專利名稱：二極管芯片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及的是一種半導(dǎo)體分立器件，尤其涉及一種集圓形、SIP0S(半絕緣 多晶硅)鈍化和PHOTO GLASS制程于一體的二極管芯片。
背景技術(shù)：
目前二極管市場絕大多數(shù)產(chǎn)品，為分裂加工方便，均為方形，如圖3所示。若在空 氣中進行測試的話，其中的折角(90°角)之間容易產(chǎn)生放電，甚至將芯片燒毀。隨著二極管在保護電路中應(yīng)用的要求的提高，為了解決因尖端放電、耐壓狀況較 差的問題，目前普遍采用的芯片解決辦法較單一要么沒有SIP0S鈍化層，無法克服芯片表 面可動離子的干擾，容易造成反向擊穿；要么芯片邊緣直角轉(zhuǎn)折處沒有玻璃保護，不能有效 防止溝槽尖端放電現(xiàn)象，易導(dǎo)致芯片被燒毀，要么就是方形結(jié)合SIP0S和PHOTO GLASS制 程，不能有效防止方形尖角產(chǎn)生的放電現(xiàn)象。并且，采用上述工藝加工出的芯片，還存在分 裂后芯片側(cè)面“爬電”的現(xiàn)象。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型針對以上問題，提供了一種能克服檢測中放電，使用中“爬電”現(xiàn)象的 二極管芯片。本實用新型二極管芯片的技術(shù)方案是所述芯片邊沿設(shè)有一圈玻璃質(zhì)保護層，所 述芯片的水平投影為無折角的封閉形狀；所述芯片的縱向截面呈凸字形，側(cè)邊上部為凹弧 形，下部為直邊；所述側(cè)邊的凹弧形段上設(shè)有一圈半絕緣多晶硅膜；所述玻璃質(zhì)保護層覆 蓋所述半絕緣多晶硅膜上部的70-95%。本實用新型的二極管芯片是一種具有良好性能的綜合性二極管芯片，其水平投影 形狀可有效的防止方形芯片尖角造成的尖端放電，同時有效的提高二極管耐壓能力，避免 造成的二極管失效或者電路故障。本實用新型中無折角的封閉形狀定義為圓形、橢圓形、 腰圓形、角部為弧形的四邊形、角部為弧形的五邊形或角部為弧形的六邊形等。上述形狀由 于不含直線相交形成的折角，因此在晶片加工工程(本實用新型芯片的上道工序)中，能有 效避免相鄰芯片間折角處放電的現(xiàn)象。此外，在采用玻璃鈍化之前先用一層SIP0S膜(半 絕緣多晶硅膜)鈍化，其作用為吸收芯片表面可動離子(雜質(zhì))，增強器件穩(wěn)定性、提高二極 管耐壓能力。溝槽底部仍會保留SIP0S膜和SI02膜，防止在蒸金時會有金層附著在上面。

圖1是本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖，圖中1是晶片，2是芯片；圖2是本實用新型中芯片的結(jié)構(gòu)示意圖，圖中3是玻璃質(zhì)保護層，4是半絕緣多晶硅膜，5是暴露段。圖3是本實用新型背景技術(shù)示意圖。
具體實施方式
本實用新型二極管芯片如圖1、2所示所述芯片2邊沿設(shè)有一圈玻璃質(zhì)保護層3， 所述芯片2的水平投影為無折角的封閉形狀；所述芯片2的縱向截面呈凸字形，側(cè)邊上部為 凹弧形，下部為直邊；所述側(cè)邊的凹弧形段上設(shè)有一圈半絕緣多晶硅膜4;所述玻璃質(zhì)保 護層3覆蓋所述半絕緣多晶硅膜4上部的70-95%。保留底部弧形段為暴露段5。在加工 上述半絕緣多晶硅膜4、玻璃質(zhì)保護層3、蒸金后，將晶片1分裂，即得本實用新型的芯片2。半導(dǎo)體表面鈍化的研究對半導(dǎo)體器件和集成電路的發(fā)展有著極其重要的影響。熱 生長二氧化硅的發(fā)現(xiàn)奠定了平面晶體管和集成電路的基礎(chǔ)，但Si-Si02(硅-二氧化硅)結(jié) 構(gòu)的器件在靠近硅襯底界面的二氧化硅中有固定正電荷，難于制造高壓平面晶體管和集成 電路。摻氧半絕緣多晶硅(Semi-Insulating Polycrystalline-Silicon，簡寫 SIP0S)表面 鈍化工藝即是為解決這些問題而研制的。由于SIP0S (半絕緣多晶硅)薄膜的電中性和半絕 緣性，它具備作為一種良好鈍化膜的基礎(chǔ)條件，它可兼用于P型和N型硅的鈍化。SIP0S (半 絕緣多晶硅)彌補了二氧化硅的不足，從根本上改變了二氧化硅的鈍化效果。被廣泛地應(yīng) 用于各種功率器件。
權(quán)利要求二極管芯片，所述芯片邊沿設(shè)有一圈玻璃質(zhì)保護層，其特征在于，所述芯片的水平投影為無折角的封閉形狀；所述芯片的縱向截面呈凸字形，側(cè)邊上部為凹弧形，下部為直邊；所述側(cè)邊的凹弧形段上設(shè)有一圈半絕緣多晶硅膜；所述玻璃質(zhì)保護層覆蓋所述半絕緣多晶硅膜上部的70 95％。
專利摘要二極管芯片。涉及一種半導(dǎo)體分立器件。能克服檢測中放電，使用中“爬電”現(xiàn)象。芯片邊沿設(shè)有一圈玻璃質(zhì)保護層，芯片的水平投影為無折角的封閉形狀；芯片的縱向截面呈凸字形，側(cè)邊上部為凹弧形，下部為直邊；側(cè)邊的凹弧形段上設(shè)有一圈半絕緣多晶硅膜；玻璃質(zhì)保護層覆蓋半絕緣多晶硅膜上部的70-95％。本實用新型可有效的防止方形芯片尖角造成的尖端放電，提高耐壓能力，避免失效或故障。SIPOS膜作用為吸收芯片表面可動離子(雜質(zhì))，增強器件穩(wěn)定性、提高二極管耐壓能力。溝槽底部仍會保留SIPOS膜和SIO2膜，防止在蒸金時會有金層附著在上面。
文檔編號H01L23/60GK201708159SQ201020185410
公開日2011年1月12日 申請日期2010年5月11日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月11日
發(fā)明者汪良恩, 裘立強, 魏興政 申請人:揚州杰利半導(dǎo)體有限公司