專利名稱：晶片清洗設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及晶片清洗，尤其是涉及一種晶片清洗設(shè)備、特別是用于太陽能硅片的清洗設(shè)備。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的硅片清洗機在清洗晶片時，晶片在清洗室內(nèi)經(jīng)過第一階段去離子水沖洗一清洗液洗滌一第二階段去離子水沖洗后，送入干燥裝置進行熱氣流烘干或者通過甩干機進行甩干。傳統(tǒng)的硅片清洗機在清洗過程中每一個去離子水沖洗單元都需要大量的去離子水，而這些水沒有被重復利用而是直接排放，因而導致了晶片生產(chǎn)成本高、且造成了水資源的浪費、同時對環(huán)境帶來了污染。

實用新型內(nèi)容有鑒于此，需要提供一種晶片清洗設(shè)備，該晶片清洗設(shè)備可以在保證清洗效果的同時大幅降低去離子水的用量。根據(jù)本實用新型的實施例的晶片清洗設(shè)備，包括清洗室；干燥裝置，所述干燥裝置與所述清洗室相鄰設(shè)置，用于對清洗后的晶片進行干燥；以及傳輸部，所述傳輸部貫穿所述清洗室而設(shè)置，用于將待清洗的晶片傳輸至所述清洗室并在清洗室內(nèi)傳輸晶片。其中， 所述清洗室包括分別設(shè)置于所述清洗室兩端的、用于運入和運出所述待清洗晶片的進料口和出料口 ；第一去離子水沖洗區(qū)，所述第一去離子水沖洗區(qū)設(shè)置于所述進料口附近且具有第一進水管路以及第一出水管路，用于對剛被輸送進所述清洗室的晶片進行第一階段沖洗，且具有進水管路以及出水管路；清洗液洗滌區(qū)，所述清洗液洗滌區(qū)位于所述第一去離子水沖洗區(qū)的下游并與其相鄰設(shè)置且具有進液管路以及出液管路，用于對晶片進行清洗液洗滌；以及第二去離子水沖洗區(qū)，所述第二去離子水沖洗區(qū)設(shè)置于所述出料口附近且具有第二進水管路以及第二出水管路，用于對晶片進行第二階段沖洗，其中所述第二出水管路與所述第一進水管路之間通過管路連接，從而將所述第二去離子水沖洗區(qū)的沖洗后液(沖洗后的液體，在本實用新型中將其稱作“沖洗后液”)回收并用于所述第一去離子水沖洗區(qū)進行所述第一階段沖洗。根據(jù)本實用新型的晶片清洗設(shè)備，設(shè)備結(jié)構(gòu)簡單。在經(jīng)過第一階段沖洗和清洗液洗滌后，晶片表面的大部分雜物和污漬已經(jīng)被去除，因此第二去離子水沖洗區(qū)所產(chǎn)生的沖洗后的液體已經(jīng)較為干凈，通過管路將其回收并用于第一去離子水沖洗區(qū)，能夠在保證清洗效果的同時大幅降低去離子水的用量，并且能降低環(huán)境污染，降低晶片的生產(chǎn)成本。另外，本實用新型的上述晶片清洗設(shè)備還可以具有如下附加特征根據(jù)本實用新型的一個實施例，所述第一去離子水沖洗區(qū)還具有依次設(shè)置的1 3個去離子水沖洗單元，所述清洗液洗滌區(qū)還具有依次設(shè)置的1 4個清洗液洗滌單元，所述第二去離子水沖洗區(qū)還具有依次設(shè)置的1 4個去離子水沖洗單元。[0009]根據(jù)本實用新型的一個實施例，在所述第一去離子水沖洗區(qū)中，下游的去離子水沖洗單元和與其相鄰的上游的去離子水沖洗單元液路連接，以將下游的去離子水沖洗單元產(chǎn)生的沖洗后液回收并用于其相鄰的上游的去離子水沖洗單元中進行沖洗。具體而言，本實用新型的一個示例中，所述下游的去離子水沖洗單元出水口和與其相鄰的所述上游的去離子水沖洗單元的進水口之間通過管路連接。在本實用新型的另一個示例中，所述下游的去離子水沖洗單元的出水口設(shè)置在高于與其相鄰的所述上游的去離子水沖洗單元的液位的位置處，以將下游的去離子水沖洗單元產(chǎn)生的沖洗后液溢出至與其相鄰的上游的去離子水沖洗單元中。根據(jù)本實用新型的一個實施例，在所述第二去離子水沖洗區(qū)中，下游的去離子水沖洗單元和與其相鄰的上游去離子水沖洗單元之間液路連接，以將下游的去離子水沖洗單元產(chǎn)生的沖洗后液回收并用于其相鄰的上游的去離子水沖洗單元中進行沖洗。具體而言，在本實用新型的一個示例中，所述下游的去離子水沖洗單元出水口和與其相鄰的所述上游去離子水沖洗單元的進水口之間通過管路連接。