專利名稱：發(fā)光二極管改良結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型是關(guān)于一種發(fā)光二極管改良結(jié)構(gòu)，特別是指一種增設(shè)有穩(wěn)壓二極管 (Zener diodes，又稱齊納二極管)以達(dá)到靜電放電防護(hù)功能的發(fā)光二極管改良結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
由于發(fā)光二極管(Light Emitting Diode, LED)具有體積小、耗電低以及壽命 長(zhǎng)...等優(yōu)點(diǎn)，因此目前已廣泛應(yīng)用于家電、車輛、計(jì)算機(jī)外設(shè)產(chǎn)品、通訊產(chǎn)品以及照明產(chǎn) 品...等上，發(fā)光二極管已然成為新世代的光源，其重要性不言可喻。然而，發(fā)光二極管卻很容易在制造或使用過(guò)程中受到靜電放電(Electrostatic Discharge，ESD)的影響而損壞。為了解決上述的靜電放電問(wèn)題，已有利用穩(wěn)壓二極管(Zener diode，又稱齊納二 極管)電性連接于發(fā)光二極管上的解決方案，如下。請(qǐng)參閱圖1所示已知的發(fā)光二極管1，具有一承座11，該承座11則由基板(包含第 一、二基板電極111、112)以及形成于該基板上的反射杯113所組成，第一基板電極111、第 二基板電極112以及反射杯113之間則通過(guò)鋁陽(yáng)極化膜13來(lái)彼此分隔。兩個(gè)后電極12a、 12b分別形成于該承座11的底側(cè)，且分別電性連接至第一和第二基板電極111、112。發(fā)光 芯片14和穩(wěn)壓二極管15則分別設(shè)置在第一基板電極111和第二基板電極112上，以保護(hù) 發(fā)光芯片14免于受到靜電放電影響。至于透鏡16配置于反射杯113上，以聚集發(fā)光芯片 14所發(fā)出的光。但是，此等方案一卻因?yàn)樵鲈O(shè)了穩(wěn)壓二極管15，反而造成發(fā)光芯片14所發(fā) 出的光會(huì)被穩(wěn)壓二極管15給吸收掉約20%的重大缺失。因此，如何設(shè)計(jì)出一種能既能利用穩(wěn)壓二極管來(lái)保護(hù)發(fā)光芯片免于受到靜電放電 影響，又能將光被穩(wěn)壓二極管吸收掉的比例給降至最低(相對(duì)而言就提高了發(fā)光芯片的亮 度)，乃為本案實(shí)用新型人所企欲解決的一大課題。

實(shí)用新型內(nèi)容有鑒于此，本實(shí)用新型的主要目的在于提供一種發(fā)光二極管改良結(jié)構(gòu)，通過(guò)將穩(wěn) 壓二極管給埋入于承座內(nèi)，以大幅降低穩(wěn)壓二極管吸收發(fā)光芯片的光的比例，相對(duì)而言乃 提升發(fā)光芯片的亮度，從而既能使用穩(wěn)壓二極管來(lái)達(dá)到靜電放電防護(hù)功能，又能大幅降低 穩(wěn)壓二極管吸收發(fā)光芯片的光的比例。為達(dá)上述目的，本實(shí)用新型提供一種發(fā)光二極管改良結(jié)構(gòu)，包括一承座、一第一 導(dǎo)電架、一第二導(dǎo)電架、一發(fā)光芯片、一絕緣膠以及一穩(wěn)壓二極管。該承座具有一基底和一 形成于該基底上的反射杯，該基底的內(nèi)底面設(shè)有一第一凹部和一第二凹部；該第一導(dǎo)電架 設(shè)置于該第一凹部?jī)?nèi)；該第二導(dǎo)電架設(shè)置于該第二凹部?jī)?nèi)；該絕緣膠設(shè)置于該第二凹部?jī)?nèi) 的內(nèi)底面上；該發(fā)光芯片設(shè)置于該第一導(dǎo)電架上，該發(fā)光芯片的兩電極分別與第一、二導(dǎo)電 架電性連接在一起；該穩(wěn)壓二極管設(shè)置于該絕緣膠上，且該穩(wěn)壓二極管的兩電極分別與第 一、二導(dǎo)電架電性連接在一起。[0009]藉以，本實(shí)用新型的有益效果在于使穩(wěn)壓二極管等同被埋入于承座的第二凹部 內(nèi)，而既能利用穩(wěn)壓二極管來(lái)保護(hù)發(fā)光芯片免于受到靜電放電影響，又能將光被穩(wěn)壓二極 管吸收掉的比例給降至最低。為了能夠更進(jìn)一步了解本實(shí)用新型的特征、特點(diǎn)和技術(shù)內(nèi)容，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本 實(shí)用新型的詳細(xì)說(shuō)明與附圖，惟所附圖式僅提供參考與說(shuō)明用，非用以限制本實(shí)用新型。

