專利名稱：雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封裝結構的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封裝結構。屬于半導體封裝 技術領域。背景技術：
傳統(tǒng)的芯片封裝結構的制作方式是采用金屬基板的正面進行化學蝕刻及表面電 鍍層后，即完成引線框的制作(如圖43所示)。而引線框的背面則在封裝過程中再進行蝕 刻。該法存在以下不足因為塑封前只在金屬基板正面進行了半蝕刻工作，而在塑封過程中塑封料只有包 裹住引腳半只腳的高度，所以塑封體與引腳的束縛能力就變小了，如果塑封體貼片到PCB 板上不是很好時，再進行返工重貼，就容易產(chǎn)生掉腳的問題(如圖44所示)。尤其塑封料 的種類是采用有填料時候，因為材料在生產(chǎn)過程的環(huán)境與后續(xù)表面貼裝的應力變化關系， 會造成金屬與塑封料產(chǎn)生垂直型的裂縫，其特性是填料比例越高則越硬越脆越容易產(chǎn)生裂 縫。另外，由于芯片與引腳之間的距離較遠，金屬線的長度較長，如圖45 46所示， 金屬線成本較高(尤其是昂貴的純金質(zhì)的金屬線)；同樣由于金屬線的長度較長，使得芯片 的信號輸出速度較慢(尤其是存儲類的產(chǎn)品以及需要大量數(shù)據(jù)的計算，更為突出)；也同樣 由于金屬線的長度較長，所以在金屬線所存在的寄生電阻/寄生電容與寄生電桿對信號的 干擾也較高；再由于芯片與引腳之間的距離較遠，使得封裝的體積與面積較大，材料成本較 高，廢棄物較多。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型的目的在于克服上述不足，提供一種不會再有產(chǎn)生掉腳的問題和能使 金屬線的長度縮短的雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封裝結構。本實用新型的目的是這樣實現(xiàn)的包括基島、引腳、無填料的塑封料(環(huán)氧樹脂)、 導電或不導電粘結物質(zhì)、芯片、金屬線和有填料塑封料(環(huán)氧樹脂)，所述引腳正面延伸到 基島旁邊，在所述基島和引腳的正面設置有第一金屬層，在所述基島和引腳的背面設置有 第二金屬層，在所述基島正面第一金屬層上通過導電或不導電粘結物質(zhì)設置有芯片，芯片 正面與引腳正面第一金屬層之間用金屬線連接，在所述基島和引腳的上部以及芯片和金屬 線外包封有填料塑封料(環(huán)氧樹脂)，在所述基島和引腳外圍的區(qū)域、引腳與基島之間的區(qū) 域以及引腳與引腳之間的區(qū)域嵌置有無填料的塑封料(環(huán)氧樹脂)，所述無填料的塑封料 (環(huán)氧樹脂)將基島和引腳下部外圍、引腳下部與基島下部以及引腳下部與引腳下部連接 成一體，且使所述基島和引腳背面尺寸小于基島和引腳正面尺寸，形成上大下小的基島和 引腳結構，其特征在于所述有填料塑封料(環(huán)氧樹脂)將引腳正面局部單元進行包覆。本實用新型的有益效果是1、確保不會再有產(chǎn)生掉腳的問題[0009]由于引線框采用了雙面蝕刻的工藝技術，所以可以輕松的規(guī)劃設計與制造出上大 下小的引腳結構，可以使上下層塑封料緊密的將上大下小的引腳結構一起包裹住，所以塑 封體與引腳的束縛能力就變大了，不會再有產(chǎn)生掉腳的問題。2、確保金屬線的長度縮短1)由于應用了引線框背面與正面分開蝕刻的技術，所以能夠?qū)⒁€框正面的引腳 盡可能的延伸到后續(xù)需裝芯片的區(qū)域旁邊，促使芯片與引腳距離大幅的縮短，如圖2 圖 3，如此金屬線的長度也縮短了，金屬線的成本也可以大幅的降低(尤其是昂貴的純金質(zhì)的 金屬線)；2)也因為金屬線的長度縮短使得芯片的信號輸出速度也大幅的增速(尤其存儲 類的產(chǎn)品以及需要大量數(shù)據(jù)的計算，更為突出)，由于金屬線的長度變短了，所以金屬線所 存在的寄生電阻/寄生電容與寄生電桿對信號的干擾也大幅度的降低。3、使封裝的體積與面積可以大幅度的縮小因運用了引腳的延伸技術，所以可以容易的制作出高腳數(shù)與高密度的腳與腳之間 的距離，使得封裝的體積與面積可以大幅度的縮小。4、材料成本和材料用量減少因為將封裝后的體積大幅度的縮小，更直接的體現(xiàn)出材料成本大幅度的下降與因 為材料用量的減少也大幅度的減少廢棄物環(huán)保的困擾。5、采用局部單元的單顆封裝的優(yōu)點有1)在不同的應用中可以將塑封體邊緣的引腳伸出塑封體。2)塑封體邊緣的引腳伸出塑封體外可以清楚的檢查出焊接在PCB板上的情況。3)模塊型的面積較大會容易因為多種不同的材料結構所產(chǎn)生收縮率不同的應立 變形，而局部單元的單顆封裝就可以完全分散多種不同的材料結構所產(chǎn)生收縮率不同的應 立變形。4)單顆封裝在進行塑封體切割分離時，因為要切割的厚度只有引腳的厚度，所以 切割的速度可以比模塊型的封裝結構要來得快很多，且切割用的刀片因為切割的厚度便薄 了所以切割刀片的壽命相對的也就變的更長了。
