專利名稱：一種加快臺(tái)面腐蝕槽進(jìn)度的可控硅結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種可控硅結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種加快臺(tái)面腐蝕槽進(jìn)度的可控硅結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
常規(guī)陰極擴(kuò)散僅擴(kuò)散陰極區(qū)，在進(jìn)行臺(tái)面腐蝕槽步驟時(shí)腐蝕槽速度慢，腐蝕后的 臺(tái)面腐蝕槽邊緣不平齊，臺(tái)面腐蝕槽底部不太平整，腐蝕時(shí)的側(cè)向腐蝕量較大，整個(gè)硅片的 翹曲度較大。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提供一種加快臺(tái)面腐蝕槽進(jìn)度的可控硅結(jié)構(gòu)，能有效解決上 述存在的問(wèn)題。本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是一種加快臺(tái)面腐蝕槽進(jìn)度的可控硅結(jié)構(gòu)，包括陰極區(qū)、短基區(qū)、長(zhǎng)基區(qū)和穿通擴(kuò)散 區(qū)，所述與穿通擴(kuò)散區(qū)相連的可控硅短基區(qū)還增加了擴(kuò)散陰極雜質(zhì)的輔助臺(tái)面腐蝕區(qū)，所 述擴(kuò)散陰極雜質(zhì)的輔助臺(tái)面腐蝕區(qū)與穿通擴(kuò)散區(qū)連接。本實(shí)用新型除擴(kuò)散陰極區(qū)外，還在臺(tái)面腐蝕槽處擴(kuò)散了陰極雜質(zhì)，使得此處硅片 的雜質(zhì)濃度大大增加。硅片的高摻雜處在臺(tái)面腐蝕時(shí)更易腐蝕，腐蝕速率大大增加。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是1、腐蝕速率快；2、臺(tái)面腐蝕后槽邊緣較常規(guī)更加平齊；3、臺(tái)面腐蝕后槽底部較常 規(guī)更加平整；4、側(cè)向腐蝕量較常規(guī)明顯減??；5、整個(gè)硅片的翹曲度比常規(guī)小。
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)描述

圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。其中1、穿通擴(kuò)散區(qū)，2、短基區(qū)，3、陰極區(qū)，4、擴(kuò)散陰極雜質(zhì)的輔助臺(tái)面腐蝕區(qū)，5、 長(zhǎng)基區(qū)。
具體實(shí)施方式
如圖1所示，本實(shí)用新型的一種加快臺(tái)面腐蝕槽進(jìn)度的可控硅結(jié)構(gòu)，包括陰極區(qū) 3、短基區(qū)2、長(zhǎng)基區(qū)5和穿通擴(kuò)散區(qū)1，與穿通擴(kuò)散區(qū)1相連的可控硅短基區(qū)2還增加了擴(kuò) 散陰極雜質(zhì)的輔助臺(tái)面腐蝕區(qū)4，擴(kuò)散陰極雜質(zhì)的輔助臺(tái)面腐蝕區(qū)4與穿通擴(kuò)散區(qū)1連接。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)式通過(guò)陰極版在光刻腐蝕時(shí)，同時(shí)刻蝕出陰極圖形和臺(tái)面腐蝕槽 的圖形，陰極擴(kuò)散時(shí)此兩處均擴(kuò)散進(jìn)高濃度陰極雜質(zhì)。臺(tái)面腐蝕槽處擴(kuò)散的陰極雜質(zhì)使得 臺(tái)面腐蝕槽時(shí)更易腐蝕。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是[0015]1、腐蝕速率快；2、臺(tái)面腐蝕后槽邊緣較常規(guī)更加平齊；3、臺(tái)面腐蝕后槽底部較常 規(guī)更加平整；4、側(cè)向腐蝕量較常規(guī)明顯減小；5、整個(gè)硅片的翹曲度比常規(guī)小。
權(quán)利要求一種加快臺(tái)面腐蝕槽進(jìn)度的可控硅結(jié)構(gòu)，包括陰極區(qū)、短基區(qū)、長(zhǎng)基區(qū)和穿通擴(kuò)散區(qū)，其特征是所述與穿通擴(kuò)散區(qū)相連的可控硅短基區(qū)還增加了擴(kuò)散陰極雜質(zhì)的輔助臺(tái)面腐蝕區(qū)，所述擴(kuò)散陰極雜質(zhì)的輔助臺(tái)面腐蝕區(qū)與穿通擴(kuò)散區(qū)連接。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種加快臺(tái)面腐蝕槽進(jìn)度的可控硅結(jié)構(gòu)，包括陰極區(qū)、短基區(qū)、長(zhǎng)基區(qū)和穿通擴(kuò)散區(qū)，其特征是所述與穿通擴(kuò)散區(qū)相連的可控硅短基區(qū)還增加了擴(kuò)散陰極雜質(zhì)的輔助臺(tái)面腐蝕區(qū)，所述擴(kuò)散陰極雜質(zhì)的輔助臺(tái)面腐蝕區(qū)與穿通擴(kuò)散區(qū)連接。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是1、腐蝕速率快；2、臺(tái)面腐蝕后槽邊緣較常規(guī)更加平齊；3、臺(tái)面腐蝕后槽底部較常規(guī)更加平整；4、側(cè)向腐蝕量較常規(guī)明顯減??；5、整個(gè)硅片的翹曲度比常規(guī)小。
文檔編號(hào)H01L29/74GK201773841SQ20102024078
公開(kāi)日2011年3月23日 申請(qǐng)日期2010年6月28日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月28日
發(fā)明者周健, 朱法揚(yáng), 耿開(kāi)遠(yuǎn) 申請(qǐng)人:啟東吉萊電子有限公司