在本實用新型的另一個示例中，所述下游的去離子水沖洗單元的出水口設(shè)置在高于與其相鄰的所述上游的去離子水沖洗單元的液位的位置處，以將下游的去離子水沖洗單元產(chǎn)生的沖洗后液溢出至與其相鄰的上游的去離子水沖洗單元中。根據(jù)本實用新型的一個實施例，在所述清洗液洗滌區(qū)中，下游的清洗液洗滌單元和與其相鄰的上游的清洗液洗滌單元之間液路連接，以將下游的清洗液洗滌單元產(chǎn)生的清洗后液(清洗后的液體，在本實用新型中將其稱作“清洗后液”)回收并用于其相鄰的上游的清洗液洗滌單元中進行洗滌。具體而言，在本實用新型的一個示例中，所述下游的清洗液洗滌單元的出液口和與其相鄰的所述上游的清洗液洗滌單元的進液口之間通過管路連接。在本實用新型的另一個示例中，所述下游的清洗液洗滌單元的出液口設(shè)置于高于與其相鄰的所述上游的清洗液洗滌單元的液位的位置處，以下游的清洗液洗滌單元產(chǎn)生的清洗后液溢出至其相鄰的上游的清洗液洗滌單元中。本實用新型附加的方面和優(yōu)點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本實用新型的實踐了解到。

本實用新型的上述和/或附加的方面和優(yōu)點從
以下結(jié)合附圖對實施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中圖1為根據(jù)本實用新型實施例的晶片清洗設(shè)備的內(nèi)部示意圖；圖2為根據(jù)本實用新型的第一實施方式的一個示例的晶片清洗設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為根據(jù)本實用新型的第一實施方式的另一個示例的晶片清洗設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為根據(jù)本實用新型的第二實施方式的一個實施例的晶片清洗設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
下面詳細描述本實用新型的實施例，所述實施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實施例是示例性的，僅用于解釋本實用新型，而不能解釋為對本實用新型的限制。在本實用新型的描述中，術(shù)語“內(nèi)”、“外”、“上”、“下”、“上游”、“下游”等指示的方
位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本實用新型而不是要求本實用新型必須以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本實用新型的限制。在本實用新型的描述中，術(shù)語“橫向”指的是垂直于圖紙面的方向，“縱向”指的是沿傳輸部的傳輸方向，而“豎向”指的是圖中上下方向。另外，附圖中的箭頭表示氣體流向。下面將參考圖1-圖4來說明根據(jù)本實用新型的晶片清洗設(shè)備。如圖1所示，根據(jù)本實用新型實施例的晶片清洗設(shè)備，包括清洗室1、與清洗室1相鄰設(shè)置的干燥裝置2和傳輸部(圖中未示出)。其中，傳輸部貫穿設(shè)置于清洗室1內(nèi)，用于將待清洗的晶片8傳輸至清洗室1并在清洗室1內(nèi)傳輸晶片。清洗室1包括分別設(shè)置于所述清洗室兩端的、用于運入和運出待清洗晶片8的進料口 11和出料口 12，設(shè)置在進料口 11附近的第一去離子水沖洗區(qū)130，相鄰設(shè)置于第一去離子水沖洗區(qū)130下游的清洗液洗滌區(qū)140，設(shè)置于出料口 12附近的第二去離子水沖洗區(qū) 150。在清洗晶片時，晶片8放在晶片承載器7上，而晶片承載器7放在清洗框6中，該清洗框6被傳輸部3運輸至清洗室1內(nèi)，晶片8在依次經(jīng)過第一去離子水沖洗區(qū)130中實施的第一階段沖洗、清洗液洗滌區(qū)140中實施的清洗液洗滌、以及第二去離子水沖洗區(qū)150中實施的第二階段沖洗后，通過干燥裝置2干燥繼而出料。第一去離子水沖洗區(qū)130具有第一進水管路131和第一出水管路132，清洗液洗滌區(qū)140具有進液管路141和出液管路142，第二去離子水沖洗區(qū)150具有第二進水管路151 和第二出水管路152，其中第二去離子水沖洗區(qū)150的第二出水管路152與第一去離子水沖洗區(qū)130的第一進水管路131通過管路16相連接，以將第二去離子水沖洗區(qū)150的沖洗后液回收并用于述第一去離子水沖洗區(qū)130進行第一階段沖洗。