專利名稱：低方阻金屬化膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種金屬化膜，特別涉及低方阻金屬化膜。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的金屬化電容器用薄膜，是在介質(zhì)上用鍍膜機在高真空條件下采用金屬加熱 蒸發(fā)技術(shù)鍍上金屬，分單鋁鍍層和鋅鋁鍍兩層，因其具有獨特的自愈特性，廣泛用于制造各 類電力補償用或馬達啟動用交流電容器和直流濾波電容器。金屬化薄膜的自愈性能，可能 明顯改善和提高金屬化薄膜電容器的耐電壓能力和使用壽命。由于鋅的熔點比鋁低，更易 在電容器熱擊穿時發(fā)揮，自愈性更加優(yōu)良，因此鋁鋅合金屬化薄膜較鋁金屬化膜具有更好 的耐壓特性。但由于鋅鍍層在薄膜表面的復(fù)著力極差，因此必須先蒸鍍鋁然后再蒸鍍鋅，而 鋅在空氣中極易氧化，氧化后的鋅鋁薄膜將導(dǎo)致電容器失效，因此對鍍好的鋅鋁金屬化薄 膜的貯存環(huán)境有嚴格的溫度要求。同時，為了保證鋅鋁鍍層中鍍鋁層的均勻和致密，鍍鋁量 必須達到一定的量，而鍍鋁量的增加將降低金屬化薄的自愈性能，同樣影響薄膜的耐壓特 性，最終影響電容器質(zhì)量和使用壽命。為了解決此類問題，目前金屬化膜一般是在整個薄膜 先蒸鍍上一層鋁膜，然后在鋁膜上再蒸鍍上一鍍鋅加強層，該加強層的寬度一般要比薄膜 的寬度小很多，這樣既不影響薄膜的耐壓特性，又提高了金屬化薄膜的自愈性能。但是采用 這樣鍍層的金屬化薄膜還是沒有解決鋅在空氣中極易氧化，氧化后的鋅鋁薄膜的將導(dǎo)致電 容器失效的問題。

實用新型內(nèi)容本實用新型的目的就是解決金屬化薄膜中鋅在空氣中極易氧化，氧化后的鋅鋁薄 膜的將導(dǎo)致電容器失效的問題。本實用新型采用的技術(shù)方案是低方阻金屬化膜，由聚丙烯介質(zhì)層和蒸鍍在電聚 丙烯質(zhì)層表面的鋁層組成，然后在鋁層上蒸鍍上一層鋅鋁合金，所述鋅鋁加強層的材料為 鋅鋁合金，其中鋅占合金比重是30%，鋁占合金的比重是70%，該鋅鋁厚度為所蒸鍍的鋁 層厚度的6-8倍，寬度為l_5mm，其特征在于所述鋅鋁合金位于所述鋁層的中間位置，鋅鋁 合金區(qū)域的方阻在3 Ω / □以下。本實用新型有益效果是由于采用鋅鋁合金層代替單位獨的鋁層和鋅層，阻止了 鋅在空氣中的氧化，從而阻止了電容器的失效。也同時大大提高了金屬化膜的耐壓性能和 自愈性能。

圖1為本實用新型低方阻金屬化膜的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為圖1的A-A剖視圖。
具體實施方式實施例1 如圖1和圖2所示，本實用新型是一種低方阻金屬化膜，由電介質(zhì)層1和 蒸鍍在電介質(zhì)層1表面的鋁層2組成，為純鋁薄膜。電介質(zhì)層1為有機薄膜，在鋁層2的中 間蒸鍍上一層加厚的鋅鋁合金層3，其中鋅占合金的比重為30%，鋁占合金的比重為70%， 位于鋁層2的中間位置，其厚度為鋁層2的百度的6-8倍，寬度為l-5mm。鋅鋁合金3的方 阻控制在3 Ω / □以下，其它區(qū)域的方阻控制在6 Ω / □以下。
權(quán)利要求低方阻金屬化膜，由聚丙烯介質(zhì)層[1]和蒸鍍在聚丙烯介質(zhì)層[1]表面的鋁層[2]組成，然后在鋁層[2]上蒸鍍上一層鋅鋁合金層[3]，所述鋅鋁合金層[3]的材料為鋅鋁合金，其中鋅占合金比重是30％，鋁占合金的比重是70％，該鋅鋁合金層[3]厚度為所蒸鍍的鋁層厚度的6 8倍，寬度為1 5mm，其特征在于所述鋅鋁合金層[3]位于所述鋁層[2]的中間位置，鋅鋁合金層[3]區(qū)域的方阻在3Ω/□以下。
專利摘要本實用新型公開了一種低方阻金屬化膜。通過鍍膜機在介質(zhì)上先蒸鍍一層鋁，然后在鋁層基礎(chǔ)上再蒸鍍一層鋅鋁合金，其中鋅占合金比重是30％，鋁占合金的比重是70％，該鋅鋁厚度為所蒸鍍的鋁層厚度的6-8倍，寬度為1-5mm。主要利用鋁在空氣中易氧化的特性，在鋁層基礎(chǔ)上蒸鍍鋅鋁合金，目的是為了提高金屬化膜的抗氧化能力，也同時大大提高了金屬化膜的耐壓性能和自愈性能。
文檔編號H01G4/33GK201765958SQ20102027798
公開日2011年3月16日 申請日期2010年7月20日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月20日
發(fā)明者鄭銅明 申請人:銅陵科樂福新光電有限公司