載板至少一表面設(shè)置一可剝離金屬層；形成一圖案化金屬層于可剝離金屬層上，其中圖案化金屬層包含至少一芯片承座與多個導(dǎo)電接墊；設(shè)置一芯片于芯片承座；利用多條引線電性連接芯片與導(dǎo)電接墊；利用一封裝材料覆蓋芯片、引線、導(dǎo)電接墊與可剝離金屬層；移除封裝載板并暴露出可剝離金屬層；以及對可剝離金屬層進行一圖案化程序用以形成多個外部接點，其中外部接點與導(dǎo)電接墊電性連接。本發(fā)明另一方面提供一種四邊扁平無接腳封裝方法，包括下列步驟提供一封裝載板，其中封裝載板至少一表面設(shè)置一可剝離金屬層；形成一圖案化金屬層于可剝離金屬層上，其中圖案化金屬層包含至少一芯片承座與多個導(dǎo)電接墊；設(shè)置一芯片于芯片承座； 利用多條引線電性連接該片與導(dǎo)電接墊；利用一封裝材料覆蓋芯片、引線、導(dǎo)電接墊與可剝離金屬層；移除封裝載板并暴露出可剝離金屬層；以及利用一蝕刻程序移除可剝離金屬層。本發(fā)明一實施例的一種利用四邊扁平無接腳封裝方法所制成的四邊扁平無接腳封裝結(jié)構(gòu)，其特點是這些導(dǎo)電接墊可具有一正梯形或倒梯形結(jié)構(gòu)。本發(fā)明一實施例的一種利用四邊扁平無接腳封裝方法所制成的四邊扁平無接腳封裝結(jié)構(gòu)，其特點是這些導(dǎo)電接墊的側(cè)邊具有一階梯狀結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的另一方面提供一種四邊扁平無接腳封裝方法，包含下列步驟提供一封裝載板，其中該封裝載板至少一表面設(shè)置一可剝離金屬層；形成一圖案化金屬層于該封裝載板上，并暴露出部分該可剝離金屬層，其中該圖案化金屬層包含至少一芯片承座、多個導(dǎo)電接墊、多線路與多個對外接墊；進行一芯片封裝步驟；以及移除該封裝載板并暴露出這些對外接墊。本發(fā)明的另一方面提供一種四邊扁平無接腳封裝方法，包含下列步驟提供一封裝載板，其中封裝載板至少一表面設(shè)置一可剝離金屬層；形成一第一圖案化金屬層于可剝離金屬層上；形成一第一次圖案化金屬層，堆疊設(shè)置于第一圖案化金屬層上；形成一絕緣層于可剝離金屬層上與覆蓋第一圖案化金屬層，并暴露出第一次圖案化金屬層，且絕緣層將每一堆疊設(shè)置的第一圖案化金屬層與第一次圖案化金屬層分隔成彼此電性隔絕的多個對外接墊；形成一第二圖案化金屬層于絕緣層與對外接墊上，其中第二圖案化金屬層包含至少一芯片承座、多個導(dǎo)電接墊與多線路，且對外接墊與第二金屬層電性連接；進行一芯片封裝步驟；以及移除封裝載板并暴露出對外接墊。本發(fā)明的另一方面提供一種四邊扁平無接腳封裝方法，包含下列步驟提供一封裝載板，其中封裝載板至少一表面設(shè)置一可剝離金屬層；形成一第一圖案化金屬層于可剝離金屬層上；形成一絕緣層于封裝載板上，覆蓋可剝離金屬層，其中絕緣層具有多個開口以露出部分第一圖案化金屬層；形成一金屬接合層覆蓋絕緣層與暴露出的第一圖案化金屬層上；形成一第一次圖案化金屬層于該絕緣層的開口內(nèi)，并位于第一圖案化金屬層上，其中第一次圖案化金屬層堆疊設(shè)置于第一圖案化金屬層上，且絕緣層該將每一堆疊設(shè)置的第一圖案化金屬層與第一次圖案化金屬層分隔成彼此電性隔絕的多個對外接墊；形成一第二圖案化金屬層于絕緣層與對外接墊上，其中第二圖案化金屬層包含至少一芯片承座、多個導(dǎo)電接墊與多線路，且對外接墊與第二金屬層電性連接；進行一芯片封裝步驟；以及移除封裝載板并暴露出對外接墊。本發(fā)明的有益技術(shù)效果是本發(fā)明四邊扁平無接腳封裝方法通過使用具有可剝離金屬層的封裝載板，并可利用此可剝離金屬層進行圖案化作為其后封裝體外部接點，提供整體封裝工藝與封裝結(jié)構(gòu)的多樣性。在上下接合層的處理上則可利用其材料特性以增加圖案化金屬層與封裝材料間的結(jié)構(gòu)強度，加強其拉力值，并避免在SMT的過程中造成因線路橋接而短路，同時保護金屬層以避免氧化。另外，所有工藝皆可使用既有技術(shù)與設(shè)備，并未增加成本與困難度。而且，由于圖案化可剝離金屬層的工藝是使用影像轉(zhuǎn)移技術(shù)或平版印刷微影技術(shù)，因此可有效達成高密度與細間距的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明除可使用現(xiàn)有技術(shù)外，亦可應(yīng)用于雙面工藝。且本發(fā)明與一般使用基板的封裝方法相比，封裝載板亦可選用可回收或重復(fù)使用材質(zhì)，因此具有較低的成本與較佳的優(yōu)勢。此外，本方法可配合利用電鍍技術(shù)制作特殊結(jié)構(gòu)且細間距的導(dǎo)電接墊結(jié)構(gòu)。


以下通過具體實施例配合附圖詳加說明，當(dāng)可更容易了解本發(fā)明的目的、技術(shù)內(nèi)容、特點及其所達成的功效，其中圖1A、圖1B、圖1C、圖1D、圖1E、圖1F、圖IG與圖IH為本發(fā)明一實施例的流程示意圖。圖2A、圖2B、圖2C與圖2D為本發(fā)明不同實施例的示意圖。圖3A、圖3B、圖3C與圖3D為本發(fā)明不同實施例的局部放大示意圖。圖4A、圖4B、圖4C與圖4D為本發(fā)明不同實施例的局部放大示意圖。圖5為本發(fā)明一實施例的示意圖。圖6A、圖6B與圖6C為本發(fā)明一實施例的部分流程示意圖。圖7A與圖7B為本發(fā)明一實施例的示意圖。
圖8A、圖8B與圖8C為本發(fā)明不同實施例的示意圖。圖9A、圖9B、圖9C、圖9D、圖9E、圖9F、圖9G、圖9H與圖91為本發(fā)明不同實施例的
示意圖。圖10A、圖10B、圖10C、圖10D、圖10E、圖10F、圖IOG與圖IOH為本發(fā)明不同實施
例的示意圖。圖 11A、圖 11B、圖 11C、圖 11D、圖 11E、圖 11F、圖 11G、圖 11H、圖 111、圖 11J、圖 IlK
與圖IlL為本發(fā)明不同實施例的示意圖。圖12A、圖12B、圖12C、圖12D、圖12E、圖12F、圖12G、圖12H與圖121為本發(fā)明不
同實施例的示意圖。
