專利名稱：發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種發(fā)光二極管。
背景技術(shù)：
目前市面上所使用的發(fā)光二極管，所發(fā)出的光大都為紅、黃、藍(lán)綠、藍(lán)及白光等多 種。就國內(nèi)外針對發(fā)光二極管研究開發(fā)而言，無不針對于芯片的發(fā)光效率及白光的封裝結(jié) 構(gòu)為主要的研發(fā)重點(diǎn)，如日本日亞化學(xué)公司推出的一種可發(fā)白光的發(fā)光二極管，其結(jié)構(gòu)如 圖1所示，該結(jié)構(gòu)主要是利用熒光粉與樹脂混合而形成熒光粉樹脂1，將熒光粉樹脂涂布在 發(fā)光的芯片2的上，利用芯片的發(fā)光與熒光粉層的能量轉(zhuǎn)換，得到肉眼視覺化的白色發(fā)光 裝置，該裝置雖為發(fā)光二極管白光結(jié)構(gòu)的發(fā)明鼻祖，但對于所發(fā)光白光的均勻性控制，及發(fā) 光半功率全角的控制仍未獲得明顯改善。根據(jù)惠普公司(HP)所發(fā)表的《光電子/光纖-光學(xué)應(yīng)用手冊》，其中提及光的臨界 角損失，該節(jié)解釋了臨界角時，光線不會射出環(huán)氧樹脂外而在環(huán)氧樹脂內(nèi)進(jìn)行全反射效應(yīng)， 此效應(yīng)稱為Fresnel效應(yīng)。傳統(tǒng)式的LED封裝無法利用Fresnel效應(yīng)而造成光的損失，其發(fā) 光示意圖如圖2所示，一般業(yè)界所指的半功率全角由光線3所形成，而光線4為LED封裝的 光線損失，光由環(huán)氧樹脂nl直接折射至空氣π2。理想的LED封裝結(jié)構(gòu)如圖3所示，光線應(yīng) 在環(huán)氧樹脂內(nèi)部進(jìn)行全反射5，再透過曲率6，將光線集中在半功率全角位置7，理想的LED 封裝結(jié)構(gòu)并無LED封裝邊際效應(yīng)的光損失(Side Light Loss)。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是是提供一種可增加光軸亮度，進(jìn)一步避免發(fā)光二 極管的光損失效應(yīng)，具有較好的半功率全角的角度控制能力和混光均勻性的發(fā)光二極管。為解決以上技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供了一種發(fā)光二極管，包括兩個電極支架； 發(fā)光芯片；金屬導(dǎo)線和環(huán)氧樹脂；所述環(huán)氧樹脂內(nèi)嵌設(shè)有喇叭狀反射鏡。本實(shí)用新型的有益效果在于利用反射鏡將從發(fā)光芯片產(chǎn)生的光反射至半功率全 角位置，這樣便可以充分利用LED發(fā)光芯片所產(chǎn)生的光際效應(yīng)，提高發(fā)光軸中心的光強(qiáng)度， 使光線充分混光而達(dá)到半功率全角下混光均勻的效果。

圖1為日亞公司白色發(fā)光二極管的示意圖；圖2為傳統(tǒng)發(fā)光二極管封裝后，光線進(jìn)行及光損失的示意圖；圖3為理想發(fā)光二極管光線進(jìn)行全反射的示意圖；圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例所述發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)及光線路徑的示意圖；圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例所述反射鏡的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
如圖4、圖5所示，本實(shí)用新型一種發(fā)光二極管，它包括兩個電極支架8，發(fā)光芯片 9，金屬導(dǎo)線10和環(huán)氧樹脂11，環(huán)氧樹脂11內(nèi)嵌設(shè)有喇叭狀反射鏡12，利用反射鏡12的反 光層15將從發(fā)光芯生9產(chǎn)生的光反射至半功率全角位置14，這樣便可以充分利用LED發(fā) 光芯片9所產(chǎn)生的光際效應(yīng)，提高發(fā)光軸中心的光強(qiáng)度，使光線充分混光而達(dá)到半功率全 角下混光均勻的效果。反射鏡12由金屬或塑膠或透明晶體或各種高分子材料制成。反射 鏡12內(nèi)層涂布有一反光層巧，以使反光效果更佳。反射鏡12形狀為對稱于光軸中心軸的 幾何形狀，即反射鏡12夾角θ 1 = θ 2。反射鏡12的形狀可因應(yīng)產(chǎn)品性能要求作成為非對 稱于光軸中心軸的幾何形狀，即反射鏡12夾角Θ1興θ 2。本實(shí)用新型發(fā)光二極管可達(dá)到 芯片成本較低(光軸中心光強(qiáng)度較高)，發(fā)光半功率全角質(zhì)量較佳的產(chǎn)品性能，并且可以降 低產(chǎn)品成本。本實(shí)用新型并不限于上文討論的實(shí)施方式。以上對具體實(shí)施方式
的描述旨在于為 了描述和說明本實(shí)用新型涉及的技術(shù)方案。基于本實(shí)用新型啟示的顯而易見的變換或替代 也應(yīng)當(dāng)被認(rèn)為落入本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。以上的具體實(shí)施方式
用來揭示本實(shí)用新型的最 佳實(shí)施方法，以使得本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員能夠應(yīng)用本實(shí)用新型的多種實(shí)施方式以及多種 替代方式來達(dá)到本實(shí)用新型的目的。
權(quán)利要求1.一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括兩個電極支架； 發(fā)光芯片；金屬導(dǎo)線和環(huán)氧樹脂；所述環(huán)氧樹脂內(nèi)嵌設(shè)有喇叭狀反射鏡。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于所述反射鏡由金屬或塑膠或透 明晶體制成。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于所述反射鏡內(nèi)層涂布有一反光層。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，包括兩個電極支架；發(fā)光芯片；金屬導(dǎo)線和環(huán)氧樹脂；所述環(huán)氧樹脂內(nèi)嵌設(shè)有喇叭狀反射鏡。本實(shí)用新型利用反射鏡將從發(fā)光芯片產(chǎn)生的光反射至半功率全角位置，這樣便可以充分利用LED發(fā)光芯片所產(chǎn)生的光際效應(yīng)，提高發(fā)光軸中心的光強(qiáng)度，使光線充分混光而達(dá)到半功率全角下混光均勻的效果。
文檔編號H01L33/60GK201904374SQ201020558079
公開日2011年7月20日 申請日期2010年10月12日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月12日
發(fā)明者傅希全, 張木榮 申請人:北京吉樂電子集團(tuán)有限公司