專利名稱：具有金屬化薄膜鍍層的薄膜電容器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型屬于電容技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種薄膜電容器。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)具有金屬化薄膜鍍層的薄膜電容器的金屬化薄膜鍍層結(jié)構(gòu)為在加厚區(qū)a和 非加厚區(qū)c之間，有一個快速的遞減區(qū)b。由于加厚區(qū)a和非加厚區(qū)c之間鍍層的厚度突變 程度大，見圖2，此連接區(qū)承載的電流密度最大導(dǎo)致發(fā)熱嚴重，因熱量的累積形成電容器運 行時溫度最高的部位，而溫度越高的區(qū)域，作為絕緣介質(zhì)的薄膜越容易產(chǎn)生電擊穿，使用壽 命必然縮短。加上交錯卷繞時鍍層厚度經(jīng)多層疊加后，薄膜在此處明顯向外突出，在卷繞圈 數(shù)越多時越嚴重。金屬化鍍層通常使用鋅鋁復(fù)合材料，大面積較薄的鍍層在加工過程中暴 露于空氣中時，更容易氧化。由于塑料薄膜卷繞時必須施加一定的張力，在突出的部位受到 的張力必然高于正常的區(qū)域，加上塑料薄膜具有在張力作用下伸長的特點，結(jié)果是導(dǎo)致薄 膜的有效厚度減小，在相同的條件下，此部位的薄膜更容易擊穿。雖然此種蒸鍍方法所用的 模具簡單，操作簡便，但技術(shù)含量低，產(chǎn)品質(zhì)量差。
發(fā)明內(nèi)容為了解決上述金屬化薄膜鍍層的加厚區(qū)a和非加厚區(qū)c之間鍍層的厚度突變導(dǎo)致 的問題，本實用新型提供一種質(zhì)量穩(wěn)定的具有金屬化薄膜鍍層的薄膜電容器。具體的技術(shù)解決方案如下具有金屬化薄膜鍍層的薄膜電容器包括聚合型塑料和牢固附著的金屬化薄膜鍍 層，所述金屬化薄膜鍍層包括鍍層加厚區(qū)A、鍍層漸變區(qū)B、非加厚區(qū)C和空白區(qū)D。在金屬 化薄膜鍍層的加厚區(qū)A和非加厚區(qū)C之間的鍍層漸變區(qū)B為穩(wěn)定連接區(qū)，所述穩(wěn)定連接區(qū) 的面積為所述薄膜電容器總面積的40-50%，厚度為0. 1-0. 2毫米。本實用新型有益技術(shù)效果是由于在加厚區(qū)和非加厚區(qū)之間增加了穩(wěn)定連接區(qū)， 提高了該區(qū)域承載電流的能力，避免了因鍍層厚度不均對薄膜有效厚度造成的影響，從而 提高了產(chǎn)品的質(zhì)量。穩(wěn)定連接區(qū)平方毫米面積的電阻值為加厚區(qū)和非加厚區(qū)的平均值，其 載流能力由原來的1000安培/厘米提高到1500安培/厘米。

圖1為本實用新型結(jié)構(gòu)示意圖，圖2為現(xiàn)有技術(shù)結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖，通過實施例對本實用新型作進一步地說明。實施例參見圖1，具有金屬化薄膜鍍層的薄膜電容器包括聚合型塑料1和牢固附著的金屬化薄膜鍍層2。金屬化薄膜鍍層2包括鍍層加厚區(qū)A、鍍層漸變區(qū)B、非加厚區(qū)C和空白區(qū) D，金屬化薄膜鍍層的加厚區(qū)A和非加厚區(qū)C之間的鍍層漸變區(qū)B為穩(wěn)定連接區(qū)，穩(wěn)定連接 區(qū)的面積為所述薄膜電容器總面積的40-45%，厚度為0. 1-0. 2毫米。穩(wěn)定連接區(qū)平方毫米面積的電阻值為加厚區(qū)和非加厚區(qū)的平均值，其載流能力由 原來的1000安培/厘米提高到1500安培/厘米。在薄膜電容器的芯體進行卷繞時，即使膜層間存在錯位的現(xiàn)象，鍍層漸變區(qū)B — 端的斜坡會最大程度地降低鍍層厚度的變化對薄膜張力造成的影響。同時，本實用新型的 金屬化薄膜鍍層由于形成了鍍層漸變區(qū)B，其厚度明顯高于傳統(tǒng)蒸鍍方式所加工的薄膜鍍 層，其平均承載電流的能力大大增強，且加厚區(qū)A的載流能力由原來的1000安培/厘米提 高到1500安培/厘米。由于承載電流的能力和薄膜卷繞時的張力更加均勻，所制作的電容 器質(zhì)量更加可靠。
權(quán)利要求1.具有金屬化薄膜鍍層的薄膜電容器，包括聚合型塑料和牢固附著的金屬化薄膜鍍 層，所述金屬化薄膜鍍層包括鍍層加厚區(qū)(A)、鍍層漸變區(qū)(B)、非加厚區(qū)(C)和空白區(qū)(D)， 其特征在于在金屬化薄膜鍍層的加厚區(qū)(A)和非加厚區(qū)(C)之間的鍍層漸變區(qū)(B)為穩(wěn) 定連接區(qū)，所述穩(wěn)定連接區(qū)的面積為所述薄膜電容器總面積的40-50%，厚度為0. 1-0. 2毫米。
專利摘要本實用新型涉及具有金屬化薄膜鍍層的薄膜電容器。該薄膜電容器包括聚合型塑料和牢固附著的金屬化薄膜鍍層，金屬化薄膜鍍層包括鍍層加厚區(qū)A、鍍層漸變區(qū)B、非加厚區(qū)C和空白區(qū)D；金屬化薄膜鍍層的加厚區(qū)A和非加厚區(qū)C之間的鍍層漸變區(qū)B為穩(wěn)定連接區(qū)；穩(wěn)定連接區(qū)的面積為所述薄膜電容器總面積的40-50％，厚度為0.1-0.2毫米。本實用新型提高了鍍層漸變區(qū)承載電流的能力，避免了因鍍層厚度不均對薄膜有效厚度造成的影響，從而提高了產(chǎn)品的質(zhì)量。穩(wěn)定連接區(qū)平方毫米面積的電阻值為加厚區(qū)和非加厚區(qū)的平均值，其載流能力由原來的1000安培/厘米提高到1500安培/厘米。
文檔編號H01G4/33GK201877292SQ20102053727
公開日2011年6月22日 申請日期2010年9月17日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月17日
發(fā)明者宋俊青 申請人:安徽省寧國市海偉電子有限公司