具體實施例方式現(xiàn)對本發(fā)明的較佳實施例進行詳細說明如下，所述較佳實施例僅用作說明非用以限定本發(fā)明。圖1A、圖1D、圖1E、圖1F、圖IG與圖IH為本發(fā)明一實施例的四邊扁平無接腳封裝方法的流程示意圖。于本實施例中，四邊扁平無接腳封裝方法包括下列步驟。首先，如圖IA所示，提供一封裝載板10。其中，此封裝載板10的至少一表面設(shè)置一可剝離金屬層20。接著，請繼續(xù)參照圖1D，形成一圖案化金屬層40于可剝離金屬層20 上。其中，圖案化金屬層40包含至少一芯片承座42與多個導(dǎo)電接墊44。接著，設(shè)置一芯片50于芯片承座42上，如圖IE所示。芯片50可利用一黏著材料 (圖上未標(biāo))固定于芯片承座42上。之后，利用多條引線60電性連接芯片50與導(dǎo)電接墊 44。請繼續(xù)參照圖1F，利用一封裝材料70覆蓋芯片50、引線60、導(dǎo)電接墊44與可剝離
金屬層20。之后，如圖IG所示，移除封裝載板10并暴露出可剝離金屬層20的下表面。如圖IH所示，對可剝離金屬層20 (如圖IG所示)進行一圖案化程序用以形成多個外部接點22。其中，外部接點22與導(dǎo)電接墊44電性連接。請繼續(xù)參照圖1H，于本實施例中，每一外部接點22的尺寸大于每一導(dǎo)電接墊44的尺寸，可提供后續(xù)導(dǎo)電材料，如焊球，較大的接觸面積。然而，本發(fā)明并不限于此，外部接點 22的尺寸大小與形狀取決于使用者與設(shè)計者的需求。于一實施例中，如圖2B，每一外部接點22，例如導(dǎo)電柱(conductive pillar)，其尺寸小于每一導(dǎo)電接墊44的尺寸，如此其后使用的導(dǎo)電材料(如焊球)，可增加與導(dǎo)電柱及導(dǎo)電接墊44的接合強度。于本發(fā)明中，整體封裝體的外部接點是利用移除封裝載板后對可剝離金屬層進行圖案化工藝所得。因此，如圖2A所示，多個外部接點22可設(shè)計成具有重新布線(re-layout) 導(dǎo)電接墊44的對外接點，如此可因應(yīng)客戶需求增加封裝體的可變化性。接續(xù)上述說明，于不同實施例中，封裝載板10的表面可設(shè)置一金屬易剝離表面12 用以輔助可剝離金屬層20的剝離。此金屬易剝離表面12可為金屬材質(zhì)或其它光滑材質(zhì)所構(gòu)成表面。此外，圖案化金屬層40可利用不同工藝所制作，如影像轉(zhuǎn)移工藝或平版印刷微影蝕刻工藝所制作。如一實施例中，請參照圖1B、圖IC與圖1D，圖案化金屬層40可利用影像轉(zhuǎn)移工藝所制作。首先，設(shè)置一影像轉(zhuǎn)移層30于可剝離金屬層20上并暴露出部分可剝離金屬層20 的上表面，如圖IB所示。進行電鍍形成圖案化金屬層40于暴露于外的可剝離金屬層20上， 如圖IC所示。最后，移除影像轉(zhuǎn)移層30完成圖案化金屬層40的制作。于另一實施例中(圖上未示)，形成圖案化金屬層的方式亦可先形成一金屬層于封裝載板的表面上，之后進行一微影蝕刻程序以形成此圖案化金屬層。請同時參照圖1A、圖1D、圖1E、圖1F、圖IG與圖2C，于本實施例中，四邊扁平無接腳封裝方法包括下列步驟。首先，提供一封裝載板10，其中此封裝載板10的至少一表面設(shè)置一可剝離金屬層20，如圖IA所示。接著，形成一圖案化金屬層40于可剝離金屬層20上， 其中此圖案化金屬層40包含至少一芯片承座42與多個導(dǎo)電接墊44，如圖ID所示。之后，參照圖1E，設(shè)置一芯片50于芯片承座42并利用多條引線60電性連接芯片 50與導(dǎo)電接墊44。其后，如圖IF與圖IG所示，利用一封裝材料70覆蓋芯片50、引線60、 導(dǎo)電接墊44與可剝離金屬層20 ；以及利用一蝕刻程序移除可剝離金屬層20。于本實施例中，本發(fā)明所使用的封裝載板具有可剝離金屬層20，因此可選擇性對此可剝離金屬層20進行圖案化工序或是依需求完全移除此可剝離金屬層20，如圖IG與圖 2C所示。于一實施例中，移除此可剝離金屬層20的同時還可進一步移除部份厚度的圖案化金屬層40，如圖1G、圖2D所示。請參照圖3A、圖3B、圖3C與圖3D，本發(fā)明的導(dǎo)電接墊與外部接點的結(jié)構(gòu)具有多種變化外，還可選擇性的形成一金屬表面處理層80于外部接點22或?qū)щ娊訅|44上。其中， 導(dǎo)電接墊44的上下表面都可選擇性的設(shè)置金屬表面處理層80于其上。于本發(fā)明中，作為芯片承座與導(dǎo)電接墊的圖案化金屬層可選擇電鍍的方式制作， 因此只要顯影曝光技術(shù)可配合作到的間距，此方法可制作出品質(zhì)優(yōu)良的小尺寸與細間距的導(dǎo)電接墊。相較于蝕刻方式，由于受限于藥水置換速度影響蝕刻率以及厚度的限制，其對于細間距的控制難度提高。因此，使用電鍍方式可具有較高的可靠度與達標(biāo)率，故可制作較復(fù)雜的導(dǎo)電接墊結(jié)構(gòu)，如圖5所示，側(cè)面為階梯狀的導(dǎo)電接墊44’的結(jié)構(gòu)。此方法亦可制作導(dǎo)電接墊可具有一正梯形或倒梯形結(jié)構(gòu)，如圖4A與圖4B所示。接續(xù)上述說明，制成此結(jié)構(gòu)的方法如后所述，參照圖1C，于影像轉(zhuǎn)移層30間與可剝離金屬層20上電鍍制作一第一圖案化金屬層40后，可設(shè)置一次影像轉(zhuǎn)移層30，于第一圖案化金屬層40上并暴露出部分第一圖案化金屬層40的上表面，如圖6A所示。接著，電鍍形成一第二圖案化金屬層43于暴露于外的第一圖案化金屬層40上，如圖6B所示。然后，參照圖6C，移除影像轉(zhuǎn)移層30與次影像轉(zhuǎn)移層30’即可獲得導(dǎo)電接墊44’的側(cè)邊具有一階梯狀結(jié)構(gòu)，如圖4C所示。然而本發(fā)明的四邊扁平無接腳封裝結(jié)構(gòu)并不限于此，利用上述方法制作如圖4D所示側(cè)邊具有一階梯狀結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電接墊44。本發(fā)明方法可通過控制影像轉(zhuǎn)移層(30，圖1B)形狀，如梯形(圖上未示)，即可制作導(dǎo)電接墊可具有一正梯形或倒梯形結(jié)構(gòu)，如圖4A與圖4B所示。請參照圖7A與圖7B，于一實施例中，圖案化金屬層40除包括至少一芯片承座42 與多個導(dǎo)電接墊44外，還包括一線路46用以電性連接兩兩導(dǎo)電接墊44。其中，兩兩導(dǎo)電接墊44的一對用以與芯片50利用引線60電性連接，而導(dǎo)電接墊44的另一對則可與外部接點22(如圖8A所示)之一電性連接。其中，如前所述，還可選擇性的設(shè)置金屬表面處理層