因為晶片8是依次經(jīng)過第一去離子水沖洗區(qū)130、清洗液洗滌區(qū)140、最后到達第二去離子水沖洗區(qū)150的，在經(jīng)過第一階段沖洗和清洗液洗滌到達第二去離子水沖洗區(qū)150時晶片表面的大部分雜物和污漬已經(jīng)被去除，因此第二去離子水沖洗區(qū)150所產(chǎn)生的沖洗后液相對而言已經(jīng)較為干凈，通過管路16將其回收并用于第一去離子水沖洗區(qū)130能夠在保證清洗效果基本不受影響的同時大幅地降低去離子水的使用量，一方面能夠降低晶片的生產(chǎn)成本，同時也能夠減少水資源浪費、降低環(huán)境污染。進一步，在所述管路16中還可以設(shè)置有濾網(wǎng)，以對第二去離子水沖洗區(qū)150所產(chǎn)生的沖洗后液進行過濾進而用于第一去離子水沖洗區(qū)130中進行沖洗。由此能夠提高清洗效果。需要說明的是，雖然在圖1中所述第一進水管路131和第一出水管路132之間、清洗進液管路141和出液管路142之間、第二進水管路151和第二出水管路152之間均被獨立開設(shè)置，但是對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說不言而明，上述管路之間也可以將通過三通的閥門進行連接。[0032]如圖2所示，在本實用新型的第一實施方式的一個示例中，在晶片8的傳輸方向上，第一去離子水沖洗區(qū)130包括依次設(shè)置的兩個去離子水沖洗單元1301、第一進水管路 131'以及第一出水管路132'，且位于上游的去離子水沖洗單元1301具有進水口 1331'， 與其相鄰的下游的去離子水沖洗單元1301具有出水口 1341'，其中進水口 1331'與出水口 1341'之間通過管路18進行液路連接，以將下游的去離子水沖洗單元產(chǎn)生的沖洗后液回收并用于其相鄰的上游的去離子水沖洗單元中進行沖洗。與此類似，第二去離子水沖洗區(qū)包括依次設(shè)置的三個去離子水沖洗單元1501、第二進水管路151'以及第二出水管路152'，且位于上游的去離子水沖洗單元1501具有進水口 153Γ，與其相鄰的下游的去離子水沖洗單元1501具有出水口 154Γ，其中進水口 1531'與出水口 1541'之間通過管路19進行液路連接，以將下游的去離子水沖洗單元產(chǎn)生的沖洗后液回收并用于其相鄰的上游的去離子水沖洗單元中進行沖洗。當然，在所述管路18和/或管路19中同樣地可以設(shè)置有濾網(wǎng)以對沖洗后液進行過濾后進行再利用。由此，能夠在保證清洗效果基本不受影響的同時極大限度地降低去離子水的使用量，更進一步降低晶片的生產(chǎn)成本，同時也極大限度地減少水資源浪費、降低環(huán)境污染。進一步，在本實用新型的一些示例中，如圖2以及圖3所示，清洗液洗滌區(qū)140具有進液管路14Γ和出液管路142'，用于向清洗區(qū)提供清洗液和將清洗區(qū)產(chǎn)生的清洗后液排出。其中，在清洗液洗滌區(qū)140中，位于下游的清洗液洗滌單元1401的出液口 1421與其相鄰的上游的清洗液洗滌單元1401的進液口 1411通過管路17連接，以將下游的清洗液洗滌單元1401產(chǎn)生的清洗后液回收并用于其相鄰的上游的清洗液洗滌單元1401中進行洗滌。由此，相對于傳統(tǒng)的硅片清洗機在清洗過程中清洗液洗滌區(qū)的每一個清洗液洗滌單元之間相對獨立、清洗液不循環(huán)而言，能夠降低清洗液的消耗、降低生產(chǎn)成本，而由于清洗液中含有大量的化學試劑對環(huán)境有一定的污染，因此還能達到降低環(huán)境污染的效果。同樣地，在管路17中還可以設(shè)置有濾網(wǎng)，以對下游的清洗液洗滌單元1401產(chǎn)生的清洗后液進行簡單的過濾后用于其相鄰的上游的清洗液洗滌單元1401中進行洗滌。在本實用新型的第一實施方式的另一個示例中，如圖3所示，在晶片8的傳輸方向上，第一去離子水沖洗區(qū)130包括依次設(shè)置的三個去離子水沖洗單元1301，清洗液洗滌區(qū) 140包括依次設(shè)置的兩個清洗液洗滌單元1401，第二去離子水沖洗區(qū)150包括依次設(shè)置的四個去離子水沖洗單元1501。