圖1 (A) 圖1 (R)為本實用新型雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封裝結構實施例 1各工序示意圖。圖2為本實用新型雙面圖形芯片正裝單顆封裝結構實施例1結構示意圖。圖3為圖2的俯視圖。圖4(A) 圖4(R)為本實用新型雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封裝結構實施例 2各工序示意圖。圖5為本實用新型雙面圖形芯片正裝單顆封裝結構實施例2結構示意圖。圖6為圖5的俯視圖。圖7(A) 圖7 (R)為本實用新型雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封裝結構實施例 3各工序示意圖。圖8為本實用新型雙面圖形芯片正裝單顆封裝結構實施例3結構示意圖。[0030]圖9為圖8的俯視圖。[0031]圖10(A) 圖IO(R)為本實用新型雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封裝結構實施 列4各工序示意圖。[0032]圖11為本實用新型雙面圖形芯片正裝單顆封裝結構實施例4結構示意圖。[0033]圖12為圖11的俯視圖。[0034]圖13(A) 圖13 (R)為本實用新型雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封裝結構實施 列5各工序示意圖。[0035]圖14為本實用新型雙面圖形芯片正裝單顆封裝結構實施例5結構示意圖。[0036]圖15為圖14的俯視圖。[0037]圖16(A) 圖16 (R)為本實用新型雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封裝結構實施 列6各工序示意圖。[0038]圖17為本實用新型雙面圖形芯片正裝單顆封裝結構實施例6結構示意圖。[0039]圖18為圖17的俯視圖。[0040]圖19(A) 圖19 (R)為本實用新型雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封裝結構實施 列7各工序示意圖。[0041]圖20為本實用新型雙面圖形芯片正裝單顆封裝結構實施例7結構示意圖。[0042]圖21為圖20的俯視圖。[0043]圖22(A) 圖22 (R)為本實用新型雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封裝結構實施 列8各工序示意圖。[0044]圖23為本實用新型雙面圖形芯片正裝單顆封裝結構實施例8結構示意圖。[0045]圖M為圖23的俯視圖。[0046]圖25(A) 圖25 (R)為本實用新型雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封裝結構實施 列5各工序示意圖。[0047]圖沈為本實用新型雙面圖形芯片正裝單顆封裝結構實施例5結構示意圖。[0048]圖27為圖沈的俯視圖。[0049]圖^(A) 圖^(R)為本實用新型雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封裝結構實施 列6各工序示意圖。[0050]圖四為本實用新型雙面圖形芯片正裝單顆封裝結構實施例6結構示意圖。[0051]圖30為圖四的俯視圖。[0052]圖31 (A) 圖31 (R)為本實用新型雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封裝結構實施 列11各工序示意圖。[0053]圖32為本實用新型雙面圖形芯片正裝單顆封裝結構實施例11結構示意圖。[0054]圖33為圖32的俯視圖。[0055]圖34(A) 圖34(R)為本實用新型雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封裝結構實施 列12各工序示意圖。[0056]圖35為本實用新型雙面圖形芯片正裝單顆封裝結構實施例12結構示意圖。[0057]圖36為圖35的俯視圖。[0058]圖37(A) 圖37 (R)為本實用新型雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封裝結構實施 列13各工序示意圖。[0059]圖38為本實用新型雙面圖形芯片正裝單顆封裝結構實施例13結構示意圖。圖39為圖38的俯視圖。圖40 (A) 圖40 (R)為本實用新型雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封裝結構實施 例14各工序示意圖。圖41為本實用新型雙面圖形芯片正裝單顆封裝結構實施例14結構示意圖。圖42為圖41的俯視圖。圖43為以往采用金屬基板的正面進行化學蝕刻及表面電鍍層作業(yè)圖。圖44為以往形成的掉腳圖。圖45為以往的封裝結構示意圖。圖46為45的俯視圖。圖中附圖標記基島1、引腳2、無填料的塑封料(環(huán)氧樹脂)3、第一金屬層4、第二金屬層5、導電 或不導電粘結物質(zhì)6、芯片7、金屬線8、有填料塑封料(環(huán)氧樹脂)9、金屬基板10、光阻膠膜 11、光阻膠膜12、光阻膠膜13、光阻膠膜14、光阻膠膜15、光阻膠膜16 ；第三基島1. 1、第三基島1. 2、第三基島1. 3、第四基島1. 4。