1180于用于打線的導(dǎo)電接墊44上。請繼續(xù)參照圖8A，于本發(fā)明中，并不限制圖案化金屬層40的芯片承座42的尺寸。 芯片承座42的尺寸可相當(dāng)于芯片50的尺寸(如圖8A所示)或大于、小于芯片50的尺寸。 于本發(fā)明中，此走線設(shè)計的導(dǎo)電接墊44配置有別于一般四邊扁平無接腳封裝的設(shè)計，可有效縮短引線60的打線的線長，除可提升封裝后良率外還可有效節(jié)省封裝成本。接續(xù)上述說明，請參照圖8B，當(dāng)芯片承座42’尺寸小于芯片50的尺寸時，于一實施例中，位于芯片50下方的導(dǎo)電接墊44亦可輔助承載芯片50，芯片50可利用絕緣黏著層 (圖上未標(biāo))固定設(shè)置于其上。于一實施例中，芯片承座42’與用于承載芯片50的導(dǎo)電接墊44的高度可高于其它導(dǎo)電接墊44的高度，如此，可提供較大空間讓封裝材料充分填滿空隙，避免芯片50底部外露達到有效保護芯片50的效果。請繼續(xù)參照圖8C，于一實施例中，芯片承座可由設(shè)置于芯片50下方的導(dǎo)電接墊 44’所組成，如此可有效利用有限位置達到外部接點22或焊球(圖上未示)最密化設(shè)計。 于一實施例中，承載芯片50的導(dǎo)電接墊44’的高度亦可高于其它導(dǎo)電接墊44的高度。請參照圖8A、圖8B與圖8C，于本發(fā)明中，芯片承座42’與導(dǎo)電接墊44’都可利用電鍍來達到所需的厚度。與一般導(dǎo)電接墊44不同厚度的芯片42’與導(dǎo)電接墊44’則可利用不同步驟影像轉(zhuǎn)移程序即可達成。接續(xù)上述，本發(fā)明又一實施例的四邊扁平無接腳封裝方法，用以制造如圖7A與圖 7B所示的結(jié)構(gòu)，包括下列步驟提供一封裝載板，其中封裝載板至少一表面設(shè)置一可剝離金屬層；形成一圖案化金屬層于封裝載板上，并暴露出部分可剝離金屬層，其中圖案化金屬層包含至少一芯片承座、多個導(dǎo)電接墊、多條線路與多個對外接墊；進行一芯片封裝步驟； 以及移除封裝載板并暴露出對外接墊。其中圖9A至圖91為本發(fā)明一實施例的四邊扁平無接腳封裝方法的流程示意圖，繪示設(shè)置一上接合層于圖案化金屬層與暴露出的可剝離金屬層上的步驟流程；圖IOA至圖IOG為本發(fā)明一實施例的四邊扁平無接腳封裝方法的流程示意圖，繪示設(shè)置一下接合層于圖案化金屬層下的步驟流程；以及圖IOH繪示同時分別形成上接合層與下接合層于圖案化金屬層上與下。其實施例詳細說明如下。首先，請參考圖9A，提供一封裝載板10，其中封裝載板10的至少一表面設(shè)置一可剝離金屬層20。接著，如圖9B所示，形成一圖案化金屬層40于可剝離金屬層20上方，并暴露出部分可剝離金屬層20，其中圖案化金屬層40系含至少一芯片承座42、多個導(dǎo)電接墊 44、多條線路46與多個對外接墊48。如圖9C所示，可選擇性的設(shè)置打線墊82于用于打線的導(dǎo)電接墊44上。于此實施例中，形成圖案化金屬層40的步驟包括設(shè)置一影像轉(zhuǎn)移層于可剝離金屬層20上；電鍍形成圖案化金屬層40于可剝離金屬層20上；以及移除影像轉(zhuǎn)移層。于一實施例中，如圖9C所示，利用包含濺鍍、蒸鍍或電鍍的方法形成一上接合層 90于圖案化金屬層40與暴露于外的可剝離金屬層20上。以及，如圖9D所示，移除部份上接合層90以露出打線墊82。接著，請參考圖9E，以適當(dāng)方式移除部份上接合層90以暴露出部分芯片承座42。接著，進行一芯片封裝步驟。如圖9F所示，設(shè)置一芯片50于芯片承座42上，并且利用多條引線60電性連接芯片50與導(dǎo)電接墊44或者如有設(shè)置打線墊82則電性連接芯片 50與打線墊82。進一步，利用一封裝材料70包封引線60、芯片50、上接合層90與導(dǎo)電接墊44或者打線墊82，其中封裝材料70包含但不限于利用注膠、網(wǎng)印、旋轉(zhuǎn)涂布的方式包封引線60、芯片42與導(dǎo)電接墊44。其中線路46電性連接兩兩導(dǎo)電接墊44，且兩兩導(dǎo)電接墊 44的一對與芯片50電性連接，兩兩導(dǎo)電接墊44的另一對與對外接墊48電性連接。最后， 如圖9F及圖9G所示，移除封裝載板10以暴露出圖案化金屬層40及部分上接合層90。其中移除載板10后，還包括以包含蝕刻的方式移除可剝離金屬層20以形成如圖9G的結(jié)構(gòu)。 請參考圖9H，還包括以適當(dāng)方式移除暴露出的部分上接合層90，如圖中箭頭所示，以電性分離芯片承座42與導(dǎo)電接墊44。再來，請參考圖91，可選擇性的設(shè)置金屬表面處理層80 于外露的對外接墊48上。于一實施例中，請繼續(xù)參考圖91，可在暴露出的圖案化金屬層40 上設(shè)置一絕緣層91，其中形成此絕緣層91的方式包含但不限于棕氧化(Brown Oxide)及黑化(Black Oxide)處理。在金屬層與封裝材料之間形成一接合層可增加封裝材料與金屬層之間的接合功能。接續(xù)上述，圖IOA至圖IOH為本發(fā)明又一實施例的四邊扁平無接腳封裝方法的流程示意圖，于本實施例中，四邊扁平無接腳封裝方法包括下列步驟。與上述實施例差異在于，形成一下接合層于圖案化金屬層之下。首先，如圖IOA所示，提供一封裝載板10，其中封裝載板10的至少一表面設(shè)置一可剝離金屬層20。接著，如圖IOB所示，形成一下接合層92于可剝離金屬層20上，其中下接合層92為一圖案化接合層使部分可剝離金屬層20暴露于外，且下接合層92包含但不限于以至少一接合層堆疊形成。