[0011]圖1為已知發(fā)光二極管的剖面圖。[0012]圖2為本實(shí)用新型發(fā)光二極管第一實(shí)施例的剖面圖。[0013]圖3為本實(shí)用新型發(fā)光二極管第二實(shí)施例的剖面圖。[0014]圖3A為本實(shí)用新型發(fā)光二極管第三實(shí)施例的剖面圖。[0015]圖4為本實(shí)用新型發(fā)光二極管第四實(shí)施例的剖面圖。[0016]主要元件符號(hào)說(shuō)明[0017]1、發(fā)光二極管[0018]11、承座[0019]111、第一基板電極112、第二基板電極[0020]113、反射杯[0021]12a、后電極12b、后電極[0022]13、鋁陽(yáng)極化膜[0023]14、發(fā)光芯片[0024]15、穩(wěn)壓二極管[0025]16、透鏡[0026]200、發(fā)光二極管[0027]2、承座[0028]21、基底210、內(nèi)底面[0029]211、第一凹部212、第二凹部[0030]213、分隔體214、第三凹部[0031]215、凸體[0032]22、反射杯[0033]23、熒光層24、熒光膠[0034]3、第一導(dǎo)電架[0035]4、第二導(dǎo)電架[0036]5、發(fā)光芯片[0037]51、第一導(dǎo)線52、第二導(dǎo)線[0038]6、絕緣膠[0039]7、穩(wěn)壓二極管70、導(dǎo)線[0040]8、白膠具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型是提供一種發(fā)光二極管改良結(jié)構(gòu)，特別是指一種增設(shè)有穩(wěn)壓二極管以 達(dá)到靜電放電(Electrostatic Discharge，ESD)防護(hù)功能的發(fā)光二極管改良結(jié)構(gòu)。請(qǐng)參閱圖2所示的本實(shí)用新型第一實(shí)施例的剖面圖，該發(fā)光二極管200包括一承 座2、一第一導(dǎo)電架3、一第二導(dǎo)電架4、一發(fā)光芯片5、一絕緣膠6以及一穩(wěn)壓二極管7。該承座2具有一基底21以及一形成于該基底21上的反射杯22，該反射杯22內(nèi) 形成凹杯狀，藉以容置所述發(fā)光芯片5、絕緣膠6和穩(wěn)壓二極管7。該基底21具有一內(nèi)底面 210，該內(nèi)底面210則設(shè)有一第一凹部211和一第二凹部212。該第一導(dǎo)電架3設(shè)置于該第一凹部211內(nèi)，至于第二凹部212內(nèi)則設(shè)置有第二導(dǎo) 電架4和絕緣膠6，且絕緣膠6設(shè)置于第二凹部212的內(nèi)底面210上。較佳者，第一、二凹部 211,212之間形成有一分隔體213，絕緣膠6則設(shè)置于該分隔體213與第二導(dǎo)電架4之間屬 于第二凹部212的內(nèi)底面210上。該發(fā)光芯片5設(shè)置于第一導(dǎo)電架3上，發(fā)光芯片5的兩電極(圖未示)分別與第 一、二導(dǎo)電架3、4電性連接在一起，如圖所示者，發(fā)光芯片5的兩電極分別通過(guò)第一導(dǎo)線51 和第二導(dǎo)線52來(lái)電性連接于第一、二導(dǎo)電架3、4。該穩(wěn)壓二極管7設(shè)置于該絕緣膠6上，穩(wěn)壓二極管7亦具有兩電極(圖未示)，該 兩電極分別電性連接于第一、二導(dǎo)電架3、4，如圖所示者，該兩電極均利用一導(dǎo)線70而分別 電性連接于第一、二導(dǎo)電架3、4。如圖所示，通過(guò)承座2的基底21設(shè)有第一、二凹部211、212，絕緣膠6設(shè)置于第二 凹部212內(nèi)的內(nèi)底面210上，且穩(wěn)壓二極管7除了設(shè)置于絕緣膠6上之外，其兩電極還分別 電性連接于第一、二導(dǎo)電架3、4，從而使穩(wěn)壓二極管7能被導(dǎo)通而產(chǎn)生靜電放電防護(hù)功能； 同時(shí)，還能因?yàn)榉€(wěn)壓二極管7被設(shè)置于承座2的第二凹部212內(nèi)的絕緣膠6上(絕緣膠設(shè) 置于內(nèi)底面210上)，而使穩(wěn)壓二極管7等同被埋入于承座2的第二凹部212內(nèi)，藉以大幅 降低穩(wěn)壓二極管7吸收掉發(fā)光芯片5的光的比例。較佳者，承座2可為PPA(Polyphthalamide，聚對(duì)苯二酰對(duì)苯二胺)材質(zhì)、聚酰胺 (Nylon-Polyamide)材質(zhì)、或 LCP (Liquid Crystal Polymer，液晶樹(shù)脂)材質(zhì)；發(fā)光芯片 5 可為藍(lán)光芯片(Blue Chip)；承座2的反射杯22內(nèi)還封裝有熒光層23，使熒光層23能包覆 住發(fā)光芯片5、絕緣膠6、穩(wěn)壓二極管7、第一、二導(dǎo)線51、52、兩導(dǎo)線70、以及位于第一、二凹 部211、212內(nèi)的第一、二導(dǎo)電架3、4。