具體實施方式
本實用新型雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封裝結構如下實施例1 單基島單圈引腳參見圖2和圖3，圖2為本實用新型雙面圖形芯片正裝單顆封裝結構實施例1結 構示意圖。圖3為圖2的俯視圖。由圖2和圖3可以看出，本實用新型雙面圖形芯片正裝 單顆封裝結構，包括基島1、引腳2、無填料的塑封料(環(huán)氧樹脂)3、導電或不導電粘結物質(zhì) 6、芯片7、金屬線8和有填料塑封料(環(huán)氧樹脂)9，所述引腳2正面盡可能的延伸到基島1 旁邊，在所述基島1和引腳2的正面設置有第一金屬層4，在所述基島1和引腳2的背面設 置有第二金屬層5，在所述基島1正面第一金屬層4上通過導電或不導電粘結物質(zhì)6設置有 芯片7，芯片7正面與引腳2正面第一金屬層4之間用金屬線8連接，在所述基島1和引腳 2的上部以及芯片7和金屬線8外包封有填料塑封料(環(huán)氧樹脂)9，該有填料塑封料(環(huán) 氧樹脂)9將引腳2正面局部單元進行包覆，在所述基島1和引腳2外圍的區(qū)域、引腳2與 基島1之間的區(qū)域以及引腳2與引腳2之間的區(qū)域嵌置有無填料的塑封料(環(huán)氧樹脂)3， 所述無填料的塑封料(環(huán)氧樹脂)3將基島1和引腳下部外圍、引腳2下部與基島1下部以 及引腳2下部與引腳2下部連接成一體，且使所述基島和引腳背面尺寸小于基島和引腳正 面尺寸，形成上大下小的基島和引腳結構。其封裝結構如下步驟一、取金屬基板參見圖1(A)，取一片厚度合適的金屬基板10。金屬基板的材質(zhì)可以依據(jù)芯片的功 能與特性進行變換，例如銅、鋁、鐵、銅合金或鎳鐵合金等。步驟二、金屬基板正面及背面被覆光阻膠膜參見圖1 (B)，利用被覆設備在金屬基板的正面及背面分別被覆可進行曝光顯影的 光阻膠膜11和12，以保護后續(xù)的電鍍金屬層工藝作業(yè)。而此光阻膠膜可以是干式光阻薄膠膜也可以是濕式光阻膠膜。步驟三、金屬基板正面的光阻膠膜進行需要電鍍金屬層區(qū)域的曝光/顯影以及開 窗參見圖1 (C)，利用曝光顯影設備將步驟二完成光阻膠膜被覆作業(yè)的金屬基板正面 進行曝光顯影去除部分光阻膠膜，以露出金屬基板正面后續(xù)需要進行電鍍金屬層的區(qū)域。步驟四、金屬基板正面已開窗的區(qū)域進行金屬層電鍍被覆參見圖1(D)，對步驟三中金屬基板正面已開窗的區(qū)域進行第一金屬層4電鍍被 覆，該第一金屬層4置于所述基島1與引腳2的正面。步驟五、金屬基板正面及背面進行光阻膠膜去膜參見圖1 (E)，將金屬基板正面余下的光阻膠膜以及金屬基板背面的光阻膠膜全部 揭除。步驟六、金屬基板正面及背面被覆光阻膠膜參見圖1 (F)，利用被覆設備在金屬基板的正面及背面分別被覆可進行曝光顯影的 光阻膠膜13和14，以保護后續(xù)的蝕刻工藝作業(yè)。而此光阻膠膜可以是干式光阻薄膠膜也可 以是濕式光阻膠膜。步驟七、金屬基板背面的光阻膠膜進行需要蝕刻區(qū)域的曝光/顯影以及開窗參見圖1 (G)，利用曝光顯影設備將步驟六完成光阻膠膜被覆作業(yè)的金屬基板背面 進行曝光顯影去除部分光阻膠膜，以露出局部金屬基板以備后續(xù)需要進行的金屬基板背面 蝕刻作業(yè)。步驟八、金屬基板進行背面蝕刻作業(yè)參見圖1 (H)，完成步驟七的曝光/顯影以及開窗作業(yè)后，即在金屬基板的背面進 行各圖形的蝕刻作業(yè)，蝕刻出基島1和引腳2的背面，同時將引腳正面盡可能的延伸到基島 旁邊。步驟九、金屬基板正面及背面進行光阻膠膜去膜參見圖1 (I)，將金屬基板正面和背面余下的光阻膠膜全部揭除。步驟十、包封無填料的塑封料(環(huán)氧樹脂)參見圖1 (J)，將已完成步驟九所述去膜作業(yè)的金屬基板背面進行包封無填料的塑 封料(環(huán)氧樹脂)作業(yè)，并進行塑封料包封后的固化作業(yè)，使基島1和引腳2外圍的區(qū)域、 引腳2與基島1之間的區(qū)域以及引腳2與引腳2之間的區(qū)域均嵌置無填料的塑封料(環(huán)氧 樹脂)3，該無填料的塑封料(環(huán)氧樹脂)3將基島1和引腳下部外圍、引腳2下部與基島1 下部以及引腳2下部與引腳2下部連接成一體。步驟十一、被覆光阻膠膜參見圖1 (K)，利用被覆設備在將已完成包封無填料塑封料作業(yè)的金屬基板的正面 及背面分別被覆可進行曝光顯影的光阻膠膜15和16，以保護后續(xù)的蝕刻工藝作業(yè)。