再來，如圖IOC所示，形成一圖案化金屬層40’于可剝離金屬層 20以及部分下接合層92上。如同上述實施例中所描述，圖案化金屬層40’包括至少一芯片承座42’、多個導(dǎo)電接墊44’、多條線路46’與對外接墊48’，其中部分圖案化金屬層40’完全設(shè)置于下接合層92上，如芯片承座42’ ；一部分圖案化金屬層40’部分覆蓋下接合層92 部分覆蓋可剝離金屬層20，如導(dǎo)電接墊44，、線路46’與對外接墊48，。接著，如圖IOD所示，移除芯片承座42’周圍下方的下接合層92，如圖中箭頭所示，使芯片承座42’與設(shè)置于其周圍的導(dǎo)電接墊44’電性分離。接著，進行一芯片封裝步驟。如圖IOE所示，設(shè)置一芯片50，于芯片承座42，，且利用多條引線60’電性連接芯片50’與導(dǎo)電接墊44’ ；以及利用一封裝材料70’包封引線 60’、芯片50’、下接合層92、可剝離金屬層20與導(dǎo)電接墊44’。并且選擇性在導(dǎo)電接墊44’ 上形成打線墊82’以方便打線作業(yè)。最后，如圖IOE及圖IOF所示，移除封裝載板10以及蝕刻掉可剝離金屬層20后，暴露出對外接墊48’及下接合層92，其中此處下接合層92具有防焊層的作用。于一實施例中，如圖IOG所示，還可選擇性的設(shè)置金屬表面處理層80’于外露的對外接墊48’上。請參考圖10H，如同上述實施例中所示，還包括形成一上接合層90’ 于圖案化金屬層40’與封裝材料70之間，以增加圖案化金屬層40’與封裝材料70’的接合力。接續(xù)上述，圖IlA至圖IlI為本發(fā)明又一實施例的四邊扁平無接腳封裝方法的流程示意圖，用以制造如圖7A與圖7B所示的結(jié)構(gòu)。于本實施例中，四邊扁平無接腳封裝方法包括下列步驟。首先，請參考圖11A，提供一封裝載板10，其中封裝載板10至少一表面設(shè)置一可剝離金屬層20。接著，如圖IlD所示，形成一第一圖案化金屬層41于可剝離金屬層20上。以及形成一第一次圖案化金屬層411，堆疊設(shè)置于第一圖案化金屬層41上。再來，請參考圖11E，形成一絕緣層93于可剝離金屬層20上與第一圖案化金屬層41上，并暴露出第一次圖案化金屬層411，且絕緣層93將每一堆疊設(shè)置的第一圖案化金屬層41與第一次圖案化金屬層411分隔成彼此電性隔絕的多個對外接墊48 ；其中絕緣層93可利用涂布(printing) 的方式設(shè)置于封裝載板10上。于一實施例中，可在圖案化絕緣層93上進行一表面處理步驟形成粗糙表面以加強與后續(xù)設(shè)置于其上的物質(zhì)接合，其中可利用干式或濕式等離子體處理(plasma treatment)的方法來完成。而且，可如圖IlF所示，選擇性利用濺鍍方法形成一金屬接合層94覆蓋絕緣層93與暴露出的第一次圖案化金屬411上，以加強后續(xù)線路與圖案化絕緣層93的接合功能，其中金屬接合層94的材質(zhì)包含但不限于鈦或銅。接續(xù)上述，于此實施例中，形成對外接墊48的步驟如圖IlB及圖IlC所示，包括 設(shè)置一第一影像轉(zhuǎn)移層33于可剝離金屬層20上，并暴露出部分可剝離金屬層20 ；接著，電鍍形成第一圖案化金屬層41于暴露于外的可剝離金屬層20上。再來，如圖IlC所示，設(shè)置一第一次影像轉(zhuǎn)移層；34于第一影像轉(zhuǎn)移層33上并露出部分第一圖案化金屬層41。電鍍形成第一次圖案化金屬層411堆疊于第一圖案化金屬層41上；以及移除第一影像轉(zhuǎn)移層33 與第一次影像轉(zhuǎn)移層34，以形成如圖IlD之結(jié)構(gòu)。接著，如圖IlG所示，形成一第二圖案化金屬層，如圖案化金屬層40，于絕緣層93 與暴露于外的對外接墊48上方，其中圖案化金屬層40包含至少一芯片承座42、多個導(dǎo)電接墊44與多條線路46，且圖案化金屬層40與對外接墊48電性連接。其中可選擇性的設(shè)置金屬表面處理層82于用于打線的導(dǎo)電接墊44上。于此實施例中，形成圖案化金屬層40 的步驟如圖IlG所示，包括設(shè)置一第二影像轉(zhuǎn)移層35于絕緣層93上并暴露出部分絕緣層 93與對外接墊48，且電鍍形成第二圖案化金屬層，如圖案化金屬層40，于絕緣層93與暴露于外的對外接墊48上；以及移除第二影像轉(zhuǎn)移層35。在移除第二影像轉(zhuǎn)移層35之后還包含以蝕刻方式移除位于第二影像轉(zhuǎn)移層35下方的金屬接合層94，如圖，1IH所示，使金屬接合層94與第二圖案化金屬層具有相同的圖案化配置。接著，進行一芯片封裝步驟。如圖IlI所示，設(shè)置一芯片50于芯片承座42 ；利用多條引線60電性連接芯片50與導(dǎo)電接點44 ；以及利用一封裝材料70包封引線60、芯片50 與導(dǎo)電接點44。其中線路46電性連接兩兩導(dǎo)電接墊44，且兩兩導(dǎo)電接墊44之一與芯片50 電性連接，兩兩導(dǎo)電接墊44的另一與對外接墊48電性連接。最后，如圖IlI所示，移除封裝載板10再蝕刻掉可剝離金屬層20以暴露出對外接墊48。圖11J、圖11K、圖IlL分別繪示移除載板后的不同應(yīng)用，如圖IlJ所示，可形成一金屬表面處理層80于暴露出的對外接墊48上，此后并于曝露出的絕緣層93形成一層封裝材料73，其中封裝材料73可與包覆芯片50的封裝材料70的材質(zhì)相同或不同。如圖IlK所示，在移除載板后，還包含移除部分第一圖案化金屬層41后，再選擇性的設(shè)置金屬表面處理層80于外露的對外接墊48上。而且，如圖IlL所示，絕緣層93與導(dǎo)電接墊48的結(jié)構(gòu)設(shè)計，可為多層堆疊且各層導(dǎo)電接墊48之間是電性連接。接續(xù)上述，圖12A至圖121為本發(fā)明又一實施例的四邊扁平無接腳封裝方法的流程示意圖，用以制造如圖7A與圖7B所示的結(jié)構(gòu)。于本實施例中，四邊扁平無接腳封裝方法包括下列步驟。與上述實施例差異在于，金屬表面處理層可于不同階段制作形成。