專利名稱：64線0.5節(jié)距陶瓷四邊引線扁平封裝器件老化測(cè)試插座的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種微電子元器件老化測(cè)試裝置，是能對(duì)64線0.5mm節(jié)距陶瓷四 邊引線扁平封裝元器件可靠性進(jìn)行高溫老化篩選試驗(yàn)和性能測(cè)試的插座；本實(shí)用新型屬電 子信息技術(shù)微電子元器件可靠性領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
目前，在我國(guó)電子元器件可靠性技術(shù)領(lǐng)域，公知的國(guó)內(nèi)一般老化試驗(yàn)插座的本 體材料大都采用的是非耐高溫普通塑料，在對(duì)被測(cè)器件進(jìn)行測(cè)試時(shí)，老化工作溫度僅 為-25°C +85°C，工作時(shí)間短、接觸件節(jié)距寬、引線根數(shù)少、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，存在著與被測(cè)器件 之間接觸電阻大、老化溫度低、一致性差和使用壽命短的重大缺陷，不能滿足對(duì)器件的質(zhì)量 篩選和性能指標(biāo)的測(cè)試要求，容易引發(fā)工程質(zhì)量事故。國(guó)內(nèi)在可靠性技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)特別是對(duì) 配套于神舟飛船、大推力火箭、衛(wèi)星、核潛艇、洲際導(dǎo)彈及其它國(guó)防軍工、航天、航空、航海、 通信等重點(diǎn)國(guó)防尖端武器裝備等重大項(xiàng)目的集成電路、微電子元器件，尚無(wú)高低溫老化可 靠性試驗(yàn)和測(cè)試的專用測(cè)試裝置，所使用的測(cè)試插座大量依賴國(guó)外進(jìn)口，價(jià)格極為昂貴，國(guó) 家每年要花費(fèi)大筆外匯進(jìn)口產(chǎn)品，訂貨周期較長(zhǎng)，特殊規(guī)格的產(chǎn)品無(wú)法訂貨，部分重要產(chǎn)品 還因禁運(yùn)而影響我國(guó)軍用電子元器件研發(fā)生產(chǎn)進(jìn)度。
發(fā)明內(nèi)容為克服現(xiàn)有老化試驗(yàn)插座在接觸電阻、耐高溫和一致性以及使用壽命方面的不 足，本實(shí)用新型提供一種新型的專用于集成電路、微電子元器件在線通電狀態(tài)下進(jìn)行高低 溫老化、測(cè)試、篩選及可靠性試驗(yàn)的64線節(jié)距僅為0. 5mm的陶瓷四邊引線扁平封裝元器件 插座。該插座不僅能將老化工作溫度范圍從-25°C +85°C擴(kuò)展至-55°C +150°C，一次老 化連續(xù)工作時(shí)間長(zhǎng)達(dá)1500h(150°C)以上，插拔壽命8000次以上，而且在對(duì)被測(cè)試器件進(jìn)行 高溫老化試驗(yàn)和性能測(cè)試過(guò)程中，具有引線根數(shù)多、接觸件節(jié)距細(xì)、接觸電阻小、一致性好、 低插拔力、表面耐磨和使用方便的優(yōu)點(diǎn)，大大提高了插座的可靠性和使用壽命。本實(shí)用新型解決技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是按照64線0. 5節(jié)距陶瓷四邊引 線扁平封裝元器件的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和尺寸要求，將插座設(shè)計(jì)成三大組成部分，即插座體、接觸件 和定位裝置。插座體主要由座、蓋和鉤組成，選用耐高溫型工程塑料，經(jīng)高溫注塑成型工藝 技術(shù)制造成插座本體，接觸件由軸向?qū)ΨQ的64線、0. 5mm細(xì)節(jié)距的鍍金簧片縱向排列組成， 與被試器件引出線相對(duì)應(yīng)，分別安裝于座的4面凹槽中。插座的鎖緊裝置由座、蓋、鉤、壓塊 和定位板組成，插座體的座、蓋、鉤及壓塊和定位板可起壓緊裝置作用，當(dāng)被試器件放在定 位板上，鉤受力向下翻轉(zhuǎn)與座嚙合時(shí)，使蓋及安裝在蓋上的壓塊產(chǎn)生位移，由于壓塊向下運(yùn) 動(dòng)，被試器件壓緊接觸件，而定位板四個(gè)腳上有壓簧，有很好的彈性，促使插座達(dá)到更好的 壓緊效果。該實(shí)用新型在同一系列中屬于細(xì)節(jié)距結(jié)構(gòu)，接觸件的節(jié)距僅有0. 5mm。采用與被 試器件引出線相對(duì)應(yīng)的方式，并由中心對(duì)稱、四面排列形式組成。該實(shí)用新型還采用由定位 板和壓塊組成定位裝置的新樣式，被試器件的引線與接觸件相對(duì)應(yīng)并安裝在定位板上。通電后進(jìn)行高溫老化試驗(yàn)和性能測(cè)試。這種翻蓋式結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)成零插拔力式的結(jié)構(gòu)，可避免接 觸件插拔時(shí)磨損電鍍層，影響電接觸性能，徹底解決了在高溫老化試驗(yàn)和性能測(cè)試過(guò)程中 的接觸電阻大、耐環(huán)境弱、一致性差和機(jī)械壽命不長(zhǎng)的技術(shù)難點(diǎn)，還可以滿足被試器件不同 引線的要求。本實(shí)用新型的有益效果是該實(shí)用新型可以滿足軍民通用64線和其它同類陶瓷 四邊引線扁平封裝元器件高溫老化試驗(yàn)和性能測(cè)試；本實(shí)用新型的研制成功填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)空 白，替代進(jìn)口，為國(guó)家節(jié)約了外匯，為用戶節(jié)約了成本，可以獲得較大的經(jīng)濟(jì)效益和社會(huì)效果。
