專利名稱：結型場效應對管的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種結型場效應對管。
背景技術：
隨著電子技術的發(fā)展，結型場效應對管在醫(yī)用電子儀器、分析儀器和各種測量儀 器上獲得了越來越廣泛的應用。傳統(tǒng)的結型場效應對管是從大量的單管中選擇特性曲線基 本一致的兩個單管組成一對，或者是在制造過程中挑選特性曲線基本一致的兩個芯片裝在 一個管殼內。這兩種方法在生產(chǎn)過程中要花費大量的時間和人力做挑選配對工作，其成品 率低、價格昂貴，而且這樣組成的配對也只能滿足在特定的常溫條件下具有對稱性能，在高 溫和低溫環(huán)境條件下，往往會偏離匹配對稱狀態(tài)。因此，如何降低生產(chǎn)成本，提高結型場效 應對管在高溫、低溫條件下的對稱特性成為了結型場效應對管推廣使用的瓶頸。
發(fā)明內容本實用新型的目的是針對上述的問題，提供一種生產(chǎn)成本低，在高溫、低溫條件下 對稱特性良好的結型場效應對管。本實用新型的結型場效應對管，是在同一硅單晶芯片上制作兩個完全一致的場效 應晶體管，兩個場效應晶體管之間通過柵極與襯底之間形成的PN結二極管實現(xiàn)隔離，彼此 之間是完全獨立。本實用新型的結型場效應對管生產(chǎn)成本低，由于兩個結型場效應晶體管制作在很 小的硅片面積內，因此兩者之間始終能夠保持良好的對稱特性，從而在線路中進行溫度補 償，實現(xiàn)零溫度系數(shù)工作，在高溫、低溫條件下對稱特性良好。

圖1為本實用新型結構示意圖。
具體實施方式
—種結型場效應對管，是在同一硅單晶芯片上制作兩個完全一致的場效應晶體 管，兩個場效應晶體管之間通過柵極與襯底之間形成的PN結二極管實現(xiàn)隔離，彼此之間是 完全獨立。以N溝道結型場效應對管為例，先在N型硅單晶片的每一個芯片上制作兩個P 型阱，然后按照制作N溝道結型場效應晶體管的方法在P型阱內制作N溝道結型場效應晶 體管，同一芯片上有兩個柵極G1，兩個漏極D1，兩個源極Sp
權利要求一種結型場效應對管，其特征在于它是在同一硅單晶芯片上制作有兩個完全一致的場效應晶體管，兩個場效應晶體管之間通過柵極與襯底之間形成的PN結二極管實現(xiàn)隔離，彼此之間完全獨立。
專利摘要一種結型場效應對管，是在同一硅單晶芯片上制作兩個完全一致的場效應晶體管，兩個晶體管之間通過柵極與襯底之間形成的PN結二極管實現(xiàn)隔離，彼此之間是完全獨立。本實用新型的結型場效應對管生產(chǎn)成本低，由于兩個結型場效應晶體管制作在很小的硅片面積內，因此兩者之間始終能夠保持良好的對稱特性，從而在線路中進行溫度補償，實現(xiàn)零溫度系數(shù)工作，在高溫、低溫條件下對稱特性良好。
文檔編號H01L27/085GK201681939SQ20102016192
公開日2010年12月22日 申請日期2010年4月16日 優(yōu)先權日2010年4月16日
發(fā)明者胡援朝, 趙建華 申請人:江西聯(lián)創(chuàng)特種微電子有限公司