首先，如圖12A所示，提供一封裝載板10，其中封裝載板10至少一表面設(shè)置一可剝離金屬層20。接著，如圖12B所示，形成一第一圖案化金屬層41，于可剝離金屬層20上。其中形成第一圖案化金屬層41’的步驟包括設(shè)置一第一影像轉(zhuǎn)移層33’于可剝離金屬層 20上，并暴露出部分可剝離金屬層20 ；接著，電鍍形成第一圖案化金屬層41’于暴露于外的可剝離金屬層20上；以及移除第一影像轉(zhuǎn)移層33’。接著，請參考圖12C、圖12D，先形成一絕緣層93’于可剝離金屬層20上，其中絕緣層93’具有多個開口以露出部分第一圖案化金屬層41’。接著，如圖12E，形成一金屬接合層94’覆蓋絕緣層93’與暴露出的第一圖案化金屬層41’上以加強絕緣層93’與其后設(shè)置于其上的線路的鍵結(jié)。接著，如圖12E所示，形成一第一次圖案化金屬層411’于絕緣層93’ 的開口內(nèi)，并位于暴露出的第一圖案化金屬層41’上，其中第一次圖案化金屬層411’堆疊設(shè)置于第一圖案化金屬層41’上，且絕緣層93’將堆疊設(shè)置的第一圖案化金屬層41’與第一次圖案化金屬層411’分隔成彼此成電性隔絕的復(fù)數(shù)個對外接墊48’。再來，如圖12F所示，形成一第二圖案化金屬層，如圖案化金屬層40’，于絕緣層 93’與暴露出的對外接墊48’上，其中第二圖案化金屬層40’系包括至少一芯片承座42’、 多個導(dǎo)電接墊44’與復(fù)數(shù)線路46’，且對外接墊48’與第二金屬層40’電性連接。于一實施例中，形成第二圖案化金屬層40’的步驟如圖12F與圖12G所示，包括設(shè)置一第二影像轉(zhuǎn)移層35’于部分金屬接合層94’上，并暴露出的第一次圖案化金屬層411’ ；電鍍形成第二圖案化金屬層40’在金屬接合層94’與第一次圖案化金屬層411’上；移除第二影像轉(zhuǎn)移層 35’ ；以及以蝕刻方式移除第二影像轉(zhuǎn)移層35’下方的金屬接合層94’，以形成如圖12G的結(jié)構(gòu)。接著，進行一芯片封裝步驟。如圖12H所示，設(shè)置一芯片50’于芯片承座42’ ；利用復(fù)數(shù)條引線60’電性連接芯片50’與導(dǎo)電接點44’ ；以及利用一封裝材料70’包封引線 60’、芯片50’與導(dǎo)電接點44’。最后，如圖12H及121所示，移除封裝載板10并暴露出對外接墊48’。于又一實施例中，如圖121所示，更可選擇性的設(shè)置金屬表面處理層80’于外露的對外接墊48’上。形成堆疊式對外接墊可使后續(xù)制程掌握度較高，進而提高工藝良率。 此外，在金屬層與絕緣層之間可形成一金屬接合層以增加絕緣材料與金屬層的接合功能。綜合上述，本發(fā)明四邊扁平無接腳封裝方法通過使用具有可剝離金屬層的封裝載板，并可利用此可剝離金屬層進行圖案化作為其后封裝體外部接點，提供整體封裝工藝與封裝結(jié)構(gòu)的多樣性。在上下接合層的處理上則可利用其材料特性以增加圖案化金屬層與封裝材料間的結(jié)構(gòu)強度，加強其拉力值，并避免在SMT的過程中造成因線路橋接而短路，同時保護金屬層以避免氧化。另外，所有工藝皆可使用既有技術(shù)與設(shè)備，并未增加成本與困難度。而且，由于圖案化可剝離金屬層的工藝是使用影像轉(zhuǎn)移技術(shù)或平版印刷微影技術(shù)，因此可有效達成高密度與細間距的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明除可使用現(xiàn)有技術(shù)外，亦可應(yīng)用于雙面工藝。且本發(fā)明與一般使用基板的封裝方法相比，封裝載板亦可選用可回收或重復(fù)使用材質(zhì)，因此具有較低的成本與較佳的優(yōu)勢。此外，本方法可配合利用電鍍技術(shù)制作特殊結(jié)構(gòu)且細間距的導(dǎo)電接墊結(jié)構(gòu)。以上所述的實施例僅是說明本發(fā)明的技術(shù)思想及特點，其目的在于使熟悉此項技術(shù)的人士能夠了解本發(fā)明的內(nèi)容并據(jù)以實施，當(dāng)不能以其限定本發(fā)明的專利范圍，即凡是根據(jù)本發(fā)明所揭示的精神所作的均等變化或修飾，仍應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的專利范圍內(nèi)。
1權(quán)利要求
1.一種四邊扁平無接腳封裝方法，其特征在于，包含下列步驟 提供一封裝載板，其中該封裝載板至少一表面設(shè)置一可剝離金屬層；形成一圖案化金屬層于該可剝離金屬層上，其中該圖案化金屬層包含至少一芯片承座與多個導(dǎo)電接墊；設(shè)置一芯片于該芯片承座上；利用多條引線電性連接該芯片與這些導(dǎo)電接墊；利用一封裝材料覆蓋該芯片、這些引線、這些導(dǎo)電接墊與該可剝離金屬層； 移除該封裝載板并暴露出該可剝離金屬層；以及對該可剝離金屬層進行一圖案化程序用以形成多個外部接點，其中這些外部接點與這些導(dǎo)電接墊電性連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的四邊扁平無接腳封裝方法，其特征在于，該封裝載板的該表面為金屬材質(zhì)或易剝離金屬表面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的四邊扁平無接腳封裝方法，其特征在于，形成該圖案化金屬層步驟包含設(shè)置一影像轉(zhuǎn)移層于該可剝離金屬層上并暴露出部分該可剝離金屬層的上表面； 電鍍形成該圖案化金屬層于暴露于外的該可剝離金屬層上；以及移除該影像轉(zhuǎn)移層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的四邊扁平無接腳封裝方法，其特征在于，形成該圖案化金屬層步驟包含設(shè)置一影像轉(zhuǎn)移層于該可剝離金屬層上并暴露出部分該可剝離金屬層的上表面； 電鍍形成一第一圖案化金屬層于暴露于外的該可剝離金屬層上； 設(shè)置一次影像轉(zhuǎn)移層于該第一圖案化金屬層上并暴露出部分該第一圖案化金屬層的上表面；電鍍形成一第二圖案化金屬層于暴露于外的該第一圖案化金屬層上；以及移除該影像轉(zhuǎn)移層與該次影像轉(zhuǎn)移層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的四邊扁平無接腳封裝方法，其特征在于，形成該圖案化金屬層步驟包含形成一金屬層于該封裝載板的該表面上；以及進行一微影蝕刻程序以形成該圖案化金屬層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的四邊扁平無接腳封裝方法，其特征在于，這些外部接點的每一個的尺寸大于這些導(dǎo)電接墊的每一個的尺寸。