以下結(jié)合附圖和實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明。

圖1是本實(shí)用新型的外形結(jié)構(gòu)縱剖面構(gòu)造圖。圖2是本實(shí)用新型外型結(jié)構(gòu)俯視圖。圖1 :1中腳接觸件(簧片)2座3前腳接觸件(簧片)4定位板5壓簧6后腳 接觸件(簧片)7軸8扭簧9蓋10壓塊11軸12壓簧13鉤
具體實(shí)施方式
在圖1中，第一步將接觸件即前腳簧片(3)中腳簧片⑴和后腳簧片(6)按與 被試器件引出線相對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)插入座O)中；第二步將鉤(13)、壓簧(12)、軸(7)裝入蓋 (9)內(nèi)；第三步將壓簧(5)和定位板⑷裝入座(2)內(nèi)；第四步將壓塊(10)、軸(11)裝 入蓋(9)內(nèi)；第五步再將裝好的蓋(9)、軸(7)和扭簧⑶裝入座⑵內(nèi)。該方案中，插座體用于被試器件的自動(dòng)壓緊，當(dāng)鉤受力向下翻轉(zhuǎn)與座嚙合時(shí)，被試 器件自動(dòng)壓緊接觸件；接觸件由鍍金簧片按與被試器件引出線相對(duì)應(yīng)、自動(dòng)壓緊和零插拔 力結(jié)構(gòu)安裝于插座體的座中；還采用由定位板和壓塊進(jìn)行定位的新樣式，確保被試器件放 入時(shí)的引線與接觸件相對(duì)應(yīng)并；定位塊下的壓簧可以確保接觸件受力均勻。
權(quán)利要求1.一種64線0. 5節(jié)距陶瓷四邊引線扁平封裝器件老化測(cè)試插座，其特征是它是由插 座體、接觸件和定位裝置三個(gè)部分統(tǒng)一組成，插座體由座( 、蓋(9)和鉤(1 組成，插座體 選用耐高溫型工程塑料，經(jīng)高溫注塑成型工藝技術(shù)制造而成，接觸件(1)、(3)、(6)與被試 器件引出線相對(duì)應(yīng)并安裝于插座體的座中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的64線0.5節(jié)距陶瓷四邊引線扁平封裝器件老化測(cè)試插座，其 特征是插座體和接觸件(1)、(3)、(6)是一個(gè)統(tǒng)一整體，接觸件(1)、(3)、(6)由軸向?qū)ΨQ 的64線、0. 5mm細(xì)節(jié)距的鍍金簧片縱向排列組成，分別安裝于座的4面凹槽中。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的64線0.5節(jié)距陶瓷四邊引線扁平封裝器件老化測(cè)試插座，其 特征是插座的鎖緊裝置由座O)、蓋(9)、鉤(13)、壓塊(10)和定位板(4)組成，定位板四 個(gè)腳上有壓簧(5) (12)，這種翻蓋式結(jié)構(gòu)把接觸件設(shè)計(jì)成自動(dòng)壓緊鎖、零插拔力結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的64線0.5節(jié)距陶瓷四邊引線扁平封裝器件老化測(cè)試插座，其 特征是插座的定位裝置由壓塊(10)和定位板(4)組成，被試器件的引線與接觸件相對(duì)應(yīng) 并安裝在定位板上。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種微電子元器件老化測(cè)試裝置，能對(duì)64線0.5節(jié)距陶瓷四邊引線扁平封裝元器件可靠性進(jìn)行高溫老煉篩選和性能測(cè)試的插座。本實(shí)用新型按64線0.5節(jié)距陶瓷四邊引線扁平封裝型的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和尺寸要求，將插座設(shè)計(jì)成三大組成部分，即插座體、接觸件和定位裝置。插座體由座、蓋和鉤組成，插座體還起壓緊裝置作用，當(dāng)被試器件安裝在定位板上后，鉤受力向下翻轉(zhuǎn)與座嚙合時(shí)，蓋及壓塊向下運(yùn)動(dòng)，使被試器件壓緊接觸件。接觸件采用與被試器件引出線相對(duì)應(yīng)的方式，并由中心對(duì)稱、四面排列形式組成。定位裝置由定位板和壓塊組成。
文檔編號(hào)H01R13/42GK201927782SQ20102028194
公開(kāi)日2011年8月10日 申請(qǐng)日期2010年8月2日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月2日
發(fā)明者曹金學(xué) 申請(qǐng)人:曹金學(xué)