在本實用新型的第二實施方式的一個示例中，如圖4所示，下游的去離子水沖洗單元1301設(shè)置有高于與其相鄰的上游的去離子水沖洗單元1301的液位的出水口 1341"， 以將下游的去離子水沖洗單元1301產(chǎn)生的沖洗后液溢出至與其相鄰的上游的去離子水沖洗單元1301中。同樣地，在第二去離子水沖洗區(qū)1501中也可以將可以設(shè)置有高于與其相鄰的上游的去離子水沖洗單元1501的液位的出水口 1541"，以將下游的去離子水沖洗單元1501產(chǎn)生的沖洗后液溢出至與其相鄰的上游的去離子水沖洗單元1501中。與此類似， 下游的清洗液洗滌單元1401設(shè)置有高于與其相鄰的上游的清洗液洗滌單元1401液位的出水口 1441"，以將下游的清洗液洗滌單元1401產(chǎn)生的清洗后液溢出至與其相鄰的上游的清洗液洗滌單元1401中用于對晶片8進行清洗。根據(jù)本示例的清洗設(shè)備，同樣能達到上述實施例的在基本保證清洗效果的同時大幅地降低去離子水用量的效果。[0040]進一步，如圖4所示，在本實用新型的其他示例中，在清洗液洗滌區(qū)140中，位于下游的清洗液洗滌單元1401設(shè)置有高于與其相鄰的上游的清洗液洗滌單元1401的液位的出水口 1421'，以將下游的清洗液洗滌單元1401產(chǎn)生的清洗后液溢出至與其相鄰的上游的清洗液洗滌單元中進行洗滌。根據(jù)本示例的清洗設(shè)備，同樣能達到上述實施例的在基本保證清洗效果的同時大幅地降低清洗液用量的效果。此外，如圖2-圖3所示，根據(jù)本實用新型的晶片清洗設(shè)備還可以包括上料臺4和下料臺5。其中，上料臺4相鄰于清洗室1且位于清洗室1的上游，用于向清洗室1內(nèi)供給待清洗晶片。而下料臺5與干燥裝置2相鄰且位于干燥裝置2的下游，用于輸出已清洗及干燥的晶片8。需要說明的是，在附圖中，為了理解方便，將進水口以及進液口標記于出水口以及出液口的上方，但是對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，即使出水口以及出液口設(shè)置于進水口 /進液口的上方或位于相同高度，只要通過一定的液壓依然可以實現(xiàn)液體交換。根據(jù)本實用新型的晶片清洗設(shè)備，例如可用來清洗硅片。任何提及“ 一個實施例”、“實施例”、“示意性實施例，，等意指結(jié)合該實施例描述的具體構(gòu)件、結(jié)構(gòu)或者特點包含于本實用新型的至少一個實施例中。在本說明書各處的該示意性表述不一定指的是相同的實施例。而且，當結(jié)合任何實施例描述具體構(gòu)件、結(jié)構(gòu)或者特點時，所主張的是，結(jié)合其他的實施例實現(xiàn)這樣的構(gòu)件、結(jié)構(gòu)或者特點均落在本領(lǐng)域技術(shù)人員的范圍之內(nèi)。盡管參照本實用新型的多個示意性實施例對本實用新型的具體實施方式
進行了詳細的描述，但是必須理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以設(shè)計出多種其他的改進和實施例，這些改進和實施例將落在本實用新型原理的精神和范圍之內(nèi)。具體而言，在前述公開、附圖以及權(quán)利要求的范圍之內(nèi)，可以在零部件和/或者從屬組合布局的布置方面作出合理的變型和改進，而不會脫離本實用新型的精神。除了零部件和/或布局方面的變型和改進，其范圍由所附權(quán)利要求及其等同物限定。
權(quán)利要求1.一種晶片清洗設(shè)備，其特征在于，包括清洗室；干燥裝置，所述干燥裝置與所述清洗室相鄰設(shè)置且位于所述清洗室的下游，用于對清洗后的晶片進行干燥；以及傳輸部，所述傳輸部貫穿設(shè)置于所述清洗室內(nèi)，用于將待清洗的晶片傳輸至所述清洗室并在清洗室內(nèi)傳輸晶片，其中所述清洗室包括分別設(shè)置于所述清洗室兩端的、用于運入和運出所述待清洗晶片的進料口和出料口 ； 第一去離子水沖洗區(qū)，所述第一去離子水沖洗區(qū)設(shè)置于所述進料口附近且具有第一進水管路以及第一出水管路，用于對剛被輸送進所述清洗室的晶片進行第一階段沖洗；清洗液洗滌區(qū)，所述清洗液洗滌區(qū)位于所述第一去離子水沖洗區(qū)的下游并與其相鄰設(shè)置且具有進液管路以及出液管路，用于對晶片進行清洗液洗滌；以及第二去離子水沖洗區(qū)，所述第二去離子水沖洗區(qū)設(shè)置于所述出料口附近且具有第二進水管路以及第二出水管路，用于對晶片進行第二階段沖洗，其中所述第二出水管路與所述第一進水管路之間通過管路連接，從而將所述第二去離子水沖洗區(qū)的沖洗后液回收并用于所述第一去離子水沖洗區(qū)進行所述第一階段沖洗。