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的四邊扁平無接腳封裝方法，其特征在于，這些外部接點重新布線這些導(dǎo)電接墊。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的四邊扁平無接腳封裝方法，其特征在于，這些外部接點是導(dǎo)電柱。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的四邊扁平無接腳封裝方法，其特征在于，還包含形成一金屬表面處理層于這些外部接點或這些導(dǎo)電接墊上。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的四邊扁平無接腳封裝方法，其特征在于，當(dāng)該芯片承座的尺寸小于該芯片的尺寸時，位于該芯片下方的部分這些導(dǎo)電接墊還輔助承載該芯片。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的四邊扁平無接腳封裝方法，其特征在于，該芯片承座與用于承載該芯片的部分這些導(dǎo)電接墊的高度高于其它這些導(dǎo)電接墊的高度。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的四邊扁平無接腳封裝方法，其特征在于，該芯片承座由設(shè)置于該芯片下方的這些導(dǎo)電接墊所組成。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的四邊扁平無接腳封裝方法，其特征在于，于承載該芯片的部分這些導(dǎo)電接墊的高度高于其它這些導(dǎo)電接墊的高度。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的四邊扁平無接腳封裝方法，其特征在于，該圖案化金屬層還包含一線路用以電性連接兩兩這些導(dǎo)電接墊，兩兩這些導(dǎo)電接墊的一對用以與該芯片電性連接，而兩兩這些導(dǎo)電接墊的另一對則可與這些外部接點之一電性連接。
15.一種應(yīng)用根據(jù)權(quán)利要求3所述的四邊扁平無接腳封裝方法所制成的四邊扁平無接腳封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，這些導(dǎo)電接墊具有一正梯形或倒梯形結(jié)構(gòu)。
16.一種應(yīng)用根據(jù)權(quán)利要求4所述的四邊扁平無接腳封裝方法所制成的四邊扁平無接腳封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，這些導(dǎo)電接墊的側(cè)邊具有一階梯狀結(jié)構(gòu)。
17.—種四邊扁平無接腳封裝方法，其特征在于，包含下列步驟 提供一封裝載板，其中該封裝載板至少一表面設(shè)置一可剝離金屬層；形成一圖案化金屬層于該可剝離金屬層上，其中該圖案化金屬層包含至少一芯片承座與多個導(dǎo)電接墊；設(shè)置一芯片于該芯片承座；利用多條引線電性連接該芯片與這些導(dǎo)電接墊；利用一封裝材料覆蓋該芯片、這些引線、這些導(dǎo)電接墊與該可剝離金屬層； 移除該封裝載板并暴露出該可剝離金屬層；以及利用一蝕刻程序移除該可剝離金屬層。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的四邊扁平無接腳封裝方法，其特征在于，該蝕刻程序還移除部份厚度的該圖案化金屬層。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的四邊扁平無接腳封裝方法，其特征在于，形成該圖案化金屬層步驟包含設(shè)置一影像轉(zhuǎn)移層于該可剝離金屬層上并暴露出部分該可剝離金屬層的上表面； 電鍍形成該圖案化金屬層于暴露于外的該可剝離金屬層上；以及移除該影像轉(zhuǎn)移層。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的四邊扁平無接腳封裝方法，其特征在于，形成該圖案化金屬層步驟包含設(shè)置一影像轉(zhuǎn)移層于該可剝離金屬層上并暴露出部分該可剝離金屬層的上表面； 電鍍形成一第一圖案化金屬層于暴露于外的該可剝離金屬層上； 設(shè)置一次影像轉(zhuǎn)移層于該第一圖案化金屬層上并暴露出部分該第一圖案化金屬層的上表面；電鍍形成一第二圖案化金屬層于暴露于外的該第一圖案化金屬層上；以及移除該影像轉(zhuǎn)移層與該次影像轉(zhuǎn)移層。
21.一種應(yīng)用根據(jù)權(quán)利要求19所述的四邊扁平無接腳封裝方法所制成的四邊扁平無接腳封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，這些導(dǎo)電接墊具有一正梯形或倒梯形結(jié)構(gòu)。
22.—種應(yīng)用根據(jù)權(quán)利要求20所述的四邊扁平無接腳封裝方法所制成的四邊扁平無接腳封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，這些導(dǎo)電接墊的側(cè)邊具有一階梯狀結(jié)構(gòu)。