本實(shí)用新型發(fā)光二極管改良結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)在于通過(guò)在承座2的基底21上設(shè)有第 一、二凹部211、212，絕緣膠6設(shè)置于第二凹部212內(nèi)的內(nèi)底面210上，且穩(wěn)壓二極管7設(shè)置 于絕緣膠6上，穩(wěn)壓二極管7的兩電極又分別電性連接于第一、二導(dǎo)電架3、4，從而導(dǎo)通穩(wěn) 壓二極管7而產(chǎn)生靜電放電防護(hù)功能；同時(shí)，則還能因?yàn)榉€(wěn)壓二極管7被設(shè)置于承座2的第 二凹部212內(nèi)的絕緣膠6上，換言之，即等同將穩(wěn)壓二極管7埋入于承座2的第二凹部212 內(nèi)，以大幅降低穩(wěn)壓二極管7吸收掉發(fā)光芯片5的光的比例。從而讓本實(shí)用新型發(fā)光二極 管改良結(jié)構(gòu)既能利用穩(wěn)壓二極管7來(lái)保護(hù)發(fā)光芯片5免于受到靜電放電影響，又能將光被 穩(wěn)壓二極管7吸收掉的比例給降至最低，相對(duì)而言就提高了發(fā)光芯片5的亮度，特別是發(fā)光 芯片5為藍(lán)光芯片時(shí)，將能有效應(yīng)用藍(lán)光芯片的發(fā)光效率。請(qǐng)參閱圖3所示的本實(shí)用新型第二實(shí)施例的剖面圖，第一、二實(shí)施例之間的不同處在于第一、承座2的第二凹部212內(nèi)進(jìn)一步設(shè)有一第三凹部214，且第三凹部214所凹入 于內(nèi)底面210的深度大于第二凹部212的凹入深度；第二、絕緣膠6則設(shè)置于第三凹部214 內(nèi)的內(nèi)底面210上。藉此乃能達(dá)到與第一實(shí)施例相同的功效，且穩(wěn)壓二極管7的埋入深度 更深，相對(duì)乃更進(jìn)一步地降低光被吸收掉的比例。當(dāng)然，在第二實(shí)施例中，承座2的反射杯 22內(nèi)亦可封裝有熒光層23，而有同于第一實(shí)施例的包覆住所述元件的功效。請(qǐng)參閱圖3A所示的本實(shí)用新型第三實(shí)施例的剖面圖，第二、三實(shí)施例之間的不同 處在于該承座2的基底21進(jìn)一步形成有一凸體215，該凸體215遮擋于穩(wěn)壓二極管7與 第二導(dǎo)電架4之間，且該凸體215還可鄰接于該第二導(dǎo)電架4的相應(yīng)處，如圖，該穩(wěn)壓二極 管7乃位于凸體215與分隔體213之間。請(qǐng)參閱圖4所示的本實(shí)用新型第四實(shí)施例的剖面圖，第二、四實(shí)施例之間的不同處 在于第一、在第三凹部214內(nèi)填滿白膠(或透明膠亦可)8，白膠8乃先包覆住絕緣膠6和穩(wěn) 壓二極管7，而通過(guò)白膠8則能讓光反射，從而使第四實(shí)施例的發(fā)光芯片5的亮度和發(fā)光效率 均優(yōu)于第一、二、三實(shí)施例；第二、本第四實(shí)施例還能在承座2的第一、三凹部211、214之間形 成有一分隔體213，白膠8乃填入于分隔體213與第二導(dǎo)電架4之間的第三凹部214內(nèi)；第三、 承座2的反射杯22內(nèi)則可填滿有熒光膠24，或亦可在反射杯22內(nèi)封裝一熒光層23 (圖4未 示)，使熒光膠24或熒光層23能包覆住除了絕緣膠6和穩(wěn)壓二極管7以外的其它元件，即 發(fā)光芯片5、第一、二導(dǎo)線51、52、部分的導(dǎo)線70、以及位于第一、二凹部211、212內(nèi)的第一、二 導(dǎo)電架3、4。當(dāng)然，第四實(shí)施例中的填滿白膠(或透明膠)8、填滿熒光膠24、和封裝一熒光層 23等技術(shù)的其中之一或其中任多數(shù)的組合，亦可應(yīng)用于第一實(shí)施例。以上所述者，僅為本實(shí)用新型的較佳可行實(shí)施例而已，非因此即局限本實(shí)用新型 的專利范圍，舉凡運(yùn)用本實(shí)用新型說(shuō)明書(shū)及圖式內(nèi)容所為之等效結(jié)構(gòu)變化，均理同包含于 本實(shí)用新型的權(quán)利范圍內(nèi)，合予陳明。