而此光 阻膠膜可以是干式光阻薄膠膜也可以是濕式光阻膠膜。步驟十二、已完成包封無填料塑封料作業(yè)的金屬基板的正面進行需要蝕刻區(qū)域的 曝光/顯影以及開窗參見圖1 (L)，利用曝光顯影設備將步驟十一完成光阻膠膜被覆作業(yè)的已完成包封 無填料塑封料作業(yè)的金屬基板正面進行曝光顯影去除部分光阻膠膜，以備后續(xù)需要進行金屬基板正面蝕刻作業(yè)。步驟十三、金屬基板正面蝕刻作業(yè)參見圖1 (M)，完成步驟十二的曝光/顯影以及開窗作業(yè)后，即在完成包封無填料 塑封料作業(yè)的金屬基板正面進行各圖形的蝕刻作業(yè)，蝕刻出基島1和引腳2的正面，且使所 述基島1和引腳2的背面尺寸小于基島1和引腳2的正面尺寸，形成上大下小的基島1和 引腳2結構。步驟十四、金屬基板正面及背面進行光阻膠膜去膜參見圖1 (N)，將完成步驟十三蝕刻作業(yè)的金屬基板正面余下的光阻膠膜以及金屬 基板背面的光阻膠膜全部揭除，制成引線框。步驟十五、裝片參見圖1 (0)，在基島1正面第一金屬層4上通過導電或不導電粘結物質(zhì)6進行芯 片7的植入。步驟十六、打金屬線參見圖I(P)，將已完成芯片植入作業(yè)的半成品進行芯片正面與引腳正面第一金屬 層之間打金屬線8作業(yè)。步驟十七、包封有填料塑封料(環(huán)氧樹脂)參見圖1⑴)，將已打線完成的半成品正面進行局部單元包封有填料塑封料(環(huán)氧 樹脂)9作業(yè)，使引腳2正面局部單元區(qū)域露出有填料塑封料(環(huán)氧樹脂)9，并進行塑封料 包封后的固化作業(yè)，使基島和引腳的上部以及芯片和金屬線外均被有填料塑封料(環(huán)氧樹 脂)包封。步驟十八、基島和引腳的背面以及引腳的正面進行金屬層電鍍被覆參見圖I(R)， 對已完成步驟十七包封有填料塑封料(環(huán)氧樹脂)作業(yè)的所述基島和引腳的背面以及步驟 十七所述露出有填料塑封料(環(huán)氧樹脂)9的引腳2正面局部單元區(qū)域分別進行第二金屬 層5和第一金屬層4電鍍被覆作業(yè)，而電鍍的材料可以是錫、鎳金、鎳鈀金....等金屬材 質(zhì)。步驟十九、切割成品參見圖2和圖3，將已完成步驟十八第二金屬層電鍍被覆的半成品進行切割作業(yè)， 使原本以列陣式集合體方式連在一起的芯片一顆顆獨立開來，制得雙面圖形芯片正裝單顆 封裝結構成品。實施例2 下沉基島露出型單圈引腳參見圖4 6，圖4(A) 圖4(R)為本實用新型雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆 封裝結構實施例2各工序示意圖。圖5為本實用新型雙面圖形芯片正裝單顆封裝結構實施 例2結構示意圖。圖6為圖5的俯視圖。由圖4、圖5和圖6可以看出，實施例2與實施例 1的不同之處僅在于所述基島1為下沉型基島，即基島1正面中央?yún)^(qū)域下沉。實施例3 埋入型基島單圈引腳參見圖7 9，圖7(A) 圖7(R)為本實用新型雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封 裝結構實施例3各工序示意圖。圖8為本實用新型雙面圖形芯片正裝單顆封裝結構實施例 3結構示意圖。圖9為圖8的俯視圖。由圖7、圖8和圖9可以看出，實施例3與實施例1 的不同之處僅在于所述基島1為埋入型基島，即基島1背面埋入所述無填料的塑封料(環(huán)氧樹脂)3內(nèi)。實施例4 多凸點基島露出型單圈引腳參見圖10 12，圖10(A) 圖IO(R)為本實用新型雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單 顆封裝結構實施例4各工序示意圖。圖11為本實用新型雙面圖形芯片正裝單顆封裝結構 實施例4結構示意圖。圖12為圖11的俯視圖。由圖10、圖11和圖12可以看出，實施例4 與實施例1的不同之處僅在于所述基島1為多凸點基島，即基島1表面設置有多個凸點。實施例5 多個基島露出型單圈引腳參見圖13 15，圖13(A) 圖13 (R)為本實用新型雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單 顆封裝結構實施例5各工序示意圖。圖14為本實用新型雙面圖形芯片正裝單顆封裝結構 實施例5結構示意圖。圖15為圖14的俯視圖。由圖13 15可以看出，實施例5與實施 例1的不同之處在于所述基島1有多個，引腳2有單圈。實施例6 多個下沉基島露出型單圈引腳參見圖16 18，圖16 (A) 圖16 (R)為本實用新型雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單 顆封裝結構實施例6各工序示意圖。圖17為本實用新型雙面圖形芯片正裝單顆封裝結構 實施例6結構示意圖。圖18為圖17的俯視圖。由圖16 18可以看出，實施例6與實施 例2的不同之處在于所述基島1有多個，引腳2有單圈。