專利名稱：?jiǎn)蚊娓g酸制絨設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型 涉及硅電池片制作技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種單面腐蝕酸制絨設(shè)備。
背景技術(shù)：
目前的制絨方法和制絨設(shè)備是硅片完全浸泡在腐蝕藥液內(nèi)，達(dá)到去除硅片損傷 層及制絨的效果。但是擴(kuò)散使用的是單面擴(kuò)散，所以只對(duì)擴(kuò)散面的絨面形態(tài)有要求，即 只需要對(duì)擴(kuò)散面制絨，而且雙邊腐蝕降低了硅片的厚度，從良率和效率來看，都有所損 失。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是對(duì)現(xiàn)有制絨設(shè)備進(jìn)行改進(jìn)，進(jìn)行單面腐蝕 制絨。本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種單面腐蝕酸制絨設(shè)備， 包括制絨槽，在制絨槽的上料端具有用于控制藥液高度的上料端擋板，在制絨槽內(nèi)具有 輸送硅片的下滾輪，降低制絨槽的上料端擋板的高度，該高度為使藥液的液面剛好沒過 硅片下滾輪的高度。本實(shí)用新型的有益效果是使用本設(shè)備進(jìn)行單面制絨，一個(gè)面達(dá)到了制絨的效 果，另一個(gè)面仍是硅片本身的性能，這有利于絲網(wǎng)背電場(chǎng)的印刷及電流的收集，從而提 高效率；同時(shí)單面制絨也降低了機(jī)碎率。
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明；

圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；其中1.制絨槽，2.上料端擋板，3.下滾輪，4.硅片，5.液面。
具體實(shí)施方式
現(xiàn)在結(jié)合附圖1對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。該附圖均為簡(jiǎn)化的示意 圖，僅以示意方式說明本實(shí)用新型的基本結(jié)構(gòu)，因此其僅顯示與本實(shí)用新型有關(guān)的構(gòu) 成。一種單面腐蝕酸制絨設(shè)備，包括制絨槽1，在制絨槽1的上料端具有用于控制藥 液高度的上料端擋板2，在制絨槽1內(nèi)具有輸送硅片4的下滾輪3，降低制絨槽1的上料 端擋板2的高度，減小循環(huán)流量，使液面5剛好沒過滾輪，硅片4漂浮在液面5上。 以RENA Intex的制絨設(shè)備為例，RENA Intex的制絨方法是將硅片4完全浸沒在 藥液里，上表面也被腐蝕并制絨。在下滾輪3上還具有上滾輪，上滾輪的目的是下壓硅 片4，使硅片4不漂浮，保持前進(jìn)方向。采用本設(shè)計(jì)來改造該制絨設(shè)備，去除上滾輪， 降低制絨槽上料端擋板2的高度，減小循環(huán)流量，使液面5剛好沒過下滾輪3，硅片4漂浮在液面5上；或者直接將Intex制絨槽更換成Inoxside刻蝕槽，形成對(duì)制絨槽的單面腐 蝕。
權(quán)利要求1. 一種單面腐蝕酸制絨設(shè)備，包括制絨槽(1)，在制絨槽(1)的上料端具有用于控制 藥液高度的上料端擋板(2)，其特征是在所述的制絨槽(1)內(nèi)具有輸送硅片(4)的下滾 輪(3)，降低制絨槽(1)的上料端擋板(2)的高度，該高度為使藥液的液面(5)剛好沒過 下滾輪(3)的高度。
專利摘要本實(shí)用新型涉及硅電池片制作技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種單面腐蝕酸制絨設(shè)備，包括制絨槽，在制絨槽的上料端具有用于控制藥液高度的上料端擋板，在制絨槽內(nèi)具有輸送硅片的下滾輪，降低制絨槽的上料端擋板的高度，該高度為使藥液的液面剛好沒過硅片下滾輪的高度。使用本設(shè)備進(jìn)行單面制絨，硅片漂浮在液面上，一個(gè)面達(dá)到了制絨的效果，另一個(gè)面仍是硅片本身的性能，這有利于絲網(wǎng)背電場(chǎng)的印刷及電流的收集，從而提高效率；同時(shí)單面制絨也降低了機(jī)碎率。
文檔編號(hào)H01L31/18GK201796935SQ201020547499
公開日2011年4月13日 申請(qǐng)日期2010年9月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月29日
發(fā)明者劉彬 申請(qǐng)人:常州天合光能有限公司