權(quán)利要求一種發(fā)光二極管改良結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括一承座，具有一基底和一形成于該基底上的反射杯，該基底的內(nèi)底面設(shè)有一第一凹部和一第二凹部；一第一導(dǎo)電架，設(shè)置于該第一凹部?jī)?nèi)；一第二導(dǎo)電架，設(shè)置于該第二凹部?jī)?nèi)；一絕緣膠，設(shè)置于該第二凹部?jī)?nèi)的內(nèi)底面上；一發(fā)光芯片，設(shè)置于該第一導(dǎo)電架上，該發(fā)光芯片的兩電極分別與第一、二導(dǎo)電架電性連接在一起；以及一穩(wěn)壓二極管，設(shè)置于該絕緣膠上，該穩(wěn)壓二極管的兩電極分別與第一、二導(dǎo)電架電性連接在一起。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管改良結(jié)構(gòu)，其特征在于，該承座的反射杯內(nèi)進(jìn)一步封裝有一熒光層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管改良結(jié)構(gòu)，其特征在于，該承座的第一、二凹部之 間形成有一分隔體。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管改良結(jié)構(gòu)，其特征在于，該絕緣膠設(shè)置于該分隔 體與第二導(dǎo)電架之間的第二凹部的內(nèi)底面上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管改良結(jié)構(gòu)，其特征在于，該發(fā)光芯片為藍(lán)光芯片。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管改良結(jié)構(gòu)，其特征在于，該承座為聚對(duì)苯二酰對(duì) 苯二胺材質(zhì)、聚酰胺材質(zhì)、和液晶樹(shù)脂材質(zhì)的其中之一。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管改良結(jié)構(gòu)，其特征在于，該承座的第二凹部?jī)?nèi)進(jìn) 一步設(shè)有一第三凹部，該第三凹部所凹入于內(nèi)底面的深度大于該第二凹部的凹入深度，該 絕緣膠則設(shè)置于該第三凹部?jī)?nèi)的內(nèi)底面上。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管改良結(jié)構(gòu)，其特征在于，該承座的反射杯內(nèi)填滿 熒光膠。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管改良結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第三凹部?jī)?nèi)填滿白膠， 該白膠包覆住該絕緣膠和穩(wěn)壓二極管。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管改良結(jié)構(gòu)，其特征在于，該承座的第一、三凹部 之間形成有一分隔體，該白膠填入于該分隔體與該第二導(dǎo)電架之間的第三凹部?jī)?nèi)。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管改良結(jié)構(gòu)，其特征在于，該承座的反射杯內(nèi)填滿 熒光膠。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管改良結(jié)構(gòu)，其特征在于，該承座的基底形成有一 凸體，該凸體遮擋于該穩(wěn)壓二極管與該第二導(dǎo)電架之間。
專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種發(fā)光二極管改良結(jié)構(gòu)，包括承座、第一、二導(dǎo)電架、發(fā)光芯片、絕緣膠以及穩(wěn)壓二極管。承座具有基底和反射杯，基底的內(nèi)底面設(shè)有第一、二凹部；第一、二導(dǎo)電架分別設(shè)置于第一、二凹部?jī)?nèi)；絕緣膠設(shè)置于第二凹部?jī)?nèi)的內(nèi)底面上；發(fā)光芯片設(shè)置于第一導(dǎo)電架上，且發(fā)光芯片的兩電極分別電性連接于第一、二導(dǎo)電架；穩(wěn)壓二極管設(shè)置于絕緣膠上，且穩(wěn)壓二極管的兩電極分別電性連接于第一、二導(dǎo)電架。藉以，使穩(wěn)壓二極管等同被埋入于承座的第二凹部?jī)?nèi)，而既能利用穩(wěn)壓二極管來(lái)保護(hù)發(fā)光芯片免于受到靜電放電影響，又能將光被穩(wěn)壓二極管吸收掉的比例給降至最低。
文檔編號(hào)H01L33/00GK201655839SQ20102011089
公開(kāi)日2010年11月24日 申請(qǐng)日期2010年1月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月29日
發(fā)明者吳東璟, 張智超, 李軍明, 蔡易祐, 陳東安, 陳松升 申請(qǐng)人:東貝光電科技股份有限公司