實施例7 多個埋入型基島單圈引腳參見圖19 21，圖19(A) 圖19 (R)為本實用新型雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單 顆封裝結構實施例7各工序示意圖。圖20為本實用新型雙面圖形芯片正裝單顆封裝結構 實施例7結構示意圖。圖21為圖20的俯視圖。由圖19 21可以看出，實施例7與實施 例3的不同之處在于所述基島1有多個，引腳2有單圈。實施例8 多個多凸點基島露出型單圈引腳參見圖22 對，圖22 (A) 圖22 (R)為本實用新型雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單 顆封裝結構實施例8各工序示意圖。圖23為本實用新型雙面圖形芯片正裝單顆封裝結構 實施例8結構示意圖。圖M為圖23的俯視圖。由圖22 M可以看出，實施例8與實施 例4的不同之處在于所述基島1有多個，引腳2有單圈。實施例9 基島露出型及下沉基島露出型單圈引腳參見圖25 27，圖25 (A) 圖25 (R)為本實用新型雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單 顆封裝結構實施例9各工序示意圖。圖沈為本實用新型雙面圖形芯片正裝單顆封裝結構 實施例9結構示意圖。圖27為圖沈的俯視圖。由圖25 27可以看出，實施例9與實施 例1的不同之處在于所述基島1有二組也可以是多組基島，一組為第一基島1. 1，另一組 為第二基島1. 2，所述第二基島1. 2正面中央?yún)^(qū)域下沉，在所述第一基島1. 1和引腳2的正 面設置第一金屬層4，在所述第一基島1. 1、第二基島1. 2和引腳2的背面設置第二金屬層 5，在第二基島1. 2正面中央下沉區(qū)域和第一基島1. 1正面通過導電或不導電粘結物質(zhì)6設 置芯片7，芯片7正面與引腳2正面第一金屬層4之間以及芯片7與芯片7之間均用金屬 線8連接，在所述引腳2外圍的區(qū)域、引腳2與第一基島1. 1之間的區(qū)域、第一基島1. 1與 第二基島1. 2之間的區(qū)域、第二基島1. 2與引腳2之間的區(qū)域以及引腳2與引腳2之間的 區(qū)域嵌置無填料塑封料3，所述無填料塑封料3將引腳下部外圍、引腳2與第一基島1. 1下 部、第一基島1. 1與第二基島1. 2下部、第二基島1. 2與引腳2下部以及引腳2與引腳2下部連接成一體，所述引腳2有單圈。實施例10 基島露出型及埋入型基島單圈引腳參見圖觀 30，圖觀(幻 圖觀(R)為本實用新型雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單 顆封裝結構實施例10各工序示意圖。圖四為本實用新型雙面圖形芯片正裝單顆封裝結構 實施例10結構示意圖。圖30為圖四的俯視圖。由圖觀 30可以看出，實施例10與實 施例1的不同之處在于所述基島1有二組也可以是多組基島，一組為第一基島1. 1，另一 組為第三基島1. 3，在所述第一基島1. 1第三基島1. 3和引腳2的正面設置第一金屬層4， 在所述第一基島1. 1和引腳2的背面設置第二金屬層5，芯片7正面與引腳2正面第一金屬 層4之間以及芯片7與芯片7之間均用金屬線8連接，在所述引腳2外圍的區(qū)域、引腳2與 第一基島1. 1之間的區(qū)域、第三基島1. 3背面、第三基島1. 3與第一基島1. 1之間的區(qū)域、 第三基島1.3與引腳2之間的區(qū)域以及引腳與引腳之間的區(qū)域嵌置無填料塑封料3，所述 無填料塑封料3將引腳下部外圍、引腳2與第一基島1. 1下部、第三基島1. 3背面、第三基 島1. 3背面與第一基島1. 1下部、第三基島1. 3背面與引腳2下部以及引腳2與引腳2下 部連接成一體，所述引腳2設置有單圈。實施例11 基島露出型及多凸點基島露出型單圈引腳參見圖31 33，圖31㈧ 圖31 (R)為本實用新型雙面圖形芯片正裝先鍍后刻 單顆封裝結構實施例11各工序示意圖。圖32為本實用新型雙面圖形芯片正裝單顆封裝結 構實施例11結構示意圖。圖33為圖32的俯視圖。由圖31 33可以看出，實施例11與 實施例1的不同之處在于所述基島1有二組也可以是多組基島，一組為第一基島1. 1，另 一組為第四基島1. 4，所述第四基島1. 4正面設置成多凸點狀結構，在所述引腳2外圍的區(qū) 域、引腳2與第一基島1. 1之間的區(qū)域、第一基島1. 1與第四基島1. 4之間的區(qū)域、第四基 島1. 4與引腳2之間的區(qū)域以及引腳2與引腳2之間的區(qū)域嵌置無填料塑封料3，所述無填 料的塑封料(環(huán)氧樹脂)3將引腳下部外圍、引腳2與第一基島1. 1下部、第一基島1. 1與 第四基島1. 4下部、第四基島1. 4與引腳2下部以及引腳2與引腳2下部連接成一體，所述 引腳2設置有單圈。