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片清洗設(shè)備，其特征在于，其中所述第一去離子水沖洗區(qū)還具有依次設(shè)置的1 3個去離子水沖洗單元； 所述清洗液洗滌區(qū)還具有依次設(shè)置的1 4個清洗液洗滌單元； 所述第二去離子水沖洗區(qū)還具有依次設(shè)置的1 4個去離子水沖洗單元。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶片清洗設(shè)備，其特征在于，在所述第一去離子水沖洗區(qū)中， 下游的去離子水沖洗單元和與其相鄰的上游的去離子水沖洗單元之間液路連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶片清洗設(shè)備，其特征在于，所述下游的去離子水沖洗單元出水口和與其相鄰的所述上游的去離子水沖洗單元的進水口之間通過管路連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶片清洗設(shè)備，其特征在于，所述下游的去離子水沖洗單元的出水口設(shè)置于高于與其相鄰的所述上游的去離子水沖洗單元的液位的位置處。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶片清洗設(shè)備，其特征在于，在所述第二去離子水沖洗區(qū)中， 下游的去離子水沖洗單元和與其相鄰的上游去離子水沖洗單元之間液路連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶片清洗設(shè)備，其特征在于，所述下游的去離子水沖洗單元出水口和與其相鄰的所述上游去離子水沖洗單元的進水口之間通過管路連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶片清洗設(shè)備，其特征在于，所述下游的去離子水沖洗單元的出水口設(shè)置在高于與其相鄰的所述上游的去離子水沖洗單元的液位的位置處。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶片清洗設(shè)備，其特征在于，在所述清洗液洗滌區(qū)中，下游的清洗液洗滌單元和與其相鄰的上游的清洗液洗滌單元之間液路連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶片清洗設(shè)備，其特征在于，所述下游的清洗液洗滌單元的出液體口和與其相鄰的所述上游的清洗液洗滌單元的進液口之間通過管路連接。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶片清洗設(shè)備，其特征在于，所述下游的清洗液洗滌單元的出液口設(shè)置在高于與其相鄰的所述上游的清洗液洗滌單元的液位的位置處。
專利摘要本實用新型公開了一種晶片清洗設(shè)備，包括清洗室；與清洗室相鄰設(shè)置的干燥裝置；以及貫穿清洗室設(shè)置的傳輸部，所述清洗室進一步包括分別位于所述清洗室兩端的、用于運入和運出所述待清洗晶片的進料口和出料口；設(shè)置于進料口的第一去離子水沖洗區(qū)；相鄰設(shè)置于第一去離子水沖洗區(qū)的清洗液洗滌區(qū)；以及設(shè)置于所述出料口附近的第二去離子水沖洗區(qū)，其中第二去離子水沖洗區(qū)的出水管路與第一去離子水沖洗區(qū)的進水管路通過管路連接，從而將所述第二去離子水沖洗區(qū)的沖洗后液回收并用于所述第一去離子水沖洗區(qū)進行所述第一階段沖洗。根據(jù)本實用新型的晶片清洗設(shè)備，可以在保證清洗效果的同時大幅地降低去離子水的使用量，節(jié)約資源和成本。
文檔編號H01L21/00GK201956323SQ201020541339
公開日2011年8月31日 申請日期2010年9月25日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月25日
發(fā)明者王敬, 翟志華 申請人:江西旭陽雷迪高科技股份有限公司, 王敬