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雙頻帶電小天線的制作方法

文檔序號(hào):6971791閱讀:332來(lái)源:國(guó)知局
專(zhuān)利名稱(chēng):雙頻帶電小天線的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種雙頻帶電小天線。
背景技術(shù)
在高頻、超高頻、微波和毫米波頻帶,電小天線單元是無(wú)線通信、無(wú)線能量收集器 和傳感網(wǎng)絡(luò)中重要的輻射元件,也是構(gòu)成線性或非線性人工電磁介質(zhì)的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)。由于電 小天線有著大量應(yīng)用,例如高頻天線、天線陣列、個(gè)人無(wú)線通信系統(tǒng)、無(wú)線能量收集系統(tǒng)、醫(yī) 療圖像系統(tǒng)和可植入無(wú)線設(shè)備,研究者長(zhǎng)期致力于新穎電小天線的設(shè)計(jì),分析與開(kāi)發(fā)???體來(lái)講,電小天線是一類(lèi)特征尺寸小于半個(gè)波長(zhǎng)(偶極子天線)、四分之一波長(zhǎng)(單極子天 線)或三分之一波長(zhǎng)(環(huán)天線)的無(wú)線輻射器。隨著電小天線長(zhǎng)度的減小,它的總的輻射 電阻將會(huì)從標(biāo)準(zhǔn)的73歐姆減小到零歐姆。與此同時(shí),天線電抗會(huì)急劇增大,并且損耗電阻 會(huì)占據(jù)總電阻的大部分,因此天線的總輻射效率會(huì)極大地降低。Chu’s limitation公式導(dǎo) 出了電小天線最小的Q(品質(zhì)因數(shù)),趨近于極限Chu’ s limitation的電小天線設(shè)計(jì)會(huì)提 高輻射效率,但會(huì)伴隨帶寬過(guò)窄。為了改進(jìn)電小天線的輻射性能,很多加載技術(shù)的輻射結(jié)構(gòu) 被提出來(lái)。例如,介質(zhì)加載,頂加載,線性加載以及折疊式電小偶極天線都是有輻射電阻明 顯提高的一類(lèi)電小天線。但是,這些電小天線缺點(diǎn)也很明顯,只有很低的輻射效率。平面倒 F天線也是一類(lèi)常用的小型輻射器,然而當(dāng)工作頻率減小時(shí),天線的輻射方向圖和天線極化 特性將變差。

發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于克服上述不足,提供一種具有較高輻射效率、增益并且結(jié) 構(gòu)簡(jiǎn)單、緊湊、生產(chǎn)成本低廉的雙頻帶電小天線。本實(shí)用新型的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的一種雙頻帶電小天線,所述天線包含有頂部層 和底部層,所述頂部層和底部層疊加組成一完整的天線結(jié)構(gòu),所述頂部層由頂部介質(zhì)以及 印刻于其上的電小環(huán)天線源構(gòu)成,所述電小環(huán)天線源為一帶引出線的環(huán)狀結(jié)構(gòu);所述底部 層由底部介質(zhì)以及印刻于其上的內(nèi)圈分裂環(huán)和外圈分裂環(huán)構(gòu)成,所述外圈分裂環(huán)上開(kāi)有電 容性小槽,且上述槽位于與電小環(huán)天線源相對(duì)位置處,所述內(nèi)圈分裂環(huán)與槽相對(duì)應(yīng)處為一 開(kāi)路結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型雙頻帶電小天線,所述頂部介質(zhì)和底部介質(zhì)均為PCB板。本實(shí)用新型的有益效果是本實(shí)用新型雙頻帶電小天線由于增加了一個(gè)分裂振蕩環(huán),從而產(chǎn)生了一個(gè)附加的 諧振頻率,使得其具有更好的阻抗匹配,提高了輻射效率和增益,因此可以使得其滿足復(fù)雜 和多無(wú)線通信系統(tǒng)和終端收集最大無(wú)線能量的要求。并且相比于傳統(tǒng)設(shè)計(jì),其結(jié)構(gòu)更為簡(jiǎn) 單緊湊,不但可使其應(yīng)用于各種小尺寸場(chǎng)合,如無(wú)線傳感器、超薄筆記本、智能手機(jī)等,且簡(jiǎn) 單的結(jié)構(gòu)降低了其生產(chǎn)成本。
圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)透視圖。圖2為本實(shí)用新型頂部層結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為本實(shí)用新型底部層結(jié)構(gòu)示意圖。圖中頂部層1、頂部介質(zhì)10、電小環(huán)天線源11 ;底部層2、底部介質(zhì)20、內(nèi)圈分裂環(huán)21、外圈分裂環(huán)22、槽23。
具體實(shí)施方式
參見(jiàn)圖1 3,本實(shí)用新型涉及一種雙頻帶電小天線,所述天線包含有頂部層1和 底部層2,所述頂部層1和底部層2疊加組成一完整的天線結(jié)構(gòu),所述頂部層1由頂部介質(zhì) 10以及印刻于其上的電小環(huán)天線源11構(gòu)成,所述電小環(huán)天線源11為一帶引出線的環(huán)狀結(jié) 構(gòu);所述底部層2由底部介質(zhì)20以及印刻于其上的內(nèi)圈分裂環(huán)21和外圈分裂環(huán)22構(gòu)成, 所述外圈分裂環(huán)22上開(kāi)有電容性小槽23,且上述槽23位于與電小環(huán)天線源11相對(duì)位置 處,所述內(nèi)圈分裂環(huán)21與槽23相對(duì)應(yīng)處為一開(kāi)路結(jié)構(gòu)。
權(quán)利要求一種雙頻帶電小天線,其特征在于所述天線包含有頂部層(1)和底部層(2),所述頂部層(1)和底部層(2)疊加組成一完整的天線結(jié)構(gòu),所述頂部層(1)由頂部介質(zhì)(10)以及印刻于其上的電小環(huán)天線源(11)構(gòu)成,所述電小環(huán)天線源(11)為一帶引出線的環(huán)狀結(jié)構(gòu);所述底部層(2)由底部介質(zhì)(20)以及印刻于其上的內(nèi)圈分裂環(huán)(21)和外圈分裂環(huán)(22)構(gòu)成,所述外圈分裂環(huán)(22)上開(kāi)有電容性小槽(23),且上述槽(23)位于與電小環(huán)天線源(11)相對(duì)位置處,所述內(nèi)圈分裂環(huán)(21)與槽(23)相對(duì)應(yīng)處為一開(kāi)路結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述一種雙頻帶電小天線,其特征在于所述頂部介質(zhì)(10)和底部介 質(zhì)(20)均為PCB板。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型涉及一種雙頻帶電小天線,包含有頂部層(1)和底部層(2),所述頂部層(1)和底部層(2)疊加組成一完整的天線結(jié)構(gòu),所述頂部層(1)由頂部介質(zhì)(10)以及印刻于其上的電小環(huán)天線源(11)構(gòu)成,所述電小環(huán)天線源(11)為一帶引出線的環(huán)狀結(jié)構(gòu);所述底部層(2)由底部介質(zhì)(20)以及印刻于其上的內(nèi)圈分裂環(huán)(21)和外圈分裂環(huán)(22)構(gòu)成,所述外圈分裂環(huán)(22)上開(kāi)有電容性小槽(23),且上述槽(23)位于與電小環(huán)天線源(11)相對(duì)位置處,所述內(nèi)圈分裂環(huán)(21)與槽(23)相對(duì)應(yīng)處為一開(kāi)路結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型雙頻帶電小天線,具有較高輻射效率、增益并且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、緊湊、生產(chǎn)成本低廉。
文檔編號(hào)H01Q7/00GK201732864SQ20102026107
公開(kāi)日2011年2月2日 申請(qǐng)日期2010年7月15日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月15日
發(fā)明者李路遙, 柳清伙, 王林 申請(qǐng)人:無(wú)錫偉諾升華軟件科技有限公司
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