專利名稱：一種晶體硅太陽電池的背面電極結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種太陽電池，具體涉及一種晶體硅太陽電池的背面電極結(jié)構(gòu)， 屬于太陽能應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
目前，常規(guī)能源的持續(xù)使用帶來了能源緊缺以及環(huán)境惡化等一系列經(jīng)濟和社會問 題，發(fā)展太陽能電池是解決上述問題的途經(jīng)之一。因此，世界各國都在積極開發(fā)太陽電池， 而高轉(zhuǎn)換效率、低成本是太陽電池發(fā)展的主要趨勢，也是技術(shù)研究者追求的目標?，F(xiàn)有的制造晶體硅太陽電池的制造流程為表面清洗及織構(gòu)化、擴散、清洗刻蝕去 邊、鍍減反射膜、絲網(wǎng)印刷、燒結(jié)形成歐姆接觸、測試。這種商業(yè)化晶體硅電池制造技術(shù)相對 簡單、成本較低，適合工業(yè)化、自動化生產(chǎn)，因而得到了廣泛應(yīng)用。其中，絲網(wǎng)印刷用于制備 電極，N電極位于晶體硅電池的正面，P電極位于晶體硅電池的背面，其背面P電極結(jié)構(gòu)如附 圖1所示，包括晶體硅片和2條印刷于硅片背面的銀導(dǎo)體條11，銀導(dǎo)體條相隔對稱分布于 硅片背面且其長度幾乎 貫穿整個硅片背面，在硅片正面則印刷銀漿形成晶體硅電池的N電 極，N、P電極均需用焊帶引出，從而形成晶體硅太陽電池的互連。然而，上述結(jié)構(gòu)的晶體硅太陽電池存在如下問題(1)采用焊帶將晶體硅電池正 面N電極引出的設(shè)計，焊帶和N電極會遮掉部分入射光，減少了太陽光的利用率；(2)晶體 硅電池的互連是用焊帶將一片電池的N電極與另一片電池的P電極相連接，也就是從一片 電池的背面連接到另一片電池的正面，從而大幅增加了串聯(lián)電阻，降低了組件的光電轉(zhuǎn)換 效率，且會在晶體硅電池的邊緣引入應(yīng)力，造成組件的失效。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型目的是提供一種晶體硅太陽電池的背面電極結(jié)構(gòu)，以提高太陽電池的 光電轉(zhuǎn)換效率。為達到上述目的，本實用新型采用的技術(shù)方案是一種晶體硅太陽電池的背面電 極結(jié)構(gòu)，包括晶體硅片和N、P電極，所述N、P電極均呈點陣排列，所述N電極連接點至少為 3排，每排具有至少3個連接點；所述P電極連接點至少為2排，每排具有至少3個連接點； 所述N、P電極交錯均布于晶體硅電池的背面，所述N電極連接點處設(shè)有通孔，通孔內(nèi)設(shè)有銀 漿，銀漿的一端與晶體硅電池的正面電極結(jié)構(gòu)連接，另一端構(gòu)成所述N電極連接點。上文中，所述N電極連接點可以通過該連接點處的孔內(nèi)的銀漿與正面電極結(jié)構(gòu)連 接，而孔可以采用激光打孔的方法制作。上述N、P連接點均可用絲網(wǎng)印刷的方法制備。進一步的技術(shù)方案，所述N電極連接點為4排，每排4個；所述P電極連接點為3 排，每排5個，各排連接點等間距分布于晶體硅電池的背面。上述技術(shù)方案中，所述各連接點為圓形、正方形或三角形。當(dāng)然也可以采用一些其 他現(xiàn)有形狀。由于上述技術(shù)方案運用，本實用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有的優(yōu)點是[0011]1、本實用新型將晶體硅電池的正面N電極引到背面，與背面P電極一起構(gòu)成背面 電極結(jié)構(gòu)，從而解決了焊帶和正面N電極遮蔽入射光的問題，提高了太陽光的利用率，也相 應(yīng)提高了太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率。2、本實用新型將N、P電極置于晶體硅電池的背面，從而將晶體硅電池的互連放在 了一個平面上，既有利于組件的生產(chǎn)操作，增加可靠性；又大幅降低了串聯(lián)電阻，提升了組 件的光電轉(zhuǎn)換效率。3、本實用新型將N、P電極連接點設(shè)成點陣結(jié)構(gòu)，在實現(xiàn)其引出功能的同時降低了 銀漿的消耗量，降低了成本。4、本實用新型結(jié)構(gòu)簡單，便于生產(chǎn)制備，且成本較低，適于推廣應(yīng)用。