實施例12 下沉基島露出型及埋入型基島露出型單圈引腳參見圖34 36，圖34(A) 圖34(R)為本實用新型雙面圖形芯片正裝先鍍后刻 單顆封裝結構實施例12各工序示意圖。圖35為本實用新型雙面圖形芯片正裝單顆封裝結 構實施例12結構示意圖。圖36為圖35的俯視圖。由圖34 36可以看出，實施例12與 實施例1的不同之處在于所述基島1有二組也可以是多組基島，一組為第二基島1.2，另 一組為第三基島1. 3，所述第二基島1. 2正面中央?yún)^(qū)域下沉，在第二基島1. 2正面中央下沉 區(qū)域和第三基島1. 3正面通過導電或不導電粘結物質(zhì)6設置芯片7，在所述引腳2外圍的 區(qū)域、引腳2與第二基島1. 2之間的區(qū)域、第三基島1. 3背面、第二基島背面1. 2與第二基 島1. 2之間的區(qū)域、第三基島1. 3背面與引腳2之間的區(qū)域以及引腳與引腳之間的區(qū)域嵌 置無填料塑封料3，所述無填料塑封料3將引腳下部外圍、引腳2與第二基島1. 2下部、第三 基島1. 3、第三基島1. 3與第二基島1. 2下部、第三基島1. 3背面與引腳2下部以及引腳2 與引腳2下部連接成一體，所述引腳2設置有一圈。實施例13 下沉基島露出型及多凸點基島露出型單圈引腳參見圖37 39，圖37 (A) 圖37 (R)為本實用新型雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封裝結構實施例13各工序示意圖。圖38為本實用新型雙面圖形芯片正裝單顆封裝結構 實施例13結構示意圖。圖39為圖38的俯視圖。由圖37 39可以看出，實施例13與實 施例1的不同之處在于所述基島1有二組也可以是多組基島，一組為第二基島1.2，另一 組為第四基島1.4，所述第二基島1.2正面中央?yún)^(qū)域下沉，第四基島1.4正面設置成多凸點 狀結構，在所述第四基島1.4和引腳2的正面設置第一金屬層4，在所述第二基島1.2、第四 基島1. 4和引腳2的背面設置第二金屬層5，在所述第二基島1. 2正面中央下沉區(qū)域和第 四基島1. 4正面通過導電或不導電粘結物質(zhì)6設置芯片7，在所述引腳2外圍的區(qū)域、引腳 2與第二基島1.2之間的區(qū)域、第二基島1.2與第四基島1.4之間的區(qū)域、第四基島1.4與 引腳2之間的區(qū)域以及引腳2與引腳2之間的區(qū)域嵌置無填料塑封料3，所述無填料的塑封 料(環(huán)氧樹脂)3將引腳下部外圍、引腳2與第二基島1.2下部、第二基島1.2與第四基島 1. 4下部、第四基島1. 4與引腳2下部以及引腳2與引腳2下部連接成一體，所述引腳2設 置有一圈。實施例14 埋入型基島及多凸點基島露出型單圈引腳參見圖40 42，圖40 (A) 圖40 (R)為本實用新型雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單 顆封裝結構實施例14各工序示意圖。41為本實用新型雙面圖形芯片正裝單顆封裝結構實 施例14結構示意圖。圖42為41的俯視圖。由圖40 42可以看出，實施例14與實施例 1的不同之處在于所述基島1有二組也可以是多組基島，一組為第三基島1.3，另一組為 第四基島1. 4，所述第四基島1. 4正面設置成多凸點狀結構，在所述第三基島1. 3、第四基島 1. 4和引腳2的正面設置第一金屬層4，在所述第四基島1. 4和引腳2的背面設置第二金屬 層5，在所述引腳2外圍的區(qū)域、引腳2與第四基島1. 4之間的區(qū)域、第三基島1. 3背面、第 二基島1.2與第四基島1.4之間的區(qū)域、第三基島1.3與引腳2之間的區(qū)域以及引腳與引 腳之間的區(qū)域嵌置無填料塑封料3，所述無填料塑封料3將引腳下部外圍、引腳2與第四基 島1. 4下部、第三基島1. 3背面、第三基島1. 3背面與第四基島1. 4下部、第三基島1. 3背 面與引腳2下部以及引腳2與引腳2下部連接成一體，所述引腳2設置有一圈。
權利要求1.一種雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封裝結構，包括基島(1)、引腳O)、無填料的 塑封料(3)、導電或不導電粘結物質(zhì)(6)、芯片(7)、金屬線⑶和有填料塑封料(9)，所述引 腳(2)正面延伸到基島(1)旁邊，在所述基島(1)和引腳(2)的正面設置有第一金屬層(4)， 在所述基島(1)和引腳( 的背面設置有第二金屬層(5)，在所述基島(1)正面第一金屬層 (4)上通過導電或不導電粘結物質(zhì)(6)設置有芯片(7)，芯片(7)正面與引腳(2)正面第一 金屬層⑷之間用金屬線⑶連接，在所述基島⑴和引腳⑵的上部以及芯片(7)和金 屬線⑶外包封有填料塑封料(9)，在所述基島⑴和引腳⑵外圍的區(qū)域、引腳(2)與基 島⑴之間的區(qū)域以及引腳⑵與引腳⑵之間的區(qū)域嵌置有無填料的塑封料(3)，所述 無填料的塑封料⑶將基島(1)和引腳下部外圍、引腳(2)下部與基島(1)下部以及引腳 (2)下部與引腳( 下部連接成一體，且使所述基島和引腳背面尺寸小于基島和引腳正面 尺寸，形成上大下小的基島和引腳結構，其特征在于所述有填料塑封料(9)將引腳O)正 面局部單元進行包覆。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封裝結構，其特征在于 基島(1)背面露出所述無填料的塑封料(3)。