23.根據(jù)權(quán)利要求17所述的四邊扁平無接腳封裝方法，其特征在于，當(dāng)該芯片承座的尺寸小于該芯片的尺寸時，位于該芯片下方的部分這些導(dǎo)電接墊亦可輔助承載該芯片。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的四邊扁平無接腳封裝方法，其特征在于，該芯片承座與用于承載該芯片的部分這些導(dǎo)電接墊的高度可高于其它這些導(dǎo)電接墊的高度。
25.根據(jù)權(quán)利要求17所述的四邊扁平無接腳封裝方法，其特征在于，該芯片承座由設(shè)置于該芯片下方的這些導(dǎo)電接墊所組成。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的四邊扁平無接腳封裝方法，其特征在于，于承載該芯片的部分這些導(dǎo)電接墊的高度高于其它這些導(dǎo)電接墊的高度。
27.根據(jù)權(quán)利要求17所述的四邊扁平無接腳封裝方法，其特征在于，該圖案化金屬層還包含一線路用以電性連接兩兩這些導(dǎo)電接墊，兩兩這些導(dǎo)電接墊的一對用以與該芯片電性連接，而兩兩這些導(dǎo)電接墊的另一對則可與這些外部接點之一電性連接。
28.—種四邊扁平無接腳封裝方法，其特征在于，包含下列步驟提供一封裝載板，其中該封裝載板至少一表面設(shè)置一可剝離金屬層；形成一圖案化金屬層于該封裝載板上，并暴露出部分該可剝離金屬層，其中該圖案化金屬層包含至少一芯片承座、多個導(dǎo)電接墊、多條線路與多個對外接墊；進行一芯片封裝步驟；以及移除該封裝載板并暴露出這些對外接墊。
29.根據(jù)權(quán)利要求觀所述的四邊扁平無接腳封裝方法，其特征在于，該封裝載板的該表面為金屬材質(zhì)或易剝離金屬表面。
30.根據(jù)權(quán)利要求觀所述的四邊扁平無接腳封裝方法，其特征在于，該圖案化金屬層是以電鍍、濺鍍或蒸鍍的方式形成。
31.根據(jù)權(quán)利要求觀所述的四邊扁平無接腳封裝方法，其特征在于，還包含進行至少以下其中之一的步驟設(shè)置一上接合層于該圖案化金屬層與暴露出的該可剝離金屬層上與設(shè)置一下接合層于該圖案化金屬層下。
32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的四邊扁平無接腳封裝方法，其特征在于，該上接合層是利用濺鍍、蒸鍍或電鍍的方法形成。
33.根據(jù)權(quán)利要求31所述的四邊扁平無接腳封裝方法，其特征在于，形成該上接合層的步驟包含形成該上接合層于該圖案化金屬層與暴露于外的該可剝離金屬層上；以及移除該芯片承座以及部分這些導(dǎo)電接墊上的該上接合層。
34.根據(jù)權(quán)利要求31所述的四邊扁平無接腳封裝方法，其特征在于，在移除該載板后， 還包含移除暴露出的部分該上接合層以電性分離該芯片承座與這些導(dǎo)電接墊。
35.根據(jù)權(quán)利要求31所述的四邊扁平無接腳封裝方法，其特征在于，該下接合層是以至少一接合層堆疊形成。
36.根據(jù)權(quán)利要求31所述的四邊扁平無接腳封裝方法，其特征在于，形成該下接合層的步驟包含形成該下接合層于該可剝離金屬層上，其中該下接合層為一圖案化接合層以使部分該可剝離金屬層暴露于外；形成該圖案化金屬層于該可剝離金屬層與部分該下接合層上；以及移除該芯片承座周圍下方的該下接合層。
37.根據(jù)權(quán)利要求觀所述的四邊扁平無接腳封裝方法，其特征在于，該芯片封裝步驟包含設(shè)置一芯片于該芯片承座；利用多條引線電性連接該芯片與這些導(dǎo)電接墊；以及利用一封裝材料包封這些弓I線、該芯片與這些導(dǎo)電接墊。
38.根據(jù)權(quán)利要求37所述的四邊扁平無接腳封裝方法，其特征在于，該封裝材料是利用注膠、網(wǎng)印、旋轉(zhuǎn)涂布的方式包封這些引線、該芯片與這些導(dǎo)電接墊。
39.根據(jù)權(quán)利要求37所述的四邊扁平無接腳封裝方法，其特征在于，該線路電性連接兩兩這些導(dǎo)電接墊，且兩兩這些導(dǎo)電接墊的一對與該芯片電性連接，兩兩這些導(dǎo)電接墊的另一對與這些對外接墊電性連接。
40.根據(jù)權(quán)利要求觀所述的四邊扁平無接腳封裝方法，其特征在于，還包含設(shè)置一金屬表面處理層于外露的這些對外接墊上。
41.根據(jù)權(quán)利要求觀所述的四邊扁平無接腳封裝方法，其特征在于，形成該圖案化金屬層的步驟包含設(shè)置一影像轉(zhuǎn)移層于該可剝離金屬層上； 電鍍形成該圖案化金屬層于該可剝離金屬層上；以及移除該影像轉(zhuǎn)移層。
42.一種四邊扁平無接腳封裝方法，其特征在于，包含下列步驟 提供一封裝載板，其中該封裝載板至少一表面設(shè)置一可剝離金屬層； 形成一第一圖案化金屬層于該可剝離金屬層上；形成一第一次圖案化金屬層，堆疊設(shè)置于該第一圖案化金屬層上； 形成一絕緣層于該可剝離金屬層上與覆蓋該第一圖案化金屬層，并暴露出該第一次圖案化金屬層，且該絕緣層將每一堆疊設(shè)置的該第一圖案化金屬層與該第一次圖案化金屬層分隔成彼此電性隔絕的多個對外接墊；形成一第二圖案化金屬層于該絕緣層與該些對外接墊上，其中該第二圖案化金屬層包含至少一芯片承座、多個導(dǎo)電接墊與多線路，且這些對外接墊與該第二金屬層電性連接； 進行一芯片封裝步驟；以及移除該封裝載板并暴露出這些對外接墊。
43.根據(jù)權(quán)利要求42所述之四邊扁平無接腳封裝方法，其特征在于，該封裝載板之該表面可為金屬材質(zhì)或易剝離金屬表面。
44.根據(jù)權(quán)利要求42所述之四邊扁平無接腳封裝方法，其特征在于，形成這些對外接墊的步驟包含設(shè)置一第一影像轉(zhuǎn)移層于該可剝離金屬層上，并暴露出部分該可剝離金屬層； 電鍍形成該第一圖案化金屬層于暴露于外的該可剝離金屬層上； 設(shè)置一第一次影像轉(zhuǎn)移層于該第一影像轉(zhuǎn)移層上并露出部分該第一圖案化金屬層； 電鍍形成該第一次圖案化金屬層堆疊于該第一圖案化金屬層上；以及移除該第一影像轉(zhuǎn)移層與該第一次影像轉(zhuǎn)移層。