圖1是背景技術(shù)中晶體硅太陽電池的背面電極結(jié)構(gòu)的示意圖；圖2是本實用新型實施例一的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本實用新型實施例二的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是本實用新型實施例三的結(jié)構(gòu)示意圖。其中11、銀導(dǎo)體條；21、N電極連接點；22、P電極連接點；31、N電極連接點；32、P 電極連接點；41、N電極連接點；42、P電極連接點。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖及實施例對本實用新型作進一步描述實施例一參見圖2所示，一種晶體硅太陽電池的背面電極結(jié)構(gòu)，包括晶體硅片和N、P電極， 所述N、P電極均呈點陣排列，所述N電極連接點21為4排，每排4個；所述P電極連接點 22為3排，每排5個，所述N、P電極交錯均布于晶體硅電池的背面，所述N電極連接點處設(shè) 有通孔，通孔內(nèi)設(shè)有銀漿，銀漿的一端與晶體硅電池的正面電極結(jié)構(gòu)連接，另一端構(gòu)成所述 N電極連接點。所述各連接點為圓形。實施例二參見圖3所示，一種晶體硅太陽電池的背面電極結(jié)構(gòu)，包括晶體硅片和N、P電極， 所述N、P電極均呈點陣排列，所述N電極連接點31為4排，每排4個；所述P電極連接點 32為3排，每排5個，所述N、P電極交錯均布于晶體硅電池的背面，所述N電極連接點處設(shè) 有通孔，通孔內(nèi)設(shè)有銀漿，銀漿的一端與晶體硅電池的正面電極結(jié)構(gòu)連接，另一端構(gòu)成所述 N電極連接點。所述各連接點為正方形。實施例三參見圖4所示，一種晶體硅太陽電池的背面電極結(jié)構(gòu)，包括晶體硅片和N、P電極， 所述N、P電極均呈點陣排列，所述N電極連接點41為4排，每排4個；所述P電極連接點 42為3 ，每排5個，所述N、P電極交錯均布于晶體硅電池的背面，所述N電極連接點處設(shè) 有通孔，通孔內(nèi)設(shè)有銀漿，銀漿的一端與晶體硅電池的正面電極結(jié)構(gòu)連接，另一端構(gòu)成所述 N電極連接點。所述各連接點為三角形。
權(quán)利要求一種晶體硅太陽電池的背面電極結(jié)構(gòu)，包括晶體硅片和N、P電極，其特征在于所述N、P電極均呈點陣排列，所述N電極連接點(21)至少為3排，每排具有至少3個連接點；所述P電極連接點(22)至少為2排，每排具有至少3個連接點；所述N、P電極交錯均布于晶體硅電池的背面，所述N電極連接點處設(shè)有通孔，通孔內(nèi)設(shè)有銀漿，銀漿的一端與晶體硅電池的正面電極結(jié)構(gòu)連接，另一端構(gòu)成所述N電極連接點。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽電池的背面電極結(jié)構(gòu)，其特征在于所述N電極 連接點為4 ，每排4個；所述P電極連接點為3 每排5個，各排連接點等間距分布于晶 體硅電池的背面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽電池的背面電極結(jié)構(gòu)，其特征在于所述各連接 點為圓形、正方形或三角形。
專利摘要本實用新型公開了一種晶體硅太陽電池的背面電極結(jié)構(gòu)，包括晶體硅片和N、P電極，所述N、P電極均呈點陣排列，所述N電極連接點至少為3排，每排具有至少3個連接點；所述P電極連接點至少為2排，每排具有至少3個連接點；所述N、P電極交錯均布于晶體硅電池的背面，所述N電極連接點處設(shè)有通孔，通孔內(nèi)設(shè)有銀漿，銀漿的一端與晶體硅電池的正面電極結(jié)構(gòu)連接，另一端構(gòu)成所述N電極連接點。本實用新型提高了太陽電池的轉(zhuǎn)換效率，同時降低了銀漿的消耗量，降低了成本。
文檔編號H01L31/0224GK201608193SQ201020122040
公開日2010年10月13日 申請日期2010年2月26日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月26日
發(fā)明者王栩生, 王立建, 章靈軍 申請人:蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司;阿特斯(中國)投資有限公司