3.根據(jù)權利要求1所述的一種雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封裝結構，其特征在于 基島(1)正面中央?yún)^(qū)域下沉。
4.根據(jù)權利要求1所述的一種雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封裝結構，其特征在于 基島(1)背面埋入所述無填料的塑封料(3)內(nèi)。
5.根據(jù)權利要求1所述的一種雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封裝結構，其特征在于 所述基島(1)正面設置成多凸點狀結構。
6.根據(jù)權利要求2 5其中之一所述的一種雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封裝結 構，其特征在于所述基島⑴有多個，引腳⑵有單圈。
7.根據(jù)權利要求1所述的一種雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封裝結構，其特征在 于所述基島(1)有二組，一組為第一基島(1.1)，另一組為第二基島(1.2)，所述第二基島 (1.2)正面中央?yún)^(qū)域下沉，在所述第一基島(1.1)和引腳O)的正面設置有第一金屬層 (4)，在所述第一基島(1. 1)、第二基島(1.2)和引腳(2)的背面設置有第二金屬層(5)，在 第二基島(1.2)正面中央下沉區(qū)域和第一基島(1. 1)正面通過導電或不導電粘結物質(zhì)(6) 設置有芯片(7)，芯片(7)正面與引腳O)正面第一金屬層(4)之間以及芯片(7)與芯片 (7)之間均用金屬線⑶連接，在所述引腳(2)外圍的區(qū)域、引腳(2)與第一基島(1. 1)之 間的區(qū)域、第一基島(1. 1)與第二基島(1. 2)之間的區(qū)域、第二基島(1. 2)與引腳⑵之間 的區(qū)域以及引腳( 與引腳( 之間的區(qū)域嵌置無填料塑封料(3)，所述無填料塑封料(3) 將引腳下部外圍、引腳(2)與第一基島(1. 1)下部、第一基島(1. 1)與第二基島(1. 2)下部、 第二基島(1.2)與引腳⑵下部以及引腳(2)與引腳⑵下部連接成一體，所述引腳(2) 設置有單圈。
8.根據(jù)權利要求1所述的一種雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封裝結構，其特征在于 所述基島(1)有二組，一組為第一基島(1.1)，另一組為第三基島(1.3)，在所述第一基島 (1. 1)第三基島(1.3)和引腳O)的正面設置有第一金屬層G)，在所述第一基島(1. 1)和 引腳O)的背面設置有第二金屬層(5)，在基島(1)正面通過導電或不導電粘結物質(zhì)(6) 設置有芯片(7)，芯片(7)正面與引腳(2)正面第一金屬層(4)之間以及芯片(7)與芯片(7)之間均用金屬線⑶連接，在所述基島⑴和引腳(2)的上部以及芯片(7)和金屬線 ⑶外包封有填料塑封料(9)，在所述引腳⑵外圍的區(qū)域、引腳(2)與第一基島(1. 1)之 間的區(qū)域、第三基島(1.3)背面、第二基島(1.2)與第一基島(1. 1)之間的區(qū)域、第三基島(1.3)與引腳⑵之間的區(qū)域以及引腳與引腳之間的區(qū)域嵌置無填料塑封料(3)，所述無填 料塑封料(3)將引腳下部外圍、引腳(2)與第一基島(1. 1)下部、第三基島(1.3)背面、第 三基島(1.3)背面與第一基島(1. 1)下部、第三基島(1.3)背面與引腳(2)下部以及引腳 ⑵與引腳⑵下部連接成一體，所述引腳(2)設置有單圈。
9.根據(jù)權利要求1所述的一種雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封裝結構，其特征在 于所述基島(1)有二組，一組為第一基島(1.1)，另一組為第四基島(1.4)，所述第四基島(1.4)正面設置成多凸點狀結構，在所述引腳(2)外圍的區(qū)域、引腳(2)與第一基島(1.1) 之間的區(qū)域、第一基島(1. 1)與第四基島(1.4)之間的區(qū)域、第四基島(1.4)與引腳⑵之 間的區(qū)域以及引腳( 與引腳( 之間的區(qū)域嵌置無填料塑封料(3)，所述無填料的塑封料 ⑶將引腳下部外圍、引腳⑵與第一基島(1. 1)下部、第一基島(1. 1)與第四基島(1. 4) 下部、第四基島(1.4)與引腳(2)下部以及引腳(2)與引腳(2)下部連接成一體，所述引腳 (2)設置有單圈。