45.根據(jù)權(quán)利要求42所述之四邊扁平無接腳封裝方法，其特征在于，形成該絕緣層的步驟包含以涂布的方式將一絕緣材料設(shè)置于該可剝離金屬層上并覆蓋該第一圖案化金屬層；以及研磨該絕緣材料以暴露出該第一次圖案化金屬層。
46.根據(jù)權(quán)利要求42所述之四邊扁平無接腳封裝方法，其特征在于，還包含形成一金屬接合層覆蓋該絕緣層與暴露出的該第一次圖案化金屬層上。
47.根據(jù)權(quán)利要求46所述之四邊扁平無接腳封裝方法，其特征在于，該金屬接合層與該第二圖案化金屬層具有相同的圖案化配置。
48.根據(jù)權(quán)利要求42所述之四邊扁平無接腳封裝方法，其特征在于，該芯片封裝步驟包含設(shè)置一芯片于該芯片承座； 利用多引線電性連接該芯片與這些導(dǎo)電接點；以及利用一封裝材料包封這些弓I線、該芯片與這些導(dǎo)電接點。
49.根據(jù)權(quán)利要求48所述之四邊扁平無接腳封裝方法，其特征在于，該封裝材料利用注膠、網(wǎng)印、旋轉(zhuǎn)涂布的方式包封這些引線、該芯片與這些導(dǎo)電接點。
50.根據(jù)權(quán)利要求48所述之四邊扁平無接腳封裝方法，其特征在于，該線路電性連接兩兩這些導(dǎo)電接墊，且兩兩這些導(dǎo)電接墊之一與該芯片電性連接，兩兩這些 導(dǎo)電接墊之另一與這些對外接墊電性連接。
51.根據(jù)權(quán)利要求42所述之四邊扁平無接腳封裝方法，其特征在于，還包含設(shè)置一金屬表面處理層于用于打線的導(dǎo)電接墊上和/或外露的這些對外接墊上。
52.根據(jù)權(quán)利要求42所述之四邊扁平無接腳封裝方法，其特征在于，形成該第二圖案化金屬層的步驟包含設(shè)置一第二影像轉(zhuǎn)移層于該絕緣層上并暴露出部分該絕緣層與這些對外接墊； 電鍍形成該第二圖案化金屬層于該絕緣層與暴露于外的這些對外接墊上；以及移除該第二影像轉(zhuǎn)移層。
53.一種四邊扁平無接腳封裝方法，其特征在于，包含下列步驟 提供一封裝載板，其中該封裝載板至少一表面設(shè)置一可剝離金屬層； 形成一第一圖案化金屬層于該可剝離金屬層上；形成一絕緣層于該封裝載板上，覆蓋該可剝離金屬層，其中該絕緣層具有多個開口以露出部分該第一圖案化金屬層；形成一金屬接合層覆蓋該絕緣層與暴露出的該第一圖案化金屬層上； 形成一第一次圖案化金屬層于該絕緣層的這些開口內(nèi)，并位于該第一圖案化金屬層上，其中該第一次圖案化金屬層堆疊設(shè)置于該第一圖案化金屬層上，且該絕緣層將每一堆疊設(shè)置的該第一圖案化金屬層與該第一次圖案化金屬層分隔成彼此電性隔絕的多個對外接墊；形成一第二圖案化金屬層于該絕緣層與這些對外接墊上，其中該第二圖案化金屬層包含至少一芯片承座、多個導(dǎo)電接墊與多線路，且這些對外接墊與該第二金屬層電性連接；進行一芯片封裝步驟；以及移除該封裝載板并暴露出這些對外接墊。
54.根據(jù)權(quán)利要求53所述之四邊扁平無接腳封裝方法，其特征在于，該封裝載板之該表面可為金屬材質(zhì)或易剝離金屬表面。
55.根據(jù)權(quán)利要求53所述之四邊扁平無接腳封裝方法，其特征在于，形成該絕緣層的步驟包含以涂布的方式將一絕緣材料設(shè)置于該可剝離金屬層上并覆蓋該第一圖案化金屬層；以及利用鉆孔方式在該絕緣材料上形成多個開口以暴露出部分該第一圖案化金屬層。
56.根據(jù)權(quán)利要求53所述的四邊扁平無接腳封裝方法，其特征在于，該金屬接合層利用濺鍍方法形成。
57.根據(jù)權(quán)利要求53所述的四邊扁平無接腳封裝方法，其特征在于，該芯片封裝步驟包含設(shè)置一芯片于該芯片承座； 利用多引線電性連接該芯片與這些導(dǎo)電接點；以及利用一封裝材料包封這些弓I線、該芯片與這些導(dǎo)電接點。
58.根據(jù)權(quán)利要求57所述之四邊扁平無接腳封裝方法，其特征在于，該封裝材料利用注膠、網(wǎng)印、旋轉(zhuǎn)涂布的方式包封這些引線、該芯片與這些導(dǎo)電接點。
59.根據(jù)權(quán)利要求57所述之四邊扁平無接腳封裝方法，其特征在于，該線路電性連接兩兩這些導(dǎo)電接墊，且兩兩這些導(dǎo)電接墊之一與該芯片電性連接，兩兩這些導(dǎo)電接墊的另一與這些對外接墊電性連接。
60.根據(jù)權(quán)利要求53所述的四邊扁平無接腳封裝方法，還包含設(shè)置一金屬表面處理層于用于打線的導(dǎo)電接墊上和/或外露的這些對外接墊上。
61.根據(jù)權(quán)利要求53所述的四邊扁平無接腳封裝方法，其特征在于，形成該第二圖案化金屬層的步驟包含設(shè)置一第二影像轉(zhuǎn)移層于部分該金屬接合層上，并暴露出的該第一次圖案化金屬層； 電鍍形成該第二圖案化金屬層于該金屬接合層與該第一次圖案化金屬層上； 移除該第二影像轉(zhuǎn)移層；以及以蝕刻方式移除該第二影像轉(zhuǎn)移層下方的該金屬接合層。
全文摘要
本發(fā)明是一種四邊扁平無接腳封裝方法及其制成的結(jié)構(gòu)，該方法包括下列步驟提供一封裝載板，該封裝載板具有至少一表面以設(shè)置一可剝離金屬層；形成一圖案化金屬層于該可剝離金屬層上，該圖案化金屬層包括至少一芯片承座與多個導(dǎo)電接墊；設(shè)置一芯片于該芯片承座上；利用多條引線電性連接該芯片與導(dǎo)電接墊；利用一封裝材料覆蓋芯片、引線、導(dǎo)電接墊與可剝離金屬層；移除封裝載板并暴露出可剝離金屬層；以及對可剝離金屬層進行一圖案化程序用以形成多個外部接點，其中外部接點與導(dǎo)電接墊電性連接。此外，可剝離金屬層亦可完全移除以露出多個對外接墊且對外接墊可堆疊設(shè)置。此方法可制成具有特殊結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電接墊的四邊扁平無接腳封裝結(jié)構(gòu)。
文檔編號H01L21/60GK102386107SQ20101062472
公開日2012年3月21日 申請日期2010年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月1日
發(fā)明者卓恩民 申請人:群成科技股份有限公司