10.根據(jù)權利要求1所述的一種雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封裝結構，其特征 在于所述基島(1)有二組也可以是多組基島，一組為第二基島(1.2)，另一組為第三基島(1.3)，所述第二基島(1. 正面中央?yún)^(qū)域下沉，在第二基島(1. 正面中央下沉區(qū)域和第 三基島(1. 3)正面通過導電或不導電粘結物質(zhì)(6)設置有芯片(7)，在所述引腳⑵外圍的 區(qū)域、引腳(2)與第二基島(1.2)之間的區(qū)域、第三基島(1.3)背面、第二基島背面(1.2) 與第二基島(1.2)之間的區(qū)域、第三基島(1.3)背面與引腳(2)之間的區(qū)域以及引腳與引 腳之間的區(qū)域嵌置無填料塑封料(3)，所述無填料塑封料C3)將引腳下部外圍、引腳(2)與 第二基島(1. 2)下部、第三基島(1. 3)、第三基島(1. 3)與第二基島(1. 2)下部、第三基島 (1. 3)背面與引腳(2)下部以及引腳(2)與引腳(2)下部連接成一體，所述引腳⑵設置有 單圈。
11.根據(jù)權利要求1所述的一種雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封裝結構，其特征 在于所述基島(1)有二組，一組為第二基島(1.2)，另一組為第四基島(1.4)，所述第二基 島(1.2)正面中央?yún)^(qū)域下沉，第四基島(1.4)正面設置成多凸點狀結構，在所述第四基島(1.4)和引腳(2)的正面設置有第一金屬層(4)，在所述第二基島(1.2)、第四基島(1.4)和 引腳O)的背面設置有第二金屬層(5)，在所述第二基島(1. 正面中央下沉區(qū)域和第四 基島(1.4)正面通過導電或不導電粘結物質(zhì)(6)設置有芯片(7)，在所述引腳⑵外圍的 區(qū)域、引腳⑵與第二基島(1.2)之間的區(qū)域、第二基島(1.2)與第四基島(1.4)之間的區(qū) 域、第四基島(1.4)與引腳⑵之間的區(qū)域以及引腳(2)與引腳(2)之間的區(qū)域嵌置無填 料塑封料(3)，所述無填料的塑封料(3)將引腳下部外圍、引腳(2)與第二基島(1. 2)下部、 第二基島(1.2)與第四基島(1.4)下部、第四基島(1.4)與引腳⑵下部以及引腳(2)與 引腳⑵下部連接成一體，所述引腳(2)設置有單圈。
12.根據(jù)權利要求1所述的一種雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封裝結構，其特征在 于所述基島(1)有二組，一組為第三基島(1.3)，另一組為第四基島(1.4)，所述第四基島 (1.4)正面設置成多凸點狀結構，在所述第三基島(1.3)、第四基島(1.4)和引腳⑵的正面設置有第一金屬層G)，在所述第四基島(1.4)和引腳O)的背面設置有第二金屬層 (5)，在所述引腳(2)外圍的區(qū)域、引腳(2)與第四基島(1.4)之間的區(qū)域、第三基島(1.3) 背面、第二基島(1.2)與第四基島(1.4)之間的區(qū)域、第三基島(1.3)與引腳⑵之間的區(qū) 域以及引腳與引腳之間的區(qū)域嵌置無填料塑封料(3)，所述無填料塑封料C3)將引腳下部 外圍、引腳⑵與第四基島(1.4)下部、第三基島(1.3)背面、第三基島(1.3)背面與第四 基島(1.4)下部、第三基島(1.3)背面與引腳(2)下部以及引腳(2)與引腳⑵下部連接 成一體，所述引腳( 設置有單圈。
專利摘要本實用新型涉及一種雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封裝結構，包括基島(1)、引腳(2)、無填料的塑封料(環(huán)氧樹脂)(3)、導電或不導電粘結物質(zhì)(6)、芯片(7)、金屬線(8)和有填料塑封料(環(huán)氧樹脂)(9)，所述引腳(2)正面延伸到基島(1)旁邊，在所述基島(1)和引腳(2)的上部以及芯片(7)和金屬線(8)外包封有填料塑封料(9)，在所述基島(1)和引腳(2)外圍的區(qū)域、引腳(2)與基島(1)之間的區(qū)域以及引腳(2)與引腳(2)之間的區(qū)域嵌置有無填料的塑封料(3)，且使所述基島和引腳背面尺寸小于基島和引腳正面尺寸，形成上大下小的基島和引腳結構，其特征在于所述有填料塑封料(9)將引腳(2)正面局部單元進行包覆。本實用新型封裝結構不會再有產(chǎn)生掉腳的問題和能使金屬線的長度縮短。
文檔編號H01L23/495GK201838578SQ20102051786
公開日2011年5月18日 申請日期2010年9月4日 優(yōu)先權日2010年9月4日
發(fā)明者梁志忠, 王新潮 申請人:江蘇長電科技股份有限公司